MOSFET参数及其测试方法

1、v1.0可编辑可修改参数类别(物理特征)：1、漏源电压系列、V(BR)DSS:漏源击穿电压、dV(BR)DSS/dTJ :漏源击穿电压的温度系数、VSD二极管正向(源漏)电压、dV/dt :二极管恢复电压上升速率2、栅源电压系列、VGS(TH):开启电压、dVGS(TH)/dTJ :开启电压的温度系数、V(BR)GSS漏源短路时栅源击穿电压、VGSR反向栅源电压3、其它电压系列、Vn：噪声电压、VGD栅漏电压、Vsu：源衬底电压、Vdu：漏衬底电压、Vgu：栅衬底电压二、电流类参数1、漏源电流系列、ID :最大DS电流、IDM:最大单脉冲DS电流、IAR:最大雪崩电流、IS :最大连续续流电流

2、、ISM:最大单脉冲续流电流、IDSS:漏源漏电流2、栅极电流系列、IGSS:栅极驱动（漏）电流、IGM:栅极脉冲电流、IGP:栅极峰值电流9三、电荷类参数1、Qg：栅极总充电电量2、Qgs:栅源充电电量3、Qgd:栅漏充电电量4、Qrr :反向恢复充电电量5、Ciss :输入电容=Cgs+Cgd6、Coss :输出电容=Cds+Cgd7、Crss :反向传输电容=Cgd四、时间类参数1、tr :漏源电流上升时间2、tf :漏源电流下降时间3、td-on :漏源导通延时时间4、 td-off:漏源关断延时时间5、trr :反向恢复时间五、能量类参数1、PD最大耗散功率2、dPD/dTJ :最大

3、耗散功率温度系数3、EAR重复雪崩能量4、EAS单脉冲雪崩能量六、温度类参数1、RJC:结到封装的热阻2、RCS封装到散热片的热阻3、RJA:结到环境的热阻4、dV(BR)DSS/dTJ :漏源击穿电压的温度系数5、dVGS(TH)/dTJ :开启电压的温度系数七、等效参数1、RDSON导通电阻2、Gfs :跨导=dID/dVGS3、LD:漏极引线电感4、LS:源极引线电感参数详解、V (BR DSS漏源击穿电压(也称 BVDSS VDSS这种定义：在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。属性：V(BR)DSS是正温度系数，温度高时

4、，漏源击穿电压比温度低时要大。通常以25 C时的漏源击穿电压为标称电压。实际击穿电压通常略大于标称电压。测试线路：测试方法：1、 按规范选取 VCC2值、设定栅极连接方式、连接测量仪表、调整ID。2、 室温下夹取被测管放入测试座，监控ID，读取VDSS3、 连续调节ID，并同步记录 VDSS即可测得 VDSS_ID特性曲线。、dV(BR)DSS/dTJ :漏源击穿电压的温度系数50T. JUNCTION TEMPERATURE i nC j、VSD二极管正向(源漏)电压、dV/dt :二极管恢复电压上升速率、VGS( TH :开启电压(又称 VTH定义：所加的栅源电压能使流过漏极电流达到一个特

5、定值时的电压值。属性：VGS( TH)是负温度系数，这就意味着当温度上升时，功率管会在更低的栅源电压下开启。 测试线路路与测试方法参考VDSS测试。、dVGS(TH)/dTJ :开启电压的温度系数、V(BR)GSS漏源短路时栅源击穿电压、VGSR反向栅源电压、Vn：噪声电压、VGD栅漏电压、Vsu：源衬底电压、Vdu：漏衬底电压、Vgu:栅衬底电压、ID :最大DS电流、IDM:最大单脉冲DS电流、IAR:最大雪崩电流、IS :最大连续续流电流、ISM:最大单脉冲续流电流、IDSS:漏源漏电流、IGSS:栅极驱动（漏）电流、IGM:栅极脉冲电流、IGP:栅极峰值电流、IGDO源极开路时的截止栅电流、IGS0:漏极开路时的截止栅电流、Qg：栅极总充电电量、Qgs:栅源充电电量、Qgd:栅漏充电电量、Qrr :反向恢复充电电量、Ciss :输入电容=Cgs+Cgd、Coss :输出电容=Cds+Cgd、Crss :反向传输电容=Cgd、tr ：漏源电流上升时间、tf :漏源电流下降时间、td-on :漏源导通延时时间、td-off:漏源关断延时时间、trr :反向恢复时间、PD：最大耗散功率、dPD/dTJ :最大耗散功率温度系数、EAR重复雪崩能量、EAS单脉冲雪崩能量、RJC:结到封装的热阻、RCS封装到散热片的热阻、RJA:结到环境的热阻、dV(B