内外光电效应的异同与新能源

1、内外光电效应的异同与新能源目录外光电效应1内光电效应1内外光电效应的异同2在新能源中的利用3结束语4致谢4一外光电效应1 定义：有足够大能量的光子照射某金属的表面是，有电子逸出的现象。2 光电效应方程(1)提出： 1905 年，爱因斯坦提出光子假设，成功解释了光电效应赫兹于 1887 年发现光电效应， 爱因斯坦第一个成功的解释了光电效应 （金属表面在光辐照作用下发射电子的效应，发射出来的电子叫做光电子） 。光波长小于某一临界值时方能发射电子， 即极限波长， 对应的光的频率叫做极限频率。 临界值取决于金属材料，而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关， 这一点无法用光的波动性解释。还有一点与

2、光的波动性相矛盾， 即光电效应的瞬时性， 按波动性理论，如果入射光较弱，照射的时间要长一些，金属中的电子才能积累住足够的能量，飞出金属表面。 可事实是， 只要光的频率高于金属的极限频率， 光的亮度无论强弱，光子的产生都几乎是瞬时的， 不超过十的负九次方秒。 正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位 (即光子或光量子 )所组成。 光电效应里，电子的射出方向不是完全定向的， 只是大部分都垂直于金属表面射出， 与光照方向无关 ,光是电磁波，但是光是高频震荡的正交电磁场，振幅很小，不会对电子射出方向产生影响（ 2）表达式：光子能量 = 移出一个电子所需的能量 + 被发射的电子的动能（ 3）

3、数学表达式： hf=(1/2)mv2+ 其 是功函数，指从原子键结中移出一个电子所需的最小能量中， h 是普朗克常数； f 是入射光子的频率二 内光电效应（ 1）是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应：当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。光生伏特效应：当一定波长的光照射非均匀半导体（如 PN 结），在自建场的作用下，半导体内部产生光电压。1 光照射到半导体或绝缘体的表面时，使物体内部的受束缚电子受到激发，从而使物体的导电性能该变。 这就称为内光电效应。 显然照射的辐射通量

4、愈大， 则被激发的电子书愈多，该物体的电阻值就变的愈小。光导管（又称光敏电阻）就是利用内光电效应制成的半导体器件。像硫化镉、硫化铅、硫化铟、硒化镉、硒化铅的那个均是半导体光导管。光导管的优点是体积小、牢固耐用。它主要用于光谱仪器的光接收器、光电控制、激光接收和远距离探测等方面。半导体的内光电效应半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg。一般情况下 ,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其激发到导带中,形成载流子 ,增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量h Eg (Eg为带隙间隔 )时 ,价带

5、中的电子就会吸收光子的能量,跃迁到导带,而在价带中留下一个空穴 ,形成一对可以导电的电子 空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子 ,但显然存在着由于光照而产生的电效应。 因此 ,这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析,要使价带中的电子跃迁到导带,也存在一个入射光的极限能量,即 E入=h0=Eg,其中 0是低频限 (即极限频率 0=Egh)。这个关系也可以用长波限表示 ,即 0=hcEg。入射光的频率大于 0或波长小于 0时 ,才会发生电子的带间跃迁。PN 结光伏效应的应用第 1 页（ 2）P-N 结的形成：同质结可用一块半导体经掺杂形成 P 区和 N 区。由于杂质的激活能量 E很小

6、，在室温下杂质差不多都电离成受主离子 NA- 和施主离子 ND+ 。在 PN 区交界面处因存在载流子的浓度差， 故彼此要向对方扩散。 设想在结形成的一瞬间， 在 N 区的电子为多子，在 P 区的电子为少子，使电子由 N 区流入 P 区，电子与空穴相遇又要发生复合，这样在原来是 N 区的结面附近电子变得很少，剩下未经中和的施主离子 ND+形成正的空间电荷。同样，空穴由 P 区扩散到 N 区后，由不能运动的受主离子 NA- 形成负的空间电荷。在 P 区与 N 区界面两侧产生不能移动的离子区（也称耗尽区、空间电荷区、阻挡层） ，于是出现空间电偶层，形成内电场（称内建电场） 此电场对两区多子的扩散有抵

7、制作用， 而对少子的漂移有帮助作用，直到扩散流等于漂移流时达到平衡， 在界面两侧建立起稳定的内建电场。（ 3） P-N 结光电效应：当 P-N 结受光照时，样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。 因 P 区产生的光生空穴， N区产生的光生电子属多子，都被势垒阻挡而不能过结。只有 P 区的光生电子和 N 区的光生空穴和结区的电子空穴对 （少子）扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。 光生电子被拉向 N区，光生空穴被拉向 P 区，即电子空穴对被内建电场分离。 这导致在 N区边界附近有光生电子积累， 在 P 区边界附近有光生空

8、穴积累。 它们产生一个与热平衡 P-N 结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由 P 区指向 N区。此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差， P 端正， N端负。于是有结电流由 P 区流向 N区，其方向与光电流相反。实际上，并非所产生的全部光生载流子都对光生电流有贡献。设 N区中空穴在寿命 p 的时间内扩散距离为 Lp，P 区中电子在寿命 n 的时间内扩散距离为Ln。Ln+Lp=L 远大于 P-N 结本身的宽度。故可以认为在结附近平均扩散距离L 内所产生的光生载流子都对光电流有贡献。而产生的位置距离结区超过L 的电子空穴对，在扩散过程中将全部复合掉，对P-N 结光电效应无贡献。三内外光电效应的

9、异同1相同点：（ 1）他们都是光电效应的一种，光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化，将光能量转换成电能（ 2） 每一种金属在产生光电效应是都存在一极限频率（或称截止频率） ，即照射光的频率不能低于某一临界值。 相应的波长被称做极限波长 （或称红限波长）。当入射光的频率低于极限频率时，无论多强的光都无法使电子逸出。（ 3） 光电效应中产生的光电子的速度与光的频率有关，而与光强无关。（ 4） 光电效应的瞬时性。实验发现，只要光的频率高于金属的极限频率，光的亮度无论强弱， 光子的产生都几乎是瞬时的， 即几乎在照到金属时立即产生光电流。响应时间不超过十的负九次方秒（ 1ns）。（ 5） .入射

10、光的强度只影响光电流的强弱，即只影响在单位时间内由单位面积是逸出的光电子数目。在光颜色不变的情况下，入射光越强，饱和电流越大，即一定颜色的光，入射光越强，一定时间内发射的电子数目越多2 不同点：根据对内外光电效应的介绍我们得出他们本质的区别， 外光电效应是在光的作用下， 物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应， 是第 2 页被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象 ;而内光电效应是被光激发所产生的载流子 （自由电子或空穴） 仍在物质内部运动， 使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。四在新能源中的利用例：太阳能电池PN 结光伏效应的一个重要的应用是利用光照射时,

11、PN 结产生的光生电压制造把太阳光能转化成电能的器件 太阳电池。 制造太阳电池的材料主要有硅 (Si) 、硫化镉 (CdS) 和砷化镓 (GaAs) 等。太阳能电池是一种近年发展起来的新型的电池。太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件，这种光电转换过程通常叫做“光生伏打效应” ，因此太阳能电池又称为“光伏电池” ，用于太阳能电池的半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的特殊物质， 和任何物质的原子一样，半导体的原子也是由带正电的原子核和带负电的电子组成， 半导体硅原子的外层有 4 个电子，按固定轨道围绕原子核转动。 当受到外来能量的作用时， 这些电子就会脱离

12、轨道而成为自由电子，并在原来的位置上留下一个“空穴” ，在纯净的硅晶体中， 自由电子和空穴的数目是相等的。 如果在硅晶体中掺入硼、 镓等元素，由于这些元素能够俘获电子， 它就成了空穴型半导体， 通常用符号 P 表示；释放电子的磷、砷等元素，它就成了电子型半导体，以符号 N代表。若把这两种半导体结合，交界面便形成一个 P N 结。太阳能电池的奥妙就在这个“结”上，PN结就像一堵墙，阻碍着电子和空穴的移动。当太阳能电池受到阳光照射时，电子接受光能，向 N 型区移动，使 N型区带负电，同时空穴向 P 型区移动，使 P 型区带正电。这样，在 P N 结两端便产生了电动势，也就是通常所说的电压。这种现象

13、就是上面所说的“光生伏打效应” 。如果这时分别在 P 型层和 N 型层焊上金属导线，接通负载，则外电路便有电流通过，如此形成的一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种， 因此太阳电池的种类也很多。 目前，技术最成熟，并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。太阳能电池近年也被人们用于生产、生活的许多领域。从 1974 年世界上第一架太阳能电池飞机在美国首次试飞成功以来，激起人们对太阳能飞机研究的热潮，太阳能飞机从此飞速地发展起来， 只用了六七年时间太阳能飞机从飞行几分钟，航程几公里发展到飞越英吉利海峡。现在，最先进的太阳能飞

14、机，飞行高度可达 2 万多米，航程超过 4000 公里。另外，太阳能汽车也发展很快。在建造太阳能电池发电站上，许多国家也取得了较大进展。 1985 年，美国阿尔康公司研制的太阳能电池发电站，用 108 个太阳板， 256 个光电池模块，年发电能力 300 万度。德国 1990 年建造的小型太阳能电站， 光电转换率可达 30多，适于为家庭和团体供电。 1992 年美国加州公用局又开始研制一种“革命性的太阳能发电装置”，预计可供加州1/3 的用电量。用太阳能电池发电确实是一种诱人的方式，据专家测算，如果能把撒哈拉沙漠太阳辐射能的1收集起来，足够第 3 页全世界的所有能源消耗。在生产和生活中， 太阳

15、能电池已在一些国家得到了广泛应用， 在远离输电线路的地方，使用太阳能电池给电器供电是节约能源降低成本的好办法。 芬兰制成了一种用太阳能电池供电的彩色电视机， 太阳能电池板就装在住家的房顶上， 还配有蓄电池，保证电视机的连续供电， 既节省了电能又安全可靠。 日本则侧重把太阳能电池应用于汽车的自动换气装置、 空调设备等民用工业。 我国的一些电视差转台也已用太阳能电池为电源，投资省，使用方便，很受欢迎。当前，太阳能电池的开发应用已逐步走向商业化、产业化；小功率小面积的太阳能电池在一些国家已大批量生产， 并得到广泛应用； 同时人们正在开发光电转换率高、成本低的太阳能电池； 可以预见，太阳能电池很有可能

16、成为替代煤和石油的重要能源之一，在人们的生产、生活中占有越来越重要的位置。太阳能电池就是利用光伏效应将太阳能直接转换为电能的一种装置。常规太阳电池简单装置如图 1 所示。当 N 型和 P 型两种不同型号的半导体材料接触后，由于扩散和漂移作用，在界面处形成由P 型指向 N 型的内建电场。当光照在太阳电池的表面后，能量大于禁带宽度的光子便激发出电子和空穴对，这些非平衡的少数载流子在内电场的作用下分离开，在电池的上下两极累积， 这样电池便可以给外界负载提供电流。从本世纪 70 年代中期开始了地面用太阳电池商品化以来，晶体硅就作为基本的电池材料占据着统治地位，而且可以确信这种状况在今后20 年中不会发

17、生根本的转变。以晶体硅材料制备的太阳能电池主要包括：单晶硅太阳电池， 铸造多晶硅太阳能电池， 非晶硅太阳能电池和薄膜晶体硅电池。单晶硅电池具有电池转换效率高，稳定性好，但是成本较高；非晶硅太阳电池则具有生产效率高，成本低廉，但是转换效率较低， 而且效率衰减得比较厉害；铸造多晶硅太阳能电池则具有稳定得转换的效率， 而且性能价格比最高； 薄膜晶体硅太阳能电池则现在还只能处在研发阶段。 目前，铸造多晶硅太阳能电池已经取代直拉单晶硅成为最主要的光伏材料。但是铸造多晶硅太阳能电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池，材料中的各种缺陷，如晶界、位错、微缺陷，和材料中的杂质碳和氧，以及工艺过程中玷污的过渡族金属被认为是电池转换效率较低的关键原因，因此关于铸造多晶硅中缺陷和杂质规律的研究，以及工艺中采用合适的吸杂，钝