靶材生产项目招商引资报告

1、泓域咨询/靶材生产项目招商引资报告靶材生产项目招商引资报告泓域咨询 MACRO承诺书申请人郑重承诺如下：“靶材生产项目”已按国家法律和政策的要求办理相关手续，报告内容及附件资料准确、真实、有效，不存在虚假申请、分拆、重复申请获得其他财政资金支持的情况。如有弄虚作假、隐瞒真实情况的行为，将愿意承担相关法律法规的处罚以及由此导致的所有后果。公司法人代表签字：xxx有限责任公司（盖章）xxx年xx月xx日项目概要超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，

2、而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜

3、、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。该靶材项目计划总投资10618.98万元，其中：固定资产投资8493.89万元，占项目总投资的79.99%；流动资金2125.09万元，占项目总投资的20.01%。达产年营业收入14590.00万元，总成本费用11012.61万元，税金及附加190.48万元，利润总额3577.39万元，利税总额4261.30万元，税后净利润2683.04万元，达产年纳税总额1578.26万元；达产年投资利润率33.69%，投资利税率40.13%，投资回报率25.27%，全部投资回收期5.46年，提供就

4、业职位284个。本文件内容所承托的权益全部为项目承办单位所有，本文件仅提供给项目承办单位并按项目承办单位的意愿提供给有关审查机构为投资项目的审批和建设而使用，持有人对文件中的技术信息、商务信息等应做出保密性承诺，未经项目承办单位书面允诺和许可，不得复制、披露或提供给第三方，对发现非合法持有本文件者，项目承办单位有权保留追偿的权利。报告主要内容：项目承担单位基本情况、项目技术工艺特点及优势、项目建设主要内容和规模、项目建设地点、工程方案、产品工艺路线与技术特点、设备选型、总平面布置与运输、环境保护、职业安全卫生、消防与节能、项目实施进度、项目投资与资金来源、财务评价等。第一章 项目承办单位基本情

5、况一、公司概况本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司致力于创新求发展，近年来不断加大研发投入，建立企业技术研发中心，并与

6、国内多所大专院校、科研院所长期合作，产学研相结合，不断提高公司产品的技术水平，同时，为客户提供可靠的技术后盾和保障，在新产品开发能力、生产技术水平方面，已处于国内同行业领先水平。公司经过多年的不懈努力，产品销售网络遍布全国各省、市、自治区；完整的产品系列和精益求精的品质使企业的市场占有率不断提高，除国内市场外，公司还具有强大稳固的国外市场网络；项目承办单位一贯遵循“以质量求生存，以科技求发展，以管理求效率，以服务求信誉”的质量方针，努力生产高质量的产品，以优质的服务奉献社会。公司生产运营过程中，始终坚持以效益为中心，突出业绩导向，全面推行内部市场化运作模式，不断健全完善全面预算管理体系及考评机

7、制，把全面预算管理贯穿于生产经营活动的各个环节。通过强化预算执行过程管控和绩效考核，对生产经营过程实施全方位精细化管理，有效控制了产品生产成本；着力推进生产控制自动化与经营管理信息化的深度融合，提高了生产和管理效率，优化了员工配置，降低了人力资源成本；坚持问题导向，不断优化工艺技术指标，强化技术攻关，积极推广应用新技术、新工艺、新材料、新装备，原料转化率稳步提高，降低了原料成本及能源消耗，产品成本优势明显。公司以生产运行部、规划发展部等专业技术人员为主体，依托各单位生产技术人员，组建了技术研发团队。研发团队现有核心技术骨干 十余人，均有丰富的科研工作经验及实践经验。二、所属行业基本情况溅射靶材

8、是利用物理气相沉积技术制备电子薄膜材料的被轰击材料，广泛应用于半导体芯片、太阳能电池、平板显示、信息存储等领域，其中半导芯片用溅射靶材技术要求最高，具有规模化生产能力的企业数量也相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区。靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。三、公司经济效益分析上一年度，xxx实业发展公司实现营业收入15677.02万元，同比增长25.37%（3172.57万元）。其中，主营业业务靶材生产及销售收入为14379.72万元，占营业总收入的91.72%。上年度主要经济指标序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业

9、收入3292.174389.574076.033919.2615677.022主营业务收入3019.744026.323738.733594.9314379.722.1靶材(A)996.511328.691233.781186.334745.312.2靶材(B)694.54926.05859.91826.833307.342.3靶材(C)513.36684.47635.58611.142444.552.4靶材(D)362.37483.16448.65431.391725.572.5靶材(E)241.58322.11299.10287.591150.382.6靶材(F)150.99201.321

10、86.94179.75718.992.7靶材(.)60.3980.5374.7771.90287.593其他业务收入272.43363.24337.30324.331297.30根据初步统计测算，公司实现利润总额3744.13万元，较去年同期相比增长922.70万元，增长率32.70%；实现净利润2808.10万元，较去年同期相比增长259.32万元，增长率10.17%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元15677.02完成主营业务收入万元14379.72主营业务收入占比91.72%营业收入增长率（同比）25.37%营业收入增长量（同比）万元3172.57利润总额万元3744.13

11、利润总额增长率32.70%利润总额增长量万元922.70净利润万元2808.10净利润增长率10.17%净利润增长量万元259.32投资利润率37.06%投资回报率27.79%财务内部收益率23.28%企业总资产万元26195.33流动资产总额占比万元30.13%流动资产总额万元7893.12资产负债率49.22%第二章 项目技术工艺特点及优势一、技术方案（一）技术方案选用方向1、对于生产技术方案的选用，遵循“自动控制、安全可靠、运行稳定、节省投资、综合利用资源”的原则，选用当前较先进的集散型控制系统，由计算机统一控制整个生产线的各项工艺参数，使产品质量稳定在高水平上，同时可降低物料的消耗。严

12、格按行业规范要求组织生产经营活动，有效控制产品质量，为广大顾客提供优质的产品和良好的服务。2、遵循“高起点、优质量、专业化、经济规模”的建设原则。积极采用新技术、新工艺和高效率专用设备，使用高质量的原辅材料，稳定和提高产品质量，制造高附加值的产品，不断提高企业的市场竞争能力。3、在工艺设备的配置上，依据节能的原则，选用新型节能型设备，根据有利于环境保护的原则，优先选用环境保护型设备，满足项目所制订的产品方案要求，优选具有国际先进水平的生产、试验及配套等设备，充分显现龙头企业专业化水平，选择高效、合理的生产和物流方式。4、生产工艺设计要满足规模化生产要求，注重生产工艺的总体设计，工艺布局采用最佳

13、物流模式，最有效的仓储模式，最短的物流过程，最便捷的物资流向。5、根据该项目的产品方案，所选用的工艺流程能够满足产品制造的要求，同时，加强员工技术培训，严格质量管理，按照工艺流程技术要求进行操作，提高产品合格率，努力追求产品的“零缺陷”，以关键生产工序为质量控制点，确保该项目产品质量。6、在项目建设和实施过程中，认真贯彻执行环境保护和安全生产的“三同时”原则，注重环境保护、职业安全卫生、消防及节能等法律法规和各项措施的贯彻落实。（三）工艺技术方案选用原则1、在基础设施建设和工业生产过程中，应全面实施清洁生产，尽可能降低总的物耗、水耗和能源消费，通过物料替代、工艺革新、减少有毒有害物质的使用和排

14、放，在建筑材料、能源使用、产品和服务过程中，鼓励利用可再生资源和可重复利用资源。2、遵循“高起点、优质量、专业化、经济规模”的建设原则，积极采用新技术、新工艺和高效率专用设备，使用高质量的原辅材料，稳定和提高产品质量，制造高附加值的产品，不断提高企业的市场竞争力。（四）工艺技术方案要求1、对于生产技术方案的选用，遵循“自动控制、安全可靠、运行稳定、节省投资、综合利用资源”的原则，选用当前较先进的集散型控制系统，控制整个生产线的各项工艺参数，使产品质量稳定在高水平上，同时可降低物料的消耗；严格按照电气机械和器材制造行业规范要求组织生产经营活动，有效控制产品质量，为广大顾客提供优质的产品和良好的服

15、务。2、建立完善柔性生产模式；本期工程项目产品具有客户需求多样化、产品个性差异化的特点，因此，产品规格品种多样，单批生产数量较小，多品种、小批量的制造特点直接影响生产效率、生产成本及交付周期；益而益（集团）有限公司将建设先进的柔性制造生产线，并将柔性制造技术广泛应用到产品制造各个环节，可以在照顾到客户个性化要求的同时不牺牲生产规模优势和质量控制水平，同时，降低故障率、提高性价比，使产品性能和质量达到国内领先、国际先进水平。二、项目工艺技术设计方案（一）技术来源及先进性说明项目技术来源为公司的自有技术，该技术达到国内先进水平。（二）项目技术优势分析本期工程项目采用国内先进的技术，该技术具有资金占

16、用少、生产效率高、资源消耗低、劳动强度小的特点，其技术特性属于技术密集型，该技术具备以下优势：1、技术含量和自动化水平较高，处于国内先进水平，在产品质量水平上相对其他生产技术性能费用比优越，结构合理、占地面积小、功能齐全、运行费用低、使用寿命长；在工艺水平上该技术能够保证产品质量高稳定性、提高资源利用率和节能降耗水平；根据初步测算，利用该技术生产产品，可提高原料利用率和用电效率，在装备水平上，该技术使用的设备自动控制程度和性能可靠性相对较高。2、本期工程项目采用的技术与国内资源条件适应，具有良好的技术适应性；该技术工艺路线可以适应国内主要原材料特性，技术工艺路线简洁，有利于流程控制和设备操作，

17、工艺技术已经被国内生产实践检验，证明技术成熟，技术支援条件良好，具有较强的可靠性。3、技术设备投资和产品生产成本低，具有较强的经济合理性；本期工程项目采用本技术方案建设其主要设备多数可按通用标准在国内采购。4、节能设施先进并可进行多规格产品转换，项目运行成本较低，应变市场能力很强。第三章 背景及必要性一、靶材项目背景分析溅射靶材是利用物理气相沉积技术制备电子薄膜材料的被轰击材料，广泛应用于半导体芯片、太阳能电池、平板显示、信息存储等领域，其中半导芯片用溅射靶材技术要求最高，具有规模化生产能力的企业数量也相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区。中国溅射靶材行业起步较晚，目前仍然属于一个较新的

18、行业，受益于国家战略的支持，已经开始出现少量专业从事高纯溅射靶材研发和生产的企业(如江丰电子，有研新材等)，并成功开发出一批高端应用领域的溅射靶材，为高纯溅射靶材大规模产业化提供了良好的研发基础和市场化条件。靶材全球市场预计16-19复合增速13%。2016年全球溅射靶材市场容量达113.6亿美元，相比于2015年的94.8亿美元增长20%。预测2016-2019年均复合增长率达13%，到2019年全球高纯溅射靶材市场规模将超过163亿美元。2016年全球靶材市场的下游结构中，半导体占比10%、平板显示占34%、太阳能电池占21%、记录媒体占29%，靶材性能要求依次降低。市场集中度高，日、美占

19、据80%高端靶材市场。溅射靶材由于其高技术、高投资、高客户壁垒，具有规模化生产能力企业较少，以霍尼韦尔、日矿金属、东曹、普莱克斯等为代表的靶材龙头企业2017年占据全球约80%靶材市场。美、日等跨国企业产业链较为完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节，主导高端的半导体靶材市场；韩国、新加坡及中国台湾地区擅长磁记录及光学薄膜领域，原料多从国外进口；中国靶材产业正处于起步阶段，逐步切入以原料以进口为主的全球主流半导体、显示、光伏等龙头企业客户。预计2018-2020年国内显示靶材需求增速维持20-25%增速。中国大陆从上世纪80年代开始进入液晶显示领域，在政府政策导向和产业扶植下

20、，我国大陆液晶显示产业快速发展，成为平板显示行业发展速度最快的地区。2016年中国平板显示器件产业整体规模达到1500亿元，同比增长25.99%；2012-2016年国内平板显示增速基本保持在25%以上。此外考虑到国内LCD国产替代进程加速、再加上OLED渗透率有望快速提升，预计2018-2020年国内平板显示产业增速将至少维持在20-25%；对应到国内显示靶材的需求也将相应增加。靶材应用的战略高地17-20年全球半导体增速有望超预期，17年国内半导体增速24.81%。半导体靶材性能要求位居各类应用之首。半导体行业所需溅射靶材主要用于晶圆制造材料和封装测试材料。芯片制造对溅射靶材纯度要求很高，

21、通常需达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半导体产业超预期增速21.62%，从下游需求结构看，17年增长主要源于半导体的主要应用是集成电路中的存储器，增速达到61.49%，增量来源于人工智能、大数据、汽车电子等领域对高性能芯片需求快速提升。从15年开始国内半导体产业维持20%左右增速，渐成常态。半导体产业从台湾向国内转移的趋势比较确定，国内政策、资金、税收等各方面也在扶持半导体产业。国家集成电路产业基金第一期规模1,387亿元。，至少带动省市地方基金共4,651亿元，拉动国内企业内生增长和海外并购。未来第二期基金计划启动，也将持续拉动国内半导体产业增长。2

22、011-2016全球半导体用靶材年复合增长率3.17%，预计2018-2020国内半导体靶材需求增速在20%左右。国际半导体产业协会(SEMI)全球半导体用溅射靶材销售额从2011年的10.1亿美元到2016年为11.7亿美元，年均复合增长率为3.17%，其中晶圆制造用溅射靶材年均复合增长率为2.07%，封装测试用溅射靶材年均复合增长率为4.65%。2016年我国集成电路用溅射靶材市场规模约14亿元，年增速达20%。供给端，随着国产溅射靶材技术成熟，尤其是国产溅射靶材具备一定性价比优势，并且符合溅射靶材国产化的政策导向；需求端，半导体产业向国内转移的趋势已基本确立，国内半导体产业崛起将推动国内

23、半导体靶材需求的提升。预计2018-2020年我国溅射靶材的市场规模有望持续扩大，复合增速将维持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太阳能用靶材增速保持20%以上。太阳能光伏产业的快速发展给太阳能电池用溅射靶材市场带来了可观的成长空间，2016年全球太阳能电池用溅射靶材市场规模23.4亿美元，在全球靶材市场中占比约21%。2011-2016年全球太阳能靶材规模增速一直保持在20%以上。国内靶材需求和供给反差悬殊，国产替代进程加速。2015国内靶材需求全球占比近25%，年速约20%；但国内靶材企业市场份额不到2%，供需比例反差明显。随着国内溅射靶材技术的成熟和高纯铝生产技术的提

24、高，我国靶材生产成本优势明显，靶材原料之一高纯铝的国内进出口量差距也在逐步缩小。随着2019年国家进口靶材免税期结束，国内靶材企业优势更加突出。预计2018-2020年国内靶材需求将维持20%以上高速增长，市场份额有望进一步扩大。二、鼓励中小企业发展从经济的贡献看，截至2017年底，我国民营企业的数量超过2700万家，个体工商户超过了6500万户，注册资本超过165万亿元，民营经济占GDP的比重超过了60%，撑起了我国经济的“半壁江山”。作为中国经济最具活力的部分，民营经济未来将继续稳步发展壮大，为促进我国经济社会持续健康发展发挥更大作用。加强对“专精特新”中小企业的培育和支持，引导中小企业专

25、注核心业务，提高专业化生产、服务和协作配套的能力，为大企业、大项目和产业链提供零部件、元器件、配套产品和配套服务，走“专精特新”发展之路，发展一批专业化“小巨人”企业，不断提高专业化“小巨人”企业的数量和比重，有助于带动和促进中小企业走专业化发展之路，提高中小企业的整体素质和发展水平，增强核心竞争力。中小企业促进法以“改善中小企业经营环境，促进中小企业健康发展，扩大城乡就业，发挥中小企业在国民经济和社会发展中的重要作用”为立法宗旨，确立了中小企业在国民经济中的法律地位，明确了政府管理部门的职责，并将扶持和促进中小企业发展的主要政策上升到了法律的高度。中小企业促进法提出，国家对中小企业实行积极扶

26、持、加强引导、完善服务、依法规范、保障权益的方针，致力于为中小企业创立和发展创造公平竞争的外部环境，并明确提出将在财政、金融和税收等多方面加大扶持力度，鼓励和支持创业、技术创新，加强中小企业社会化服务体系建设，以促进中小企业健康发展。中小企业促进法强调，国家保护中小企业及其出资人的合法权益，任何单位不得违反法律法规向中小企业收费和罚款。这些措施，必将对我国中小企业发展产生深远的影响。中小企业服务体系在改善发展环境、提供公共服务、促进中小企业健康发展的过程中，正发挥着越来越重要的作用。当前，继续加快推进全国中小企业服务体系建设，一要做好国内外市场开拓服务，搭建展览展示平台，促进国内外企业间的合作

27、交流和协作配套；二要建设多种形式的融资服务平台，畅通融资渠道，加强融资担保服务，帮助中小企业解决融资难、担保难；三要建立公共服务平台，为中小企业技术创新提供设计、研发、检验检测等服务，促进产学研用相结合，帮助中小企业加快产品结构调整；四要开展中小企业信息化推进服务，帮助中小企业提高管理水平，降低运营成本，开拓市场；五要加强培训服务，提升中小企业经营管理人员的素质和管理水平。我们相信，随着扶持中小企业发展各项政策措施的细化和配套落实，中小企业健康发展的政策法规环境、市场环境和公共服务环境必将得到全面改善，我国中小企业必将迎来新一轮更大发展。三、宏观经济形势分析今后一个时期，我国长期积累形成的风险

28、有可能会集中释放，进入风险易发高发期。本文对金融、房地产、政府债务、产业转型、人口老龄化、社会分化、外部冲击等领域可能出现的风险进行了深入分析。这些领域风险点多，影响面广，且相互叠加，传导机制复杂，如果应对不当，有可能对我国经济社会发展形成较大影响。为增强防范化解风险的针对性，本文尝试用德尔菲法，对各领域风险的交互影响程度和发生概率进行评估。评估结果表明，影响力较大同时也是发生概率较高的前四个风险领域是金融风险、房地产风险、政府债务风险、企业债务风险。我国防范化解风险既有多方面优势，也面临诸多挑战。我们要着力防范化解重点领域风险，主动转方式、调结构、换动力、去杠杆、防泡沫，守住不发生系统性风险

29、的底线。四、靶材项目建设必要性分析靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各种类型的溅射薄膜材料在

30、半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。日本。就美国而言.约有50家中小规模的靶材制造商及经销商，其中最大的公司员工大约

31、有几百人。不过为了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服务，全球主要靶材制造商通常会在客户所在地设立分公司。近段时间，亚洲的一些国家和地区，如台湾.韩国和新加坡，就建立了越来越多制造薄膜元件或产品的工厂，如IC、液晶显示器及光碟制造厂。对靶材厂商而言，这是相当重要的新兴市场。中国靶材产业发展也是与日俱增，不断的扩大自己的规模和生产技术，国内一线生产制造靶材的品牌已经达到国外最顶尖的技术水平。2010年，日本三菱公司就在中国台湾地区建立了光碟埘靶材的生产基地，可以满足台湾50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商业咨询公司)最新的统计报告指出，全球靶

32、材市场将以8.8%的年平均增长率(AAGR)在今后的5年内持续增长，估计销售额将从1999年的7.2亿美元增加到2004年的11亿美元。靶材是一种具有高附加价值的特种电子材料，主要使用在微电子，显示器，存储器以及光学镀膜等产业上，用以溅射用于尖端技术的各种薄膜材料。BCC的报告显示：全球的上述产业在1999年使用了2.88百万公斤靶材。换算为面积，则溅射了363百万平方米的薄膜。而若以单位靶材来计算，全球在1999年则大约使用了37400单位的靶材。这里所要指出的是，随着应用产业的不同，靶材的形状与大小也有所差异，其直径从15Gm到3m都有，而上述的统计资料，则是平均化后的结果。在所有应用产业

33、中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过去99.995%(4N5)纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求，而未米的0.18um艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示

34、器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取第一种方法生产ITO靶材，利用LIRF反应溅射镀膜.靶材具有沉积速度快.且能精确控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l。但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加

35、剂的关系极大。在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，不过,在实现更

36、快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。五、靶材行业分析超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。一般

37、来说，溅射靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分，在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜；由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程，机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能。在溅射靶材应用领域中，半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品，因此

38、，半导体芯片对溅射靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵；相较于半导体芯片，平面显示器、太阳能电池对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹，但随着靶材尺寸的增大，对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。此外，溅射靶材需要安装在溅射机台内完成溅射过程，溅射机台专用性强，对溅射靶材的形状、尺寸和精度也设定了诸多限制。高纯度乃至超高纯度的金属材料是生产高纯溅射靶材的基础，以半导体芯片用溅射靶材为例，若溅射靶材杂质含量过高，则形成的薄膜无法达到使用所要求的电性能，并且在溅射过程中易在晶圆上形成微粒，导致电路短路或损坏，严重影响薄膜的性能。通常情况下，高纯金属提纯分为化学提纯和物理提纯，为了获得更

39、高纯度的金属材料，最大限度地去除杂质，需要将化学提纯和物理提纯结合使用。在将金属提纯到相当高的纯度后，往往还需配比其他金属元素才能投入使用，在这个过程中，需要经过熔炼、合金化和铸造等步骤：通过精炼高纯金属，去除氧气、氮气等多余气体；再加入少量合金元素，使其与高纯金属充分结合并均匀分布；最后将其铸造成没有缺陷的锭材，满足生产加工过程中对金属成份、尺寸大小的要求。溅射靶材制造环节首先需要根据下游应用领域的性能需求进行工艺设计，然后进行反复的塑性变形、热处理，需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标，再经过焊接、机械加工、清洗干燥、真空包装等工序。溅射靶材制造所涉及的工序精细且繁多，工序流程管理及制造工艺

40、水平将直接影响到溅射靶材的质量和良品率。溅射镀膜是指物体被离子撞击时，被溅射飞散出，因被溅射飞散的物体附着于目标基板上而制成薄膜的过程，溅射靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。此环节是在溅射靶材产业链条中对生产设备及技术工艺要求最高的环节，溅射薄膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本跨国集团垄断，主要设备提供商包括AMAT（美国）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美国）等行业内知名企业。终端应用是针对各类市场需求利用封装好的元器件制成面向最终用户的产品，包括汽车电子、

41、智能手机、平板电脑、家用电器等终端消费电子产品。通常情况下，在半导体靶材溅射镀膜后，需要将镀膜硅片切割并进行芯片封装。封装是指将电路用导线连接到外部接头处，以便与其他器件连接的工序，不仅能够起到保护芯片的作用，还将芯片与外界隔离，防止空气中的杂质对芯片电路造成腐蚀而损害导电性能。此外，终端应用也包括制备太阳能电池、光学镀膜、工具改性、高档装饰用品等，此环节技术面较宽，呈现多样化特征。全球范围内，溅射靶材产业链各环节参与企业数量基本呈金字塔型分布，高纯溅射靶材制造环节技术门槛高、设备投资大，具有规模化生产能力的企业数量相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区，其中，部分企业同时开展金属提纯业务

42、，将产业链延伸到上游领域；部分企业只拥有溅射靶材生产能力，高纯度金属需要上游企业供应。溅射靶材最高端的应用是在超大规模集成电路芯片制造领域，这个领域只有美国和日本的少数公司（日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等）从事相关业务，是一个被跨国公司垄断的行业。作为溅射靶材客户端的溅射镀膜环节具有规模化生产能力的企业数量相对较多，但质量参差不齐，美国、欧洲、日本、韩国等知名企业居于技术领先地位，品牌知名度高、市场影响力大，通常会将产业链扩展至下游应用领域，利用技术先导优势和高端品牌迅速占领终端消费市场，如IBM、飞利浦、东芝、三星等。终端应用环节是整个产业链中规模最大的领域，其产品的开发与生产分散在各

43、个行业领域，同时，此环节具有突出的劳动密集性特点，参与企业数量最多，机器设备投资一般，主要分布在日本、中国台湾和中国大陆等，并逐渐将生产工厂向人力成本低的国家和地区转移。溅射靶材产业分布具有一定的区域性特征，美国、日本跨国集团产业链完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节，具备规模化生产能力，在掌握先进技术以后实施垄断和封锁，主导着技术革新和产业发展；韩国、新加坡及中国台湾地区在磁记录及光学薄膜领域有所特长。另外由于上述地区芯片及液晶面板产业发展较早，促使服务分工明确，可以为产业链下游的品牌企业提供如焊接、清洗、包装等专业代工服务，将上游基础材料和下游终端应用对接，起到承上启下

44、的作用，并在一定程度上推动上游溅射靶材的产品开发和市场扩展。但是上述地区的靶材服务厂商缺少核心技术及装备，不能够在金属的提纯、组织的控制等核心技术领域形成竞争力溅射靶材的材料即靶坯依然依赖美国和日本的进口。超高纯金属材料及溅射靶材在我国还属于较新的行业，以芯片制造厂商、液晶面板制造企业为代表的下游溅射镀膜和终端用户正在加大力度扩展产能。从全球来看，芯片及液晶面板行业制造向中国大陆转移趋势愈演愈烈，中国正在迎来这一领域的投资高峰。为此高端溅射靶材的应用市场需求正在快速增长。由于溅射镀膜工艺起源于国外，所需要的溅射靶材产品性能要求高、专业应用性强，因此，长期以来全球溅射靶材研制和生产主要集中在美国

45、、日本少数几家公司，产业集中度相当高。以霍尼韦尔（美国）、日矿金属（日本）、东曹（日本）等跨国集团为代表的溅射靶材生产商较早涉足该领域，经过几十年的技术积淀，凭借其雄厚的技术力量、精细的生产控制和过硬的产品质量居于全球溅射靶材市场的主导地位，占据绝大部分市场份额。这些企业在掌握溅射靶材生产的核心技术以后，实施极其严格的保密措施，限制技术扩散，同时不断进行横向扩张和垂直整合，将业务触角积极扩展到溅射镀膜的各个应用领域，牢牢把握着全球溅射靶材市场的主动权，并引领着全球溅射靶材行业的技术进步。受到发展历史和技术限制的影响，溅射靶材行业在我国起步较晚，目前仍然属于一个较新的行业。与国际知名企业生产的溅

46、射靶材相比，我国溅射靶材研发生产技术还存在一定差距，市场影响力相对有限，尤其在半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等领域，全球高纯溅射靶材市场依然被美国、日本的溅射靶材生产厂商所控制或垄断。随着溅射靶材朝着更高纯度、更大尺寸的方向发展，我国溅射靶材生产企业只有不断进行研发创新，具备较强的产品开发能力，研制出适用不同应用领域的溅射靶材产品，才能在全球溅射靶材市场中占得一席之地。半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等下游工业对产品的品质和稳定性等方面有较高的要求，为了严格控制产品质量，下游客户尤其是全球知名厂商在选择供应商时，供应商资格认证壁垒较高，且认证周期较长。我国高纯溅射靶材企业要进入国际市场，

47、首先要通过部分国际组织和行业协会为高纯溅射靶材设置的行业性质量管理体系标准，例如，应用于汽车电子的半导体厂商普遍要求上游溅射靶材供应商能够通过ISO/TS16949质量管理体系认证，应用于电器设备的溅射靶材生产商需要满足欧盟制定的RoHS强制性标准；其次，半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等下游知名客户均建立了十分完善的客户认证体系，在高纯溅射靶材供应商满足行业性质量管理体系认证的基础上，下游客户往往还会根据自身的质量管理要求再对供应商进行合格供应商认证。认证过程主要包括技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等几个阶段，认证过程相当苛刻，从新产品开发到实现大批量供货，整个过程一般需

48、要2-3年时间。为了降低供应商开发与维护成本，保证产品质量的持续性，溅射靶材供应商在通过下游客户的资格认证后，下游客户会与溅射靶材供应商保持长期稳定的合作关系，不会轻易更换供应商，并在技术合作、供货份额等方面向优质供应商倾斜。近年来，受益于国家从战略高度持续地支持电子材料行业的发展及应用推广，我国国内开始出现不少专业从事高纯溅射靶材研发和生产的企业，并成功开发出一批能适应高端应用领域的溅射靶材，为高纯溅射靶材大规模产业化提供了良好的研发基础和市场化条件。通过将溅射靶材研发成果产业化，积极参与溅射靶材的国际化市场竞争，我国溅射靶材生产企业在技术和市场方面都取得了长足的进步，改变了高纯溅射靶材长期

49、依赖进口的不利局面。目前，包括长沙鑫康在内的一些国内企业已经掌握了高纯溅射靶材生产的关键技术，积累了较为丰富的产业经验，拥有了一定的市场知名度，获得了全球知名客户的认可。六、靶材市场分析预测靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。高纯度溅射靶材主要应用于电子元器件制造的物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）工艺。PVD镀膜目前主要有三种形式，分别是溅射镀膜、蒸发镀膜以及离子镀膜。为推动国内靶材产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，我国制定了一系列靶材行业相关支持政策。靶材

50、行业产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节。其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个靶材产业链中的关键环节。靶材产业下游包括半导体、光伏电池、平板显示器等等，其中，半导体芯片行业用的金属靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的靶材。铜靶和钽靶通常配合起来使用。靶材主要应用在平板显示、记录媒体、光伏电池、半导体等领域。其中，在靶材应用领域中，半导体芯片对靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品。因此，半导体芯片对靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵。半导体芯

51、片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域。目前晶圆的制造正朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。铝靶和钛靶通常配合起来使用。目前，在汽车电子芯片等需要110nm以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。目前，全球的靶材制造行业，特别是高纯度的靶材市场，呈现寡头垄断格局，主要由几家美日大企业把持，如日本的三井矿业、日矿金属、日本东曹、住友化学、日本爱发科，以及美国霍尼韦尔、普莱克斯等。日矿金属是全球最大的靶材供应商，靶材销售额约占全球市场的30%，霍尼韦尔在并购Johnson

52、Mattey、整合高纯铝、钛等原材料生产厂后，占到全球市约20%的份额，此外，东曹和普莱克斯分别占20%和10%。目前，国内靶材厂商主要聚焦在低端产品领域，在半导体、平板显示器和太阳能电池等市场还无法与国际巨头全面竞争。但是，依靠国内的巨大市场潜力和利好的产业政策，以及产品价格优势，它们已经在国内市场占有一定的市场份额，并逐步在个别细分领域抢占了部分国际大厂的市场空间。近年来，我国政府制定了一系列产业政策，如863计划、02专项基金等来加速溅射靶材供应的本土化进程，推动国产靶材在多个应用领域实现从无到有的跨越。这些都从国家战略高度扶植并推动着溅射靶材产业的发展壮大。第四章 项目建设主要内容和规

53、模（一）用地规模该项目总征地面积32816.40平方米（折合约49.20亩），其中：净用地面积32816.40平方米（红线范围折合约49.20亩）。项目规划总建筑面积41020.50平方米，其中：规划建设主体工程26775.42平方米，计容建筑面积41020.50平方米；预计建筑工程投资3189.86万元。（二）设备购置项目计划购置设备共计71台（套），设备购置费3898.56万元。二、产值规模项目计划总投资10618.98万元；预计年实现营业收入14590.00万元。第五章 项目建设地点一、靶材项目建设选址原则为了更好地发挥其经济效益并综合考虑环境等多方面的因素，根据靶材项目选址的一般原则和

54、靶材项目建设地的实际情况，“靶材项目”选址应遵循以下原则：1、布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动。2、与靶材项目建设地的建成区有较方便的联系。3、地理条件较好，并有足够的发展潜力。4、城市基础设施等配套较为完善。5、以城市总体规划为依据，统筹考虑用地与城市发展的关系。6、兼顾环境因素影响，具有可持续发展的条件。二、靶材项目选址方案及土地权属（一）靶材项目选址方案1、靶材项目建设单位通过对靶材项目拟建场地缜密调研，充分考虑了靶材项目生产所需的内部和外部条件：距原料产地的远近、企业劳动力成本、生产成本以及拟建区域产业配套情况、基础设施条件及土地成本等。2、通过对可供选择的建设地区进

55、行比选，综合考虑后选定的靶材项目最佳建设地点靶材项目建设地，所选区域完善的基础设施和配套的生活设施为靶材项目建设提供了良好的投资环境。（二）工程地质条件1、根据建筑抗震设计规范（GB50011）标准要求，靶材项目建设地无活动断裂性通过，无液化土层及可能震陷的土层分布，地层均匀性密实较好，因此，本期工程靶材项目建设区处于地质构造运动相对良好的地带，地下水为上层滞水，对混凝土无腐蚀性，各土层分布稳定、均匀而适宜建筑。2、拟建场地目前尚未进行地质勘探，参考临近建筑物的地质资料，地基土层由第四系全新统（Q4）杂填土、粉质粘土、淤泥质粉土、圆砾卵石层组成，圆砾卵石作为建筑物的持力层，Pk=300.00K

56、pa；建设区域地质抗风化能力较强，地层承载力高，工程地质条件较好，不会受到滑坡及泥石流等次生灾害的影响，无不良地质现象，地壳处于稳定状态，场地地貌简单适应本期工程靶材项目建设。三、靶材项目用地总体要求（一）靶材项目用地控制指标分析1、“靶材项目”均按照项目建设地建设用地规划许可证及建设用地规划设计要求进行设计，同时，严格按照建设规划部门与国土资源管理部门提供的界址点坐标及用地方案图布置场区总平面图。2、建设靶材项目平面布置符合轻工产品制造行业、重点产品的厂房建设和单位面积产能设计规定标准，达到工业靶材项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）文件规定的具体要求。（二）靶材项目建设条件比

57、选方案1、靶材项目建设单位通过对可供选择的建设地区进行缜密比选后，充分考虑了靶材项目拟建区域的交通条件、土地取得成本及职工交通便利条件，靶材项目经营期所需的内外部条件：距原料产地的远近、企业劳动力成本、生产成本以及拟建区域产业配套情况、基础设施条件等，通过建设条件比选最终选定的靶材项目最佳建设地点靶材项目建设地，本期工程靶材项目建设区域供电、供水、道路、照明、供汽、供气、通讯网络、施工环境等条件均较好，可保证靶材项目的建设和正常经营，所选区域完善的基础设施和配套的生活设施为靶材项目建设提供了良好的投资环境。2、由靶材项目建设单位承办的“靶材项目”，拟选址在靶材项目建设地，所选区域土地资源充裕，而且地理位置优越、地形平坦、土地平整、交通运输条件便利、配套设施齐全，符合靶材项目选址要求。（三）靶材项目用地总体规划方案本期工程项目建设规划建筑系数76.09%，建筑容积率1.25，建设区域绿化覆盖率5.53%，固定资产投资强度172.64万元/亩。（四）靶材项目节约用地措施1、土地既是人类赖以生存的物质基础，也是社会经济可持续发展必不可少的条件，因此，靶材项目建设单位在利