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1、准谐振反激的原理、应用及参数计算时间：2010-09-07 17:23:42 来源： 作者：如果不用固定的时钟来初始化导通时间，而利用检测电路来有效地感测” MOSFET(VDS)漏源电压的第一个最小值或谷值，并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于 寄生电容被充电到最小电压，导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关(ValleySwitchi ng)或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、 应用及参数计算方面的知识。准谐振QRQ(Quasi)R( resonant)主要是降低 mosfet的开关损耗，而 mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电 容

2、。O从上图中，大家可以讨论一下，一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产 生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内，寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时， 寄生电容会通过 MOSFET放电，产生很大的电流尖峰。 由于这 个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压，该电流尖峰因此会做成开关损耗。从上面的图可以看到，准谐振跟一般的传统反激原理基本一样。 Lleak是初级漏感，Rp是初级电阻，Cp是谐振电容；Voslf当副边绕组中的能量释放完毕之后（即变压器磁通完全复位），在开关管的漏极出现正弦波振荡电压，振荡频率由LP、CP决定，衰减因子由 RP决定。对于传统的反激式变换器，其工作频率是固定的，

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