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文档简介
1、目录第一部分 设计要求- 2 -第二部分 论文正文- 2 -2.1摘要:- 3 -2.2 方案选择:采用反击变换器设计- 3 -2.3 单元模块设计- 4-2.3.1 主回路设计- 4 -2.3.2 控制回路设计- 5 -2.4 电路主要参数的计算及元器件的选择- 6 -2.5 测试方法与数据- 7-2.5.1 纹波噪声-8 -2.5.2 输入电压调整率- 8 -2.5.3 负载调整率- 9 -2.5.4测试仪器- 9 -2.5.5测试数据:- 9 -第三部分 结论分析和总结- 10 -3.1 测试结果分析- 10 -3.2 设计总结- 10 -第四部分 附录- 11-附录一:原理图- 11
2、-附录二:参考文献- 11 -DC-DC开关稳压电源11任务设计并制作如图1所示的开关稳压电源。 图1电源框图12基本要求 在电阻负载条件下,使电源满足下述要求:(1) 输出电压VO:12V;(2) 额定输出电流ION:5A;(3) Vin从DC41V变到DC57V时,电压调整率SU2%(IO=5A);(4) IO从0变到5A时,负载调整率SI5%(Vin=48V);(5) 输出噪声纹波电压峰-峰值VOPP1V(Vin=48V,VO=12V,IO=5A);(6) DC-DC变换器的效率70%(Vin=48V,Vo=12V,IO=5A);(7) 具有过流保护功能,动作电流IO(th)=60.2A
3、;13发挥部分(1) 进一步提高电压调整率,使SU0.5%(IO=5A);(2) 进一步提高负载调整率,使SI1%(Vin=48V);(3) 进一步提高效率,使85%(Vin=48V,UO=12V,IO=5A);(4) 排除过流故障后,电源能自动恢复为正常状态;(5) 具有输出电压、电流的测量和数字显示功能。 第二部分 论文正文2.1摘要:开关电源因为其具有功耗小、效率高、体积小、重量轻、稳压范围宽等优点日益得到广泛的应用。目前,国内外开关稳压电源的发展的趋势是不断提高输出效率和输出功率。要提高输出的效率,必须提高电源的开关频率。这就对电路中其它器件的频率特性提出了更高的要求。本设计采用单端正
4、激变换器作为主回路,并且采用专用的PWM脉宽调制芯片UC3844作为主控制芯片、应用单片机AT89C52完成电流、电压采样、测量和液晶显示,实现具有输出电压稳定等各项指标优良的高效DC-DC开关稳压电源。关键字:单端正激变换器 PWM控制芯片 单片机2.2 方案选择:采用反击变换器设计反激变换器设计,其主回路电路图如下:其工作原理为:MOSFET导通时为电能储存的阶段,这时变压器可看成一个电感,当MOSFET导通,变压器储存能量,原边绕组的电流Ip将会线性增加,当MOSFET断开时,变压器释放能量,供给负载,此时原边电流降到零,副边整流二极管导通,感生电流将出现在副边。根据电感的伏秒积平衡可以
5、得到:,所以输出电压和输入电压的关系为,通过控制开关管的导通时间(即“占空比”)去控制输出电压,即可得到想要输出的电压。而控制占空比可以通过设计控制回路,用PWM控制芯片UC3843来控制MOSFET的导通和关断时间,进而调节占空比。2.3 单元模块设计2.3.1 主回路设计主回路电路图:如图所示,主回路由变压器进行了电气隔离,符合题目要求,变压器原边是输入部分,输入电压经过电容滤波后到达变压器原边两端,由MODFET控制回路的导通和关断,当MOSFET导通时,变压器接受的能量除磁化电流外都传递到输出端,当其关断时,导向二极管D5反偏而不可能有钳位作用或能量泄放到回路,磁化能量将引起较大反压加
6、在MOSFET集-射极之间,为防止高反压的出现,设置磁复位线圈经过二极管D2,使存储的能量反送回电源Vin中,变压器副边在MOFET导通时产生感生电压,经过二极管和电容整流滤波后给负载供电,同时电感储存能量,当其断开时,电感释放能量。2.3.2 控制回路设计控制回路由PWM脉宽调制芯片UC3844作为主控制芯片,用TL431的内部参考2.5V作为参考电压,经过具有电气隔离特性的PC817光耦传送给UC3844的补偿端1脚,若输出电压增大或减小时,控制芯片会根据其变化来控制驱动波形的占空比,即控制MOSFET的开通或关断时间,进而使输出电压达到稳定。其电路图如下:2.4 电路主要参数的计算及元器
7、件的选择令Vin最小时,Dmax=0.42,Bm=0.2T,f=82KHZ, =85%(1)所需AP值Pin=AP=()1.143=0.271cm4(2)磁芯选择因为所选磁芯的AP值要使所需AP值的二倍以上,所以考虑选择EE40型磁芯,其参数为:AP=1.3824cm4, Ae=128mm2, Aw=108mm2(3)原边所需匝数Np(4原边匝数比:(5)副边匝数:(6)重新核算:(7)辅助电源匝数: 取13匝(8)计算:温升,(9)计算DP:(10)MOSFET的选取: 选IRF640,18A,200V(11)DIODE二极管: 选MBR 20100, 20A,100V(12)电流采样电阻:
8、 选(13)启动电阻:2.5 测试方法与数据2.5.1 纹波噪声1、测试环境温度:252、示波器探头: 1:13、示波器带宽设为最大:40MHz4、测试地点:正常实验台测试5、输出电压电流: UO=12V、IO=5A6、输入电压: U1=41V-57V2.5.2 输入电压调整率1、环境温度:252、输出:IO=5A3、输入电压:最小、最大2.5.3 负载调整率1、环境温度:252、输入:U1=48V3、输出电流:最小、最大2.5.4测试仪器电路测试中使用的仪器设备及其用途如表3-1所示。电源部分测试使用的仪器设备序号仪器名称及型号数量用途1直流稳压源1 提供直流电压2双踪示波器1 观察电源输出
9、噪声纹波电压峰峰值 3数字万用表1 测量电源输入输出电压、电流4滑动变阻器1负载2.5.5测试数据:负载调整率测试数据负载调整率IO(A)UO(V)SI(%)U2=48V212.O10.083512.00电压调整率测试数据电压调整率U2(V)UO(V)SU(%)IO=5A4512.0005512.00输出噪声纹波电压峰-峰值430mv;DC-DC变换器的效率: 81.70%;过流保护功能:动作电流 6.01A;第三部分 结论分析和总结3.1 测试结果分析表4-1测试内容与结果测试内容基本指标实测结果输出电压12V12.01额定输出电流I0MAX= 5AI0MAX=5A电压调整率SU2%SU=0
10、 %负载调整率SI5%SI= 0.083 %输出噪声纹波电压峰-峰值UOPP= 1000mVUOPP=432mV效率(U1=48V,U0=12V,I0=5A)= 70%= 81.70%过流保护功能有有所有的测试结果如表所示,均达到基本设计要求,甚至有些测试结果远远超过给定的基本设计指标,尤其是效率的提高有效地保证电源的可靠性;所有经过大电流的线路均尽量采用粗导线,开关器件均选用优良器件,器件的各项指标参数均远大于额定值,所以电压调整率和负载调整率均得到提高。3.2 设计总结本次设计,有一些功能,我们没有很好的实现,比如我们感觉我们的输出效率还有提高的空间,还有我们的输出部分还不是很稳定,我们觉
11、得在输出方面我们还可以进一步改进和提升。本次设计中,由于我们的能力以及时间有限,以及硬件方面的问题,我们没有做好效率这一块,我们觉得我们完全可以。通过本次设计大赛,我们学到了很多我们在课堂上学不到的实践能力,我们的动手能力得到了很大的提升,我们在书本所学到的知识得到了很大的实践,让我们书本上的知识有了更加深刻的理解。我们同时还学会了团队合作的精神,非常感谢学校组织的设计大赛,让我们学到了很多很多实践经验,并对我们的自主学习能力起到了很大的作用。第四部分 附录附录一:原理图附录二:参考文献 1 胡学林.可编程控制器应用技术M. 北京:高等教育出版社,2001年第一版2 方承远.工厂电气控制技术M. 北京:机械工业出版社,2004年第二版3 孙增圻.计算机控制理论及应用
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