-FET三极管及其放大管考试试题

1、第五章FET三极管及其放大管一、判断题结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输 入电阻很大。（）o场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（）X开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（）XIdss表示工作于饱和区的增强型场效应管在Ucs=O时的漏极电流。（）X若耗尽型N沟道MOS管的弘大于零，则其输入电阻会明显变小。（）前往X互补输出级应采用共集或共漏接法。（）开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（ ）XLss表示工作于饱和区的增强型场效应管在5s=0时的漏极电流。（）X结型场效应管外加的栅

2、源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输 入电阻很大。（）与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳 定性好等优点。（）场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（）X二、填空题 场效应管放大电路中，共极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反 相；共极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。源，栅场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。% （栅源电压），Id （漏极）场效应管是控制半导体器件，参与导电的载流子有种。电压，1当u0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。耗尽型，增强型场效应管具有输入电阻

3、很、抗干扰能力等特点。大,强输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是0共射（共源）共源极放大电路的性能与半导体三极管的电路相似。共射共漏极放大电路的性能与半导体三极管的电路相似。共集图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是沟道MOS 管 o耗尽型.N沟道下图中的FET管处于工作状态。VT=2V截止下图中的FET管工作于状态。Vp=-3.5V可变电阻区下图中的FET管工作于状态。Vp=-3.5V饱和三、单项选择题弘=0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 oA. 结型管 B、增强型MOS管 C.耗尽型MOS管Ik NEMOS仏s=OV时，能够工作在恒流区的场效应管有 oA、

4、PEMOS B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管D、NEMOS Cs=OV时，能够工作在恒流区的场效应管有A. PEMOS 增强型 MOS 管 C、JFET D、NEMOS场效应管用于放大时，应工作在（）区。A、可变电阻 B、夹断C、击穿 D、恒流（饱和）D已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）oA.增强型PMOS B.增强型NMOS C.耗尽型PMOS D.耗尽型NMOS下面的电路符号代表（A、耗尽型PMOSC、增强型PMOS）管。B、耗尽型NMOSD、增强型NMOS下图为（）管的转移曲线图。A、耗尽型PMOSC、增强型PMOSB、耗尽型NMOSD、增强型NMOS当场

5、效应管的漏极直流电流厶从2mA变为4mA时，它的低频跨导将()oA、增大B、不变AC、减小D、增大或者减小弘=0V时，能够工作在恒流区的场效应管是()oA、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、耗尽型FET都可能四.计算分析题改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要 求保留电路的共漏接法。解：(a)源极加电阻厶。(b) 漏极加电阻凡。(c) 输入端加耦合电容。(d) 在凡支路加一伦G, + K)d改为一心改正电路如下图所示。I未画完的场效应管放大电路如图T1所示，试将合适的场效应管接 入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改

6、进方案。a）可以放大。直流状态和交流状态均正常。b）无放大作用。因N沟通MOS管的漏极电流应为+ Vdd ,将-Vdd改为+ VDDc）无放大作用。因砒，直流工作状态不正常，应将Rb接在b极与端d）无放大作用。因对交流而言输入短路，6加不到e结上。应在b极和+乙 间加电阻已知共源极电路如图所示。其中，管子的g，“=0.7ms,&=200KO,R2 = 5 KG, Rg = 1MC,心=5 KG, Rs = 2KC, RL = 5KGo（1）求；和s（2）求儿=G o解：(1) 由等效电路图可得200x51厂心+&/R2 =1000+200 + 51 ulOOOKG 二 1MC 根据等效电路，利

7、用求输出电阻的方法可得 r0=/?D=5W(2) 因 二 R“R55=25KG所以人=8l = - 0.7 x 2.5 = -1.75 10、场效应管电路如图所示，已知绚=20sin曲(mV),场效应管的= 0.58mS试 求该电路的交流输出电压仏的大小。(3分)=-0. 58mS*12k(1分)Vo 0. 58mS*12k* 20sin = 0.2mAo试求该共源放大电路的电压增益。g】O O ,Yo+ +0丄 10 si丄 d2如图为场效应管放大电路的等效图，1S3可= 0.0爲2吩500辺J（3分）4. = -200（1分）九 W 二-sm（ rd.i II ）电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为 弘 试写出厲八忆和R、 的表达式。解:.忆和凡的表达式分别为A严g” 血）& = R、七 R2心=Rd场效应管放大电路如图所示。%2(XKIOK（1）画岀电路的交流通路；（2）画出电路的交流等效电路；（3）若静态点处的跨导g2mA/V, 试计算A. J叽（4）2. 2MQ电阻影响静态点吗？其作用是什么？（3）Al = SmL =-2x（10/10）= -10r. = 22 （Q）