电工技术试题及答案整流滤波电路07749

1、第一章 整 流滤 波 电路1、磁通是标量， （ C ） A 、既有大小，又有方向B 、没有大小，也没有方向C、只有大小，没有方向D、只有方向，没有大小2、电容量的单位是（D ）。A 、欧姆（ ） B、安培（ A ） C、伏特（ V ） D 、法拉（ F）， 3、如果线圈中原来的磁通量要增加，则感应电流产生的磁通方向与线圈中原磁通方向（ A 、相反 B、一致 C、无关 D 、无法确定4、由公式 e=BLvsin 可知，当导体的运动方向与磁感应线垂直时，感应电动势（ A 、最大 B、最小 C、为零 D 、无法确定 5、如果交流电和直流电分别通过同一电阻， 两者在相同时间内消耗的电能相等， 则此直流

2、电的数值叫做交流电的（ D ）。A 、瞬时值 B 、最大值 C、最小值 D、有效值 6、如下图是（）电路波形图。A 、单相半波整流B、单相全波整流C、单相桥式整流D 、三相桥式整流7、在纯电感电路中，线圈电感 L 越大，交流电频率越高，则对交流电流的阻碍作用（ A 、越大 B、越小 C、不变 D 、无法确定8、一般用（B ）来制造永久磁铁。A 、软磁材料B、硬磁材料 C 、矩磁材料D 、永磁材料9、“”是（）的符号。A 、电阻 B 、电容C、二极管D、三极管10 、单向晶闸管有（C ）个电极A 、1 B、 2 C、3 D 、4 二、判断题。 （每小题 2分，共 40 分。） 1、某媒介质与真空

3、磁导率的比值，叫绝对磁导率。（错）2、把直导线绕成螺线管线圈，并通入电流，通电线圈就会产生类似条形磁铁的磁场。 3、二极管具有单向导通性。 （对） 4、晶闸管的特点是强电控制弱电。 （对） 5、串联电阻中流过每个电阻的电流都相等。 （对） 6、通电直导体在磁场中所受作用力的方向，可用左手定则判定。（对）7、二极管具有放大作用。 （错） 8、作切割磁感应线运动的导体，其产生感应电动势的方向可由右手定则来确定。 9、汽车上普遍采用“单线制” 。（对） 10 、汽车上采用的是交流电路。 （错） 11、感应电流产生的磁通总是企图阻碍原磁通的存在。（错）12 、通电线圈的磁场方向与线圈中的电流方向无关。

4、（错）13 、变压器空载时，一、二次绕组端电压之比等于变压器匝数之比。（对）14 、自感电动势的大小与线圈的电感及线圈中外电流的变化快慢成反比。（对）15 、如果线圈中原来的磁通量不变，则感应电流为不变。（错）16、晶闸管导通后，去掉门极电压或加负的门极电压，晶闸管立即关断。17 、锗二极管的导通电压比硅二极管大。 （对）A ）。A ）。即产生的热量相等时，A ）。对）对）错）18 、汽车硅整流发电机用硅整流二极管分正二极管和负二极管两种。（错）19 、半导体材料可分为 P 型半导体和 N 型半导体两种。 (对)20 、单相全波整流电路的整流效率比单相半波整流电路低。(错)三、填空题。 (每空

5、 2 分，共 20分。)1、三极管的工作状态有三种：饱和状态、放大状态和截止状态。2、磁感应强度 B 是表示磁场中某点的磁场的强弱的物理量。3、三相发电机的三个绕组的联结方式分为星形接法和三角形接法。4、电路通常有通路、断路、短路和接触不良 4 种状态。5、单向晶闸管有 3 个电极：阴极、阳极和控制极。 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服 PN 结内电场的阻挡作用，正向 电流几乎为零， 这一段称为死区。 这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。 当正向电压大于死 区电压以后， PN 结内电场被克服，二极管导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围 内，

6、导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压外加反向电压不超过一定范围时， 通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流， 由于反 向电流很小， 二极管处于截止状态。 这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流， 二极管的反向饱和电 流受温度影响很大。1947 年 12 月 23 日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里， 3 位科学家巴丁博士、 布菜顿博士和肖 克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。 他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的 实验。 3 位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流 过的大得多的电流， 因而产生

7、了放大效应。 这个器件， 就是在科技史上具有划时代意义的成果晶体 管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界 的圣诞节礼物” 。另外这 3 位科学家因此共同荣获了 1956 年诺贝尔物理学奖。 晶体管促进并带来了 “固态革命” ，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯 工具方面得到应用， 并产生了巨大的经济效益。 由于晶体管彻底改变了电子线路的结构， 集成电路以及 大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。编辑本段结构简介三极管的基本结构是两个反向连结的 PN接面，如图 1

8、所示，可有 pnp和npn 两种组合。 三个接出 来的端点依序称为发射极( emitter,E )、基极( base,B)和集电极( collector,C )，名称来源和它们在三极 管操作时的功能有关。图中也显示出 npn 与 pnp 三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的 极为 n 型半导体，和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个 pn 接面都会形成耗尽区，将中性的 p 型区和 n 型区隔开。三极管的电特性和两个 pn 接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这 里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区” ( forward active )，在此区 EB 极间的 pn 接面维

9、持在正向偏 压，而 BC 极间的 pn 接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a)为一 pnp三极管在此偏压区的示意图。 EB 接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的 空穴会注入到基极， 基极的电子也会注入到射极； 而 BC 接面的耗尽区则会变宽， 载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。图 2(b )画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，空穴和电子的电位 能的分布图。三极管和两个反向相接的 pn 二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的 两个接面相当接近。 以上述之偏压在正向活性区之 pnp 三极管为例， 射极的空穴注入基极

10、的 n型中性区， 马上被多数载体电子包围遮蔽， 然后朝集电极方向扩散， 同时也被电子复合。 当没有被复合的空穴到达 BC 接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，空穴在集电极中为多数载体，很快藉由漂移 电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流 IC 。IC 的大小和 BC 间反向偏压的大小关系不大。基 极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流 IBrec ，与由基极注入射极的电子流 InBE(这部分是三极 管作用不需要的部分) 。InB E 在射极与与电洞复合，即 InB E=IErec 。 pnp 三极管在正向活性区时主要 的电流种类可以清楚地在图 3(a)中看出。 3(a)射极注

11、入基极的空穴流大小是由 EB 接面间的正向偏压 大小来控制， 和二极体的情形类似， 在启动电压附近， 微小的偏压变化， 即可造成很大的注入电流变化。 更精确的说，三极管是利用 VEB （或 VBE ）的变化来控制 IC，而且提供之 IB 远比 IC 小。 npn 三极管 的操作原理和 pnp 三极管是一样的，只是偏压方向，电流方向均相反，电子和空穴的角色互易。 pnp 三 极管是利用 VEB 控制由射极经基极， 入射到集电极的空穴， 而 npn 三极管则是利用 VBE 控制由射极经 基极、 入射到集电极的电子。 三极管在数字电路中的用途其实就是开关， 利用电信号使三极管在正向活 性区（或饱和区

12、） 与截止区间切换， 就开关而言， 对应开与关的状态， 就数字电路而言则代表 0 与 1（或 1 与 0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以 是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。 编辑本段工作原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有 NPN 和 PNP 两种结 构形式，但使用最多的是硅 NPN 和锗 PNP两种三极管， （其中， N 表示在高纯度硅中加入磷，是指取 代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而 p 是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电） 。两 者除了电

13、源极性不同外，其工作原一、填空题1、（1-1，低）把 P 型半导体 N 型半导体结合在一起，就形成。2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。3、（ 1-1 ，低）利用二极管的，可将交流电变成。4、（ 1-1，低）根据二极管的性，可使用万用表的R1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。6、（ 1-1，低）硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。7、（ 1-1 ，中）整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。8、（ 1-1，低）杂质半导体分型半导体和型半导

14、体两大类。9、（ 1-1 ，低）半导体二极管的主要参数有、，此外还有、等参数，选用二极管的时候也应注意。10、（ 1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大， 此现象称为现象。11、（1-1，中）发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。12、（1-2，中）整流是把转变为。滤波是将转变为。电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。13、（1-1，中）设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（AV）=，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（AV）=，单相桥式整流电感滤波器的输出直

15、流电压UL（AV）=。14、（1-1，中）除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2 种用于其他功能的二极管： ，。15、（ 1-1，低）常用的整流电路有和。16、（ 1-2，中）为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，复合滤波电路。17、（ 1-2，难）电容滤波器的输出电压的脉动与有关， 愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就 愈。18、（ 1-2，中）桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（ a.平滑， b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（ a.高， b.低）。、 选择题1、（1-1，低）

16、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。A 、变好B、变差C、不变D、无法确定2、（1-1，中） P 型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。A 、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素3、（1-1，中） N 型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。A 、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素4、（1-1，难） PN 结加正向电压时，空间电荷区将。D 、无法确定A 、变窄B 、基本不变C、变宽5、（1-1，低）二极管正向电阻比反向电阻。A 、大B、小C、一样大D 、无法确定6、（1-1，中）二极管的导通条件。A 、 uD0B、uD死区电压C、 uD击穿电压 D、以上都不对7、（ 1-1，中

17、）晶体二极管内阻是。A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻8、（1-1，中）电路如图所示，输出电压UO 应为。A 、 0.7VB、3.7VC、 10VD、0.3V9、（1-1，中）把一个二极管直接同一个电动势为1.5V ，内阻为零的电池正向连接，该二极管。 A、击穿 B 、电流为零C、电流正常 D、电流过大使管子烧坏10 、（ 1-1 ， 中 ） 下 面 列 出 的 几 条 曲 线 中 ， 哪 条 表 示 的 理 想 二 极 管 的 伏 安 特 性 曲 线 。11、（1-1，低）二极管的反向饱和电流在室温20oC 时是 5 A，温度每升高 10oC，其反向饱和电流值增 大一倍，当温度为 3

18、0oC 时，反向饱和电流值为。A、5 A B、10 AC、20 AD、30 A12、（1-1，中）将交流电压 Ui 经单相半波整流电路转换为直流电压 Uo 的关系是。A 、Uo=UiB 、Uo=0.45UiC、Uo=0.5UiD、Uo=Ui13、（1-1，中）三极管三个极的对地电位分别是 -6 V、-3 V 、 -3.2 V ，则该管是。A、PNP 硅管B、NPN 锗管C、NPN 硅管D、PNP 锗管14、（1-1，中） NPN 型三极管，三个电极的电位分别有VC=3.3 V ，VE=3 V ， VB=3.7 V ，则该管工作在。A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区15、（ 1-1，中）用

19、万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到。A 、R 100 或R 1KB、R1C、R10D、R10016、（ 1-1，中）当环境温度升高时，二极管的反向电流将。A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少17、（ 1-1，中）如图所示，设二极管为理想状态，则电压V AB为。A、3VB、6VC、-3VD、-6V18、（ 1-1，难）如图所示的电路中，理想二极管D1、 D2的工作状态为。A、D1、D2均导通B、D1截止， D2导通C、D1、D2均截止D、D1导通， D2截止19、（ 1-1，中）二极管从反向到正向导通所需时间t1，从正向导通到反向截止所需要的时间t2,则 t1和 t2 的

20、关系是A 、相等 B、 t1远大于 t2C、t1 远小于 t2D、 t1略小于 t220、A、21、1-1，中）问以下哪种情况中，二极管会导通。A、B、C、D、22、1-1，难）用万用表测量小功率二极管极性时，应选用。A 、直流电压挡量程 5VB、直流电流挡量程 100mA1-1 ，中）将交流 220V 经单相半波整流电路转换为直流电压的值为。110VB 、 0.45 220VC 、 220VD 、220VC、交流电压挡量程 10VD 、电阻挡量程 R10023、（ 1-1，中）当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为。A 、该管已坏 B 、万用表各挡有差异C、

21、二极管的电阻可变 D 、二极管的伏安特性是非线性 24、（ 1-1，难）二极管在反向截止区的反向电流。B、随反向电压升高而急剧升高D 、随反向电压升高而减少A 、随反向电压升高而升高C、基本保持不变 25、（ 1-1，中）某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管。A 、正常 B 、已被击穿C、内部短路 D 、内部开路 26、（ 1-1，难）已知输入正弦波 Ui ，欲获取图示输出波形 Uo ，应选取的合适电路是。DC、27、（ 1-1，难）两只相同的灯泡L1、L2 接在如图所示的电路中，则。A 、L1 比 L2亮B、L2比L1亮C、L1、L2一样亮D、以上答案都不对28、（ 1-1，

22、难）若 PN结两侧的杂质浓度高，则形成的 PN结。A 、反向漏电流小，反向击穿电压低B 、反向漏电流小，反向击穿电压高C 、反向漏电流大，反向击穿电压高D、反向漏电流大，反向击穿电压低29、（ 1-1，低）在 单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是。A、四只 B、三只C、二只D、一只30、（1-1，难）在 整流电路中，设整流电流平均值为，则流过每只二极管的电流平均值ID I 0的电路是。A、单相桥式整流电路 B、单相半波整流电路C、单相全波整流电路 D、以上都不行31、（1-1，难）设 整流变压器副边电压u22U2 sin t ，欲使负载上得到图示整流电压的波形，则需要采用的整流电路是。A

23、、单相桥式整流电路 B、单相全波整流电路C、单相半波整流电路 D、以上都不行uO2U223t32、（1-2，难）整 流滤波电路如图所示，负载电阻不变，电容C 愈大，则输出电压平均值应。A、不变 B、愈大C、愈小D、无法确定uO+33、（ 1-2，难）单 相半波整流、电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为，则整流二极管承受的最高反向电压为。A、2 2U2B、 2U2 C、D、2+uO三、判断题1、（ 1-1，低）二极管的内部结构实质就是一个PN 结。（）2、（1-1，低）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（）3、（ 1-1，中）因为 N 型半导体的多子是自由

24、电子，所以它带负电。 （）4、（1-1，中） PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （）5、（1-1，低）硅二极管的热稳定性比锗二极管好。（）6、（1-1，低）普通二极管正向使用也有稳压作用。（）7、（ 1-1，低） P型半导体带正电， N型半导体带负电。（）8、（1-1，中）二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。（）9、（1-1，低）二极管仅能通过直流，不能通过交流。（）10、（1-1，中）对于实际的晶体二极管，当加上正向电压时它立即导通，当加上反向电压时，它立即截 止。（）11、（1-1，中）用数字万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体管的正向电阻，那么与标有“ +”

25、号的表笔相连接的是二极管正极，另一端是负极。 （）12、（1-2，低）任何电子电路都需要直流电源供电，因此需要直流稳压电源（）13、（1-2，中）电容滤波效果是由电容器容抗大小决定的（）14、（1-2，中）电容滤波器广泛运用于负载电流小且变化量不大的场合（）四、简答1、（1-1，低）什么是 PN 结？PN 结有什么特性？2、（1-1，低）欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是 小一些好？3、（1-1，中）为什么说二极管是一种非线形元件？什么是二极管的伏安特性？它的伏安特性曲线是如 何绘制的？4、（1-1，低）什么是二极管的死区电压？硅管和锗管的死区电压值约

26、为多少？5、（1-1，低）为什么二极管可以当着一个开关来使用？6、（1-1，中）选用二极管时候主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？7、（1-2，中）什么叫整流？什么叫滤波？其各自组成的基本原理是什么？五、计算题1、（ 1-1，低）电路如图 1.1 所示，试确定二极管是正偏还是反偏。设二极管正偏时的正向压降为0.7V，估算 UA、UB、 UC、UD、UAB 、UCD。2、（1-1，低）电路如图所示，试分析当uI 3 V 时，哪些二极管导通？uI 0 V 时，哪些二极管导通？（写出分析过程 并设二极管正向压降为0.7 V ）。33、（1-1，低）根据图 （b）中给出的 UA、UB，分析图 （a

27、）所示电路中二极管的工作状态，求Uo 的值，并将结果添入图 （b）中。设二极管正向压降为0.7V。UY（设 D 为理想二极管） 。4、（1-1，低）计算下图所示电路的电位1）UAUB0 时；2）UA E，UB0 时；3）UAUB E时。5、（1-1，中）在下图所示电路中，设D 为理想二极管，已知输入电压ui 的波形。试画出输出电压 uo的波形图。6、 （1-1，中）如图所示电路中，设 E=5V 、 i=10sin ，二t极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压o的波形，并在波形上标出幅值。U D 0.7V 。8、i=10sin tV ，二极管是理想的，试画出输出电压 o的波形。1-1，难）如图

28、所示电路中，7、（ 1-1，中）写出图 T1.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压9、（ 1-1，低）如图所示电路中，设 E=5V、i=10sin t ，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出 电压 o的波形，并在波形上标出幅值 。10、（ 1-1，中）请根据输入信号画出电路的输出波形。11、（1-2，中）为了安全，机床上常用 36V 直流电压供电的白炽灯作为照明光源，假设变压器输出侧采 用半波整流电路 ,那么变压器输出侧电压值为多少？12、（1-2，难）整 流滤波电路如图所示，二极管是理想元件，电容C 500 F ，负载电阻RL 5k ，开关闭合、断开 时，直流电压表（ V ）的读数

29、为141.4 V ，求：(1) 开关闭合、断开时，直流电流表(A )的读数 ;(2) 开关断开、闭合时，直流电流表(A )的读数 ;(3) 开关、均闭合时，直流电流表(A )的读数。 (设电流表内阻为零，电压表内阻为无穷大 )。六、实践题1、(1-1，低)如何用万用表的欧姆档来辨别一只二极管的阴、阳两极？(提示：模拟万用表的黑表笔 接表内直流电源的正极，红表笔接负极)2、(1-1，中)有人用万用表测二极管的反向电阻时，为了使表笔和管脚接触良好，用两只手捏紧被测 二极管脚与表笔接触处， 测量结果发现二极管的反向阻值比较小， 认为二极管的性能不好， 但二极管在 电路中工作正常，试问这是什么原因？3

30、、( 1-1，低)能否用 1.5V 的干电池，以正向接法直接加至二极管的两端？估计会出现什么问题？你认 为应该怎样解决？4、(1-1，中)在用万用表 R10，R100，R1000 三个欧姆档测量某个二极管的正向电阻时，共测得三 个数值： 4k,85 ,680 。试判断它们各是哪一档测出的。第一章 整流滤波电路一、填空题1、PN 结2、导通，截止3、单向导电性，直流电4、单向导电，大5、0.2V， 0.1V6、0.7V， 0.3V7、小，大8、N，P9、最大平均整流电流，最高反向工作电压，反向电流，正向压降，工作频率 10、反向击穿11、电，光，正向偏置，光，电，反向偏置12、交流电，脉动的直流

31、电，脉动的直流电，平滑的直流电，负载电流较小且变化不大，负载电流较大 13 、 0.45 U2，1.2U2，0.9 U2 14、稳压二极管，发光二极管 15 、半波整流电路，桥式整流电路 /全波整流电路 16、电容滤波电路，电感滤波电路17、电容器放电快慢，小，平滑18、b， a， a、选择题1、A8、A2、B9、D3、C10、B4、11、B5、B12、B6、B13、D7、B14、A三、 判断题15、A22、D16、B23、D17、B24、C18、D25、B19、C26、A20、B27、B21、A28、A29、D30、B31、C32、B33、B1、对2、对3、错4、对5、对6、对7、错8、对9

32、、错10、错11、对12、对13、错 14、对 四、简答1、（ 1-1，低）什么是 PN 结？PN 结有什么特性？答：PN结是 P型半导体和 N 型半导体交界面附近的一个特殊区域。它的最大的特性是单向导电性，正偏时导通，反偏时截止。2、（1-1，低）欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一 些好，还是小一些好？答：应使管子的正向电阻小一点，反向电阻大一点。3、（1-1，中）为什么说二极管是一种非线形元件？什么是二极管的伏安特性？它的伏安特 性曲线是如何绘制的？答：因为当二极管两端有电压加载时， 通过二极管的电流与加在二极管两端的电压不是 线形关系。 此时二极管两端电压

33、与通过它的电流的关系即二极管的伏安特性。 以电压为横坐 标，以电流为纵坐标绘制出的曲线即为它的伏安特性曲线。4、（ 1-1，低）什么是二极管的死区电压？硅管和锗管的死区电压值约为多少？ 答：当二极管两端加所加的正向电压较小时， 二极管不能导通， 这段电压称为死区电压。硅管的死区电压值约为 0.5V ，锗管的死区电压值约为 0.1V 。5、（ 1-1，低）为什么二极管可以当着一个开关来使用？ 答：根据二极管的单向导电性： 外加正偏电压时导通，外加反偏电压时截止，可以以此 来发挥开关的闭和、断开作用。6、（ 1-1，中）选用二极管时候主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？ 答：选用二极管时主要考

34、虑最大平均整流电流IF和最高反向工作电压 URM 两个参数，是指二极管允许长期通过的最大正向平均电流；是保证二极管不被击穿的最高反向电压。7、（ 1-2，中）什么叫整流？什么叫滤波？其各自组成的基本原理是什么？ 答：整流就是把交流电转变为直流电的过程， 利用二极管的单向导电性可组成整流电路； 滤波就是把脉动的直流电转变成平滑的直流电的过程， 利用电容器和电感器等储能元件可组 成滤波电路。五、计算题1、（ 1-1，低）电路如图 1.1 所示，试确定二极管是正偏还是反偏。设二极管正偏时的正向压降为 0.7V，估算 UA、UB、U C、U D、 U AB 、 UCD 。解：图（ a）中，二极管两端加

35、上的电压为反偏电压，二极管处于截止状态，电路在二 极管处类似断开。故： UA =10V ， U B=0V ， U AB =10V 。图（ b）中，二极管两端加上的电压为正偏电压，二极管处于导通状态，两端压降为0.7V故：两电阻串联分压 R两端电压为（ 100.7）V3=3.1V，UC=10V3.1V=6.9V ， UD =6.9V 0.7V=6.2V 、UCD=0.7V2、（1-1，低）电路如图所示，试分析当uI 3 V时，哪些二极管导通？uI 0 V 时，哪些二极管导通？ （写出分析过程并设二极管正向压降为0.7 V ）。解：当 uI 3 V时，D2、D3、D4导通， D 1截止,Va=2.

36、1V 。当 UI=0V 时， D 1导通， D1截止,Va=0.7V 。3、（ 1-1，低）根据图 （b）中给出的 UA、UB，分析图 （a）所示电路中二极管的工作状态，求Uo的值，并将结果添入图 （b）中。设二极管正向压降为 0.7V 。解：当 U A=UB时，两个二极管同时导通并钳位。 若 U A =U B =0时，U o=0.7V ；若 UA=UB=3V时， Uo=3.7V 。当 UAU B时，例如 UA =0V ， UB=3V ，因 UA 端电位比 UB端低，所以 D 1优先导通并钳位，使 U o=0.7V ，此时 D2 因反偏而截止。同理，当 UA=3V，UB=0V 时，D 2优先导

37、通并钳位，Uo=0.7V ，此时 D1 反偏而截止。4、（ 1-1，低）计算下图所示电路的电位UY （设 D 为理想二极管）1）U AU B0 时；（ 2）U AE， UB 0 时；（ 3）U AU BE 时。解：当 A、B 两点的电位同时为 0时，DA和 DB两个二极管的阳极和阴极（ UY）两端电 位同时为 0，因此均不能导通； 当 UAE，UB0 时，DA的阳极电位为 E，阴极电位为 0（接地），根据二极管的导通条件， D A此时承受正压而导通，一旦 DA 导通，则 U Y 0，从而使DB承受反压（ UB0）而截止；当 UAUBE时，即 DA和 DB的阳极电位为大小相同的高 电位，所以两管

38、同时导通，两个 1k 的电阻为并联关系。本题解答如下：（1） 由于 U AU B0， DA 和 DB 均处于截止状态，所以 UY0； 9（2） 由 UAE，UB0可知， DA导通， DB截止，所以 UY1 9 EE； 9Eui 的波形。试画出输3）由于 U A U BE， DA 和 DB 同时导通，因此 U Y 9 0.5 E。5、（ 1-1，中）在下图所示电路中，设 D 为理想二极管，已知输入电压出电压 uo 的波形图。解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。首先从（ b）图可以看出，当二极管 D 导通时，电阻为零，所以 uo ui； 当 D 截止时，电阻为无穷大，相当于断路，

39、因此uo5V ，即是说，只要判断出 D 导通与否，就可以判断出输出电压的波形。要判断D 是否导通，可以以接地为参考点（电位零点） ，判断出 D 两端电位的高低，从而得知是否 导通。uo与 ui的波形对比如右图所示：6、（1-1，中）如图所示电路中，设 E=5V 、 i=10sin ，二t极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压 o的波形，并在波形上标出幅值。7、（ 1-1，中）写出图 T1.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD0.7V 。解： UO11.3V，UO20，UO31.3V，UO4 2V， U O5 1.3V，U O6 2V 。8、（ 1-1，难）如图所示电路中， i=10sin tV ，二极