存储器的发展与技术现状

1、20122352存储器的发展史及技术现状蔡文杰 计科3班1. 存储器发展历史1.1存储器简介存储器(Memory是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中 的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果 都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。自世界上第一台计算机问世以来，计算机的存储器件也在不断的发展更新，从一开始的汞延迟线， 磁带，磁鼓，磁芯，到现在的半导体存储器，磁盘，光盘，纳米存储等，无不体 现着科学技术的快速发展。1.2存储器的传统分类从使用角度看，半导体存储器可以分成两大类：断电后数据会丢失的易失性存储 器和断电后数据不会丢失的非

2、易失性存储器。过去都可以随机读写信息的易失性存储器称为RAM(Randoo Aeeess Memory)根据工作原理和条件不同，RAM又有静 态和动态之分，分别称为静态读写存储器 SR AM(St ate RAM)和动态读写存储器 DRAM(Dynamie RAM而过去的非易失控存储器都是只读存储 RoM(Reador一 y Memo-ry),这种存储器只能脱机写人信息，在使用中只能读出信息而不能写人或 改变信息非易失性存储器包含各种不同原理、技术和结构的存储器传统的非易 失性存储器根据写人方法和可写人的次数的不同，又可分成掩模只读存储器MROM(Mask ROM一次性编程的 OTPROM(o

3、ne Time Programmable RO和可用萦 外线擦除可多次编程的 Uv EPROM(Utravio-let ErasableProgrammable ROM).过 去的OTPROMP是采用双极性熔丝式,这种芯片只能被编程一次,因此在测试阶段 不能对产品进行编程性检侧，所以产品交付用户后，经常在编程时才会发现其缺 陷而失效,有的芯片虽然能被编程，但由于其交流性不能满足要求，却不能正常运 行.故双极性熔丝式promt品的可信度不高2. 半导体存储器由于对运行速度的要求，现代计算机的内存储器多采用半导体存储器。半导体存储器包括只读存储器(ROM和随机读写存储器(RAM两大类。2.1只读存

4、储器ROM是线路最简单的半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作 的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般地，只读存储器用来存放固定的程序和数据，如微机的监控程序、BIOS（基本输入/输出系 统Basic Input/Output System）、汇编程序、用户程序、数据表格等。根据编程方法不同，ROM可分为以下五种：1、掩码式只读存储器，这类 ROM在 制造过程中，其中的数据已经事先确定了，因而只能读出，而不能再改变。它的 优点是可靠性高，价格便宜，适宜批量生产。2、可一次性编程只读存储器（PROM，为了使用户能够根据自己的需要来写 ROM厂家生产了一种PR

5、OM允 许用户对其进行一次编程一一写入数据或程序。 一旦编程之后，信息就永久性地 固定下来。用户可以读出和使用，但再也无法改变其内容。3、可擦可编程只读存储器（EPRO），这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。4、电可擦可编程只读存储器（EEPROM，功能与EPRO一样，不同之 处是清除数据的方式。另外它还可以用电信号进行数据写入。5、快闪存储器（Flash Memory），是在EEPRO的基础上发展而来，只是它提高了 ROM勺读写 速度。然而，相比之下，ROM勺读取速度比RAM要慢的多，因此，一般都

6、用 RAM来存放 当前正在运行的程序和数据，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存 取。而面对CPU勺高速发展，内存的速度使得高速运算受到了限制，为了缓解这种矛盾，人们找到了几种方法，其中一种就是采用更高速的技术，使用更先进的 RAM乍为内存。于是，就有了 RAM的发展历史。2.2随机存储器RAM可分为SRA（ Static RAM，静态随机存取存储器）和 DRA（ Dynamic RAM 动态随机存取存储器）。SRAM!经是一种主要的内存，它以6颗电子管组成一 位存储单元，以双稳态电路形式存储数据，因此不断电时即可正常工作，而且它 的处理速度比较快而稳定，不过由于它结构复杂，内部需要使用

7、更多的晶体管构 成寄存器以保存数据，所以它采用的硅片面积相当大，制造成本也相当高，所以 现在常把SRAM用在比主内存小的多的高速缓存上。而DRAM勺结构相比之下要简 单的多，其基本结构是一个电子管和一个电容，具有结构简单、集成度高、功耗 低、生产成本低等优点，适合制造大容量存储器，所以现在我们用的内存大多是 由DRAM构成的。但是，由于是DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单 元中，用电容的充放电来做储存动作，因电容本身有漏电问题，因此必须每几微 秒就要刷新一次，否则数据会丢失。3. 内存的发展内存是以一块块的IC （集成电路）焊接到主板上的，然而，这样做对于后 期维护产生了很多问题，

8、十分不方便。于是，内存条的概念出现了。3.1 FP DRAM在80286主板刚推出的时候，内存条采用了 SIMM（Single In-line MemoryModules，单边接触内存模组）接口。其在 80286处理器上是30pin SIMM内存， 随后，到了 386, 486时期，由于CPU已经向16bit发展，30pin SIMM内存无法 满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，因此就出现了70pinSIMM内存。72线的SIMM内存引进了一个FP DRA（快页内存），因为 DRAMS 要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失。它的刷新频率每秒钟可达几百次， 但由于FP DRAM

9、S用同一电路来存取数据，所以 DRAM勺存取时间有一定的时间 间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列的，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时 钟周期。3.2 FPM DRAM486时期普遍应用的内存是 FPM DRAM Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式 动态随机存取存储器），这是改良版的 DRAM传统的DRAM在存取一个BIT的数 据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAI在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出 行地址了。由于一般的程序和数

10、据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据，从而大大提高读取速度。3.3 EDO DRAM继FPM之后，出现的一种存储器 EDO DRAMExtended Date Out RAM，外扩 充数据模式存储器）内存开始盛行。EDO-RAI不需要像FPM DRA那样在存取每 一 BIT数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出，它取消了扩 展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快 1530%3

11、.4 SDRAM自In tel Celero n 系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDODRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新 一代CPU架构的需求，此时内存开始进入 SDRAMJ代。SDRAMSynchronous DRAM 同步动态随机存取存储器），是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式。所 谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少 数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。SDRAI内存有PC66规范，PC100规范，PC133规范，甚至为超频需求，又提供了 PC150 PC166规范

12、的内存。3.5 Rambus DRAMIn tel与Rambus公司联合开始在PC市场推广RambusDRAM内存。与SDRAI不同 的是，RDRAI采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类 RISC （Reduced In structio n Set Comput ing，精简指令集计算机）理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。尽管RDRA在时钟频率上有了突破性 的进展。3.6 DDR SDRAMDDRSDRAMDouble Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器),可说是SDRAM 的升级版本，DDF在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDF的

13、数据传输速度为传统SDRA啲两倍。由于仅多采用了下降沿信号，因此并不会造成 能耗增加。至于定址与控制信号则与传统 SDRAI相同，仅在时钟上升沿传输。DDR 内存有DDR266规范，DDR333规范，DDR4O0规范及DDR533规范等。3.7 DDR2DDR2 SDRA是由JEDEC进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代 DDR内存 技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升 /下降延同时进行数据 传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代 DDR内存预读取能力。3.8DDR3DDR3勺特点有：更高的外部数据传输率，更先进的地址 /命令与控制总线的拓朴 架构，在保证性能的同时

14、将能耗进一步降低。3.9可现场改写的非易失性存储器在存储器市场上非R 0M型可现场改写的非易失性存储器的需求增长速度最快 ， 这些芯片技术正在迅速地改变着存储器世界的面貌.这主要有可电擦写可编程的 EE PROIM0用锉电池作为数据保持后备电源的一体化非易失性静态读写存储器 NVSRA、在EPRO和EEPRO芯片技术基础上发展起来的快擦写存储器 PlashMemory和利用铁电材料的极化方向来存储数据的铁电读写存储器FRAM随着新的半导体存储技术的发明，各种不同的可现场改写信息的非易失性存储器被 推上市场，首先是可电擦写的 EEp RoM(Eleetrieally Erasa blepro-g

15、rammable ROM)这种存储器写人速度比较慢，为T提高写人速度,把RAMf EEPRO结合起来, 由RAM和与其逐位相通的EEPRO组成兼有两者优点的非易失性读写存储器 NOVRAM(Non volatile RAM)1.2发展迅速的快擦写存储器Flash由于快擦写存储器不需要存储电容器,故其 集成度更高，制造成本低于DRAM它使用方便，既具有SRAM读写的灵活性和较快 的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以快擦写存储器技术 发展迅速，随着快擦写存储器技术的发展，已开始越来越多地取代EPROM,中还 有一个方面就是固态盘的未来市场.固态盘是以大容t非易失性半导体存储器作

16、 为记忆媒体，经没有机械运动部件，比磁盘机和磁带机更能承受温度变化、 机械展 动和冲击,而且其读写速度要比磁盘或磁带机快几个数 t级.随着快擦写存储器 技术的发展，容易不断提高、价格不断下降，用这种存储器来构成固态盘在很多应 用领域将会取代传统的磁盘和磁带机1.4非昌失性存储舒FRAMS想存储器产品应该是高集成度、快读写速度、低成 本、具有无限读写周期的非易失性存储器.铁电读写存储器最有希望成为这种理 想的未来存储器.FRAM技术综合了 DRAM!集成度、低成本和SRAM勺读写速度以及EPRO的非易失性的多种优点于一身；它的进一步发展将会对计算机科学技术 产生促进作用铁电读写存储器与其他存储器

17、不同的一点是，其读操作是破坏性 的，同样也影响寿命，虽然现产品的读和写的总寿命周期已达100亿次，但是它目前仍然不适于作佑要频繁进行读操作的主程序存储器，而只适于不需要频繁读操 作而需要经常重新写人更新数据的领域.在实验室已经研制出试验样品，其可重 写人的次数已经超过1万亿次.进一步的研究希望在未来产品中可无限次读写， 并随着对其长期稳定性的不断改进，那就会成为比较理想的存储器2.存储器技术现状而现如今，存储器发展迅速，技术也是与过去有了很大的不同。2.1 嵌入式闪存2014年5月27 日,全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司今日面向中国及其他高速 增长市场的入门级平板电脑和智能手机发布一

18、款理想的存储解决方案iNAND Sta ndard嵌入式闪存驱动器(EFD)。利用最新1Y纳米X3 NAND闪存解决方案，原始设备制造商 (OEM) 可快速推出搭载性能可靠的闪迪存储器的新型入门级数码设备。2.2 TTN光存储器NTT发表世界首创的光存储器技术，容量超过100bit，可免除光讯号转换为电子讯号的资料处理动作，有助于未来的发展高速化，低耗电的资通讯技术。但有鱼研发的光记忆体尺寸偏大，无法收容在一起，所以使用光子晶体素材的光纳米共振器结构，研发出可收纳与晶体内的超小型光记忆体，奖光封闭鱼装置中以存储资讯。2.3 SSD现如今处理器频率提高了、制程更新了；内存频率提高了；硬盘容量提高

19、了。尽管硬盘在接口方面将PATA变成了 SATA SCSI变成了 SAS垂直记录技术在容量上有所突破，但仍 未能改变硬盘采用磁记录的方式，存储系统的瓶颈越来越明显。为了解决这一瓶颈，各厂商纷纷将SSD推入企业级和消费级市场。在消费端，目前很多 的笔记本都采用 SSD作为标准配置，它不仅具有零噪音、低功耗、响应速度快等特点，还可 以延长笔记本电池的续航时间。SSD全称是Solid State Disk，译成中文是固态存储，采用电子存储介质进行数据存储和读取的一种技术。使用 SSD的优势在于：一、速度快SSD具有数据存取速度快的特点。根据相关测试：两台电脑在同样配置的电脑下，搭载SSD的笔记本从开机到出现桌面一共只用了18秒，而搭载传统硬盘的笔记本总共用了31秒，两者几乎有将近一半的差距。、体积小、便于携带在产品外形和尺寸上 SSD完全可以做到与普通硬盘一致 ，包括3.5, 2.5,1.8英寸等，甚至可以做得更小。SSD在重量方面更轻，与常规 1.8英寸硬盘相比，重量轻 20-3