学习任务2习题

1、一、填空题1. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和型两种，它们的符号分别和2. :反映 态时集电极电流与基极电流之比；：反映 态时的电流放大特性。3. 当温度升高时，三极管的参数B会 , Icbo会 ，导通电压会 4. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得lA=2mA , lB=0.04mA , Ic=2.04mA，则电极为基极，为集电极，为发射极；为 型管；二。5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于状态。5Vo,?v K0V6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。7. 某三极管的极限参数 Icm = 20mA、Pcm二100mW、U（br）c

2、eo二20V。当工作电压Uce = 10V时，工作电流lc不得超过 mA ;当工作电压Uce=1V时，lc不得超过 _ mA ;当工作电流lc=2mA时，UCE不得超过V。8. 三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为 偏置。9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用法或法。10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的 B约为 ； a约为 。11. 通路常用以确定静态工作点；通路提供了信号传输的途径。12. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。13. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于区；

3、场效应管工作于 区。14. 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。15. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V , U2=-6V , U3=-6.2V，则电极为基极，为集电极，为发射极，为 型管。16. 三极管电流放大系数 B反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。17. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。18. 三极管是由个PN结及其划分为个区组成。19. 三极管的两个 PN结分别称为 结和结。20. 三极管具有放大作用。21. 三极管具有电流放大作用的条件是 。22. 硅三极管的死区电压为 V，

4、锗三极管的死区电压为 V。23. 硅三极管的发射结电压降 UBE约 V，锗三极管的管压降 UBE约 V。24. 放大器的作用是。二、选择题1. （）具有不同的低频小信号电路模型。A. NPN管和PNP管B.增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N沟道场效应管和P沟道场效应管D.三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的1 =50,则该电路中三极管的工作状态为（）。A.截止B.饱和C.放大D.无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间

5、直流电压 Uce=0.3V，则此时三极管工作于（）状态。A.饱和 B.截止 C. 放大 D.无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的=50，则该电路中三极管的工作状态为（）。A.截止B.饱和C.放大D.无法确定6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（）状态。A.放大 B.截止 C.饱和 D.无法确定7.某三极管的Pcm = 100mW, Icm = 20mA ,U（br）ceo = 15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。A. Uce =3V,lc = 10mAB. Uce = 2V, lc = 40mA8.C. Uce =6V,|c =20mAD. Uce 二 20V, |c

6、 二 2mA乏（)管。A.耗尽型PMOSB.耗尽型NMOSC.增强型PMOSD.增强型NMOS9.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是(。A. U (BR)CEOu (BR)CBOu (BR)EBOB. U (BR)CBO U (BR)CEO U (BR)EBOc. u (BR)CBOU (BR) EBOU (BR)CEOD. U (BR)EBO U (BR)CEO A U (BR)CBO10.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（A. Ie = |b Ic B. |c x I，|b c. Icbo = (1 亠)Iceo11.A.（情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。正弦小信

7、号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号12.C、场效应管本质上是一个（电流控制电流源器件电压控制电流源器件D、。电流控制电压源器件 电压控制电压源器件13. 三极管是由 个PN结所组成。A . 1B. 214. 硅三极管的管压降 UBE约为A. 0.3B . 0.5C. 0.715. 在一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而A .增加B .减小C.不变16. 处于放大状态下的三极管，其发射极电流是基极电流的A . 1B .17. 三极管在饱和状态时，A .受到B .三、判断题1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。2. IDSS表示工作于饱和区的增强型

8、场效应管在3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的很大。（）4. 三极管工作在放大区时，若iB为常数，则放大区时可视为一电流源。（）5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用6. 三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，用。（）3C. 1+ 3ICIB控制不再受C .等待倍。Ugs=0时的漏极电流。PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻UCE增大时，iC几乎不变，故当三极管工作在H参数小信号模型替代。（）因此，可将三极管的C、E两个电极互换使7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（）8. 双极型三极管由两个 PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成

9、一个三极管。（）9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。（）10. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。（）11. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。（ ）12. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（）13三极管的B值太小，则其电流放大作用较差。（）14.硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（）15两个二极管反向连接起来可作为三极管使用。（）16.硅三极管的死区电压约为 0.7 V。（）17三极管的输出特性曲线实际就是一组

10、曲线族。（）18三极管的截止状态是指输出特性IB =0曲线以下的区域。（）19三极管的放大状态是 UBE 死区电压，且 UCE UBE。（）四、计算分析题1试述三极管的电流放大原理。2简述三极管的各种工作状态。6V03 V03 VVTVT0 V0V心）(b)4.三极管电路如图所示，已知三极管的6V0.5 V3.试判别图中三极管的工作状态（设均为硅管）。I0V（c） = 80 , Ube （on）=0.7V ,舟=200 Q，输入信号us =20sin t（mV）,电容C对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工作点参数|bq、Icq、Uceq ;（ 2）画出电路的微变等效电路，求Ube、

11、iB、ic和Uce。5.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗 尽型管求出Ugs（off）、Idss ；对于增强型管求出Ugs（th）。0叱严何6.三极管电路如图所示，已知护100 , U BE（on）=0.7V，试求电路中Ic、U ce的值。7. 图中三极管为硅管，3=100，试求电路中Ib、Ic、Uce的值，判断三极管工作在什么状态。0+5 V8. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗 尽型管求出Ugs（ off）、Idss ；对于增强型管求出Ugs（ th）。(b)10.图中三极管均为硅管，试求各电路中的O + 12V9.场效应管电路如图所示，已知 Ui =20sint(mV)，场效应管的gm = 0.58mS试求该电路的交流输出电压 Uo的大小。Ic、UcE 及集电极对地电压U。11.图中三极管为硅管，3=100,试求电路中Ib、