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1、电路图基础,第二章 电路图基础,电路图基础,读图及复习,电路图基础,电路图基础,N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管,电路图基础,与管子对应的结构示意图,电路图基础,Gate Source Drain Substrate,电路图基础,新名词:沟道宽度W和沟道长度L,电路图基础,l 晶体管的长度(沟道的长度) w 晶体管的宽度(沟道的宽度),电路图基础,um的概念,电路图基础,复习:N沟道增强型MOS管的 工作原理,电路图基础,电路图基础,复习:N沟道增强型MOS管的 工作原理,通常将开始形成反型层所需的VGS值称为开启电压,用VGS(th)表示。 开启电压取决于场效应管的工艺参数。SiO
2、2绝缘层越薄,N+区的掺杂浓度越高,衬底掺杂浓度越低, VGS(th) 就越小,电路图基础,复习:P沟道增强型MOS管的 工作原理,电路图基础,电路图基础,本书的符号,G,D,S,G,D,S,0,1,电路图基础,P6,7,8,电路图基础,CMOS反向器,电路图基础,CMOS与非门,电路图基础,CMOS或非门,电路图基础,复杂逻辑门,电路图基础,画版图的方法,1、层次化画法 16个晶体管 2、合并,形成新的晶体管级描述 8个晶体管,电路图基础,电路图基础,电路图基础,CMOS传输门,电路图基础,单晶和多晶,按照原子在整个晶体内的排列形式不同,晶体分成单晶体和多晶体两种。 单晶是指在整个晶体内原子
3、都是周期性的规则排列,电路图基础,多晶是指在晶体内每个局部区域里原子是周期性的规则排列,但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同 因此多晶体也可看成是由许多取向不同的小单晶体(又称晶粒)组成的。,电路图基础,SiO2 石英玻璃 透明,电路图基础,集成电路的物理结构,电路图基础,电路图基础,电路图基础,电路图基础,电路图基础,截面图 剖面图,电路图基础,互连线的电阻,Rs代表上表面边长为W X W的方形区域的电阻。 “每方”,电路图基础,互连线的电阻,电路图基础,互连线的电容,绝缘氧化层的厚度Tox 绝缘氧化层的介电常数ox 电容存在于任意两个在电气上被分开的导体之间,电路图基础,互连线的电容,绝缘氧化层的厚度Tox 绝缘氧化层的介电常数ox 对于互连线来说,连线导体是通过二氧化硅玻璃绝缘层与
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