苏州光刻胶生产线项目可行性研究报告参考模板

1、泓域咨询/苏州光刻胶生产线项目可行性研究报告苏州光刻胶生产线项目可行性研究报告泓域咨询 MACRO苏州光刻胶生产线项目可行性研究报告说明光刻胶决定芯片的最小特征尺寸。在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，其中光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小（光的干涉和衍射效应）。决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%，占制造成本的30%。比如一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的

2、厂商也会有不同的要求。该光刻胶项目计划总投资14415.89万元，其中：固定资产投资11395.20万元，占项目总投资的79.05%；流动资金3020.69万元，占项目总投资的20.95%。达产年营业收入27286.00万元，总成本费用21350.57万元，税金及附加279.03万元，利润总额5935.43万元，利税总额7033.14万元，税后净利润4451.57万元，达产年纳税总额2581.57万元；达产年投资利润率41.17%，投资利税率48.79%，投资回报率30.88%，全部投资回收期4.74年，提供就业职位497个。努力做到合理布局的原则：力求做到功能分区明确、生产流程顺畅、交通组织

3、合理，环境保护良好，空间处理协调，厂容厂貌整洁，有利于生产管理和工程分区建设。.报告主要内容：项目基本情况、背景及必要性研究分析、市场分析、产品规划及建设规模、项目建设地分析、工程设计说明、工艺技术方案、环境保护概述、安全规范管理、项目风险评估、节能可行性分析、项目进度方案、项目投资分析、项目经济效益可行性、项目总结等。目前，在显示面板行业中，光刻胶主要应用于TFT-LCD阵列制造，滤光片制造和触摸屏制造三个应用领域。其中，TFT-LCD阵列和滤光片都是LCD面板结构的组成部分，触摸屏则是以触摸控制为目的的功能单元。第一章 项目基本情况一、项目概况（一）项目名称苏州光刻胶生产线项目光刻胶是电子

4、领域微细图形加工的关键性材料，在半导体、LCD、PCB等行业的生产中具有重要作用。光刻胶是利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形从掩膜板转移到代加工基片上的图形转移介质，是光电信息产业的微细图形线路加工制作的关键性材料。光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。（二）项目选址某某经济开发区苏州，简称苏，古称姑苏、平江，

5、是江苏省地级市，国务院批复确定的中国长江三角洲重要的中心城市之一、国家高新技术产业基地和风景旅游城市。截至2018年，全市下辖5个区、代管4个县级市，总面积8657.32平方千米，建成区面积461.65平方千米，常住人口1072.17万人，城镇人口815.39万人，城镇化率76.05%。苏州地处中国华东地区、江苏东南部、长三角中部，是扬子江城市群重要组成部分，东临上海、南接嘉兴、西抱太湖、北依长江，地处东经1195512120，北纬30473202之间。全市地势低平，平原占总面积的54.8%，海拔4米左右，丘陵占总面积的2.7%。苏州属亚热带季风海洋性气候，四季分明，雨量充沛，种植水稻、小麦、

6、油菜，出产棉花、蚕桑、林果，特产有碧螺春茶叶、长江刀鱼、太湖银鱼、阳澄湖大闸蟹等。苏州是首批国家历史文化名城之一，有近2500年历史，是吴文化的发祥地之一、清代天下四聚之一，有人间天堂的美誉。中国私家园林的代表苏州古典园林和中国大运河苏州段被联合国教科文组织列为世界文化遗产。（三）项目用地规模项目总用地面积45195.92平方米（折合约67.76亩）。（四）项目用地控制指标该工程规划建筑系数70.26%，建筑容积率1.14，建设区域绿化覆盖率6.52%，固定资产投资强度168.17万元/亩。（五）土建工程指标项目净用地面积45195.92平方米，建筑物基底占地面积31754.65平方米，总建筑

7、面积51523.35平方米，其中：规划建设主体工程39307.29平方米，项目规划绿化面积3360.77平方米。（六）设备选型方案项目计划购置设备共计132台（套），设备购置费3528.89万元。（七）节能分析1、项目年用电量679406.10千瓦时，折合83.50吨标准煤。2、项目年总用水量21018.17立方米，折合1.80吨标准煤。3、“苏州光刻胶生产线项目投资建设项目”，年用电量679406.10千瓦时，年总用水量21018.17立方米，项目年综合总耗能量（当量值）85.30吨标准煤/年。达产年综合节能量24.06吨标准煤/年，项目总节能率27.34%，能源利用效果良好。（八）环境保护

8、项目符合某某经济开发区发展规划，符合某某经济开发区产业结构调整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。（九）项目总投资及资金构成项目预计总投资14415.89万元，其中：固定资产投资11395.20万元，占项目总投资的79.05%；流动资金3020.69万元，占项目总投资的20.95%。（十）资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。（十一）项目预期经济效益规划目标预期达产年营业收入27286.00万元，总成本费用21350.57万元，税金及附加279.03万元，利润总额5935.43万元，利

9、税总额7033.14万元，税后净利润4451.57万元，达产年纳税总额2581.57万元；达产年投资利润率41.17%，投资利税率48.79%，投资回报率30.88%，全部投资回收期4.74年，提供就业职位497个。（十二）进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。项目承办单位组建一个投资控制小组，负责各期投资目标管理跟踪，各阶段实际投资与计划对比，进行投资计划调整，分析原因采取措施，确保该项目建设目标如期完成。在技术交流谈判同时，提前进行设计工作。对于制造周期长的设备，提前设计，提前定货。融资计划应比资金投入计划超前，时间及资金数量需有余地。项目建设单位要制定严密的工程施工进度计划，并以此为

10、依据，详细编制周、月施工作业计划，以施工任务书的形式下达给参与工程施工的施工队伍。二、报告说明该项目报告对项目所涉及的主要问题，例如：项目资源条件、项目原辅材料、项目燃料和动力的供应、项目交通运输条件、项目建设规模、项目投资规模、项目产工艺和设备选型、项目产品类别、项目节能技术和措施、环境影响评价和劳动卫生保障等，从技术、经济和环境保护等多个方面进行较为详细的调查研究。通过分析比较方案，并对项目建成后可能取得的技术经济效果进行预测，从而为投资决策提供可靠的依据，作为该项目进行下一步环境评价及工程设计的基础文件。 三、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合某某经济开发区及某

11、某经济开发区光刻胶行业布局和结构调整政策；项目的建设对促进某某经济开发区光刻胶产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。2、xxx公司为适应国内外市场需求，拟建“苏州光刻胶生产线项目”，本期工程项目的建设能够有力促进某某经济开发区经济发展，为社会提供就业职位497个，达产年纳税总额2581.57万元，可以促进某某经济开发区区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。3、项目达产年投资利润率41.17%，投资利税率48.79%，全部投资回报率30.88%，全部投资回收期4.74年，固定资产投资回收期4.74年（含建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能

12、力。4、2016年7月，工业和信息化部与发展改革委等11部门联合发布了关于引导企业创新管理提质增效的指导意见，并采取了一系列卓有成效的具体措施。认真贯彻落实十八届三中全会提出“鼓励有条件的私营企业建立现代企业制度”，会同发展改革委等有关部门，推动有条件的地区开展非公有制企业建立现代企业制度试点工作，引导企业树立现代企业经营管理理念，增强企业内在活力和创造力。开展管理咨询服务，建立中小企业管理咨询服务专家信息库，并在中国中小企业信息网和中国企业家联合会网站公布，供广大民营企业、中小企业选用，为各地开展管理咨询服务提供支撑；鼓励和支持管理咨询机构和志愿者开展管理诊断、管理咨询服务，帮助企业提升管理

13、水平。实施企业经营管理人才素质提升工程和中小企业银河培训工程，全年完成对50万中小企业经营管理者和1000名中小企业领军人才的培训，推动企业提升管理水平。中共中央、国务院发布关于深化投融资体制改革的意见，提出建立完善企业自主决策、融资渠道畅通，职能转变到位、政府行为规范，宏观调控有效、法治保障健全的新型投融资体制。改善企业投资管理，充分激发社会投资动力和活力，完善政府投资体制，发挥好政府投资的引导和带动作用，创新融资机制，畅通投资项目融资渠道。综上所述，项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。四、主要经济指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积

14、平方米45195.9267.76亩1.1容积率1.141.2建筑系数70.26%1.3投资强度万元/亩168.171.4基底面积平方米31754.651.5总建筑面积平方米51523.351.6绿化面积平方米3360.77绿化率6.52%2总投资万元14415.892.1固定资产投资万元11395.202.1.1土建工程投资万元3750.542.1.1.1土建工程投资占比万元26.02%2.1.2设备投资万元3528.892.1.2.1设备投资占比24.48%2.1.3其它投资万元4115.772.1.3.1其它投资占比28.55%2.1.4固定资产投资占比79.05%2.2流动资金万元302

15、0.692.2.1流动资金占比20.95%3收入万元27286.004总成本万元21350.575利润总额万元5935.436净利润万元4451.577所得税万元1.148增值税万元818.689税金及附加万元279.0310纳税总额万元2581.5711利税总额万元7033.1412投资利润率41.17%13投资利税率48.79%14投资回报率30.88%15回收期年4.7416设备数量台（套）13217年用电量千瓦时679406.1018年用水量立方米21018.1719总能耗吨标准煤85.3020节能率27.34%21节能量吨标准煤24.0622员工数量人497第二章 背景及必要性研究分

16、析一、光刻胶项目背景分析光刻胶是电子领域微细图形加工的关键性材料，在半导体、LCD、PCB等行业的生产中具有重要作用。光刻胶是利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形从掩膜板转移到代加工基片上的图形转移介质，是光电信息产业的微细图形线路加工制作的关键性材料。按照下游应用，光刻胶可分为半导体用光刻胶、LCD用光刻胶、PCB用光刻胶等，其技术壁垒依次降低。相应地，PCB光刻胶是目前国产替代进度最快的，LCD光刻胶替代进度相对较快，半导体光刻胶目前国产技术较国外先进技术差距最大。随着电子信息产业发展的突飞猛进，光刻胶市场总需求不断提升。2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元，自2010年至

17、今CAGR约5.4%，预计未来3年仍以年均5%的速度增长，预计至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。中国光刻胶市场需求增速高于国际平均，但中国本土供应量在全球的占比仅有10%左右，发展空间巨大。受益半导体、显示面板、PCB产业东移的趋势，2019年我国光刻胶市场本土供应量约70亿元，自2011年至今CAGR达到11%，远高于全球平均5%的增速，但市场规模全球占比仅为10%左右，发展空间巨大。全球市场中，半导体、LCD、PCB用光刻胶的供应结构较为均衡；但中国市场中，本土供应以PCB用光刻胶为主，LCD、半导体用光刻胶供应量占比极低。由于极高的行业壁垒，全球光刻胶行业呈现寡头垄断格局

18、，长年被日本、欧美专业公司垄断。目前前五大厂商占据了全球光刻胶市场87%的份额，行业集中度较高。其中，日本JSR、东京应化、日本信越与富士电子材料市占率加和达到72%。半导体是光刻胶最重要的应用领域。光刻和刻蚀技术是半导体芯片在精细线路图形加工中最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的30%，耗时约占整个芯片工艺的40%50%，是芯片制造中最核心的工艺。光刻胶及其配套化学品在芯片制造材料成本中的占比高达12%，是继硅片、电子气体的第三大IC制造材料。光刻胶市场需求快速增长。随着半导体线路图形越来越小，光刻工艺对光刻胶的需求量也越来越大。2018年全球半导体用

19、光刻胶市场规模约13亿美元，预计未来5年年均增速约8%10%；中国半导体用光刻胶市场规模约23亿元人民币，预计未来5年年均增速约10%。PCB光刻胶主要品种有干膜光刻胶、湿膜光刻胶（又称液态光致抗蚀剂、线路油墨）、光成像阻焊油墨等。湿膜性能优于干膜，未来湿膜光刻胶有望逐步替代干膜光刻胶。湿膜相比干膜具有高精度、低成本的优势，容易得到高分辨率，满足PCB高性能的要求。PCB行业成本中，光刻胶及油墨的占比约35%。全球PCB光刻胶市场规模在20亿美元左右，中国市场规模占比达50%以上。随着PCB光刻胶外企东移和内资企业的不断发展，中国已成为全球最大的PCB光刻胶生产基地。PCB光刻胶全球市场行业集

20、中度较高。干膜光刻胶方面，台湾长兴化学、日本旭化成、日本日立化成三家公司就占据了全球80%以上的市场份额；光成像阻焊油墨方面，日本太阳油墨占据全球60%左右的市场份额，前十家公司合计占据全球80%以上的市场份额。国内市场中，PCB光刻胶的国产化渗透率较高，中国内资企业已在国内PCB市场中占据50%以上的市场份额。PCB光刻胶技术壁垒较低，国内市场中，容大感光、广信材料、东方材料、北京力拓达等内资企业已占据国内50%左右的湿膜光刻胶和光成像阻焊油墨市场份额。国内企业中，飞凯材料、容大感光、广信材料等已有相应PCB光刻胶产品投产。LCD光刻胶全球市场规模约23亿美元，其中中国市场规模约9亿美元。2

21、019年全球LCD用光刻胶市场规模约23亿美元，过去5年平均增速在4%左右，预计未来3年增速也在4%左右。2019年中国LCD面板产能占全球比重已达40%左右，据此测算中国LCD光刻胶市场规模约9亿美元。LCD光刻胶的全球供应集中在日本、韩国、中国台湾等地区，海外企业市占率超过90%。彩色滤光片所需的高分子颜料和颜料的分散技术主要集中在Ciba等日本颜料厂商手中，因此彩色光刻胶和黑色光刻胶的核心技术基本被日本和韩国企业垄断。由于光刻胶用于微米级甚至纳米级图形加工，光刻胶产品需要严格控制质量。光刻胶及其专用化学品的化学结构特殊，品质要求高，微粒子及金属离子含量极低，生产工艺复杂，其研发和生产具有

22、较高的技术门槛。光刻胶的品种非常多，针对不同应用需求，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商最核心的技术。光刻胶需要有相应的光刻机与之配对调试，资金壁垒较高。目前全球光刻机核心技术处于垄断状态，只有荷兰ASML公司可制造EUV光刻机，售价超过1亿欧元；而技术水平稍低的DUV光刻机，售价为20005000万美元；目前国内只有一家企业可制造光刻机，且技术等级较低。光刻胶企业存在较高的资金壁垒，相对于国内厂商，国外光刻胶厂商的公司规模更大，具有资金和技术优势，供应产品齐全，光刻胶种类丰富，同时有着较为全面的配套化学品，方便下游客户采购和共同研发合作。二、光刻胶项目建设必要性分析目

23、前，在显示面板行业中，光刻胶主要应用于TFT-LCD阵列制造，滤光片制造和触摸屏制造三个应用领域。其中，TFT-LCD阵列和滤光片都是LCD面板结构的组成部分，触摸屏则是以触摸控制为目的的功能单元。TFT-LCD技术利用半导体精确控制显示效果。TFT(ThinFilmTransistor)LCD即薄膜晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。TFT-LCD的主要特点是为每个原色像素点都配臵了一个半导体开关器件。通过控制TFT单元的电极电压，就可以使对应像三原色像素点上的透光率发生变化。这样，每种原色像素点的灰度都可以得到精确的控制。若每个原色像素点可以有255个灰度阶数，

24、那么三原色像素点就可以构成一千六百多万种颜色。这是TFT-LCD也被称为“真彩”屏幕技术的原因之一。由于TFT-LCD每个像素点都相对独立，并可以进行连续控制，所以这样的设计方法还提高了显示屏的反应速度。TFT-LCD阵列制造与半导体制造存在共通之处。TFT阵列由一系列半导体三极管控制器组成。在玻璃面板上通过沉积，光刻和刻蚀流程制造TFT三极管的过程与在集成电路上制造三极管的过程十分相似。因此在光刻胶的使用上，TFT阵列构造与集成电路制造有共通的地方。其主要区别在于，TFT阵列的结构比较简单且标准化，以及TFT阵列对于尺寸的要求比先进集成电路低很多。因此一般g-line光刻胶就可以满足要求。T

25、FT阵列正胶也是在中国首先得到发展的光刻胶产品之一。在触摸屏应用中，光刻工艺用于ITOsensor的制造。ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡；将ITO材料按照特定的图案，涂在玻璃或者Film上，然后贴在一层厚的保护玻璃上，就得到了ITOsensor。ITOsensor是触摸屏的重要组成部分。触摸屏通过ITOsensor与ITOsensor之间的电容变化（双层ITO感应电容）或者ITOsensor与触摸屏幕的人体部位之间构成的电容变化（单层ITO表面电容）来感知触摸动作，并进而做出相对应的反应。触摸屏中ITO结构的制造需要以氧化铟锡半导体材料在基底上构造出一定的图案，因此光刻和光刻胶技术在这

26、个过程当中同样是必不可少的。PCB光刻胶材料分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶干膜与感光油墨。二者的用途都是把底板上的线路布局图形转移到铜箔基底上，完成印刷电路板的“印刷”过程。其区别主要在于涂敷的方式。湿膜光刻胶直接以液态的形式涂敷在待加工基材的表面；干膜光刻胶则是由预先配制好的液态光刻胶涂布在载体薄膜上，经处理形成固态光刻胶薄膜后在被直接贴附到待加工基材上。PCB用干膜与湿膜光刻胶各有特点。从总体上来说，湿膜具有分辨率高，成本低廉，显影与刻蚀速度更快等优势。因此，在PCB应用中，湿膜光刻胶正逐渐实现对干膜光刻胶的替代。但是干膜光刻胶在特定应用场景下具有湿膜光刻胶不具备的特点。比如在淹孔加工场景中，

27、湿膜光刻胶会浸没基材上的孔洞，造成后期加工和清理的不便。而干膜光刻胶就不存在这个问题。PCB加工所用的油墨主要分三类：线路油墨、阻焊油墨、字符油墨。线路油墨可以作为防止PCB线路被腐蚀的保护层，在蚀刻工艺中保护线路。线路油墨一般是液态感光型的；阻焊油墨可以在PCB线路加工完成后涂在线路上作为保护层。阻焊油墨可以具有液态感光，热固化，或者紫外线硬化的性质。通过在PCB板上保留焊盘，阻焊油墨可以方便之后的元件焊接，起到绝缘防氧化的作用。字符油墨就是用来做板子表面的标示的，比如标上元器件符号，一般不需要具备感光性质。全球光刻胶市场规模持续增长。2015全球光刻胶市场规模大概在73.6亿美金左右，光刻

28、胶下游应用主要为三大领域：TFT-LCD显示、PCB、集成电路，其中PCB光刻胶占比24.5%，LCD光刻胶占比26.6%，半导体光刻胶占比24.1%，其他类光刻胶占比24.8%。而具体中国市场近100亿元，其中PCB市场接近70亿元，平板显示领域15-16亿元，半导体领域8-10亿元。国内市场预计整体每年保持10-15%的增长，消费总量占据全球消费量约15%左右，光刻胶国产化水平严重不足，重点技术差距在半导体行业，有2-3代差距，随着下游半导体行业、LED及平板显示行业的快速发展，未来国内光刻胶产品国产化替代空间较大。第三章 项目建设单位基本情况一、项目承办单位基本情况（一）公司名称xxx集

29、团（二）公司简介公司坚持“以人为本，无为而治”的企业管理理念，以“走正道，负责任，心中有别人”的企业文化核心思想为指针，实现新的跨越，创造新的辉煌。热忱欢迎社会各界人士咨询与合作。公司是一家集研发、生产、销售为一体的高新技术企业，专注于产品，致力于产品的设计与开发，各种生产流水线工艺的自动化智能化改造，为客户设计开发各种产品生产线。公司坚持以市场需求为导向、以科技创新为中心，在品牌建设方面不断努力。先后获得国家级高新技术企业等资质荣。公司拥有优秀的管理团队和较高的员工素质，在职员工约600人，80%以上为技术及管理人员，85%以上人员有大专以上学历。公司自成立以来，在整合产业服务资源的基础上，

30、积累用户需求实现技术创新，专注为客户创造价值。二、公司经济效益分析上一年度，xxx公司实现营业收入14792.51万元，同比增长15.14%（1944.72万元）。其中，主营业业务光刻胶生产及销售收入为13714.10万元，占营业总收入的92.71%。上年度营收情况一览表序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入3106.434141.903846.053698.1314792.512主营业务收入2879.963839.953565.673428.5313714.102.1光刻胶(A)950.391267.181176.671131.414525.652.2光刻胶(B)662.39

31、883.19820.10788.563154.242.3光刻胶(C)489.59652.79606.16582.852331.402.4光刻胶(D)345.60460.79427.88411.421645.692.5光刻胶(E)230.40307.20285.25274.281097.132.6光刻胶(F)144.00192.00178.28171.43685.712.7光刻胶(.)57.6076.8071.3168.57274.283其他业务收入226.47301.95280.39269.601078.41根据初步统计测算，公司实现利润总额3813.79万元，较去年同期相比增长617.50万

32、元，增长率19.32%；实现净利润2860.34万元，较去年同期相比增长471.20万元，增长率19.72%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元14792.51完成主营业务收入万元13714.10主营业务收入占比92.71%营业收入增长率（同比）15.14%营业收入增长量（同比）万元1944.72利润总额万元3813.79利润总额增长率19.32%利润总额增长量万元617.50净利润万元2860.34净利润增长率19.72%净利润增长量万元471.20投资利润率45.29%投资回报率33.97%财务内部收益率21.18%企业总资产万元23428.24流动资产总额占比万元27.84%

33、流动资产总额万元6521.75资产负债率44.74%第四章 市场分析一、光刻胶行业分析光刻胶决定芯片的最小特征尺寸。在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，其中光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小（光的干涉和衍射效应）。决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%，占制造成本的30%。比如一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。光刻胶分辨率随IC集成度提高

34、而提高。半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率，从而达到集成电路更高密度的集积。目前光刻胶根据使用的不同波长的曝光光源分类，波长由紫外宽谱向线(436nm)线(365nm)KrF(248nm)ArF(193nm)F2（157nm）方向转移。不同波长的光刻胶用途、材料也大不相同。另外20世纪80年代以前，负胶一直在光刻工艺中占据主导地位，随着集成电路与2-5um图形尺寸范围的出现使得正胶在分辨率优势逐步凸显，目前来看对于小尺寸图像领域正胶占据绝大部分市场份额。半导体随着晶圆厂扩产2020年市场规模约为25亿元。2015年国内半导体光刻胶市场

35、规模假设为10亿元，随着半导体存储、功率等器具的发展以及未来三年本土26座晶圆厂的落地，将有力带动上游光刻胶需求，我们预计未来2016-2020年国内半导体光刻胶市场将保持18-20%增速(2011-2015国内半导体光刻胶GAGR=13.6%)，则2020年全国半导体光刻胶市场规模将达到24.8亿元复合增速近20%。光刻胶主要制作彩色滤光片用光刻胶。TFT-LCD是由两片偏光板，两片玻璃，中间加上液晶，另外再加上背光源组成的。液晶显示器里还有一片很多电晶体的玻璃，一片有红绿蓝（R.G.B）三种颜色的彩色滤光片及背光源，例如当屏幕显示蓝色的时候，有电晶体的玻璃就会发出讯号。只让蓝光可以穿透彩色

36、滤光片，而将红色光及红色光留在显示器里面，这样我们在显示器上就只能看到蓝色的光。TFT-LCD制程分阵列、组立和模组，其中LCD中光刻胶主要用在制程工序在原始玻璃上制作电晶体的图案，类似半导体中的坚膜、清洗、曝光、显影、蚀刻、脱膜、检测等工序，主要制作彩色光刻胶及黑色光刻胶、LCD衬垫料光刻胶、TFT配线用光刻胶等。新增高世代线面板产能持续促进面板光刻胶需求。随着全球高世代线陆续投产，面板出货面积有所增长，对上游面板光刻胶需求稳定增长，全球2015年面板光刻胶市场规模突破19.57亿美元，假设复合增速约为4%，则全球光刻胶预计2020年将达到23.7亿美元，2016年我国面板产能占全球比重为2

37、6%，随着京东方等十数家国产厂商扩产项目陆续投产，预计2020年我国面板产能占比有望提升至42%以上，则整体国内市场规模有望达到10.2亿美元约66.3亿元，复合增速25%。光刻胶广泛应用于印刷电路板的设计与加工中。PCB光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶和光成像阻焊油墨。PCB光刻胶市场稳定增长。2015年全球PCB光刻胶市场规模达18亿美元，从地域结构来看，随着外资企业将产能迁至中国，国内供应商逐步掌握了PCB油墨关键原材料合成树脂的合成技术，有效降低了产品成本，形成较为明显的价格竞争优势，2015年中国PCB光刻胶产值占全球比重约70%，达12.6亿美金（约70亿元）。随着PCB板向高

38、密度、高精度、多层化发展，对于PCB光刻胶的质与量的要求会越来越高，预计PCB光刻胶未来增速会超过PCB板行业增速（2015-2020年期间，国际市场预测为3.2%），若按4%复合增速来算，预计到2020年国内PCB光刻胶行业将达到85亿元规模。二、光刻胶市场分析预测光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。2019年全球光

39、刻胶市场规模预计近90亿美元，自2010年至今CAGR约5.4%。预计该市场未来3年仍将以年均5%的速度增长，至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。光刻胶按应用领域分类，可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。全球市场上不同种类光刻胶的市场结构较为均衡。受益于半导体、显示面板、PCB产业东移的趋势，自2011年至今，光刻胶中国本土供应规模年华增长率达到11%，高于全球平均5%的增速。2019年中国光刻胶市场本土企业销售规模约70亿元，全球占比约10%，发展空间巨大。目前，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。在平板显示行业

40、；主要使用的光刻胶有彩色及黑色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等。在光刻和蚀刻生产环节中，光刻胶涂覆于晶体薄膜表面，经曝光、显影和蚀刻等工序将光罩（掩膜版）上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版对应的几何图形。在PCB行业；主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜贴在处理后的敷铜板上，进行曝光显影；湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上，待其干燥后进行曝光显影。干膜与湿膜各有优势，总体来说湿膜光刻胶分辨率高于干膜，价格更低廉，正在对干膜光刻胶的部分市场进行替代。在半导体集成电路制造行业；主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光

41、刻胶等。在大规模集成电路的制造过程中，一般要对硅片进行超过十次光刻。在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将光罩（掩膜版）上的图形转移到硅片上。光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。按显示效果分类；光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与

42、掩膜版相同。两者的生产工艺流程基本一致，区别在于主要原材料不同。按照化学结构分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，最后生成聚合物；光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。在半导体集成电路光刻技术开始使用深紫外（DUV）光源以后，化学放大（CAR）技术逐渐成为行业应用的主流。在化学放大光刻胶技术中，树脂是具有

43、化学基团保护因而难以溶解的聚乙烯。化学放大光刻胶使用光致酸剂（PAG）作为光引发剂。当光刻胶曝光后，曝光区域的光致酸剂（PAG）将会产生一种酸。这种酸在后热烘培工序期间作为催化剂，将会移除树脂的保护基团从而使得树脂变得易于溶解。化学放大光刻胶曝光速递是DQN光刻胶的10倍，对深紫外光源具有良好的光学敏感性，同时具有高对比度，对高分辨率等优点。按照曝光波长分类；光刻胶可分为紫外光刻胶（300-450nm）、深紫外光刻胶（160-280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同。通常来说，在使用工艺方法

44、一致的情况下，波长越短，加工分辨率越佳。第五章 工程设计说明一、建筑工程设计原则建筑物平面设计以满足生产工艺要求为前提，力求生产流程布置合理，尽量做到人货分流，功能分区明确，符合建筑设计防火规范（GB50016）要求。项目承办单位本着“适用、安全、经济、美观”的原则并遵照国家建筑设计规范进行项目建筑工程设计；在满足投资项目生产工艺设备要求的前提下，力求布局合理、造型美观、色彩协调、施工方便，努力建设既有时代感又有地方特色的工业建筑群的新形象。二、项目总平面设计要求功能分区合理，人流、车流、物流路线清楚，避免或减少交叉。建筑布局紧凑、交通便捷、管理方便。本工程项目位于项目建设地，本次设计通过与建

45、设方的多次沟通、考察、论证，最后达成共识。三、土建工程设计年限及安全等级根据建筑结构可靠度设计统一标准（GB50068）的规定，投资项目中所有建（构）筑物均按永久性建筑要求设计，使用年限为50.00年。四、建筑工程设计总体要求建筑设计是根据生产工艺提出的设计条件结合总图位置，进行平面布局，空间组合，结构选型，全面考虑施工、安装及检修要求，既要充分满足生产经营要求，又要注重建筑的形象。根据需要，积极采用经过验证的新技术和经过国家或省、部级鉴定的新材料，并尽可能利用地方建设材料；在生产工艺允许的条件下，尽可能采用联合厂房，并考虑开敞与半开敞甚至露天装置以节约项目建设投资。五、土建工程建设指标本期工

46、程项目预计总建筑面积51523.35平方米，其中：计容建筑面积51523.35平方米，计划建筑工程投资3750.54万元，占项目总投资的26.02%。第六章 项目建设地分析一、项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与项目建设地的建成区有较方便的联系。项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。对各种设施用地进行统筹安排，提高土地综合利用效率，同时，采用先进的工艺技术和设备，达到“节约能源、节约土地资

47、源”的目的。二、项目选址该项目选址位于某某经济开发区。苏州，简称苏，古称姑苏、平江，是江苏省地级市，国务院批复确定的中国长江三角洲重要的中心城市之一、国家高新技术产业基地和风景旅游城市。截至2018年，全市下辖5个区、代管4个县级市，总面积8657.32平方千米，建成区面积461.65平方千米，常住人口1072.17万人，城镇人口815.39万人，城镇化率76.05%。苏州地处中国华东地区、江苏东南部、长三角中部，是扬子江城市群重要组成部分，东临上海、南接嘉兴、西抱太湖、北依长江，地处东经1195512120，北纬30473202之间。全市地势低平，平原占总面积的54.8%，海拔4米左右，丘陵

48、占总面积的2.7%。苏州属亚热带季风海洋性气候，四季分明，雨量充沛，种植水稻、小麦、油菜，出产棉花、蚕桑、林果，特产有碧螺春茶叶、长江刀鱼、太湖银鱼、阳澄湖大闸蟹等。苏州是首批国家历史文化名城之一，有近2500年历史，是吴文化的发祥地之一、清代天下四聚之一，有人间天堂的美誉。中国私家园林的代表苏州古典园林和中国大运河苏州段被联合国教科文组织列为世界文化遗产。园区围绕中国制造202510大重点发展领域，通过改造、提升、补链、拓新，延伸产业链，发展高端装备、先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、农机装备等产业链条，围绕项目引进一批延链、补链企业，打造装备制造产业链。园区是经省人民政府批准成

49、立的省级经济园区，园区位于市区东侧。园区区域面积80平方公里。经过十多年的开发建设，园区已建成了完善的工业基础设置和综合配套服务设施，创造了规范的法制环境，并已通过ISO14000环境管理体系认证。园区建有完善的服务体系，创业中心、项目服务中心、经贸局等可为各类企业提供周到细致的全面服务。优越的投资环境吸引了众多客商前来兴办企业，目前在园区注册的企业近3000家，其中工业企业2000余家，外商投资企业300余家。园区明确主导产业定位。充分发挥各产业园区比较优势，综合考虑产业政策、资源禀赋、环境承载能力、经济发展潜力、区位优势等因素，因地制宜确定优先发展的主导产业，明确产业准入的投入产出强度、节

50、能减排和环境保护标准。园区依托科技和人才优势，全面提升创新能力，产业定位突出高端化、集群化、数字化，加快技术研发、高新技术产业化、服务外包、现代服务业以及高附加值制造业发展，率先实现转型升级。三、建设条件分析项目承办单位现有资产运营优良，财务管理制度健全且完善，企业的资金雄厚，凭借优异的产品质量、严谨科学的管理和灵活通畅的销售网络，连年实现盈利，能够为项目建设提供充足的计划自筹资金。四、用地控制指标投资项目占地产出收益率完全符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的行业产品制造行业占地产出收益率5000.00万元/公顷的规定；同时，满足项目建设地确定的“

51、占地产出收益率6000.00万元/公顷”的具体要求。投资项目土地综合利用率100.00%，完全符合国土资源部发布的工业项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）中规定的产品制造行业土地综合利用率90.00%的规定；同时，满足项目建设地确定的“土地综合利用率95.00%”的具体要求。五、地总体要求本期工程项目建设规划建筑系数70.26%，建筑容积率1.14，建设区域绿化覆盖率6.52%，固定资产投资强度168.17万元/亩。土建工程投资一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米45195.9267.76亩2基底面积平方米31754.653建筑面积平方米51523.353750.54万元4

52、容积率1.145建筑系数70.26%6主体工程平方米39307.297绿化面积平方米3360.778绿化率6.52%9投资强度万元/亩168.17六、节约用地措施投资项目建设认真贯彻执行专业化生产的原则，除了主要生产过程和关键工序由项目承办单位实施外，其他附属商品采取外协（外购）的方式，从而减少重复建设，节约了资金、能源和土地资源。采用大跨度连跨厂房，方便生产设备的布置，提高厂房面积的利用率，有利于节约土地资源；原料及辅助材料仓库采用简易货架，提高了库房的面积和空间利用率，从而有效地节约土地资源。七、总图布置方案（一）平面布置总体设计原则（二）主要工程布置设计要求车间布置方案需要达到“物料流向

53、最经济、操作控制最有利、检测维修最方便”的要求。项目承办单位项目建设场区主干道宽度6.00米，次干道宽度3.00米，人行道宽度采用1.20米。道路路缘石转弯半径，一般需通行消防车的为12.00米，通行其它车辆的为9.00米、6.00米。道路均采用砼路面，道路类型为城市型。（三）绿化设计投资项目绿化的重点是场区周边、办公区及主要道路两侧的空地，美化的重点是办公区，场区周边以高大乔木为主，办公区以绿色草坪、花坛为主，道路两侧以观赏树木、绿篱、草坪为主，适当结合花坛和垂直绿化，起到环境保护与美观的作用，创造一个“环境优美、统一协调”的建筑空间。（四）辅助工程设计1、投资项目采用雨、污分流制排水系统，

54、分别汇集后排入项目建设区不同污水管网。消防水源采用低压制，同一时间内按火灾一次考虑，室内外均设环状消防管网，室外消火栓间距不大于100.00米，消火栓距道路边不大于2.00米。undefined2、3、低压配电系统采用TN-C-S接地型式，电源中性线在进户处作重复接地，接地装置均利用建筑物基础，重复接地后PE线和N线完全分开。变压器低压总出线设有功计量和无功计量，照明用电和动力用电分开计量，动力用电每个配出回路根据需要装设有功电度表。用电设备单台电机容量在75.00KW及以上，电热设备单台容量50.00KW及以上的设备均应单独装设电度表。配电系统采用TN-C-S制，变压器中性点接地，接地电阻R

55、4.00欧姆，高压配电设备采用接地保护，低压用电设备采用接零保护，正常情况下不带电的用电设备金属外壳、构架、穿线钢管均应可靠接零。4、该项目由于需要考虑项目产品所涉及的原辅材料和成品的运输，运输需求量较大，初步考虑铁路运输与公路运输方式相结合的运输方式。场外运输全部采用汽车运输、外部运力为主。场外运输主要为原材料的供给以及产品的外运；产品的远距离运输由汽车或铁路运输解决，项目建设地社会运输力量充足，可满足投资项目场外远距离运输的需求。5、冬季室内采暖要求计算温度：各主体工程14.50-16.50，需采暖的库房5.50-8.50，公用站房14.50，办公室、生活间18.50，卫生间15.50；采

56、暖热媒为95.50-75.00采暖热水，由市政外网集中供应，供水压力为0.40Mpa。冬季室内采暖要求计算温度：各主体工程14.50-16.50，需采暖的库房5.50-8.50，公用站房14.50，办公室、生活间18.50，卫生间15.50；采暖热媒为95.50-75.00采暖热水，由市政外网集中供应，供水压力为0.40Mpa。八、选址综合评价投资项目选址符合国家相关供地政策及规划要求，其建筑系数、建筑容积率、建设区域绿化覆盖率、办公及生活服务用地比例、投资强度等各项用地指标，均符合工业项目建设用地控制指标（2008版）中的相关规定要求。项目承办单位通过对可供选择的建设地区进行缜密比选后，充分考虑了项目拟建区域的交通条件、土地取得成本及职工交通便利条件，项目经营期所需的内外部条件：距原料