模拟电子技术基本概念复习题与答案

1、模拟电子技术基础基本概念复习题一、判断题1、凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。X2、 凡是运算电路都可利用 虚短”和 虚断”的概念求解运算电路。 V3、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有 vn= vpox4、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。X5、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地” oX6、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于 各输入电流之代数和。 V7、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 V8 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。X

2、9、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。X10、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。V11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。X12、BJT型三极管是电流控制型有源器件，基极电流 ib与集电极电流ic的关系为icib oX13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。 V14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。X15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。X16、由于放大的对象是变化量， 所以当输入信号为直流信号时， 任何放大电路的输出都毫 无变化。X17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 V18、共集放大电路无电压放

3、大作用，但有功率放大作用。 V19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用x20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。X21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。X22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。X23、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。X24、输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。 V25、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。X26、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。X27、阻容耦合多级放大电路各级的 Q点相互独立，它只能放大交流信号。 V28、放

4、大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。X29、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件，是电流控制器件，沟道越宽电流越大。X30、由MOSFET管组成的放大电路中iG 031、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中，若Vgs小于零，则iD = 0。X32、若增强型N沟道MOS管的vgs大于开启电压Vt，则输入电阻会明显变小。X33、N沟道JFET在正常工作时的vgs不能大于零。V34、耗尽型MOS管在栅源电压ugs为正或为负时均能实现压控电流的作用。V35、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。V36、

5、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。X37、增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流iD必为零。V38、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000X39、通频带BW等于放大电路的上限频率fH和下限频率fL的平均值。X40、集成运放部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。V41、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。V42、集成运放部是直接耦合的多级放大电路。V43、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。V44、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。X45、对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端

6、输入，在差模输入交流通路中，长尾电阻Re 一概可视为短路。X46、用电流源代替Re后电路的差模电压放大倍数增加。X47、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性围，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。V48、集成运放的输入失调电压 Vio是两输入端电位之差。X49、反馈量仅仅决定于输出量。V50、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。V51、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。X52、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。X53、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。 V54、反

7、相比例运算电路属于电压串联负反馈， 同相比例运算电路属于电压并联负反馈。 X55、共集放大电路AuUe ； UbUcB .UbUbUeD . VcUb 3C .机=00,妒=00（B ）滤波器。D.带通在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下, 流电路输出电压平均值的（B ）A . 1B . 2C .桥式整流电路若变压器二次电压为桥式整流电路输出电压平均值是半波整倍。1.5D . 0.5U2102sin tV ,贝U每个整流管所承受的最大反向电压为（A ）。A. 10、,2VB. 20 2VC. 20VD .、2V。77、单相桥式整流、电容滤波电路中，已知变压器副边电路的有效值为 U2= 10V

8、,RlC4T/2（T为电网电压的周期），测得输出电压平均值 Uo（ AV）可能的数值为：A . 14V B . 12V C . 9V D . 4.5V（1）正常情况下Uo（AV）（ B ）；（2）电容虚焊时Uo（av）（9 ）;（3）负载开路时Uo （AV）（A ）;（4）一只整流管和电容同时开路时 Uo （ av）（D ）;78、单相桥式整流电路中，若有一只二极管接反，则（ C ）0A 输出电压约为2Ud B.变为半波直流C.整流管将因电流过大而烧坏。三、填空题（答案附后）1、 频率失真是由于放大电路的 不够宽引起的，非线性失真是由于放大器件的特性引起的。2、 工作在线性区的理想运放输入端具

9、有的两个特点是_虚短_虚断。理想集成运算放大器的放大倍数 Av=，输入电阻r=，输出电阻 2=。3、 比例集成运算放大电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。4、 集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入 。负反馈5、 在N型半导体中，多数载流子是 ;在P型半导体中，多数载流子是 。6、 本征半导体是 ，其载流子是 和，两种载流子的浓度 。7、 当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极。8 当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。9、PN结的P区接电源的正极，N区接负极称PN结为。10、二极管的正向电阻 ，反向电阻，故二极管最主要的特性是 。11、硅二极管导通后，其管压

10、降是基本不变的，典型值为 伏；其门坎电压Uth约为伏。12、一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的要 。13、二极管最主要的特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的一和反映反向特性的。14、三极管能起放大作用的部条件是： 发射区掺杂浓度 ，基区掺杂浓度比发射区掺杂浓度，基区宽度。15、BJT的输出特性上可划分为三个区分别 、。16、当温度升高时，双极型三管的B将，反向饱和电流Iceo _。17、当温度升高时，双极性三极管的正向结压降 Vbe。18、BJT工作在放大区的外部条件是： 。19、BJT工作在饱和区时二个PN结的偏置情况为：发射结 ，集电结。20、测得某电路中NPN管得Vbe= 0.7

11、V，Vce = 0.2V，由此可判定它工作在 区。21、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型（是PNPt还是NPN管,是硅管还是锗管）,并区分e、b、c三个电极。022、放大电路中动态工作点在 负载线上移动。23、双极型三极管是控制型控制器件。24、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态(饱和、截止、放大、倒置或已损坏)-8. 5V、4-6V-1SVg- 12V$1/l-9.2Vt -12. 3V1 -3V11LBcA管；B管；C管25、图(a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流

12、方向，判断它们 的导电类型分别为 型和 ，用半导体材料 和 9成，电流放大系数 B 分别为和。26、在模拟电子电路测试中，常用 信号作为标准信号使用。27、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，组态有电流放大作用，组态有倒相作用；组态带负载能力强。28、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中， 放大电路的输入电阻最小, 放大电路的输出电阻最小。29、对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电路的电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用组态；若希望高频性能好，应选用 组态。30、共发射极电路又可称为

13、 ，共集电极电路又可称为 ，共基极电路又可称为。(A电压跟随器；B反相电压放大器；C电流跟随器)31、某PNP三极管构成的共射放大电路其输出波形出现顶部失真则为 失真，原因是Q点，可以使Ib 来消除。32、交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如下图所示，负载上获得的最大不失真输出电压的峰峰值是 V。33、多级放大电路中，后一级的 电阻是前一级的负载。34、在多级放大器中，上一级的输出电阻可作为下一级的 。35、多级放大电路常用的耦合方式有 :、耦合。36、当信号频率等于放大电路的fL或fH时,放大倍数的值为中频时的 倍。37、对于单极共射放大电路，当f = fL时，V。与vi相位关系

14、是 ，当f= fH时，Vo与Vi相位关系是。38、某放大器的下限角频率 l，上限角频率h，则带宽为Hz。39、一个放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知中频放大倍数Avm|=, fL为，fH为，当信号频率为fL或fH时，实际的电压增益为 。40、电路如图所示(用(a)增大,(b)减小,(c)不变或基本不变填空)(1)若将电路中 Ce由100卩F ,改为10卩F则|Avm|将，fL将，fH将，中频相移将 。(2)若将一个6800pF的电容错焊到管子b，c两极 之间，则|Avm|将， fL将， fH将。( 3)若换一个fT较低的晶体管,贝U |Avm |将， fL 将， fH 将。41、场效应管

15、是一种利用 效应来控制电流大小的半导体器件。42、场效应管是 控制性器件，只依靠 导电。43、场效应管的漏极特性上的三个区域分别为 、 。44、图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是沟道45、46、47、4849、50、51、52、53、54、55、56、57、5859、60、MOSEET管RC耦合放大电路中，当耦合电容容量增加时，下限截止频率 fL将，放大电路通频带BW将。影响单级共射极放大电路的低频响应的主要因素是 。集成运放部电路中，偏置电路由 电路构成；输入级由电路构成。共模抑制比Kcmr =，电路的Kcmr越大，表明电路的能力越强。集成运放部电路主要有由 、这几个部分组

16、成。差模输入电压是指差分放大器的两个输入端输入的电压 。在长尾式差动电路中，长尾 Re的主要作用是 。差动放大电路的基本功能是对差模输入信号的 作用和对共模输入信号的 作用。串联负反馈只在信号源阻 时，其反馈效果才显著。欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入的反馈类型 为。欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入的反馈类型为。在输入量不变的情况下，若引入反馈后输出量 ，则说明引入的反馈是负反馈。在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入 若要稳定放大倍数，应引入 希望展宽频带，可以引入 ；如要改变输入或输出电阻，可以引入；为了抑制温漂，可以引入 。

17、（a.直流负反馈，b.交流负反馈，c.直流负反馈和交流负反馈）如希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可引入；如希望取得较强的反馈作用而信号源阻很大，则宜引入 如希望负载变化时输出电流稳定，则应引入 如希望负载变化时输出电压稳定，则应引入 。（ a.电压负反馈，b.电流负反馈，c.串联负反馈，d.并联负反馈）为了增大放大电路输出电阻，应在放大电路中引入 反馈。电流负反馈的反馈信号与输出成比例；一反馈放大电路的开环增益为1000,反馈系数为0.099,贝U其闭环增益为 61、负反馈放大电路的自激条件是 ，其实质是放大电路在中频段的负反馈在高或低频段变成了 o62、乙类互补功率放大电路会产生 失真

18、。63、在OCL乙类互补对称功放电路中，静态工作点 Q设置在输出特性的 区。64、OCL乙类互补对称功放电路中每个晶体管的导通角是 ，该放大器的理想效率为，每个管子所承受的最大电压为 o65、在一阶RC高通电路的相频特性中当f=fL时，相角=o66、正弦波振荡电路通常由放大电路， ，和四部分组成。67、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于才能起振。68、正弦波振荡器自激振荡的幅值平衡条件为 、相位平衡条件为o69、为了抑制混入输入信号中的工频干扰信号，在电子系统中常选用 滤波电路来滤除；而滤波电路能够有效抑制高频干扰信号。70、电压比较器工作时

19、，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 跃变，滞回比较器的输出状态发生 次跃变。71、小功率直流稳压电源由变压 、 _、 、四部分电路组成。72、三端稳压器7815的稳压值为 o73、电容滤波电源电路一般适用于 场合。74、构成串联反馈式稳压电路的基本单元，除了调整管、基准电压产生电路外，还有电路和口环节。75、 串联型稳压电路如图所示，稳压管的稳定电压为Uzo则该电路中Ti为，Ri、R2、R3为，R、Dz为电路，T2为电路。输出电压最大值的表达式为，输出电压最小值的表达式为o填空题答案1通频带、非线性2.虚短,虚断； X； 03 反相4. 负反馈5. 自由电子；空穴；6. 纯净半导体；自由电子；空穴；相等7. 正；负8. 大于9. 正偏10. 小；大；单向导电性11. 0. 7； 0. 512. 小13. 单向导电性；最大整流电流；最高反相工作电压14. 高；低；薄15. 放大、饱和 、截止16. 增大；增大17. 降低18. 发射结正偏、集电结反偏19. 正偏；正偏20. 饱和21. A管 NPN、1-e,2-b,3-c； B 管 PNP,1-c,2-b,3-e；