可控硅设计经验分享

1、 可控硅设计经验分享 导读过去的几个智能开关项目中，频繁使用可控硅作为无触点开关，期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因，跳入了好几个“坑”，现在对可控硅设计知识要点进行总结。过去的几个智能开关项目中，频繁使用可控硅作为无触点开关，期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因，跳入了好几个“坑”，现在对可控硅设计知识要点进行总结：可控硅类别：a. 单向可控硅：门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅b. 双向可控硅：标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅c. 电力电子可控硅：电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组

2、件可控硅等效结构：单向可控硅双向可控硅对于一个可控硅，主要看其5个参数：额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压经验教训1：该电路能否将灯点亮？解析：不能，由于控制可控硅关断的1,3引脚没有通路，无触发电流经验教训2：该电路负载通断不受moc3021控制？解析：不受控制，对于交流电，可以不经过moc3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态理解可控硅的“象限”1、为何需要有“象限”这个概念？“象限”通用命名法？（个人认为：对于象限概念的提出，是为了更好地描述、理解可控硅的特性，就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据）2、如何

3、区分不同象限可控硅？第一象限：mt2+ igt+第二象限：mt2+ igt-第三象限：mt2 - igt-第四象限：mt2 - igt+可控硅从导通到底关断的条件？1、单独撤去控制极电压；2、mt1，mt2电流小于导通维持电流。注意：可控硅mt1、mt2流过的电流小于导通维持电流时，可控硅关断，但是单独撤去可控硅控制极电压时，需等到第2个条件满足时才会关断一个改进型的可控硅例子可控硅设计十条黄金规则1.为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流igt ，直至负载电流达到il 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑；2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须3. 设计双向可

4、控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（wt2-，+）；4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至mt1（或阴极），若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和mt1 间加电阻1k或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用h 系列低灵敏度双向可控硅；5. 若dvd/dt 或dvcom/dt 可能引起问题，在mt1 和mt2 间加入rc 缓冲电路。若高dicom/dt 可能引起问题，加入一几mh 的电感和负载串联。另一种解决办法，采用hi-com 双向可控硅；6. 假如双向可控硅的vdrm 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：负载上串联电感量为几h 的不饱和电感，以限制dit/dt；用mov 跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路；7. 选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dit/dt 承受能力；8. 若双向可控硅的dit/dt 有可能被超出，负载上最好串联一个几h 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通；9. 器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。；10.为了长期可靠工作，应保证rth j-a 足够低，维持tj 不高于tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。免责声明：本