圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

1、圆封装测试工序和半导体制造工艺流程A.xx 圆封装测试工序一、 IC 检测1. 缺陷检查 Defect Inspection2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy)用来检测出 xx 圆上是否有瑕疵， 主要是微尘粒子、 刮痕、残留物 等问题。此外，对已印有电路图案的图案 xx 圆成品而言， 则需要进行 深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案 xx 圆检测系统系以 xx 或 xx 光来照射 xx 圆表面。再由一或多组侦测器接收自 xx 圆表面绕射出 来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并 发现瑕疵。3. CD-

2、SEM(Critical Dimensioin Measurement)对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、 IC 封装1. 构装( Packaging )IC 构装依使用材料可分为陶瓷( ceramic )及塑胶( plastic )两 种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为 例，其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、 焊线(wire bo nd)、圭寸胶(mold)、剪切 / 成形(trim / form)、印 字(mark)、电镀(plating )及检验(inspection )等。(1) 晶片切割( die s

3、aw )晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶 圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行xx片切割，首先必须进行xx圆黏片，而后再送至XX片切 割机上进行切割。 切割完后之 xx 粒井然有序排列于胶带上， 而框架的 支撐避免了胶带的皱褶与 xx 粒之相互碰撞。(2) 黏晶( die mount / die bond )黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内，以送至下一制程进行焊线。(3) 焊线( wire bond )

4、IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线 以成集成电路(Integrated Circuit ;简称IC)，此制程的目的是为 了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温 破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin)，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。(4) 封胶( mold)封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、 內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于 框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并 待硬化。(5) 剪切/ 成形( trim / form )剪切之目的为将导线架上构装

5、完成之晶粒独立分开，并把不需要 的连接用材料及部份凸出之树脂切除( dejunk )。成形之目的则是将 外引脚压成各种预先设计好之形状 ，以便于装置于电路板上使用。 剪 切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出 料机构所組成。(6) 印字(mark)及电镀(plating )印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规 格及制造者等资讯。(7) 检验( inspection )晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之检验之目 的为确定构装完成之产品是否合与使用。其中项目包括xx:外引脚之平整性、共面度、脚距、印字是否清晰及胶体是否有损伤等的外观检 验。(

6、8) 封装制程处理的最后一道手续，通常还包含了打线的过程。以金线连 接芯片与导线架的线路，再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳，并测试集成 电路功能是否正常。2. 测试制程( Initial Test and Final Test )(1) 芯片测试( wafer sort )(2) 芯片目检( die visual )(3) 芯片粘贴测试( die attach )(4) 压焊强度测试( lead bond strength )(5) 稳定性烘焙( stabilization bake )(6) 温度循环测试( temperature cycle )(7) 离心测试( constant acceler

7、ation )(8) 渗漏测试( leak test )(9) 高低温电测试(10) 高温老化( burn-in )(11) 老化后测试( post-burn-in electrical testB.半导体制造工艺流程NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为:外延片编批清洗水汽氧化一次光刻检查清洗干氧氧化硼注入清洗UDO淀积清洗硼再扩散二次光刻检查单结测试清洗干氧氧化磷注入清洗铝下 CVD清洗发射区再扩散三次光刻检查双结测试清洗铝蒸发四次光刻检查氢气合金正向测试清洗铝上CVD检查五次光刻检查氮气烘焙检查中测中测检查粘片减薄减薄后处理检查清洗背面蒸发贴膜划片检查裂片外观检查综合检查 入中间库。PN

8、P小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片 编批 擦片 前处理 一次氧化 QC检查（tox）一次光刻 QC检查前处理基区 CSDx CSD 预淀积一一后处理一一QC佥查（町）一一前处理一一基区氧化扩散 QC检查（tox、RD）二次光刻一一QC检查一一单结测试一一 前处理一一POC13预淀积一一后处理（P液）一一QC佥查一一前处理 发射区氧化一一QC检查（tox ）前处理一一发射区再扩散（RD） 前处理铝下 CVDQC检查（tox、RD） 前处理HCl氧化一一前处理一一氢气处理一一三次光刻一一QC检查一一追扩散双结测试前处理铝蒸发QC检查(tAl )四次光刻-QC检查前处理氮气合金氮气烘焙 QC检查

9、( ts )五次光刻QC检查大片测试中测中测检杳（一-粘片减薄减薄后处理检查清洗背面蒸发贴膜划片检查裂片外观检查） 综合检查入中间库。GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为:编批擦片前处理一次氧化QC检查（tox ）一次光刻一一QC检查一一前处理一一基区干氧氧化一一 QC检查（tox ） 一 GR光刻（不腐蚀）一一 GR硼注入一一湿法去胶一一前处理 GF基区扩散一一QC检查（Xj、町）一一硼注入一一前处理一一 基区扩散与氧化一一QC佥查（Xj、tox、町）一一二次光刻一一QC 检查一一单结测试一一前处理一一发射区干氧氧化一一QC检查（tox ） 磷注入前处理发射区氧化和再扩散前处理POCI3预

10、淀积（町）一一后处理一一前处理一一铝下 CVDQC 检查（tox ）前处理一一氮气退火一一三次光刻一一 QC检查一一 双结测试一一前处理一一铝蒸发一一QC检查（tAI ）四次光刻 QC检查前处理 氮气合金氮气烘焙 正向测试五次光刻一一QC检查一一大片测试一一中测编批一一中测一一 中测检查入中间库。双基区节能灯品种工艺流程为：编批 擦片 前处理 一次氧化 QC检查（tox ） 一次光刻一一QC检查一一前处理一一基区干氧氧化一一 QC检查（tox ） 一硼注入一一前处理一一基区扩散一一后处理一一QC佥查（Xj、 町）一一前处理一一基区 CSDxxCSD预淀积一一后处理一一QC佥 查（町）一一前处理

11、一一基区氧化与扩散一一 QC检查（Xj、tox、町） 二次光刻一一QC检查一一单结测试一一磷注入一一前处理一一发射区氧化前处理 发射区再扩散 前处理 P0CI3预淀 积（RO）后处理一一前处理一一HCI退火、N2退火一一三次光 刻一一QC佥查一一双结测试一一前处理一一铝蒸发一一 QC佥查（tAI） 四次光刻 QC佥查 前处理 氮氢合金 氮气烘焙正向测试（ts ）外协作（ts ）前处理一一五次光刻一一 QC 佥查大片测试测试 ts 中测编批 中测中测佥查 入中间库。变容管制造的工艺流程为：外延片编批擦片 前处理一次氧化QC佥查N+光刻一一QC检查一一前处理一一干氧氧化一一QC检查一一P+ 注入一

12、一前处理一一N+扩散一一P+光刻一一QC检查一一硼注入1 前处理一一CVD（ LTC） QC佥查一一硼注入2前处理LPCVDQC检查一一前处理一一P+扩散一一特性光刻一一电容 测试是否再加扩电容测试 （直到达到电容测试要求）一一三次光刻一一QC佥查一一前处理一一铝蒸发一一QC佥查（tAI ） 铝反刻 QC佥查 前处理 氢气合金 氮气烘 焙大片测试中测电容测试粘片减薄 QC佥 查前处理背面蒸发综合佥查入中间库。P+扩散时间越长，相同条件下电容越小稳压管（ N 衬底）制造的工艺流程为：外延片编批擦片 前处理 一次氧化QC检查P+光刻一一QC检查一一前处理一一干氧氧化一一QC检查一一硼 注入一一前处理一一铝下 UDQC检查一一前处理一一P+扩散特性光刻一一扩散测试 （反向测试）一一前处理一一是否要 P+追 扩一一三次光刻一一QC检查一一前处理一一铝蒸发一一 QC检查（tAI） 四次光刻 QC检查前处理氮气合金 氮气烘焙 大片测试中测。P+扩散时间越长，相同条件下反向击穿电压越高。xx 二极管基本的制造工艺流程为：编批一一擦片一一前处理一一一次氧化一一 QC检查（tox） P+光刻QC检查硼注入前处理P+扩