mos管驱动电流计算

1、 第一种: 可以使用如下公式估算： lg=Qg/T on 其中： Ton=t3-t0 td(on)+tr td(on) : MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值 90%勺时间。 Tr :上升时间。输出电压 VDS从90%下降到其幅值10%勺时间 Qg= (CEI) (VGS)或 Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在 datasheet 中找到)？ 第二种：(第一种的变形) 密勒效应时间(开关时间)Ton/off=Qgd/Ig ; lg=Vb-Vgs(th)/Rg ; Ig : MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；？ 第三种： 以IR的IRF640为例，看

2、DATASHEE里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎 水平再上升。水平那段是管子开通(密勒效应)假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间(先 上升然后水平再上升)为0.4us ,由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A ,当然，这是峰值, 仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不 能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。 20406080 16128 4 ( 6elo onos6vsECJs0 Qq , Total Gate Charge (nO) eleefans-com 电 &

3、 茨抚支 a Parameter Min. Typ. Max. Units V 但 R)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 200 V Vgs = AV(BR)DSS/ATj Breakdown Voltage Temp. Coefficient 0.25 v/c Refer DS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance 0.15 Q Vgs = VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 4.0 V Vds = Sts Forward Transconductanee 6.8 s Vd

4、s = d33 Drain-to-Source Leakage Current 25 MA Vds = 250 Vds = Igss Gate-to-Source Forward Leakage 100 nA Vg3 = Gate-lo-Source Reverse Leakaqe -100 Vgg = Qg Total Gate Charge 67 nC b = 1 Vds = Vgs = Qgs Gate-to-Source Charge 11 Qgd Gate-to-Drain (Miller) Charge 33 td(on) Turn-On Delay Time 10 ns Vdd = b = 1 Rg = Rd = tr Rise Time 19 td(ott) Turn-Off Delay Time 23 tf Fall Time 5.5 q Internal Drain Inductance 4.5 nH Betwi 6mm from and c Internal Source Inductance 卜* 7.5 Ciss Input Capacitance 1160 PF Vgs : Vq