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文档简介

1、模电总结复习模拟电子技术根底Document serial number NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108 模电复习资料第一章半导体二极骨半导体的根底知识1. 半导体一导电能力介于导体和绝缘体之间的物质如硅Si、猪Ge。2. 特性-一光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体一一纯洁的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子一一带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体一一在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。 杆型半导体: 在本征半导体中掺入微啟的三价元素多子是空穴,少子是电子。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量

2、的五价元素多子是电子,少子是空穴。6. 杂质半导体的特性载流子的浓度-一多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻-一通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-一通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN 结*PN结的接触电位差硅材料约为铐材料约为* PN结的单向导电性-一正偏导通,反偏截止。8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性正向导通,反向截止。*二极管伏安特性一同PN结。*正向导通压降硅管错管二*死区电压硅管,猪管。3. 分析方法将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设V V正偏,二极管导通短路;假设Vro 直流等效电路法*总

3、的解题手段一一将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设V阳刃阴正偏,二极管导通短路;假设V阳宀阴反偏,二极管截止开路。*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路第二章三极管及其根本放大电路一.三极管的结构、类型及特点*稳压二极管的特性-一正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二 极管在电路中要反向连接。理想模爪1.类型一分为NPN和PNP两种。2. 特点-一基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种根本组态2. 三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数说明三极管是电流控

4、制器件式子 /ceo= (1+AVcbo称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-一同二极管。*输出特性曲线饱和管压降,用血表示放大区发射结正偏,集电结反偏。截止区-一发射结反偏,集电结反偏。4. 温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。温度升高&、心。、以及0均增加.三. 低频小信号等效模型简化厶厂一输出端交流短路时的输入电阻,常用片表示;h厂一输出端交流短路时的正向电流传输比, 常用B表示;四. 根本放大电路组成及其原那么1. VT、匕、朮、朮、G、G的作用。2. 组成原那么一一能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念一直流电流通的回路。

5、*画法一电容视为开路。*作用一确定静态工作点*直流负载线一由VdleRc+Uc确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1改变兄:4点将沿直流负载线上下移动。2改变爪:点在忌所在的那条输出特性曲线上移动。3改变Kc:逍流负载线平移,4点发生移动。2. 交流通路与动态分析*概念交流电流流通的回路 *画法一电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用一分析信号被放大的过程。*交流负载线-一连接Q点和点=仏q+MJ的 直线。3. 静态工作点与非线性失真1截止失真*产生原因0点设置过低 *失真现象一NPN管削顶,PNP管削底。*消除方-一减小局,提高G(2)饱和失真*产生原因一0点设宣过商*失真现象NP

6、N管削底,PNP管削顶。*消除方法一增大屁减小*S增大以。4放大器的动态范围(1) PP是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2) 范围*当(心一妞) ($ )时,受截止失真限制,U4U2M。*当 g-UQ V (咯丿一滋)时,受饱和失真限制,U2U“2 g-UQ。*当 g_UQ =(农 一心),放大器将有最大的不失真输出电压。六. 放大电路的等效电路法1. 静态分析(1) 静态工作点的近似估算(2) 。点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足& Rc ox放大电路的动态分析放大倍数*输入电阻输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1. 静态分析2. 动态分析*电压放大倍数

7、在屁两端并一电解电容a后输入电阻在&两端并一电解电容比后*输出电阻A.共集电极根本放大电路1. 静态分析2. 动态分析*电压放大倍数*输入电阻*输出电阻3. 电路特点(a)基木共射放大电路(b)直流通路3皿电极根本放大电路射极跟随*电压放大倍数为正,且略小于1,称为 器,简称射随器。*输入电阻高,输出电阻低。第三章场效应管及其根本放大电路一. 结型场效应管(JFET )1. 结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线可变电阻区、放大区、截止区、击穿区 转移特性曲线a截止电压二. 绝缘栅型场效应管MOSFET分为增强型EMOS和耗尽型DMOS两种。 结构示意图和电路符号2. 特性曲线N-EMOS的输

8、出特性曲线 /f in-ivAz 窃r /册和区-2vjz区r?-3V/h-4V丹小V佃/mA /dss预夹断轨迹o 磁止 X Wds=dsi输出待性= “DM rD DO 1 CS T* N-EMOS的转移特性曲线1 T式中,几是妇22时所对应的几值。* N-DMOS的输出特性曲线注意;血可正、可零、可负。转移特性曲线上,产0处的值是夹断电压U,此曲线表示式与结 型场效应管一致。三. 场效应管的主要参数1漏极饱和电流-ZDSS2. 夹断电压3. 开启电压4. 直流输入电阻屆5. 低频跨导& 说明场效应管戏电压控制器件四. 场效应管的小信号等效模型细牛学-1E-MOS 的跨导&一-T C T五

9、. 共源极根本放大电路1. 自偏压式偏置放大电路*静态分析动态分析假设带有诊,那么2. 分压式偏置放大电路*静态分析动态分析假设源极带有心,那么Iu=mL六共漏极根本放大电路*静态分析或CT*动态分析第四章多级放大电路c微变等效电路级间耦合方式1. 阻容耦合-一各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,本钱低。但不 便于集成,低频特性差。2. 变圧器耦合一-各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。体积大,本钱奇,无法采 用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。3. 直接耦合-低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响。存在“零点 漂移现象。*零点漂移一-当温度变化或电源

10、电压改变时,静态工作点也随之变化,致使8偏离初 始值“零点而作随机变动。二. 单级放大电路的频率响应1. 中频段(HW/丹)波特图幅频曲线是201gi4usm=常数,相频曲线是4=-180o2. 低频段(f W/L)4. 完整的根本共射放大电路的频率特性响应分爪式共射电路低频段泡合斤琴数等效电路三. 分压式稳定工作点电路的频率1. 下限频率的估算2. 上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图3CE功放电路的工作状态第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1. 甲类工作状态导通角为360,大,管耗大,效率低。2. 乙类工作状态怡0,导通角为180,效率高,

11、失真大。3. 甲乙类工作状态导通角为180360,效率较髙,失真较大。二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态任意状态:尽限状态:妝-血理想状态:,om om2.输出功率 亠3. 宜流电源提供的平均功率4管耗P 一 人 11】=2儿产 0.4/m5效率一 A . 叭.% ij ,2【曲的九4J&理想时为三. 甲乙类互补对称功率放大电路1. 问题的提出在两管交替时出现波形失真一一交越失真本质上是截止失真2. 解决方法甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL一利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏 置电压。动态指标按乙类状态估算。甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL一电容G上静态电压为Kc/2,并且

12、取代了 OCL功放中的负电源-氏。动态指标按乙类状态估算,只是用M2代替。四. 复合管的组成及特点1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2. 类型取决于第一只管子的类型。3. 0, B 彳第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的根本组成1. 输入级采用差放电路,以减小寥漂。2. 中间级多采用共射或共源放大电路,以提高放大倍数。3. 输出级多采用互补对称电路以提高带负報能力。4. 偏貿电路一一多采用电流源电路,为各级提供适宜的静态电流。二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制寒点漂移的过程当 T 2ct id t -* JeiN lu t -* 14 t 血I、Ite 4 -*

13、 iu、in I -* ia、2d I .Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反应电阻。2静态分析1计算差放电路厶设弘心0,那么炉一,得竹/2 + 2傀2计算差放电路弘 双端输出时. CEl = UcE2 = C E = CC cRe +-单端输出时设yTi集电极接Q 对于VTl:对于VT2:3.动态分析1差模电压放大倍数-双端楡出Aid= 41=-队 RJIRJ2&+金+1+似州/2、卜边差模交流通路单端输出时 从VT1单端输出: 从VT2单端输出:2差模输入电阻心广2他+(1 + 0)牛双端输出:儿沪2心集成运放的电斥传输特性3差模输出电阻单端输出:“dlc三. 集成

14、运放的电压传输特性当s在+孟与弋之间,运放工作在线性区域:四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征*开环电压放大倍数Xodf 8;差模输入电阻/ad-;*输出电阻“一0;共模抑制比ACMR8;2. 理想集成运放的分析方法1运放工作在线性区:*电路特征一一引入负反应*电路特点一一 “虚短和“虚断:/+=.“虚短 一-/+=/- =0“虚断2运放工作在非线性区*电路特征一一开环或引入正反应电路特点输出电压的两种饱和状态:当uu时,片+乩当时,两输入端的输入电流为寥:j.=j.=O第七章放大电路中的反应-反应概念的建立开环放大倍数4*闭环放大倍数A f夫反应深度1+AF*环路增

15、益A Ft1. 当AF 0时,4/下降,这种反应称为负反应。2. 当AF= 0时,说明反应效果为零。3. 当AF 00反村求利运臬电帑:i根本微分电路氏眾同相求和运算电路4F = 1|xf|=iaf=2/ (/=0 L 2)M1卩af=2帧弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成1放大电路建立和维持振荡。2正反应网络一一与放大电路共同满足振荡条件。3选频网络以选择某一频率进行振荡。4稳帼环节使波形帼值稳定,且波形的形状良好。*正弦波振荡器的分类 应振荡器振荡频率较低,1M以下; ZT振荡器振荡频率较高,1M以上;3石英晶体振荡器一一振荡频率高且稳定。二. 盛正弦波振荡电路a文氏电桥振荡器电路电

16、路1. 鹿串并联正弦波振荡电路1. 彩移相式正弦波振荡三. ZT正弦波振荡电路1. 变压器耦合式ZC振荡 判断相位的方法:断回路、引输入、看相位2. 三点式ZC振荡器*相位条件的判断“射同基反或“三步曲法1电感反应三点式振荡器哈特莱电路2电容反应三点式振荡器考毕兹电路3串联改良型电容反应三点式振荡器克拉泼电路4并联改良型电容反应三点式振荡器西勒电路51. 并联型石英晶体振荡器2. 串联型石英晶体振荡器第十章直流电源 直流电源的组成框图 电源变压器:将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压。 -整流电路:将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。 滤波电路:将交流成分滤掉,使输出电压成为比拟平滑的直流电压。 稳压电路:自动保持负载电压的稳定。G电路图1.输出电压的平均值弘的2. 输出电压的脉动系数S3. 正向平均电流厶财4. 最大反向电压弘三. 单相全波整流电路1. 输出电压的平均值弘刚2. 输出电压的脉动系数S3. 正向平均电流厶他4. 最大反向电压四.

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