半导体二极管和三极管教材

1、第 15 章 半导体二极管、三极管 1. N 型 半 导 体 的 多 数 载 流 子 是 电 子，因 此 它 应( )。 (a) 带 负 电 (b) 带 正 电 (c)不 带 电 2.当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导电 能 力 将 ()。 (a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变 3 在 PN 结 中 形 成 空 间 电 荷 区的 正、负离 子 都 带 电，所 以 空 间 电 荷 区 的 电 阻 率 ()。 (a) 很 高 (b) 很 低(c)等 于 N 型 或 P 型 半 导 体 的 电 阻 率 4 半 导 体 二 极 管 的 主 要 特 点 是 具 有 ( )。 (a) 电

2、 流 放 大 作 用(b) 单 向 导 电 性 (c) 电 压 放 大 作 用 (c) 约 几 千 欧 5 理 想 二 极 管 的 正 向 电 阻 为( (a) 零 (b) 无 穷 大 电 位 如 图 所 示， 则 二极管工 作状 态 为 ( )。 (a) 导通 (b) 截 止 7V a D b .3V .6 6 二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a、b 两 端 (c) 击 穿 7如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为 1.5V、内 阻 为 零 的 电 池 实 行 正 向 连 接， 电 路 如 图 所 示， 则 后 果 是 该 管()。 (a) 击 穿 (b) 电 流 为 零

3、(c) 电 流 正 常 (d) 电 流 过 大 使 管 子 烧 坏 + 1.5V D 8 电 路 如 图 所 示 ，二 极 管 D 为 理 想 元 件，US =5 V ，则 电 压 uO=( )。 (c) 零 (a) Us(b) US/ 2 D 9 电 路 如 图 所 示, 所 有 二 极 管 均 为 理 想 元 件，则 D1 、 D 2 、 D 3 的 工 作 状 态 为 ()。 (a) D 1 导 通， D2 、D 3 截 止 (b) D 1 、D 2 截 止 ， D3 导 通 (c) D1 、D 3 截 止， D 2 导 通 (d) D 1 、D 2 、D 3 均 截 止 12V D 1

4、 R 3V 0V D3 D2 +6V 10 电 路 如 图 所 示，二 极 管 D1 、D 2 为 理 想 元 件，判 断 D1 、 D 2 的 工 作 状 态 为（ ）。 (a) D 1 导 通 ， D2 截 止 (b) D 1 导 通， D2 导 通 (c) D 1 截 止 ，D 2 导 通 (d) D 1 截 止 ，D 2 截 止 D1 D2 15V - 12V 11 型 号 为 2CP10 的 正 向 硅 二 极 管 导 通 后 的 正 向 压 降 约 为 ( )。 (a) 1V (b) 0.2 V (c) 0.6 V 12 电 路 如 图 所 示，二 极 管 为 同 一 型 号 的

5、理 想 元 件，电 阻 R = 4 k ，电 位 uA =1V ， uB =3V，则 电 位 uF 等 于( )。 (a) 1 V (b) 3 V (c) 12 V +12V D D R uA uF uB 13 电 路 如 图 所 示，二 极管 为 理 想 元 件，ui=6sin t V ，U=3V， 当 t = 2 瞬 间， 输 出 电 压 uO 等 于 (a) 0 V (b) 6 V D (c) 3 V ui uO U- 14035 电 路 如 图 所 示，D 为 理 想 二 极 管，ui = 6sin t V ，则 输 出 电 压 的 最 大 值 uOM = （ ）。 (a) 6 V (

6、b) 3 V (c) 3 V ui 15039 电 路 如 图 1 所 示， 图 2， 二 极 管 正 向 导 通 已 知U = 6V，u =18sin tV， 时 的 压 降 可 忽 略 不 计， 波形 则二 uO -+ 3V 管 两 端 电 压 uD 的 波 形 为 图 3 中 （ + uD - 图1 (a) (b) (c) 16040 电 路 如 图 1 所 U 3V, ui =6sin tV ， 则 示 ， 二 极 管 D 为 理 想 元 件， 输 出 电 压 uO 的 波 形 为 图 2 中 R 17047 电 路如图 1 所 示，二 极 管 D为 理 想 元 件，当 输 入电 压

7、ui 为 矩形脉 冲 信 号 如 图 2 所示 ， 且 RC 6 V 的 管子 (c)稳定 电 压UZ 6 V 的 管子 23064稳 压 管 的 动 态 电 阻 rZ 是 指 ( (a) 稳 定 电 压 UZ 与 相 应 电 流 IZ 之 比 (b) 稳 压 管 端 电 压 变 化 量 UZ 与 相 应 电 流 变 化 量 IZ 的 比 值 (c) 稳 压 管 正 向 压 降 与 相 应 正 向 电 流 的 比 值 24065 动 态 电 阻 rZ 是 表 示 稳 压 管 的 一 个 重 要 参 数， 它 的 大 小 对 稳 压 性 能 的 影 响 是 ()。 (a) rZ 小 则 稳 压

8、性 能 差 (b) rZ 小 则 稳 压 性 能 好 (c) rZ 的 大 小 不 影 响 稳 压 性 能 25067电 路 如 图 所 示，稳 压 管 的 稳 定 电 压 UZ =10V，稳 压 管 的 最 大 稳 定 电 流 IZMAX = 20 mA ， 输 入 直 流 电 压 UI =20V ， 限 流 电 阻 R 最 小 应 选 ()。 (a) 0.1k (b) 0.5k (c) 0.15k DZ + uI 26068电 路 如 图 所 示，直 流 电 压 UI =10 V，稳 压 管 的 稳 定 电 压 UZ = 6 V， 则 限 流 电 阻 R 上 的 压 降 UR 为 ()。

9、(a) 10V (b) 6V (c) 4V (d) -4V + + UR uI DZ UO 27070 图 1 所 示 电 路 中， 极 管 D 为 理 想 元 件，设 ui =10sint V， 稳 压 管 DZ 的 稳 定 电 压 为 5V ， 正 向 压 降 不 计， 则 输 出 电 压 uO 的 波 为 图 2 中( D O uO / V (a) 0 图2 28071电 路 如 图 所 示，稳 压 管 DZ 正 向 压 降 视 为 零， 它 的 稳 定 电 压 为 7V ，则 回 路 中 的 电 流 等 于 ()。 (a) 0 (b) 10mA (c) 25mA (d) 5.75mA

10、DZ1 的 稳 定 电 压 为 6 V ，DZ2 的稳 定 电 压 为 12 V ， 设 稳 压 管 的 正 向 压 降 为 0.7 V，则 输 出 电 压 UO 等 于 ( (a) 18V (b) 6.7V (c) 30V (d) 12.7V 管 是 由 ( )。 (a)一 个 PN 结 组 成 (b)二 个 PN 结 组 成 (c) 三 个 PN 结 组 成 31079 测 得 电 路 中 工 作 在 放 大 区 的 某 晶 体 管 三 个 极 的 电 位 分 别 为 0V 、 0.7V 和 4.7V， 则 该 管 为 ()。 (a) NPN 型 锗 管 (b) PNP 型 锗 管 (c)

11、 NPN 型 硅 管 (d) PNP 型 硅 管 32080 已 知 放 大 电 路 中 某 晶 体 管 三 个 极 的 电 位 分 别 为VE = 1.7V，VB= 1.4V ，VC = 5V，则 该 管 类 型 为()。 (a) NPN 型 锗 管 (b) PNP 型 锗 管 (c) NPN 型 硅 管 (d) PNP 型 硅 管 33083图 示 的 三 极 管 接 在 放 大 电 路 中， 该 管 工 作 正 常， 测 得 UBE = 0.3V ，则 此 管 的 类 型 为 ()。 (a) PNP 型 锗 管 (b) NPN 型 锗 管 (c) PNP 型 硅 管 (d) NPN 型

12、硅 管 10 34084 晶 体 管 的 主 要 特 点 是 具 有()。 (a) 单 向 导 电 性 (b) 电 流 放 大 作 用 (c) 稳 压 作 用 35086 如 果 改 变 晶 体 管 基 极 电 压 的 极 性， 使 发 射 结 由 正 偏 导 通 改为 反 偏， 则 集 电 极 电 流 ()。 (a) 反 向 (b) 近 似等 于 零 (c) 不 变 (d) 增 大 36088 晶 体 管 处 于截 止 状 态 时， 集 电 结和 发 射 结 的 偏 置 情 况 为 ( )。 (a) 发 射 结 反 偏， 集电 结 正 偏 (b) 发 射 结、集 电 结 均 反 偏 (c)

13、发 射 结、 集 电结 均 正 偏 (d) 发 射 结正 偏， 集 电 结 反偏 37090 已 知 某 晶 体 管 处 于 放 大 状 态， 测 得 其 三 个 极 的 电 位 分 别 为 6V 、 9V 和 6.3V ， 则 6V 所 对 应 的 电 极 为 ()。 (a) 发 射 极 (b) 集 电 极 (c) 基 极 38091 晶 体 管 的 穿 透 电 流 ICE O 是 表 明 ( )。 (a) 该 管 温 度 稳 定 性 好 坏 的 参 数 (b) 该 管 允 许 通 过 最 大 电 流 的 极 限 参 数 (c) 该 管 放 大 能 力 的 参 数 39093 表 明 晶 体

14、 管 质 量 优 劣 的 主 要 参 数是 ( ) 。 (a) 、 I CBO (I CEO ) (b ) ICM 、 PCM (c) U ( BR) CEO ，I CM 40095 某 晶 体 管 的 集 电 极 的 最 大 允 许 耗散 功 率 PC M = 500 mW， 集 电 极 最 大 允 许 电 流 ICM = 500 mA， 在 实 际 应 用线路中测 得 它的 集电极电流I C =1 00 mA，UCE = 6 V， 其 后果 为 ( ) 。 (a) 该 管 应 过 热 而 损 坏 (b) 该 管 可 长 期 安 全 工 作 11 (c) 该 管 可 安 全 工 作、但 将

15、下 降 41100 已 知 某 晶 体 管 的 ICEO 为 200 A ， 当 基 极 电 流 为 20 A 时， 集 电 极 电 流 为 1mA ，则 该 管 的 ICBO 约 等 于 ()。 (a) 8 mA(b) 10 mA (c) 5 A (d) 20 A 42102 单 管 放 大 电 路 的 静 态 基 极 电 流 IB 适 当 增 加 时， 晶 体 管 的 输 入 电 阻 rbe 将 ( (a) 减 小 (b) 增 加 (c) 不 变 43104在 计 算 低 频 小 功 率 晶 体 管 输 入 电 阻 rbe时， 有 三 位 同 学 用 了 三 种 方 法， 而 且 计 算

16、结 果 差 别 很 大， 请 指 出 正 确 的 表 达 式 是 ()。 (a) U BE rbe =I IB (b) rbe = UCE IB (c) rbe = 300 26mV I BmA 体管输出特性曲线中 放 大 区 (b) 饱 和 区 44106 所 谓 晶 ()。 (a) 45108 如 果 接 在 电 路 中 某 晶 体 管 的 路， 则 ( (a) 管 子 深 度 饱 和 (b)管 46111 截止 的线性区域是指 (c) 截 止 区 基极与发射极短 5.3V 图中已标 状态的晶 出各硅 体管是 子 截 止 (c)管 子 晶 体 管 电 极 的 电 位， 判 断 处 于 工作

17、在放大状态 1V 3V 0.5V 4V 2.3V 0.7V 10V 6V 3V 0V 9.7V (a) (b) (c) (d) 47113 测 得 某 一 PNP 硅 管 三 个 极 的 电 位 是： VB = 3.2V， VE = 2.5V，VC = 7V， 则 该 管 工 作 在()。 (a) 线 性 放 大 状 态(b) 饱 和 工 作 状 态 (c) 截 止 工 作 状 态 48116 电 路 如 图 所 示， 晶 体 管 处 于 ()。 (a) 饱 和 状 态 (b) 放 大 状 态 (c) 截 止 状 态 12 49118 电 路 如 图 所 示， 静 态 时 晶 体 管 处 于

18、( (a) 饱 和 状 态 (b) 放 大 状 态 (c) 截 止 状 态 12V 50123 某 场 效 应 管 的 漏 极 特 性 曲 线 如 图 所 示， 则 该 场 效 应 管 为 ()。 (a) P 沟 道 耗 尽 型 MOS 管 (b) N 沟 道 增 强 型 MOS 管 (c) P 沟 道 增 强 型 MOS 管 (d) N 沟 道 耗 尽 型 MOS 管 由此可判断该场效应管为( 漏极特性曲线， 。 (a) 绝 缘 栅 N 沟 道 耗 尽 型 13 (b) 绝 缘 栅 P 沟 道 耗 尽 型 (c) 绝 缘 栅 N 沟 道 增 强 型 如 图 所 示 ，则 此 场 效 应 栅N 沟道耗尽型 栅P 沟道耗尽型 52130 某 场 效 应 管 的 转 移 特 性 管为( (a) 数 GS / V (b) 的 值。 54135 某 绝 缘 栅 场 效 应 管 的 符 号 如 图 所 示， 则 该 绝 缘 ()。 型(b) N 沟 道 耗 尽 型 (c) P 沟 道 耗 尽 型 所 示 ， 设 二 极 管D1，D2为 理 想 元 件， 试 计 算 电 路 中 电 流 I1，I2 14 3k D1 I1 D2 I2 3V 二极 析过 12V 561072 电 路 如 图 所 示 ， 试 分 析 当 uI 3 V 时， 哪 些 管 导 通？