NorFlash测试方法介绍

1、nor flash存储器测试方法介绍、nor flashynor flash 是很常见的一种存储芯片， 数据掉电不会丢失。 nor flash支持execute on chip ,即程序可以直接在 flash片内执行。这点和 nand flash 不一样。因此，在嵌 入是系统中，nor flash很适合作为启动程序的存储介质。nor flash 的读取和ram很类似，但不可以直接进行写操作。对 nor flash 的写操 作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。从支持的最小访问单元 来看，nor flash 一般分为8位的和16位的(当然，也有很多 nor flash芯片

2、同时支持 8位模式和是16位模式，具体的工作模式通过特定的管脚进行选择)。对8位的norflash芯片，或是工作在 8-bit模式的芯片来说，一个地址对应一个byte(8-bit)的数据。在flash进行写操作的时候，每个 bit可以通过编程由1变为0,但不可以有0修改 为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把flash的一个sector , 一个bank或是整片flash 的值全修改为 0xff。这样，写操作就可以正 确完成了。1. 8-bit 的 nor flash例如一块8-bit的nor flash，假设容量为4个byte。那芯片应该有8个数据信号

3、d7-d0 和2个地址信号，a1-a0 。地址0x0对应第0个 byte ,地址0x1对应于第1byte , 地址0x2对应于第2个 byte ,而地址0x3则对应于第 3个byte2. 16-bit 的 nor flash对16位白nor flash 芯片，或是工作在 16-bit 模式的芯片来说，一个地址对应于一 个half-word(16-bit)的数据。例如，一块 16-bit 的nor flash，假设其容量为 4个byte。那芯片应该有16个数据信号线 d15-d0 和1个地址信号 a0。地址0x0对应于芯片 内部的第0个half-word ,地址0x1对应于芯片内部的第 1个ha

4、lf-word 。3. nor flash 结构flash 一般都分为很多个 sector ,每个sector包括一定数量的存储单元。对有些 大容量的flash ,还分为不同的 bank ,每个bank包括一定数目的 sector 。 flash的 擦除操作一般都是以 sector , bank或是整片flash为单位的。二、芯片资料本文档以 spansion 公司的 s29jl064h 芯片为例说明(芯片详细信息参见datasheet)。该芯片是一个64 megabit (8 m x 8-bit/4 m x 16-bit) 的 nor flash 芯片。1. 管脚说明如下a21 力022 a

5、ddressesdq14 -dq015 data inputs/outputs (x16-only devices)dq15/a-1 dq15 (data input/output, word mode), a-1 (lsbaddress input, byte mode)ce#chip enableoe#output enablewe#write enablewp#/acchardware write protect/accelerationpinreset#=hardware reset pin, active lowbyte#selects 8-bit or 16-bit modery/

6、by#ready/busy outputvcc3.0 volt-only single power supply(see product selector guide for speedoptions andvoltage supply tolerances)vssdevice groundnc=pin not connected internally2. 芯片的 bus operations 如下：3. 芯片的 command definitions4. 解释说明1、读模式：读由#ce和#oe控制：当两者都为低电平时，才可以从flashrom中读取数据2、 写模式： flashrom 的编程

7、的基本单位是 “页”，每一 “页”包含一定的数据（一般为128 字节或 256 字节）。如果要修改一 “页 ”中的某一个字节的数据，需要将这一 “页”的数据全部读出，修改指定的字节，再写回至flashrom 中。在写入每一 “页”的时候，如果该 “页 ”的某个字节没有被写入 flashrom ， 那么 flashrom 中的对应位置上的数据将会被擦除为0xff 。（ 即在写入时都是只允许将“ 1改成”“ 0，而”不允许将“ 0改成”“ 1 ”。）一般是#ce #we为低电平且#oe为高电平：写操作过程通常包括两个步骤： 1 ） 第一步是字节装载周期，在这个周期中主cpu 将一页的数据写入 fl

8、ashrom 的页缓冲区； 2 ）第二步是内部编程周期，在这个周期中 flashrom 的页缓冲区的内容被同时写入 flashrom 的非挥发存储器阵列注：在字节装载周期中，在#ce或#亚的下降沿两者出现的较晚的时刻地址被锁存，在#ce或#we 的上升沿两者出现较早的时刻数据被锁存。进入写操作之前要写入的命令序列为 ： 向地址 0x5555 写入 0xaa 、 向地址 0x2aaa 写入 0x55 、向地址0x5555 写入0xa0 ，退出写操作需要写入的命令序列为 ： 向地址 0x5555 写入 0xaa 、向地址 0x2aaa 写入0x55 、向地址0x5555 写入0x80 、向地址0x

9、5555 写入 0xaa 、向地址 0x2aaa 写入 0x55 、向地址0x5555 写入 0x20 。检测 product id 需写入的指令序列为： 向地址 0x5555 写入 0xaa 、 向地址 0x2aaa 写入 0x55 、 向地址 0x5555 写入0x80 、向地址0x5555 写入 0xaa 、向地址 0x2aaa 写入 0x55 、向地址0x5555 写入 0x60 ； 然后从地址0 上读取厂商代码，从地址1 上读取产品代码； 退出该模式需写入的指令序列为：向地址0x5555 写入 0xaa 、向地址 0x2aaa 写入 0x55 、向地址0x5555 写入 0xf0清除

10、状态寄存器内容的一组指令是： 向地址 0x5555 写入 0xaa 向地址 0x2aaa 写入 0x55 、向地址 0x5555 写入 0x50 。nor flash支持扇区擦（sector erase除和整片擦除（chip erase）块擦除。向地址0x5555写入0xaa、向地址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0x80、向地址0x5555写入0xaa、向地址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0x30。 全片擦除：向地址0x5555写入0xaa、向地址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0x80、向地址0x5555写入0xaa、向地

11、址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0x10。三、测试方法及流程1 .开短路测试（要求每个管脚及相邻管脚之间）no符号测试点ft规范qa规范单位bin最小典型最大最小最大1os_p每个管脚-1.0-0.2-1.0-0.2v2os_n每个管脚0.21.00.21.0v测试方法、条件:1. i=-100ua2. i=100ua2 . leakage 测试测试方法、条件：1 .测 iil: vcc=3.6v,input pin力口 0 v,测试 input pin电流2 .测 iih: vcc=3.6v,input pin力口 3.6v,测试 input pin电流3 .测 io

12、zh:vcc=3.6v,由 bus operations 可知当 ce为高 io pin 处于 high z状态，所 以给ce加3.6v,io pin 加3.6v,测试io pin 电流4 .测 iozl:vcc=3.6v,由 bus operations 可知当 ce为高 io pin 处于 high z状态，所 以给ce加3.6v,io pin 力口 0v,测试io pin 电流3 .擦除整个chip测试方法、条件：1. vcc=3.3v,2. 向地址 0x5555写入0xaa、向地址0x2aaa 写入0x55、向地址0x5555写入0x80、 向地址 0x5555写入0xaa、向地址 0

13、x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0x103.等待56 s 擦除完成，此时芯片内的数据都为 0xff4. 工作电流测试5. standby 电流测试6. 读所有 chip 0xff 测试测试方法、条件：1 .vcc=3.3v2 .设置 #oe,#ce 为低电平，地址管脚 a21-a0 设为00,，此时io 输出地址为 0x00 内存储的数据 0xff.3 .地址加 1 （地址管脚 a0 变为 1 ，其他地址不变），此时io 输出地址为 0x01 内存储的数据 0xff.4 .地址逐步加1（顺序改变地址管脚电压），此时io 顺序输出地址内存储的数据 0xff 。5 .逐步加完所有

14、的地址直到地址管脚a21-a0 全变为 1。即读完了所有地址的数据。7. voh, 测试测试方法、条件：1. vcc=3.3v2. 设置 #oe,#ce 为低电平，给任意地址，此时io 输出数据。3. 给io力口-2.0ma电流，读io pin电压。8. 写并且读所有chip 0xff 测试测试方法、条件：1 .vcc=3.3v3.向地址0x5555写入0xaa、向地址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0xa0 ,向 page0 初始地址 0x00 写 #00,2 . 地址增加 1 ，即向地址 0x01 写 003 . 逐步增加地址，同时向地址内写入数据，直到写满1 个 p

15、age。4 .重复1-3过程，更改page初始地址，依次向page1,2,3,4.写入00,直到写?t整个 chip。5 .设置 #oe,#ce 为低电平，地址管脚 a21-a0 设为00,，此时io 输出地址为 0x00 内存储的数据 0xff.6 .地址加 1 （地址管脚 a0 变为 1 ，其他地址不变），此时io 输出地址为 0x01 内存储的数据 0x007 .地址逐步加1（顺序改变地址管脚电压），此时io 顺序输出地址内存储的数据 0x00 。8 .逐步加完所有的地址直到地址管脚a21-a0 全变为 1。即读完了所有地址的数据。9. vol 测试测试方法、条件：1 .2 .向地址0x

16、5555写入0xaa、向地址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0xa0 ,向 任意地址写 #003 .设置 #oe,#ce 为低电平，读该地址数据，此时io 输出数据 #00 。4 .给 io 加 4.0ma 电流，读 io pin 电压。10. 擦除整个 chip测试方法、条件：1. vcc=3.3v,2. 向地址 0x5555 写入 0xaa 、 向地址 0x2aaa 写入0x55、 向地址 0x5555 写入 0x80 、向地址 0x5555写入0xaa、向地址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0x103. 等待 56 s 擦除完成，此时芯片内的数

17、据都为 0xff11. checkboard 测试测试方法、条件：1.vcc=3.3v2 .向地址0x5555写入0xaa、向地址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0xa0 ,向 page0 初始地址 0x00 写 #00,3 .地址增加1,即向地址0x01写#ff4 . 逐步增加地址，同时向地址内交错写入数据00 和 ff ，直到写满1 个 page。5 .重复2-4过程，更改page初始地址，向奇数 page,交错写入55/aa ,向偶数page,交错写入 aa/55 ，直到写满整个chip 。6 .设置 #oe,#ce 为低电平，地址管脚 a21-a0 设为 00,，

18、此时 io 输出地址为 0x00 内存储的数据，即读出步骤 2-5 写入的数据7 .地址加1 （地址管脚 a0 变为 1 ，其他地址不变），此时io 输出地址为 0x01 内存储的数据8 .地址逐步加1（顺序改变地址管脚电压），此时io 顺序输出地址内存储的数据。9 .逐步加完所有的地址直到地址管脚a21-a0 全变为1。即读完了所有地址的数据。10 .重复一遍2-9操作，向奇数page,交错写入aa/55 ,向偶数page,交错写入55/aa ,12. 擦除整个 chip测试方法、条件：1. vcc=3.3v,2. 向地址 0x5555 写入 0xaa 、 向地址 0x2aaa 写入0x55、 向地址 0x5555 写入 0x80 、向地址 0x5555写入0xaa、向地址 0x2aaa 写入0x55、向地址 0x5555写入0x103. 等待 56 s 擦除完成，此时芯片内的数据都为 0xff13.