TLP250中文资料-datasheet

1、东芝光电耦合器 砷化镓铝集成红外光电二极管TLP250(INV)晶体反相器单位mm栅极驱动IGBT调节器 大功率MOSFET!极驱动 东芝TLP250发票）由GaAIAs发光二极管和集成的光电探测器.本芯片是8脚DIP封装TLP250（INV）适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管?输入阈值电流：I=5mA（最大）?电源电流（ICC）: 11mA（最大）?电源电压（VCC）: 1035V?输出电流（IO）:最大）?开关转换时间（tpLH/tpHL）: 最大）?隔离电压：2500Vrms?UL 认证:UL1577,E67349号文件?期权（D4）VDE核准:德标VDE0884/ 768

2、23号证书最大绝缘工作电压：630V 允许的最高过电压：4000V（注）:当需要一个VDE0884认可类型，请指定命名为 期 权（D4） ”?爬电距离：（最小）空隙:（最小）TRUTH TABLE记录1记录2输入LED开开关关关开连接起来（见注释5）东芝Ofi to.：tQ2572 O.2S11-10C487651:空置.2:正极3:负极4:空置.5:地6:电压输出7:电压输出8:电源极限工作范围（工作温度=25C时）典型参数符号极限值单位D正向电流I20mA正向电流变化率（工作温度7（T）?I/?Ta-mA / 浪涌电流（注释1）I1A反向电压V5V节点温度Tj125器测探峰值输出电流脉冲宽

3、度,s频率 15kHz（注释2）I-A脉冲宽度t,s频率 1Hz-“ l”峰值输出电流脉冲宽度t,s频率15HzI+A脉冲宽度,s频率15Hz+输出电压（工作温度 70C）V35V（工作温度=85）24供电电压（工作温度70 C）V35V（工作温度=85）24输出电压变化率（工作温度70 C）?V/?Ta-V / C供电电压变化率（工作温度70 C）?V/?Ta-V / C节点温度T125工作频率（注释3）f25kHz工作温度范围T-2085存储温度范围T-55125引脚焊接温度（10s）T260隔离电压（交流,1分钟.，相对湿度60%作温度=25）（注释4）BV2500V （有效值）（注释

4、1）:脉宽 1 it s,300ppNote 2）:浪涌（注释3）:浪涌波形I - （ , tS+t s）（注释4）:双端驱动：1,2,3 ,4脚短接；5,6,7 ,8脚短接.（注释5）:用一个 H陶瓷电容应该连接在8脚和5脚之间来获得稳定的放大增益。.错误的走线（绕线）可能会 肖吗弱开关的性能。电容 和耦合器之间的总长度不能超过1cm。建议工作条件典型参数符号最小 值典型 值.最大值单位开关打开时的输入电流I7810mA开关关断时的输入电压V0V供给电压V153020V峰值输出电流I/ IA工作温度T-20257085电特性（工作温度=-2070C除另有规定外）典型参数符号测试回 路测试条件

5、最小 值典型 值.最大 值单位正向输入电压VI= 10 mA, Ta = 23CV正向电压下的温度系数?V /?TaI = 10 mA-mV /反相输入电流IV= 5 V, Ta = 23C101A输入电容CV = 0, f = 1 MHz, Ta = 2C 45250pF输出电流高”电平I2V= 30 V(*1)I- 10 mA V- 4 V-A低”电平丨I1I- 0 V- V2输出电压高”电平V3V= +15 VV= -15VR=200?, I= 5 mA11V低”电平V4V= +15 VV= -15VR=200?, V= V-供给电流高”电平IV- 30 VI- 10 mA Ta - 2

6、5C7mAI- 10 mA11低”电平II- 0 mA Ta -25 CmAI- 0 mA11门槛输入电流低T高IV- +15 VV- -15VR-200?, V 0V5mA门槛输入电压高T低VV- +15 VV- -15VR-200?, V 0VV供给电压V1035V电容量（输入-输出）CV- 0, f - 1 MH z, Ta - 2CpF(*) :V= 500 V，Ta =所有参数均是温度在25的值（*1） : IO的持续时间50（is开关特性（工作温度=-2070 （除另有规定外）典型参数符号测试电 路测试条件最小值典型 值.最大 值单位传输延时低T高t5I= 8 mA, V=15 V

7、R=20?, C= 10nF1S高T低t开关在开和关之间的时间分布|tpHL-tpLH|输出上升沿时间t输出下降沿时间t下降沿瞬态共模抑制比CM6V= 1000 V, I= 8 mA/= 30 V, Ta = 25C-15000V / |1上升沿瞬态共模抑制比CMV= 1000 V, I= 0 mA/= 30 V, Ta = 25C15000V / |1图.1 IOPL测试电路图.2 Ioph测试电路f VccIOPL 丄V6-5/n图.3 Voh测试电路图.4 Vol测试电路VeeiVF图.5 tpLH、tpHL、tr、tf 测试电路c% % oo o 9 5 1Vo图.6 CMh , CM

8、l测试电路VCM1000VVoSW : B(IF=0mA)CMhCMlCMh =CMl =800(V) tf(卩 s)800(V)tr(卩 s)CML（CMH）是指在上升沿（或者下降沿）时用来维持输出电压的低电平（或者高电平） 状态最大的电压共模抑制比。产品的限制使用条件?东芝公司一直在为提升自身产品的质量和稳定性的不断努力.然而，半导体驱动期间由于其本身固有的对电气的敏感特性和物理上的易损特性，通常也可能会发生故障。当用户在使用东芝的产品进行安全系统设计的时候要遵守使用的安全标准，避免因故障或失效而导致人身安全和生命财产的损失，否则责任由用户自己 承担。在提升您的产品设计的时候，请确保东芝公

9、司的产品是在最新规格制定的上述所说的工作条件案范围内使用。同 时，请时刻谨记安全措施和“半导体驱动操作向导”或“东芝半导体可靠性手册”等中说明的安全条件。东芝计划为 普通的电气应用（例如电脑，私人设备，公司设备，测量装置，工业机器人家用电器等等）列一个产品清单文件。这 些产品不打算也不授权给用于高质量和高稳定性要求或者因故障或失效可能（无意识的用法）导致人身财产及生命安 全负责。无意思的用法包括原子能控制仪表装置，飞机或宇宙飞船装置，运输装置，交通讯号装置，燃烧控制装置， 医疗设备以及所有的安全设备等。无意识的使用东芝产品清单文件需用户自己承担风险。砷化镓（GaAs在这个文件里是指一种产品.。砷化镓的烟尘是有毒的。不能砸、切、研磨或使用化学药品溶解砷化镓。处理砷化镓的时候需要遵从适度的监管。不能用其他的工业废水或生活垃圾来处理砷化