电子材料及元器件6.1

1、company logo第6章 电介质材料v电介质除了绝缘特性而外，主要是指在较电介质除了绝缘特性而外，主要是指在较弱电场下具有极化能力并能在其中长期存弱电场下具有极化能力并能在其中长期存在电场的一种物质。在电场的一种物质。 v与金属不同，电介质内部没有电子的共有与金属不同，电介质内部没有电子的共有化，不存在自由电子，只存在束缚电荷，化，不存在自由电子，只存在束缚电荷，它是通过极化过程来传递和记录电子信息；它是通过极化过程来传递和记录电子信息；与此同时，伴随着各种特征的能量损耗过与此同时，伴随着各种特征的能量损耗过程。程。v因此电介质能够以感应而并非传导的方式因此电介质能够以感应而并非传导的方

2、式来传递电磁场信息。来传递电磁场信息。 company logov近年来，由于信息技术的迅速发展，电介近年来，由于信息技术的迅速发展，电介质材料在压电，铁电，热释电特性方面的质材料在压电，铁电，热释电特性方面的研究领域取得了十分可喜的研究成果；使研究领域取得了十分可喜的研究成果；使其在光电、电声、磁电、及湿度、温度、其在光电、电声、磁电、及湿度、温度、气体等传感技术等方面的应用得到了很快气体等传感技术等方面的应用得到了很快发展，从而成为一种十分重要的信息功能发展，从而成为一种十分重要的信息功能材料。材料。36.1电容器介质材料v静电电容器的基本结构由两个平行的导电极板静电电容器的基本结构由两个

3、平行的导电极板和充于其间的电介质组成。和充于其间的电介质组成。v当在电容的极板上施加电场以后，由于电介质当在电容的极板上施加电场以后，由于电介质的极化，使束缚电荷在两极板上积累而贮存电的极化，使束缚电荷在两极板上积累而贮存电能，因此称为电容器。能，因此称为电容器。 v直流电就无法通过电容器，从而具有隔直功能；直流电就无法通过电容器，从而具有隔直功能；而交流电则能以充放电的形式通过电容器。而交流电则能以充放电的形式通过电容器。v电容器在电子电路中具有滤波、耦合及电源的电容器在电子电路中具有滤波、耦合及电源的功能。功能。v电容器种类繁多，特性各异，其中主要是电介电容器种类繁多，特性各异，其中主要是

4、电介质材料起关键作用。质材料起关键作用。 company logov电介质材料主要分为两类：即绝缘材料，如电介质材料主要分为两类：即绝缘材料，如纸、玻璃、陶瓷、云母、有机薄膜等；与在纸、玻璃、陶瓷、云母、有机薄膜等；与在铝、钽、铌等阀金属表面生成的介电氧化膜铝、钽、铌等阀金属表面生成的介电氧化膜等。等。 v近年来研究发展的一种超大容量离子电容器，近年来研究发展的一种超大容量离子电容器，如双电层电容器及赝电容器，如双电层电容器及赝电容器， 其中不存在通其中不存在通常所说的常所说的“电介质电介质”，而是，而是“电解质电解质”（可（可为液体电解质，也可为为液体电解质，也可为“固体电解质固体电解质”，

5、或，或称称 “快离子导体快离子导体”)。v在外电场的作用下，由于离子的迁移形成双在外电场的作用下，由于离子的迁移形成双电层，或在电解质电极界面产生欠电位沉电层，或在电解质电极界面产生欠电位沉积等电化学作用而形成电容。积等电化学作用而形成电容。 company logov电容器的电介质材料主要要求电容器的电介质材料主要要求: 介电系数介电系数值尽可能高值尽可能高 ； 尽可能低的损耗角正切尽可能低的损耗角正切(tan)值；值； 高的绝缘电阻值；高的绝缘电阻值； 高的击穿电场强度高的击穿电场强度 。company logo6.1.1纸电介质及其浸渍材料v纸电容器是电容器的主要类型之一，使用纸电容器是

6、电容器的主要类型之一，使用较早，用量很大。较早，用量很大。 v电容量值及工作电压范围较宽，通常为电容量值及工作电压范围较宽，通常为470pf-30f，63v-1500v。v高压纸电容器耐压值高达（高压纸电容器耐压值高达（30-40）kv。v电容器纸以硫酸盐木质纤维素为主要原料。电容器纸以硫酸盐木质纤维素为主要原料。v经抄纸，烘干，压光等工艺制成。经抄纸，烘干，压光等工艺制成。v它质地密实，厚薄均匀，目前国内可生产它质地密实，厚薄均匀，目前国内可生产（422）m纸，与国际水平相当。纸，与国际水平相当。 company logo1.电容器纸的结构和特性电容器纸的结构和特性 v电容器纸由无纺植物纤维

7、素和空气隙交替电容器纸由无纺植物纤维素和空气隙交替分布构成。分布构成。v纤维素为天然高分子物质，分子式为纤维素为天然高分子物质，分子式为（c6h10o5）n。聚合度。聚合度n2000。v纤维素纤维素6.5，并伴随着较高的，并伴随着较高的tan值。值。v由于电容纸中有较大气孔率，所以由于电容纸中有较大气孔率，所以200v/)及研究其在工作过程中的电化学过程机理，及研究其在工作过程中的电化学过程机理，达到改善在高温和高场强长期工作时的老化达到改善在高温和高场强长期工作时的老化问题。问题。 v极性有机电介质品种繁多，其中最常见的有极性有机电介质品种繁多，其中最常见的有对苯二甲酸乙酯，聚碳酸酯，聚酰聚

8、胺等。对苯二甲酸乙酯，聚碳酸酯，聚酰聚胺等。 company logo6.1.3电解电容器介质v电解电容器的比率电容量是各种电容器中电解电容器的比率电容量是各种电容器中最高的。其电容率上限可达最高的。其电容率上限可达(300-500)f/cm3，标称容量可达法拉级，标称容量可达法拉级，加之其结构、工艺与电特性与其它类型电加之其结构、工艺与电特性与其它类型电容器明显不同，其用量已占整个电容器的容器明显不同，其用量已占整个电容器的30-40。v电解电容器介质并不是分离存在的，它是电解电容器介质并不是分离存在的，它是通过电化学方法在阀金属上生成的氧化膜通过电化学方法在阀金属上生成的氧化膜薄层，其厚度

9、为薄层，其厚度为(0.01-1.5)m。company logov电解电容器介质并不是分离存在的，它是通电解电容器介质并不是分离存在的，它是通过电化学方法在阀金属上生成的氧化膜薄层，过电化学方法在阀金属上生成的氧化膜薄层，其厚度为其厚度为(0.01-1.5)m。v由于该氧化膜介质具有单向导电性，反向连由于该氧化膜介质具有单向导电性，反向连接时由于电导率大大增加，因电容器通过电接时由于电导率大大增加，因电容器通过电流过大而使元件损坏，所以具有极性。流过大而使元件损坏，所以具有极性。v电容器在工作过程中，电解质能自动修补或电容器在工作过程中，电解质能自动修补或隔离氧化膜疵点，从而加强和恢复绝缘能力

10、，隔离氧化膜疵点，从而加强和恢复绝缘能力，提高工作电场强度，称为提高工作电场强度，称为“自愈特性自愈特性” 。v作为电极的金属，因在电解槽中形成的氧化作为电极的金属，因在电解槽中形成的氧化膜具有单向导电性，故被称为膜具有单向导电性，故被称为“阀金属阀金属”，如铝、钽、铌等。如铝、钽、铌等。company logov阀金属在电解过程中乃至在工作时接正极，为阀金属在电解过程中乃至在工作时接正极，为元件的阳极。为了使电容量值进一步加大，常元件的阳极。为了使电容量值进一步加大，常将阀金属活化将阀金属活化-进行腐蚀。进行腐蚀。v电解电容器的另一电极为与氧化膜相接触的电电解电容器的另一电极为与氧化膜相接触

11、的电解质（一般为液体或半液体）称为阴极。因为解质（一般为液体或半液体）称为阴极。因为电解质与氧化膜能良好接触，从而具有较高的电解质与氧化膜能良好接触，从而具有较高的击穿电场强度。击穿电场强度。v其阳极材料通常为铝、钽、铌，电介质则为上其阳极材料通常为铝、钽、铌，电介质则为上述阀金属的氧化物膜。述阀金属的氧化物膜。v阳极的结构形式可为箔式、烧结式和丝式等。阳极的结构形式可为箔式、烧结式和丝式等。 company logov而作为阴极的电解质可为液体、半液体（糊而作为阴极的电解质可为液体、半液体（糊状物）或固体。状物）或固体。 1.箔式铝电解电容器氧化膜介质箔式铝电解电容器氧化膜介质v通过电化学方

12、法在阀金属阳极表面生长氧化通过电化学方法在阀金属阳极表面生长氧化膜电介质的过程称为膜电介质的过程称为“形成”。v氧化膜的结构和特性与阀金属电解液的组氧化膜的结构和特性与阀金属电解液的组合相关。合相关。v对于铝而言，电解电容器的对于铝而言，电解电容器的al2o3膜主要是：膜主要是：不含水的无定形不含水的无定形al2o3，立方晶型的，立方晶型的 al2o3，水合氧化铝水合氧化铝al(oh)3及多孔性及多孔性al2o3。 company logov非固体铝电解电容器氧化膜结构示意图非固体铝电解电容器氧化膜结构示意图company logo2.固体钽电解电容器钽氧化膜结构及晶化v固体钽电解电容器其比容

13、更大，性能优异，固体钽电解电容器其比容更大，性能优异，结构形式多样，易于制成适宜自动组装的结构形式多样，易于制成适宜自动组装的小型或片式元件。小型或片式元件。v目前主要有烧结型固体，烧结型液体及箔目前主要有烧结型固体，烧结型液体及箔形卷绕固体等三种型式。形卷绕固体等三种型式。v其中烧结型固体钽电解电容器占目前生产其中烧结型固体钽电解电容器占目前生产总量的总量的90。 company logov固体钽电容器是将钽粉加粘合剂后压制成固体钽电容器是将钽粉加粘合剂后压制成块，在真空中（块，在真空中（6.510-3pa）经）经350左右左右预烧除去粘合剂，再于预烧除去粘合剂，再于1600-2050高温下

14、高温下烧结，使压块纯化、强度增加，使其成为烧结，使压块纯化、强度增加，使其成为具有合适孔隙的多孔体。具有合适孔隙的多孔体。v形成（或赋能）则是用电化学方法在烧结形成（或赋能）则是用电化学方法在烧结钽块多孔表面生长一层作为电介质的氧化钽块多孔表面生长一层作为电介质的氧化膜膜 。v选用选用h3po4、h2so4、hno3作为形成电解作为形成电解液。然后再用高温热分解被复液。然后再用高温热分解被复mno2作为第作为第二电极（对面电极），涂石墨，喷金作为二电极（对面电极），涂石墨，喷金作为集电极，最后进行装配、老练和检测。集电极，最后进行装配、老练和检测。company logov在钽阳极上形成的氧化

15、膜是无定形的在钽阳极上形成的氧化膜是无定形的ta2o5。如。如采用采用h3po4电解液，氧化钽膜由三层组成。电解液，氧化钽膜由三层组成。v即靠近电解液侧为有即靠近电解液侧为有p存在的存在的ta2o5，p离子有离子有保护膜的作用。中间为不存在保护膜的作用。中间为不存在p的均匀的均匀ta2o5，而靠阴极一侧为金属过剩型而靠阴极一侧为金属过剩型ta2o5，其中金属离，其中金属离子为带正电荷的填隙离子。子为带正电荷的填隙离子。v由于无定形由于无定形ta2o5膜具有均匀结构，性能优良。膜具有均匀结构，性能优良。v当无定形膜上出现部分当无定形膜上出现部分“晶化晶化”现象时，在结现象时，在结晶区与无定形区间

16、界会出现细微的裂纹，影响晶区与无定形区间界会出现细微的裂纹，影响介电性能。介电性能。company logov陶瓷电容器的用量约占整个电容器的陶瓷电容器的用量约占整个电容器的40左左右，相当于铝电解和钽电解电容器的总和。右，相当于铝电解和钽电解电容器的总和。 v陶瓷电容器的介质称为陶瓷电容器的介质称为“介电陶瓷介电陶瓷”，具有，具有以下优点：以下优点： 介电系数值高，且变化范围大。 串联电感小，介质损耗低，在相当高的频段仍具有优越的电容特性。 陶瓷电介质与高稳定电极ag、pt、pd等材料高温烧结相容，具有高强度结构和高可靠性，耐高工作温度。本身不仅作为电介质，同时作为基体和支承结构。6.1.4

17、陶瓷电容器介质company logo具有高电阻率，高耐电强度。 介电陶瓷的种类繁多，本节从实用角度对介电陶瓷的种类繁多，本节从实用角度对介电陶瓷的特性将其分为四类：介电陶瓷的特性将其分为四类：v高频温度补偿型介电陶瓷（高频温度补偿型介电陶瓷（型）型）v高频温度稳定型介电陶瓷（高频温度稳定型介电陶瓷（型）型）v低频高介电系数型介电陶瓷（低频高介电系数型介电陶瓷（型）型）v半导体介电陶瓷（半导体介电陶瓷（型）型）company logov在高频振荡回路中，由于电感器及电阻器在高频振荡回路中，由于电感器及电阻器通常具有正温度系数，为了保持回路谐振通常具有正温度系数，为了保持回路谐振频率的稳定性，则

18、要求电容器介质具有负频率的稳定性，则要求电容器介质具有负温度系数。温度系数。v但在其它场合应用中，有时也要求正温度但在其它场合应用中，有时也要求正温度系数。系数。v这种陶瓷介质一般具有中低值介电系数，这种陶瓷介质一般具有中低值介电系数，为非铁电类陶瓷。为非铁电类陶瓷。v但要求温度系数值稳定，特别在高频及较但要求温度系数值稳定，特别在高频及较高温度时介质损耗低。高温度时介质损耗低。 1.高频温度补偿型介电陶瓷高频温度补偿型介电陶瓷company logov其其tc值为（值为（+190-4.7） 10-，工作频，工作频率范围为率范围为1khz-50ghz，稳定性应优于，稳定性应优于(0.05-1.

19、00)，介质损耗低于，介质损耗低于2 10-4。v常用的这类电介质有常用的这类电介质有mgtio3、casno3、al2o3、mgo等，但介电系数较低，等，但介电系数较低，=1018，热稳定性较差。热稳定性较差。 v目前较有前途的是目前较有前途的是mgo-la2o3-tio3体系瓷和体系瓷和catio3、srti3和和mgtio3、latio3复合瓷，复合瓷，现已形成了温度补偿值的全系列。现已形成了温度补偿值的全系列。 v表表6.3.1列出了常见温度补偿型电容器陶瓷的介列出了常见温度补偿型电容器陶瓷的介电特性。电特性。 company logov常见温度补偿型电容器陶瓷的介电特性常见温度补偿型

20、电容器陶瓷的介电特性company logo.高频温度稳定型介电陶瓷高频温度稳定型介电陶瓷v电子电路的主要功能之一是获得精确的谐电子电路的主要功能之一是获得精确的谐振点，这便要求电容器介质材料的振点，这便要求电容器介质材料的值高度值高度稳定。稳定。v比如当谐振频率在比如当谐振频率在100khz的温度范围內要的温度范围內要求稳定在求稳定在0.1以内时，以内时，tc值则应低于值则应低于10 10-6/，这便要求高频温度稳定型介电陶，这便要求高频温度稳定型介电陶瓷，其主要特点是瓷，其主要特点是tc值很低甚至接近于零。值很低甚至接近于零。v常见的有常见的有mgtio3，casno3等体系。等体系。 c

21、ompany logov有时为了寻求理想的有时为了寻求理想的tc和低和低tan值，还可值，还可采用复合固溶体的方法来满足。采用复合固溶体的方法来满足。v如如pbzro3的的r=110，tc=-1400/，tan=28 10-，casitio3的的r=45，tc=1200/，tan=5 10-。v当两种介质按适当比例混合后，可获当两种介质按适当比例混合后，可获tc，r=60-70，tan值也很低的高频温度稳值也很低的高频温度稳定型介电陶瓷。定型介电陶瓷。 company logo 3.低频高介型介电陶瓷低频高介型介电陶瓷v这种介电陶瓷，介电系数可高达这种介电陶瓷，介电系数可高达4000-8000

22、，在滤，在滤波，旁路，稳压，整流及交流断路器中广泛使用。波，旁路，稳压，整流及交流断路器中广泛使用。v这类瓷料不仅要求这类瓷料不仅要求值高，而且要求温度稳定好，值高，而且要求温度稳定好，居里点应在工作温度范围内，且能方便地被调整。居里点应在工作温度范围内，且能方便地被调整。v主要材料有主要材料有batio3系，系，srtio3和反铁电系三类。和反铁电系三类。v batio3是最主要的高介材料，由于在某一温度范是最主要的高介材料，由于在某一温度范围内具有自发式极化，极化强度随电场反向而反围内具有自发式极化，极化强度随电场反向而反向，具有与铁磁回线相仿的电滞回线，从而被称向，具有与铁磁回线相仿的电

23、滞回线，从而被称为为“铁电体铁电体”。company logovbatio3具有钙钛矿型结构，为了使之能在中具有钙钛矿型结构，为了使之能在中高压电路中广泛使用，可通过等价离子置换进高压电路中广泛使用，可通过等价离子置换进行掺杂改性。行掺杂改性。 vsrtio3系介质则较系介质则较batio3系具有更优越的介系具有更优越的介电特性。电特性。v其居里点为其居里点为-250，在常温下为顺电体结构。，在常温下为顺电体结构。v在在30kv/cm电场强度以下，仍未引起电畴的电场强度以下，仍未引起电畴的转动，继续保持转动，继续保持p=f(e)的线性关系。的线性关系。vsrtio3不象不象batio3，在直流

24、电场作用下产生，在直流电场作用下产生值的跌落。在直流偏压作用下，特别是引入少值的跌落。在直流偏压作用下，特别是引入少量量catio3后，后，值会随偏压增加而增大。值会随偏压增加而增大。company logovsrtio3在较高的直流电场下在较高的直流电场下tan值始终未见值始终未见增加，不象增加，不象batio3因此而导致热击穿。因此而导致热击穿。v因而成为较为理想的中、高压高介瓷料。因而成为较为理想的中、高压高介瓷料。v反铁电体介质具有与铁电体某些相似之处，反铁电体介质具有与铁电体某些相似之处，如晶体结构与同型铁电体相近，在相变温度如晶体结构与同型铁电体相近，在相变温度以上，介电系数与温度

25、关系服从居里以上，介电系数与温度关系服从居里-外斯外斯定律。定律。v但由于电畴中的离子沿相反方向发生自发式但由于电畴中的离子沿相反方向发生自发式位移，因而每个电畴中存在两个相反方向的位移，因而每个电畴中存在两个相反方向的自发极化强度，从而不存在剩余极化，及与自发极化强度，从而不存在剩余极化，及与此相关的电滞回线，但具有热释电效应与压此相关的电滞回线，但具有热释电效应与压电效应。电效应。company logov通常反铁电体在高温下为顺电相，而在相通常反铁电体在高温下为顺电相，而在相变温度以下，则成为对称性较低的反铁电变温度以下，则成为对称性较低的反铁电相。相。v最早发现的反铁电材料为具有钙钛矿

26、结构最早发现的反铁电材料为具有钙钛矿结构的锆酸铅（的锆酸铅（pbzro3），此外还有），此外还有plzt系系材料，其通式为材料，其通式为pb1-x lax(zryti1-y)1-x/4o3，具有较高的介电系数和绝缘强度。具有较高的介电系数和绝缘强度。 company logov(pb0.78la0.11ba0.07ag0.02bi0.02)(zr0.64ti0.35)o3，该介质，该介质2000，tan（525） 10-4），），tc150010-6（-+125），），v以及掺以及掺a的的b(zr，tisn)o3。 company logo4.半导体型介电陶瓷半导体型介电陶瓷v半导体瓷主要是在

27、强介瓷半导体瓷主要是在强介瓷batio3的基础上，的基础上，经过掺杂发展起来的。经过掺杂发展起来的。v纯纯batio3室温下的禁带宽度室温下的禁带宽度f=3ev，通常，通常电阻率电阻率1012cm，属于绝缘体范围。，属于绝缘体范围。v通过掺杂等半导化工艺，室温电导率可下通过掺杂等半导化工艺，室温电导率可下降为（降为（10-104）cm，成为一种半导体。，成为一种半导体。v半导化工艺有半导化工艺有 三种：三种：company logo(1)施主掺杂施主掺杂v掺杂微量离子半径与掺杂微量离子半径与ba2+或或ti4+相近，但电价相近，但电价较高的杂质离子，如较高的杂质离子，如la3+，sm3+，ce

28、3+，ga3+，bi3+或或nb5+，ta6+，sb5+等施主杂质从而构成等施主杂质从而构成了了n-型半导体型半导体 。 (2)强制还原强制还原 v当当batio3陶瓷在真空、惰性或还原气氛中烧陶瓷在真空、惰性或还原气氛中烧结或热处理时，由于失氧而导至瓷体半导化的结或热处理时，由于失氧而导至瓷体半导化的产生。产生。 v氧离子缺位带正电，为了保持晶格结构的电中氧离子缺位带正电，为了保持晶格结构的电中性，部分性，部分ti4+离子俘获弱系电子而还原为离子俘获弱系电子而还原为ti3+ 。company logov电子可在部分电子可在部分ti4+与与ti3+间交换，使间交换，使batio3成为成为半导体

29、。半导体。 (3)io2(al2o3)掺杂掺杂v在生产中在生产中batio3的半导化是通过的半导化是通过io2(al2o3)掺掺杂来进行的。杂来进行的。vbatio3原料中常含有有害的受主杂质，如原料中常含有有害的受主杂质，如e、cu、zn等。会对施主掺杂产生的补偿作用，不等。会对施主掺杂产生的补偿作用，不利于半导化的实现。利于半导化的实现。v引入引入io2，在较高反应温度下，可与受主杂质，在较高反应温度下，可与受主杂质形成硅酸盐玻璃相，便能消其对半导化的不利影形成硅酸盐玻璃相，便能消其对半导化的不利影响。响。v另外，另外，sio2本身不会与本身不会与batio3产生化学作用。产生化学作用。c

30、ompany logoval2o3的引入也对的引入也对batio3的半导化有促进作用。的半导化有促进作用。v半导化陶瓷作为电容器介质而言，是利用其外半导化陶瓷作为电容器介质而言，是利用其外表面或晶界层形成的绝缘层作为电介质的，其表面或晶界层形成的绝缘层作为电介质的，其实际厚度大约为实际厚度大约为batio3基体厚度的基体厚度的1/50，所以，所以电容量值为一般陶瓷电容器的数十倍。电容量值为一般陶瓷电容器的数十倍。vbatio3半导化陶瓷电容器介质有三种类型：半导化陶瓷电容器介质有三种类型： 表面阻挡层型表面阻挡层型v阻挡层型介质是一种表面型介质。阻挡层型介质是一种表面型介质。v当半导体陶瓷表面

31、淀积一层金属，形成金属当半导体陶瓷表面淀积一层金属，形成金属-半半导体接触时，对于型半导体，如果金属的功导体接触时，对于型半导体，如果金属的功函数大于半导体功函数时，形成阻挡层接触。函数大于半导体功函数时，形成阻挡层接触。company logov这时半导体中的电子进入金属界面，形成这时半导体中的电子进入金属界面，形成正电荷积累的空间电荷区（即阻挡层），正电荷积累的空间电荷区（即阻挡层），同时产生自建电场并具有表面势垒。同时产生自建电场并具有表面势垒。v随着外加偏压极性和大小改变，空间电荷随着外加偏压极性和大小改变，空间电荷及势垒宽度发生变化，产生势垒电容效应及势垒宽度发生变化，产生势垒电容效

32、应（c=dq/dv），构成了阻挡层电容。），构成了阻挡层电容。 v这是一种低电压大容量电容器，比率容量这是一种低电压大容量电容器，比率容量为为0.1-1/cm2，耐压为，耐压为3-16v。company logov边界层型边界层型v边界层型介质则是一种晶界层型介质。边界层型介质则是一种晶界层型介质。v对于烧结对于烧结batio3半导瓷而言，由于杂质在晶界半导瓷而言，由于杂质在晶界中的扩散速率远大于晶粒内的速率，所以添加中的扩散速率远大于晶粒内的速率，所以添加剂或烧结气氛中的离子，可取道晶界扩散渗入剂或烧结气氛中的离子，可取道晶界扩散渗入瓷体中，在晶界上形成作为介质的氧化绝缘层。瓷体中，在晶界上形成作为介质的氧化绝缘层。v其绝缘电阻较高（其绝缘电阻较高（1010/cm2），额定工作），额定工作电压也较高（电压也较高（100v）。）。v还可在瓷体表面涂敷金属氧化物（如还可在