ME-P-03C_3+及以上、Anylayer_结构HDI板制作指引_1

1、文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：ARevised Description List 修订对照表AInitial vision 新发布文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：APage页码Content 目录1.0 Purpose 目的2.0 Scope 范围3.0 Refere nee参考文件4.0 Defi ni tio n 定义5.0 Respo nsibility and authority 职责权限6.0 Flow chart 流程图7.0 Procedure 程序7.1 Process Design工艺流程设计7.2 Notice for tooli ng desig

2、 n 工具设计注意点7.3 Curre nt Loadi ng Coup on 耐电流测试模块设计8.0 Record 记录9.0 Appendix 附件文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A1.0 Purpose 目的为奥士康集团有限公司制作3+及以上多阶 HDI板和Any layer结构设计的 HDI板的工艺流程、工具设计制作建立规范，为PE和QAE进行制作工具制作与工具审核时，提供参考依据。2.0 Scope 范围适用于奥士康集团有限公司三阶及多阶HDI板和Anylayer结构设计的 HDI板的生产和工具制作。3.0 Referenee参考文件3.1HDI板设计指引总则3.2内层

3、图形工具制作规范3.3压板工序设计及工具制作规范3.4机械加工工序工具制作规范3.5外层图形工具制作规范3.6绿油工序工具制作规范4.0 Defi nition 定义4.1 HDI孔：指由激光钻机制作完成的导通孔，亦称H孔或盲孔或激光孔；4.2三阶HDI板：指至少含有 L1/2/3/4或L1/4三阶HDI孔的PCB板(板上同时可能还有一/二阶HDI孔，也可能没有一 /二阶HDI 孔)，通常该板结构表达为：3+X+3，多阶板依此类推；4.3多阶板HDI板：指三阶或三阶以上的 HDI PCB板，通常该板结构表达为：n+X+ n, (n ;3)4.4 Anylayer板：指相邻每层都仅含一阶HDI孔

4、的PCB板。通常该板结构表达为：n+2+n，其由双面板开始，依此叠加进行压板及钻镭射孔；4.5三阶及 Anylayer板结构中各种 HDI层别定义表示如下:文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A5.0 Respo nsibility and authority 职责权限5.1制作工程部（ME）:根据各工序生产能力制定及修改本程序；5.2产品工程部（PE）：按此程序规定，为Ml制作与菲林制作提供制作指引;5.3品质工程部（QAE）:按此程序规定，进行工具审核及MI校正。6.0 Flow chart 流程图参照HDI制造工序流程指示文件内容7.0 Procedure 程序7.1 Proce

5、ss Design工艺流程设计7.1.1三阶HDI板及Anylayer典型结构示意图UL2L3L4ISL5L7L8L9L1图1 L38含埋孔的层境孔掘三阶IDlte结勾图ffl 2 L北含用孔旳I梯式二阶HDI版结枸阁文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A图3十层Any layer板切片图产品类型生产流程说明三阶盲孔设计L04/05, L06/07开料t|DF（前处理T贴膜T曝光tDES） tIAOI1.MI上备注开料前烤板；阶梯式三阶盲孔设计L03/08L04/05,L06/07棕化-L03/08排板/层压-CFM 钻靶/压板后处理T减铜T二次棕化LDD激光钻孔机械钻孔磨板除胶 沉铜

6、闪镀全板电镀 L03/08 IDF（前处理贴膜曝光DES）L03/080A0I1. 减薄铜控制 8+/-1um ;2. 二次棕化后铜厚控制6+/-1um ;填孔式三阶盲孔设计（L03/08）L04/05,L06/07棕化L03/08排板/层压CFM 钻靶/压板后处理 减铜（1）二次棕化ldd激光钻孔磨板除胶沉铜闪镀 水平填孔电镀 X -RAY钻靶孔减铜机械钻孔磨板 除胶沉铜闪镀全板电镀 L03/08 IDF（前处理贴膜曝光DES） L03/08 OAOI1. 减铜后铜厚控制8+/-1um ;2. 二次棕化后铜厚控制6+/-1um ;3减铜后铜厚控制12+/-3um ;阶梯式三阶盲孔设计L02/

7、09L02/09棕化L02/09排板/层压CFM钻靶/压板后处理二次 棕化ldd激光钻孔磨板除胶沉铜闪镀 全 板电镀 L02/09IDF（前处理贴膜曝光DES）L02/09 内层 AOI1. 二次棕化前不需减铜；2. 二次棕化后铜厚控制8.75+/-0.75um ;阶梯式三阶盲孔设计L01/10L01/10棕化L01/10排板/层压CFM钻靶/压板后处理减铜 二次棕化ldd激光钻孔机械钻孔磨板 除胶 沉 铜闪镀全板电镀L01/10 ODF（前处理贴膜曝光DES）L01/100A0I1. 减薄铜控制 8+/-1um ;2. 二次棕化后铜厚控制6+/-1um填孔式三阶盲孔设计L02/09L02/0

8、9棕化 L02/09排板/层压CFM钻靶/压板后处理 二 次棕化ldd 激光钻孔磨板除胶沉铜闪镀水平填孔电 镀L02/09 IDF（前处理贴膜曝光DES） L02/09内层AOI1. 二次棕化前不需减铜；2. 二次棕化后铜厚控制8.75+/-0.75um ;填孔式三阶盲孔设计（L01/10）L01/10棕化L01/10排板/层压CFM钻靶/压板后处理减铜（1） X次棕化 ldd激光钻孔磨板除胶沉铜闪镀水平1. 减铜控制 8+/-1um ;2. 二次棕化后铜厚控制6+/-1um文件名称：文件状态:文件编号：版本-修订号：A填孔电镀TX -RAY钻靶孔T减铜T机械钻孔T磨板T除胶T 沉铜闪镀T全板

9、电镀T L01/10 ODF（前处理T贴膜T曝光 T DES）t L01/10 OAO I3.减铜后铜厚控制12+/-3um ;Anylayer 流程（以 10 层 Anylayer为例）L5/6开料-L5/6机械钻孔（钻工具孔）t锣板修边（倒圆角） t L5/6IDF （采用湿膜做CFM开窗）或者二次棕化 t L5/6激光钻 孔-L5/6除胶TL5/6沉铜闪镀TL5/6水平填孔电镀t L5/6IDF（前处理-贴膜-曝光-DES）- L5/6AOI tL4/7 棕化 t排 板压板TCFM钻靶孔-压板后处理T二次棕化T激光钻孔（LDD） T磨板-除胶T沉铜闪镀T水平填孔T IDF（前处理-贴 膜

10、-曝光-DESTIAOI tL3/8棕化 T 排板压板T CFM钻靶孔-压板后处理T二次棕化T激光钻孔（LDD） T磨板 -除胶T沉铜闪镀T水平填孔T IDF（前处理-贴 膜-曝 光-DESTIAOI -L2/9棕化t排板压板tCFM 钻靶孔 -压板后处理T二次棕化T激光钻孔（LDD） T 磨板- 除胶T沉铜闪镀T水平填孔TIDF（前处理-贴 膜-曝光-DESTIAOI TL1/10棕化 T 排板压板T CFM钻靶孔T压板后处理T减铜-二次棕化T通盲孔拆分电镀（激光钻孔（LDD） T磨板T除胶T沉铜闪镀T水平填孔电镀T XRAY钻靶孔T减铜 T机械钻孔T磨板-除胶T沉铜闪镀T 全板电镀）/通盲

11、孔合镀（激光钻孔（LDD） T机械钻孔T磨板T除 胶T沉铜闪镀T垂直填孔电镀T水平填孔电镀）T机械钻孔T ODF（前处理-贴膜-曝光-DES）t OAOI1. L5/6层锣板修边时，注明 倒圆 角”；在除胶流程后面备注 除胶前 过薄板清洗线”走LDD流程 时：二次棕化后铜厚控制 9.5+/-0.5um ;2. L4/7,L3/8, L2/9 流程中，若本层板厚大于等于0.3mm时设计磨板流程，否则直接在除胶流程后 面备注除胶前过薄板清洗线”；3. 开料后的机械钻孔钻岀后工序 需使用工具孔；开料后的机械钻 孔；a、CFM+湿膜：用于钻出板角的 镭射、湿膜曝IDF光、 和锣 板修边的定位孔；b、L

12、DD :开料后的机械钻孔用 于IDF钻出板角的镭射、和 锣板修边的定位孔。4. BU 层（L4/7 , L3/8,L2/9）二次棕化前不需减铜，二次棕化后铜厚控制 8.75+/-0.75um5. L1/10 （外层）减薄铜控制 8+/-1um ; 二次棕化后铜 厚控制6+/-1um。外层板表面涂覆与检测生产流程绿油T字符T沉镍金T阻抗测试T铣外形T ETEST T 最终检验 t FQA抽检 t包装此流程为典型生产流程，具体依 客户对板面表面要求决定。Remark: 1.以上的流程中沉铜闪镀均是在水平线（LbCu12生产），Ml需要注明使用水平电镀线;2. 表中所有 CFM表示“CFM前处理-贴

13、膜-曝光-蚀刻”;3. 耐电流测试按照正常HDI板流程设计，安排在内外层 AOI工序;7.1.3工艺流程设计注意点7.1.3.1 Any layer的芯Core层在满足客户要求及内部制作要求的情况下，优先使用LDD流程；生产（芯板 LDD流程适用范围如下）若由于部分限制条件或客户要求无法使用LDD流程时，则镭射采用 CFM开等大窗设计，且在CFM工序后备注 蚀刻后控制开窗尺寸 A+/-15um （A指设计的孔径）”其余各层镭射孔均为LDD工艺，但当不能文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A设计LDD工艺时，需与 ME沟通决定工艺设计；（对于任何 HDI板中采用叠盲孔设 计的盲孔，处于叠

14、孔下方的盲孔优先采用LDD工艺设计；若出现其它限制导致无法使用LDD工艺时，需采用 CFM开等大窗工艺设计且在 CFM工序备注控制开窗蚀 刻后完成尺寸：A+/-15um（ A指设计的孔径）；Any layer制板芯板适用 LDD流程目前适用范围：（1） 芯板开料设计铜厚为T&TOZ（2）芯板介厚与镭射钻孔孔径控制符合以下条件A、CS Core 厚 2mil （不含铜）,孔径设计为3.5mil;B、CS Core 厚 2.5mil （不含铜）,孔径设计为3.5mil;C、CS Core 厚 3mil （不含铜），孔径设计为4.5mil;如有其它设计需提前与 ME确认是否可以制作。7.1.3.2对

15、于Any layer设计的CS层（双面板），优先采用 2.5mil （不含铜）设计，如镭射工艺 采，孔径设计为用CFM开等大窗（蚀刻完成开窗直径控制D（盲孔孔径）+/-15um）3.54.5mil，若必须采用 3mil core设计，则采用 CFM开等大窗设计（蚀刻完成开窗直径控制 D（盲孔孔径）+/-15um），孔径设计为 4.5mil5mil ;采用其它厚度 Core时需 与ME协商处理；对于孔径加大后通过移线或移孔仍然出现间距不足问题时，允许局部削Pad至最小2.5mil，超出此范围后需与ME协商。7.1.3.3 Any layer芯板（CS层）在电镀工序（薄板清洗线、沉铜闪镀、填孔电镀

16、等）容易卡板报废，因此，满足以下条件制板，需增加锣板修边流程对制板板角倒圆角：（1）满足条件：Any layer芯板Core厚3mil及3mil以下（不含铜）（2） 流程设计：开料 一钻工具孔一锣板修边一芯板正常流程 一除胶渣一正常流程7.1.3.4镭射钻使用 LDD工艺时，若本层镭射孔的最小孔底pad单边小于3mil，则需要镭射钻孔时需使用 Skiving烧靶制作（除芯板LDD流程使用机械钻孔钻出通孔定位外&外层使用CFM通孔定位外）；若本层镭射孔的最小孔底pad单边大于等于 3mil，则不需要增加镭射钻孔Skiving烧标靶，直接走正常的LDD流程；另外，当本层镭射孔的最小孔底pad单边小

17、于3mil时，需要在其之前的一层的线路曝光工序中备注使用DI/LDI曝光制作”（例如L8/7和3/4的镭射孔底 Pad在此范围时，在 L4/7的IDF曝光工序；备注使用DI/LDI机制作）文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A7.135 Any layer板的Panel size常规设计为 16.2x20.4,最大尽量不要超过18.4X21（特殊有超过时请与ME沟通解决）；且单元内unit/set的排布要求规则，不可以出现横竖排列并存情况。为避免镀铜均匀性对单元内的影响，除外层外的其他需电镀层次要求板边设计需20mm电镀夹边30mm）在不影响板料利用率的前提下，板边尽量大；对于 3+及

18、以上HDI板最大尺寸不要超过20.4 ” X24.4”；7.1.3.6针对填孔板，若同时含有通孔和盲孔的层且需填盲孔，原则上均设计通盲孔拆分电镀；即：镭射t电镀填孔t机械钻t电镀；（对于不同板 ME测试后确认可以一次性镀时， 再各板单独修改流程，其中如部分制板ME已ECN更改为通盲孔合镀流程，对于等同设计制板或制板升级版本时，可参考设计）；7.1.3.7三阶及以上 HDI和Any layer盲孔设计中：（1）Anylayer 芯板A、 如芯板设计为LDD流程时，流程设计为：开料-钻工具孔-锣板修边（倒圆角）（注意：满足条件时才增加此流程）-二次棕化-镭射钻孔；B、 如芯板设计为 CFM流程时，

19、流程设计为：开料-钻工具孔-锣板修边（倒圆角）（注意：满足条件时才能增加此流程）-CFM-镭射钻孔-后续正常流程；（2） BU层（且只含有盲孔）盲孔均采用12um铜直接钻孔工艺，流程为：层压后处理-二次棕化（棕化后铜厚8.75+/-0.75um）-LDD 镭射钻孔-后续正常流程；（3） 其它各层的 LDD走的流程：层压后处理-减薄铜（8+/-1um）-二次棕化（棕化后铜 厚6+/-1um）-LDD 镭射钻孔-（机械钻孔）-后续正常流程；7.1.3.8各层次线路蚀刻干膜宽度需满足：0.1 ” 修边后当层基板尺寸L-当层CFM/线路干膜尺寸 W=0.2 ；7.1.3.9 Anylayer板的CS层

20、走CFM工艺时，需要设计走IDF湿膜流程且全板涂覆湿膜，曝光菲林设计时，菲林边不需要留黑边，即板边不留基材区设计：7.1.3.10镭射走LDD工艺的板，在镭射钻（/机械钻）后到电镀时，若本层板厚度小于0.3mm ,请在除胶流程中备注除胶前过薄板清洗线”；当板厚=0.3mm时则为正常的在除胶前加磨板”流程；7.1.3.11锣板后的过IR流程并非必需要流程，若客户有明确要求必须过IR或按照 ME其他文件规定需要过IR时方需要设计过IR流程；文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A7.1.3.12对于Any layer设计的CS层（双面板），如无法满足 LDD流程条件而需要使用CFM流程时，铜

21、箔选择需满足客户铜厚要求及线路制作要求（若设计采用H 0Z铜箔时又由于铜厚原因需要在CS填孔后IDF前增加减铜流程时，选用 1/3 OZ铜设计）；Anylayer的各层，当其最小线宽/线距设计 50um时，优先选用反转铜箔（RTF铜箔）, 所有HDI板存在线宽/线距w 50um时，同样优先选用反转铜箔（ RTF铜箔）;7.1.3.13对于3+及以上/Anylayer结构设计的板，若介电层可以使用 106/1067PP时且使用的材料供应商提供1067PP时，在满足压合其它限制条件的前提下，必须优先使用1067PP,以改善压板变形问题，1067PP相关镭射孔设计同106PP 一致。7.2 Noti

22、ce for tooli ng desig n 工具设计注意点7.2.1 Anylayer芯板锣板修边工具设计（1 ）设计要求A.芯板为LDD流程&CFM 湿膜流程时（湿膜流程，全板覆盖湿膜油墨；CFM湿膜流程MI备注 涂覆不留边”，锣板修边设计：四角倒圆角， R=20mm（请注意锣板程 序资）料在制作时，下刀及出刀处保证无尖角），如下图所示 A;为减少曝光过程中产生的板角干膜碎，Anylayer结构芯板层图形制作时，四个板角在倒圆角锣带基础 上往里+2mm区域做成非曝光区，见下图 B所示B.钻工具孔工具制作时，需在四角增加一组3.175mm锣板修边用定位孔（如下图涂色示文件名称：文件状态：文

23、件编号：版本-修订号：A(1)C. 锣板修边用定位孔系数设定为：1:1 （属性设定为不作拉伸处理）；锣板修边锣带按照1:1制作；锣板修边工具孔不能使用于其它流程；D. 除锣板修边工具孔特别控制外，镭射钻孔、图形制作及机械钻孔等工序使用定位孔按照正常拉伸系数进行制作；E. 另外，若为LDD流程，镭射钻孔及图形制作使用相同定位孔；若为 CFM流程， CFM及图形制作使用相同定位孔，镭射钻孔定位孔按照SOP设计使用 CFM蚀刻出来的定位标靶制作。7.2.2激光钻孔时根据板边的对位Mark定位，Mark点需要设计内层 Mark点和通孔 Mark点两种。7.2.2.1内层 Mark :当盲孔底 pad的

24、最小 Annular Ring在2.5mil以下时，盲孔对位Mark采用其下一层的内层标靶对位；各层标靶独立设计；ol外斥Mark円便內层MarkMerit赵 top4r bottom文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A7.222内层 Mark图形：内层菲林设计：内环为直径1.0mm的铜盘（Copper Pad）外环，（Clearanee）为130mil的基材圈。CFM菲林设计：直径 130mil的基材圈。crvftr-I轧内层菲林附CFt T林设计7.2.2.3通孔Mark :若盲孔底pad的最小 Annular ring 在2.5mil以上时，采用四个角通孔进行对位，此通孔为CF

25、M对位孔，由压板后处理采用X-Ray钻孔机钻出，其设计同普通 HDI设计规范。（同普通 HDI板的LDD工艺激光钻孔对位 Mark,直接使用CFM曝光的四个 3.175mm孔做标靶，制作LDD工艺的激光钻带时只需将原来的对位标 PE靶坐标替换为此4个孔的坐标即可）（但请注意7.1.3.2中关于使用DI/LDI 机的要求）.7.2.2.4当任何一次镭射只有单面有镭射孔而另外一面无镭射孔时（Any layer的CS层除外），CFM通孔Mark只设计在有镭射孔那一面的底层上；（例如若L3/8镭射钻时，若只有L3面有需做镭射钻而L8面无镭射孔，则L3/8的CFM对位孔的标靶只设计在L4层上）7.2.3对于有机械钻孔的层次，其机械钻孔的定位孔和备用定位孔均需要尽量设计在板的长边或宽边的正中间，且尽量向单元区域靠近，如下图所示，标靶1/2必须设计在宽边的正中间;标靶4/5必须设计在板长边的正中间（即 A=B）；文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：AO 1AFw42 O 035j1L3I17.2.4由于3+和Anylayer板有多次层压及电镀填孔等，因此在板边标靶上与普通HDI比要求增加以下要求：7.241板角的工具孔（测数同心圆，测数的各层独立标靶，CFM标靶，机械钻孔标靶和备用标靶，镭射标靶）紧挨着板角的单元，工具孔设计在离板角30m