多晶硅基础知识点

1、1. 块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为（6mm）最大为 (100mm).2. 探针绝缘性，一探针（包括连接弹簧和外部引线）与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于（ 109）。3. 对于 P 型单晶，在（ 6）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基硼电阻率值。4. 对于 N 型单晶，在（ 8）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基磷电阻率值。5. 热探笔上所用的电阻丝的功率一般只需（ 1015W）.6. 冷热探笔法一般适用于室温电阻率在（ 1000.Cm）以下的硅单晶。7. 整流法一般适用于室温电阻率在（ 11000.Cm）的硅单晶。8. 单晶在测试过程中应保证环

2、境温度（ 232温）度（， 65%），（电磁屏蔽，无强光照射）。9. 四探针恒流源的光流范围为 (10 -1 10-6 A), 稳定度优于（ 0.05%）。四、简答题国标中太阳能 级与电子级产品等级的划分1.基磷电阻率基硼电阻率N 型少数载流子寿命（.cm）（.cm）（s）国标电子级一级5003000500国标电子级二级3002000300国标电子级三级2001000100太阳能级一级100500100太阳能级二级4020050太阳能级三级20100302. 物理性能 检测中样品制备的事故判断 处理及预防1.为避免机械对人造成伤害，上班前，按规定穿戴好 劳保用品，使用酸碱时，穿戴好防护用品，在

3、通风良好的条件下操作。2.若发现机器电机转动声音异常，应立即停止 进行检查，正常后即可投入使用。3.若酸碱液溅在皮肤上，立即用大量清水冲洗。4.使用耐酸手套前要 检查是否完好。5.钻取样品时，若出现松动，应立即停机，紧固后方可 进行加工，手动进刀时，一般按照均匀 进给的原则进行，以免用力过猛造成事故。3. 物理性能检测中区熔制备硅单晶的控制要点1.在装炉时，原料棒及籽晶要做到安放平整、对中、稳定可靠。2.在对磷检炉操作过程中，通入氩气时要控制号氩气的阀门，流量由小到大，逐步接近工艺规定值。3.熔接时，要选择合适的功率，升温不能过急，注意熔区在感应线圈中的位置是否得当。4.初始拉速不能由零突越至

4、拉制速度， 应缓慢增大。5.选择适当的供料速度，确保熔区体 积不变，熔区稍微饱满为好。6.在单晶生长过程中，要控制好硅熔区，避免熔区流 垮，同时尽力保持拉制棒材直径的均匀性。7.在进行收尾工作 时，控制好速度，不能过快，以免产生位错。4. 简述物理性能 检测的工艺流程图用大型切断机切取温圈氧化 夹层片（线 1）产品取样样品退火用大型切断机 对样品进行切断（线 2）线 1腐蚀清洗送检测岗位检测线 2用大型切断机 对样棒进行去应力切割取硅芯层和生长层棒样腐蚀清洗区熔检测导电类 型检测样品电阻率检测样品少子寿命对单晶棒样进行红外样片切割对切割片样进行研磨抛光、制备 成红外样将红外样片送质监进行后续检

5、测5. 单晶硅中间隙氧样品要求：（1）样品的厚度范围为0.04 cm0.4 cm；（2）单晶硅样片，样片经双面研磨抛光。（3）加工后样片的两个面应尽可能平行，所成角度小于1（4）其厚度差应小于等于0.5%，（5）表面平整度应小于所测杂质谱带最大吸收处波长的1/4 。样品表面不应有氧化层。5. 四探针法测量电阻率的测准条件有哪些？（1）样品的几何尺寸必须近似满足半无限大，具体的说即样品的厚度必须大于 3 倍针距，探针头中任一探针离样品边缘的最近距离不得小于 3 倍针距（纵向、横断面电阻率测试的选择均由此而来）。（2）测量区域的电阻率应是均匀的，为此针距不宜过大，一般采用12mm左右的针距较适宜。

6、（3）四根探针应处于同一平面的同一直线上，为此要求四根探针严格的排成一直线，还要求样品表面平整。（4）四探针与试样应有良好的欧姆接触，为此探针应当比较尖，与样品的接触点应是半球形，使电流成放射状发散（或汇拢），且接触半径应远远小于针距，一般要求接触半径不大于50 微米左右，针头应有一定压力，一般取29.8N 较适宜。（5）电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化。干扰因素：1）陷阱效应影响：室温下的硅和低温下的锗，载流子陷阱会产生影响。如果试样中存在电子或空穴陷阱，脉冲光停止后，非平衡少数载流子将保持较高浓度并维持相当长时间，光电导衰减曲线会出现一条长长的尾巴。在这段衰减曲线上进行测量将错误的

7、导致寿命值增大。2）表面复合影响：表面如果处理不好，会影响少子寿命3）注入量的影响：测量时试样电导率条幅必须很小，这样试样上电势差的衰减才等价于光生载流子的衰减。4）光生伏特效应的影响：试样电阻率不均匀会产生衰减信号扭曲的光电压光生伏特效应。5）光源波长的影响：光生载流子大幅度衰减会影响曲线的形状，尤其在衰减初期使用脉冲光时，这种现象会更为显著。6）电场的影响：如果少数载流子被电流产生的电场扫描出试样的一端，少数载流子就不会形成衰减曲线。7）温度的影响：半导体中杂质的复合特性受温度强烈影响，控制测量时的温度非常重要，在相同的温度下进行测量才能进行比较。8）杂质复合中心的影响：不同的杂质中心具有不同的复合特性