碳化硅材料工程项目延伸预测法（工程管理）

1、泓域咨询/碳化硅材料工程项目延伸预测法碳化硅材料工程项目延伸预测法一、 项目名称及项目单位项目名称：碳化硅材料工程项目项目单位：xx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx园区，占地面积约47.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 建设规模该项目总占地面积31333.00（折合约47.00亩），预计场区规划总建筑面积55471.38。其中：主体工程38741.50，仓储工程7838.67，行政办公及生活服务设施5340.68，公共工程3550.53。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx有限

2、责任公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资21124.92万元，其中：建设投资15532.13万元，占项目总投资的73.53%；建设期利息165.58万元，占项目总投资的0.78%；流动资金5427.21万元，占项目总投资的25.69%。（二）建设投资构成本期项目建设投资15532.13万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用13160.40万元，工程建设其他

3、费用1951.47万元，预备费420.26万元。六、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入46500.00万元，综合总成本费用36378.53万元，纳税总额4748.55万元，净利润7407.95万元，财务内部收益率26.89%，财务净现值12723.47万元，全部投资回收期5.15年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积31333.00约47.00亩1.1总建筑面积55471.38容积率1.771.2基底面积17859.81建筑系数57.00%1.3投资强度万元/亩308.232总投资万元21124.922.1建

4、设投资万元15532.132.1.1工程费用万元13160.402.1.2工程建设其他费用万元1951.472.1.3预备费万元420.262.2建设期利息万元165.582.3流动资金万元5427.213资金筹措万元21124.923.1自筹资金万元14366.723.2银行贷款万元6758.204营业收入万元46500.00正常运营年份5总成本费用万元36378.536利润总额万元9877.277净利润万元7407.958所得税万元2469.329增值税万元2035.0310税金及附加万元244.2011纳税总额万元4748.5512工业增加值万元15696.2613盈亏平衡点万元1669

5、6.15产值14回收期年5.15含建设期12个月15财务内部收益率26.89%所得税后16财务净现值万元12723.47所得税后七、 swot分析法模型swot分析基于内外部竞争环境和竞争条件下的态势分析，就是将与研究对象密切相关的各种主要内部优势、劣势和外部的机会和威胁等，通过调查列举出来，并依照矩阵形式排列，然后用系统分析的思想，把各种因素相互匹配起来加以分析，从中得出一系列相应的结论。运用这种方法，可以对研究对象所处的情景进行全面、系统、准确的研究，从而根据研究结果制定相应的发展战略。根据优势、劣势与机会、威胁两两组合，swot分析可以形成so、wo、st、wt四种不同类型的组合战略。s

6、o战略（优势一机会）：是一种发展企业内部优势与利用外部机会的战略，是种理想的战略模式。当企业具有特定方面的优势，而外部环境又为发挥这种优势提供有利机会时，可以采取该战略。wo战略（劣势一机会）：是利用外部机会来弥补内部劣势，使企业改劣势而获取优势的战略。存在外部机会，但由于企业存在一些内部劣势而妨碍其利用机会，可采取措施先克服这些劣势。st战略（优势一威胁）：是指企业利用自身优势，回避或减轻外部威胁所造成的影响。wt战略（劣势一威胁）：是一种旨在减少内部劣势，回避外部环境威胁的防御性技术。swot分析法在应用于企业发展战略制定时，首先应根据企业优劣势分析和机会威胁分析，画出swot分析图，然后

7、根据swot分析结果，在swot分析图上找到企业相应的位置，从而进行相应的战略选择。swot分析图划分为4个象限，根据企业所在的不同位置，应采取不同的战略。swot提供了4种战略选择：在右上角的企业拥有强大的内部优势和众多的机会，企业应采取增加投资、扩大生产、提高市场占有率的增长性战略；在右下角的企业尽管具有较大的内部优势，但必须面临严峻的外部挑战，应利用企业自身优势，开展多元化经营，避免或降低外部威胁的打击，分散风险，寻找新的发展机会；处于左上角的企业，面临外部机会，但自身内部缺乏条件，应采取扭转性战略，改变企业内部的不利条件；处于左下角的企业既面临外部威胁，自身条件也存在问题，应采取防御性

8、战略，避开威胁，消除劣势。八、 简单移动平均法移动平均法分为简单移动平均法和加权移动平均法。简单移动平均法是以过去某一时期的数据平均值作为将来某时期预测值的一种方法。该方法对过去若干历史数据求算数平均数，并把该数据作为以后时期的预测值。而加权移动平均法是在简单移动平均法的基础上，给不同时期的变量值赋予不同的权重来计算预测值。简单移动平均法的应用范围简单移动平均法只适用于短期预测，在大多数情况下只用于以月度或周为单位的近期预测。简单移动平均法的另外一个主要用途是对原始数据进行预处理，以消除数据中的额异常因素或除去数据中的周期变动成分。简单移动平均法的主要优点是简单易行、容易掌握。其缺点是：只是在

9、处理水平型历史数据时才有效，每计算一次移动平均需要最近的n个观测值。而在现实经济生活中，历史数据的类型远比水平型复杂，这就大大限制了简单移动平均法的应用范围。九、 项目背景分析碳化硅是由硅和碳组成的无机化合物，在热、化学、机械方面都非常稳定。碳原子和硅原子不同的结合方式使碳化硅拥有多种晶格结构，如4h，6h.3c等等。4h-sic因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，常被用来做功率器件。同时，碳化硅也是极限功率器件的理想的材料。由于碳化硅的化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，如制成的高级耐火材料、脱氧剂、电热元件硅碳棒等。碳化硅是用石

10、英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法、气相法。是对硬脆材料进行研磨，磨料对其具有滚轧作用或微切削作用。磨粒作用于有凹凸和裂纹的表面上时，随着研磨加工的进行，在研磨载荷的作用下，部分磨粒被压入工件，并用露出的尖端划刻工件的表面进行微切削加工。另一部分磨粒在工件和研磨盘之间进行滚动而产生滚轧作用，使工件的表面形成微裂纹，裂纹延伸使工件表面形成脆性碎裂的切屑，从而达到表面去除的目的。目前碳化硅的抛光方法主要有：机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光（cmp）、电化学抛光（ecmp）、催化剂辅助抛光或催化辅助刻蚀（cacp/care）、摩擦化学抛光（tcp，又称无磨料抛光）和等离子辅助抛光（pap）等。其中，化学机械抛光（cmp）技术是目前半导体加工的重要手段，也是目前能将单晶硅表面加工到原子级光滑最有效的工艺方法，是能在加工过程中同时实现局部和全局平坦化的唯一实用技术。碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（pvt）生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。2018年国内碳化硅单晶片产能超过