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1、TOMBSTONE TROUBLESHOOTING,有限公司,FACTORY : * SMT,姓,名,tang_liang,日,期,2006,1,立碑形成之力矩原理,Tw,L,R,L,Tw,T1,T2,T3,T4,T5,T6,R,如左圖所示,1,立件產生之關鍵力矩在,T3,及,T4,2.T3,與,T4,不均衡才會使元件產生,側向力,進而偏移而立件,而造成,T3,及,T4,不均衡之原因為,1,兩端吃錫效果不一,2,兩端錫量不均,3,兩端拉力產生之時間點差異,4.Tw,過小而,T5,及,T6,過大,有限公司,1,立碑形成之力矩原理,T 1,Tw,T 2,T 3,Tw,Tw : Chip Weigh

2、t T1 : Solder,浮力,T3,上端點處,Solder,拉力,T4,下端點處,Solder,拉力,有限公司,1,可經由減少外側錫量達到減少,Manhattan Defects,之目的,2,除此之外也可以改變鋼版開孔之形狀,不同之形狀可以造,成熔接時間點之明顯差異,分散作用力,立碑改善,鋼網開孔,Wp,Ws,Wp,Ws1,SOL. 1,修改開孔大小,SOL. 2,改變開孔形狀,有限公司,1,為減少,Manhattan Defects,可在錫鉛合金中加入少量之,Ag,合金,使,EUTETIC,作用力減少,分散在不同之溫度點及時間點,2,以下為,Ag,添加比例與,Manhattan,發生比例

3、之圖表,由實驗可知,0.4,之,Ag Alloy wt,會得到最好之效果,立碑改善,Ag Alloy wt,44.0,38.0,8.0,25.0,26.0,24.0,24.0,25.0,25.0,26.0,26.0,45.0,43.0,0,5,10,15,20,25,30,35,40,45,50,0,0.20,0.40,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4,1.6,1.8,2.0,2.2,2.4,Ag Alloy,添加,wt,M,a,n,h,a,t,t,a,n,D,e,f,e,c,t,R,a,t,i,o,62.8Sn/36.8/0.4Ag,Max.wt,有限公司,元件贴装偏移将会导致立,碑,对策,调整贴装坐标，定期对各,设备进行保养，减少贴装,误差等,立碑改善,Placement,有限公司,锡膏接近回流时由于不,平衡的润湿，在表面张,力的作用下，形成立碑,对策,调整,Reflow Profile,使其

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