半导体温度传感器

1、半导体温度传感器传感器是一种物理装置或生物器官，能够探测、感受外界的信号、 物理条件（如光、热、湿度）或化学组成（如烟雾），并将探知的信 息传递给其他装置或器官。国家标准GB7665-87对传感器下的定义是：“能感受规定的 被测量件并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置，通常 由敏感元件和转换元件组成” o传感器是一种检测装置，能感受 到被测量的信息，并能将检测感受到的信息，按一定规律变换成 为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、 存储、显示、记录和控制等要求。它是实现自动检测和自动控制 的首要环节。传感器属于信息技术的前沿尖端产品，尤其是温度传感器被广泛 用于工农业生

2、产、科学研究和生活等领域,数量高居各种传感器之首。 半导体传感器是利用某些半导体的电阻随温度变化而变化的特性制 成的。半导体具有很宽的温度反应特性,各种半导体的温度反应区段 不同。传感器的作用人们为了从外界获取信息，必须借助于感觉器官。而单靠人 们自身的感觉器官，在研究自然现象和规律以及生产活动中它们 的功能就远远不够了。为适应这种情况，就需要传感器。因此可 以说，传感器是人类五官的延长，又称之为电五官。新技术革命的到来，世界开始进入信息时代。在利用信息的 过程中，首先要解决的就是要获取准确可靠的信息，而传感器是 获取自然和生产领域中信息的主要途径与手段。在现代工业生产尤其是自动化生产过程中，

3、要用各种传感器 来监视和控制生产过程中的各个参数，使设备工作在正常状态或 最佳状态，并使产品达到最好的质量。因此可以说，没有众多的 优良的传感器，现代化生产也就失去了基础。在基础学科研究中，传感器更具有突出的地位。现代科学技 术的发展，进入了许多新领域：例如在宏观上要观察上千光年的 茫茫宇宙，微观上要观察小到cm的粒子世界，纵向上要观察长 达数十万年的天体演化，短到s的瞬间反应。此外，还出现了对 深化物质认识、开拓新能源、新材料等具有重要作用的各种极端 技术研究，如超高温、超低温、超高压、超高真空、超强磁场、 超弱磁场等等。显然，要获取大量人类感官无法直接获取的信息, 没有相适应的传感器是不可

4、能的。许多基础科学研究的障碍，首 先就在于对象信息的获取存在困难，而一些新机理和高灵敏度的 检测传感器的出现，往往会导致该领域内的突破。一些传感器的 发展，往往是一些边缘学科开发的先驱。传感器早已渗透到诸如工业生产、宇宙开发、海洋探测、环 境保护、资源调查、医学诊断、生物工程、甚至文物保护等等极 其之泛的领域。可以毫不夸张地说，从茫茫的太空，到浩瀚的海 洋，以至各种复杂的工程系统，几乎每一个现代化项目，都离不 开各种各样的传感器。由此可见，传感器技术在发展经济、推动社会进步方面的重 要作用，是十分明显的。世界各国都十分重视这一领域的发展。 相信不久的将来，传感器技术将会出现一个飞跃，达到与其重

5、要 地位相称的新水平。温度传感器是电子产品设计中最常用的电子元件之一。随着IC 集成度的提高，以及笔记本电脑、移动终端、PDA等便携式设备的普 及，功耗散热问题变得越来越突出。只有对芯片的工作温度进行精确 的控制，才能保证设备稳定工作。传统的热敏电阻虽然具有价格低廉 等优势，但体积大、输出信号单一、功耗大、线性度不佳等因素制约 着热敏电阻在高端电子产品中的应用。半导体温度传感器随着大批量生产，售价已经降得很低，功能强大 同时体积也可以做得很小,并具有良好的线性度一、温度传感器原理温度是一个基本的物理量，自然界中的一切过程无不与温度密切 相关。温度传感器是最早开发，应用最广的一类传感器。温度传感

6、器 的市场份额大大超过了其他的传感器。在半导体技术的支持下，相继 开发了半导体热电偶传感器、PN结温度传感器和集成温度传感器。 温度传感器有四种主要类型:热电偶、热敏电阻、电阻温度检测器(RTD) 和IC温度传感器。IC温度传感器又包括模拟输出和数字输出两种类 型。1、接触式温度传感器的检测部分与被测对象有良好的接触，又称 温度计。温度计通过传导或对流达到热平衡，从而使温度计的示值能 直接表示被测对象的温度。一般测量精度较高。在一定的测温范围内， 温度计也可测量物体内部的温度分布。但对于运动体、小目标或热容 量很小的对象则会产生较大的测量误差,常用的温度计有双金属温度 计、玻璃液体温度计、压力

7、式温度计、电阻温度计、热敏电阻和温差 电偶等。2、非接触式温度传感器的敏感元件与被测对象互不接触,又称非 接触式测温仪表。这种仪表可用来测量运动物体、小目标和热容量小 或温度变化迅速（瞬变）对象的表面温度,也可用于测量温度场的温度 分布。非接触测温优点:测量上限不受感温元件耐温程度的限制，因 而对最高可测温度原则上没有限制。对于1800C以上的高温,主要采 用非接触测温方法。随着红外技术的发展，辐射测温逐渐由可见光向 红外线扩展,700C以下直至常温都已采用，且分辨率很高。二、智能温度传感器发展的新趋势进入21世纪后，智能温度传感器正朝着高精度、多功能、总线标 准化、高可靠性及安全性、开发虚拟

8、传感器和网络传感器、研制单片 测温系统等高科技的方向迅速发展。1、提高测温精度和分辨力在20世纪90年代中期最早推出的智 能温度传感器，采用的是8位A/D转换器，其测温精度较低，分辨力只 能达到1C。目前，国外已相继推出多种高精度、高分辨力的智能温 度传感器，所用的是旷12位A/D转换器，分辨力一般可达0. 50. 0625C o2、增加测试功能新型智能温度传感器的测试功能也在不断增 强。智能温度传感器正从单通道向多通道的方向发展，这就为研制和 开发多路温度测控系统创造了良好条件。智能温度传感器都具有多种 工作模式可供选择，主要包括单次转换模式、连续转换模式、待机模 式，有的还增加了低温极限扩

9、展模式，操作非常简便。对某些智能温度 传感器而言，主机（外部微处理器或单片机）还可通过相应的寄存器来 设定其A/D转换速率，分辨力及最大转换时间。智能温度控制器是在 智能温度传感器的基础上发展而成的。3、可靠性及安全性设计传统的A/D转换器大多采用积分式或逐 次比较式转换技术,其噪声容限低，抑制混叠噪声及量化噪声的能力 比较差。新型智能温度传感器普遍采用了高性能的工-式A/D转换 器，它能以很高的采样速率和很低的采样分辨力将模拟信号转换成数 字信号，再利用过采样、噪声整形和数字滤波技术，来提高有效分辨 力。E-A式A/D转换器不仅能滤除量化噪声，而且对外围元件的精 度要求低。三、半导体温度传感

10、器测温原理及其关键技术硅基IC电路中，可实现温度传感功能的元器件主要有集成电阻 器、二极管、双极晶体管、MOS晶体管。当然,还有各种利用MEMS工 艺制造的热敏电阻器、热电偶等，但目前基本上还与CMOS工艺不兼 容。1、双极晶体管温度传感器二极管的电流包括扩散电流和耗尽层、表面层里的产生复合电流, 后者在双极晶体管的基极互相抵消，所以，正向偏置的双极晶体管的 集电极电流IC基本上都是纯扩散电流,若利用高精度电流源，令2个 匹配晶体管的集电极电流相同，AVBE将和绝对温度成正比。但这样 得到的温度电压曲线起点是绝对零度，对于-50150C的测温范围， 电压输出不是05V,对于后端A/D来说,需要

11、额外的电平移动电路。 通过构造Vf=aVptat-VBEl和Vref=VBEl+aVptat可以得到任意的过零 点TZ以及几乎不随温度变化的恒压源。采用BJT的优点是低成本、 长期稳定性、高灵敏度、可预测性较高，以及相关温度的时间非依赖 性。缺点是受自生成熟、工艺容差的影响，以及热循环后信号有小漂 移和小数量级的非线性。为了工艺兼容，需要采用寄生三极管技术实 现,主要有2种结构:纵向双极晶体管，横向双极晶体管。2、CMOS温度传感器利用CMOS构建温度传感器一般有2种途径。其一是利用MOS管 的亚阈值区构造MOS管的PTAT,灵敏度可达1. 32mV/C,但对偏置源的 依赖有100mV/V,且

12、高温下会产生漏电，因对阈值电压VT依赖大，在高 性能要求时，必须有大范围的微调和校准,不具备长期稳定性;另一途 径是通过强反型状态下,MOS管的载流子迁移率U与VT和温度的关 系加以测量。基于此有5种设计方案：即只基于卩随温度的改变;只 基于VT随温度的改变；同时考虑VT和卩2个变量;利用MOS器件的零 温度系数点，以及利用逻辑门延时随温度增加的原理来构建的数字环 振。CMOS温度传感器和基于寄生BJT的温度传感器相比的主要优势 在于模型精确，受封装影响小，在AC电源下衬底漏电小，且占用芯片 面积小等优势，但其主要的缺点是受工艺波动的影响要大于后者，所 以,产业界目前仍普遍采用CVBT技术。3、半导体温度传感器输出方式采用模拟输出的温度传感器需要外加线性化电路及校 准，因此，会使成本增加。而数字化接口或频率输出能使性能更可靠， 即使在量产时仍能保持其精确度。频率输出通常采用的方法是做一个 环形振荡器或张驰振荡器。前者会受VDD变化的影响,而后者理论上 与VDD无关。两者都基于相同的原理，通过对电容器的充放电产生振 荡，充放电电流来源于某个温度敏感元件。为了数字接口输出，有通过 片上计数器实现，其主要缺点是面积大;另一种方案是采用片上集成 A/D,然后，通过I2C等总线协议输出。结论温