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文档简介

1、参考资料-页眉页脚可删除MOSFET损耗计算MOSFET在开关过程中，会产生一定的损耗，主要包括以下几部分:开通损耗开通过程中的电压、电流和功耗波形近似如下:导通损耗2Pon=ld * Rds(on)*Ton*f其中：datasheet中的相关曲线获得;Rds(on):实际结温下的导通电阻，可以通过查阅Id :导通时的电流有效值；Ton :一个周期内的导通时间；f :开关频率。D :占空比，D = Ton*f。根据电流的工作模式可以分为下面3种：电流模式波形计算公式id常值Pon= Rds(o n)*id2 *d0tonton电流不连续Pon = 1/3* Rds(on)* | peak2 *

2、d电流连续i /lpeak!_”lpeak2 2 Pon = 1/3*Rds(on)* Ipeak1 + Ipeak1* 2Ipeak2+ I peak2 *D0ton关断损耗关断过程中的电压、电流和功耗波形近似如下:截止损耗Poff=V DS*| DSS* toff*f其中：Vds :截止时的D-S间的电压IDSS :截止时的实际结温下的漏电流toff :一个周期内的截止时间 除了以上4种损耗外，门极驱动和输出电容也会消耗一定的功耗。门极损耗参考资料-页眉页脚可删除Pgate=QG*Vgs* f*R G/(RG+Rdrive)其中：QG:门极充电总电荷RG : MOSFET内部门极寄生输入电

3、阻Rdrive :外接的门极驱动电阻 输出电容损耗2Pcoss = 1/2*Co(er)*V ds *f其中：Co(er):等效输出电容(能量一定)；VDS :截止时的D-S间的电压此损耗一般在开关频率较高、硬开关工作时的幅值较高，需要考虑。有时候MOSFET的内部反并寄生二极管会流过电流，也会产生一定的功耗，寄生二极管的 功耗Pdiode计算可以参考二极管的功耗计算方法。综上，MOSFET 的总损耗 如下：Ptotal = Pswitch-on + Pon + Pswitch-off + Poff + Pgate + Pcoss +Pdiode ，说明：(1) Poff、Pgate、Pcoss这3个损耗在总的损耗中占的比重很小，设计时不用重点考虑；(2) 由于电路拓扑、软开关

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