电子技术讲议

1、電子技術講議1二极體二极體（管）是電子電路中應用很廣泛的電子元件,本節介紹二极管的微觀特征，電學特性及簡單的電路應用.1.1二极體的微觀特征1) p-n 結制造半導體的常用材料為單晶硅和單晶錯，這種由單一的硅（或錯）原子構成的晶體 稱為本征半導ii.硅和錯都是四價元素，成晶體時每個原子外層的四個價電子都與鄰近的原子形成共價鍵的結構，示意r=ie3如下:處于共價健上的某些電子在接受外界能量后可以脫離共價鍵的束縛成為自由電子價電 子脫離束縛成為自由電子后該電子原來位置上會出現一個空位，這個空位稱為空穴，空穴 表示在該處缺少了一個電子.丟失電子的原子顯正電，稱為正離子，故在分析時信人空穴是一個帶正電

2、的粒子在 本征半導體內，自由電子和空穴是成對出現的，自由電子帶負電，空穴帶正電二者所帶電 量相等，符號相反自由電子和空穴都是載運電荷的粒子,稱為荷流子.自由電子和空穴在電場力的作用下產生定向運動，載流子在電場力作用下的定向運 動稱為漂移運動本征半導體內的電流就是由這樣兩種載流子的漂移運動形成的在本征 半導體內參與導電的粒子有兩種-自由電子和空穴.在本征半導體內,脫離共價鍵的電子成為自由電子后也可能填補某個代穴，使離子恢 復電中性,這個過程稱為復合.一般情況下本征半導體內的載流子數目有限，為增強它的導電性，可以在本征半導體 內摻雜，以提高導電能力向硅（或錯）單晶體內注入少量雜質元素后可使它的導電

3、性能提 高例如，向硅單晶體內注入五價的神（或磷）雜質元素后，注入的神原子在硅單晶內取代某 些硅原子的位置並與其它硅原子結成共價縫因神原子外層有五個價電子，因此每注入一 個神原子就會多余一個電子，如下圖而注入的神原子失去一個電子后就成為固定在晶格 中不能移動動的正離子.本征半導體注入五價原子越多半導體內的自由電子數也越多,導電性能得到改善.摻入五價雜質的半導體,其自由電子的數目要比空穴數目多出許多，載流子中自由電子占多數，空穴占少數這種多數載流子是自由電子的摻雜半導體稱為n型半導體用上b）表示，符號的意思是,每注入一個五價的神原子就會出現一個帶正電的離子和一個自由電子因此,n型半導體從總體上看仍

4、然是電中性的.為增強本征半導全的導電性，也可以向它注入三價元素的鋁（或硼）注入的鋁原子了 取代了某些硅原子的位置,如下圖a）所示，每注入一個鋁原子就會出現一個空穴,當鄰近 的價電子填補這個空穴后，使得注入的雜質原子成為帶負電的離子，同時出現一個空穴.本征半導體摻入三價元素的雜質后，多數載流子是空穴，自由電子是少數,多數載流子是 空穴的半導體稱為p型半導體,p型半導體的符號如圖b）所示，符號的意思昌每注入一個 三價鋁原子就會出現一個帶負電的離子和一個空穴同樣p型半導體從總體看仍然是電 中性的.2）pn結的形成當p型半導體和n型半導體通過物理，化學的方法有機的結為一體后，在兩種半導體 的交界處就形

5、成了 p-n結.p-n結具有非線性電阻的持性，可以制成整流元件，並且是構成 多種半導體器件的基礎.p-n結的形成與特性如下:當p型半導體與n型半導體共處一體后，在它們的交界處兩邊電子，空穴的膿度不同,n區多電子,p區多空穴，因此n型區內的電子要向p型區擴 散,p型區的空穴要向n型區擴散擴散首先是從交界面處開始的,n型區內的電子擴散到p型區后與空穴復合,n型區減少了電子,因此在n型區的一側出現了帶正電的粒子層，這層帶正電的粒子就是處于n型半導體共價鍵上失去一個自由電子的原子，它們是不能 移動的正離子同樣，在交界面p型區一側要出現帶負電的粒子層，隨著電子空穴的擴散, 交界面兩側帶電層逐漸增厚形成一

6、個空間電荷區，如下圖所示,n型區帶正電,p型區囊負空間電荷區產生后，在半導體內部出現內電場，內電場的方向從n區指向p區內電場 的出現使載流子在電場力的作用下要產生漂移運動,，內電場使得p型區內的電子返回n 型區當空間帶電區域比較薄時內電場較弱，載流子的擴散運動中于漂移運動，但隨著擴 散的過行，空間電荷區的厚度增加，內電場加強，使擴散運動減弱,漂移運動加強，最后將導 致載流子的擴散運動與漂運動達到動態平衡，即從n型區擴散到p型區的電子數目與從p型區漂移到n型區的電子數相等，通過交界面的淨載流子數目為零，這時空間電荷區的寛度不再增加空間電荷區內已不存在載流子，因而又稱這個空間為耗盡層.在半導體內部

7、出現的空間電荷區產生的內電場阻止多數載流子繼編擴散，稱這個囊 電區域為阻擋層或p-n結,p-n結具有單向導電性.1.2半導體二极體及其v-a特性半導體二极體的核心部分是一個p-n結在p-n結兩端加上電极引線和管殼就制成了 一個半導體二极管二极管的符號如下示,1）二极體的正向接法與反向接法正向接法:如果將電源的高電位接在二极管的p型區電极，低電位接在n型區電极, 如下圖，這種接法稱為二极管的正向接法.半導體二极管在正向接法下，外電場的方向與p-n結內電場方向相反,在正向電作用 下將使空間電荷區變薄，內電場減弱，這就使多數載流子的擴散運動強于漂移運動，多數 載流子能不斷地越過交界面，這些載流子在正

8、向電壓的作用下形成十极體的正向電流.關導體二极管加入正向電壓后內電場被削弱,因此管子的正向電壓uf較低，約1v左 右（大電流二极管超過1v,小電流二极管低于4v）,正向接法時二极管電流較大，因此管子 在正向導電時表現出的電阻較小.反向接法:如果將電源的高電位接在二极管n型區電极，低電位接在p型區電极，這種 接法稱為二极管的反向接法二极管加反向電壓后，空間電荷區會增竟，內電場增強，多數 載流子的擴散運動不能進行，這時只有p型區和n型區內的少數載流子在電場力的作用 下產生漂移運動因此反向接法下的二极管電流极小,這個電流稱為二极管的反向電流.半導體二极管的反向電流由少數載流子的漂移運動產生，在半導體

9、內少數載流子的數目 基本上也維持一定,因此在一定的溫度下，二极管反向電流在一定的反向電壓范圍內不隨 反向電壓的改變而發生改變，故稱二极管的反向電流為反向飽和電流is.2）二极管的v-a特性由半導體物理的理論得出半導體二极體的電流與電壓之間有如下關系:l=ls（ewu “）|二极體的電流ls-“-反向飽和電流u-作用在二极體在的電壓，正向接法時v>0,反向接法時v<0ut溫度電壓當量，在室溫下ut=26itiv.在正向接法下，當u»ut,則eu/ut»>|,正向接法下二极管的電流xlseu/ut,即二极體的正向電流if與正向電壓成指數關系.根據上式作出的半導

10、體二极體正向v-a特性曲線如右r=ie34所示，但實際測出的二极管v-a特性曲線為曲線2所示即二极體正向導電時，必須克服一定的閥值電壓(又稱死區 電壓)后，才開始導電正向電壓低于閥值地，二极體的正向民流也是很4、的錯二极體的閥 值電壓為(010.2)v,硅一极體的閥值電壓為0.5v左右.二极體在反向電壓的作用下，若絕對值u»ut,則初归0,因此反向電流|r=is,二极體 的反向電流在一定的環境溫度下和一定的反向電壓數值內幾乎不隨反向電壓的變化而 變化反向電壓超過一定的大小，造成反向民流迅速增大的現象稱為電擊穿產生電擊穿 的反向電壓值稱為二极體的擊穿電壓urbr為防止二极體出現電擊穿，

11、允許施加于二极 體的最高反向工作電壓ur為擊穿電壓值的二分之一.1.3半導體器件型號命名方法(gb249-74)國標規定半導體器杵的型號由五個部分組成:第一部2表二极體第二部分第三部分第四部分第五部分an型錯材料(用漢語拼音表示)用阿拉伯用漢語拼bp型錯材料p普通管x 低頻小功率管【字表序音表規格cn型硅材料v微波管dp型硅材料(fhfb<3mh z,pc<1w)3表三极體a-錯pnp管w 穩壓管g 高頻小功率管b錯npn管c硅pnp管d硅npn管化合物(fhfb>3m h 乙 pc<1w)z-整流管d低頻大功率管l 整流堆a-髙頻小功率管t 可控整流器n 阻尼管y 體

12、效應管j 階躍,f復管u 光電器件b 雪崩管k-開關管cs場效應管bt特殊器件fh-復合管pin-pin型管jg 激光管1.5二极體的主要參數1) if正向整流電流，也稱正向直流電流手冊上一般給出的是正向額定整流電流，在 電阻負載條件下，它是單向正弦交流電流的平均值f的大小雖二极體的品種而異, 且差別很大,小的十幾毫安，大的幾千毫安.2) ir反向電流，也稱反向渥電流.反向電流是二极管加反向電壓，但沒有超過最大反 向耐壓時，流過二极管的電流r般在微安級以下，大電流二极體一般也在毫安級 以下.3) urm最大反向耐壓，也稱最大反向工作電壓二极體加反向電壓，發生擊穿時的電壓稱為擊穿電壓，最大反向耐

13、壓一般是擊穿電壓的二分之一到三分之一 最大反向 耐壓一般在型號中用后綴字母表示(第五部分)，也有用色環表示的，如下表但不是所有的型號都遵循這一規定.后綴字母abcdefghjklmnpqrstuvwx耐壓2550100200300400500600700800900100012001400160018002000220024026028003000(v)00對應 色環黑棕紅橙黄綠藍紫灰4) ifsm-浪涌電流它是指瞬間流過二极體的最大正向單次峰值電流一般要比if大 幾十.5) uf正向壓降正向壓降是在規定的正向電流條件下,二极管的正向電壓降它反 映了二體正向導電時正向電阻的大小和損耗的大小.6

14、) trr-反向恢復時間指從二极體所加的正向電壓變為反向電壓的時刻開始，到二 极體恢復反向阻斷的時間(當反向電流降低到最大反向時流40%的時間).4.6穩壓二极管穩壓管也是一種半導體二极管,這種二极管的正常工作狀態是在反向擊穿從上圖可nn以看出，二极體反向擊穿后，通過二极體的電流在很大范圍內變化而管子兩管的電壓變化 卻很小因引利用二极管反向擊穿電壓穩定的這一特性可在電路中維持一個恆定的電壓, 起到穩壓的作用.為了使二极管反向擊穿后電流不過大，以免燒環二极管，要采取措施限制反向電流值, 保証p-n結的溫升在允許的范圍之內.這樣，當反向電壓去除后二极管仍能恢復到原來的 阻斷狀態，穩壓二极管的符號如

15、下:穩壓二极體的工作電路如下:輸出電壓的穩定依靠穩壓管反向擊穿特性與穩壓電阻rz的配合來實現，如圖所示電路當負載一定時，若電源電壓vi中商，穩壓管的電壓也要隨之上升,由穩壓管反向擊穿特 性可知，穩壓管在反向擊穿后,電壓稍有增大，通過穩壓管的電流會增加很多，于是穩壓電 阻rz上的電壓vrz二rz（il+iz）將增大很多因此，輸入電壓雖然增大了，但穩壓電阻rz上的電壓也增大，因而使輸出電壓（穩壓管電壓）變化不大，可做到基本上維持不變相反，如果電壓ui下降，穩壓管電流iz減小穩定電阻rz以電壓降低，從而可以使輸出電壓下 降不多可認為基本上維持不變,輸出電壓保持穩定.1.7二極管的應用.二極管在電子路

16、中應用得很廣泛利用二極管的單向導電性可將交流電變成直流電;還可以構成限幅，錯位，檢波等電路某些特殊的二極管通電后可能先還可構成顯示電路.4）二極管整流電路單向整流電路2晶體三極!1（管）測录微弱信號或用微弱信號進行控制，首先要對信號進行放大,然后才能應用信號放大分為電壓放大和功率放大兩種晶體三極管（或稱半導體三極管，簡稱三極管）是放大電路的重要元件本書將對三極管的工作原理特性作簡要說明.2.1三極管的概述根據工作原理的不同，三極管分為單極三極管（場效應管）參與導電的載流只有一種（電子或空穴）另一種為雙極型三極管:電子空穴都參與導電.1）三極管的結構與符號三極管是一個三層結構，具有兩個p-n結的

17、元件三極管的中間層稱為基區基區兩邊分別為發射區和集電區三極體的發射區與集電區是同類型的半導體，所以三極管就有兩種型式，如下n-p-n型管和p-n-p型管:發射區與基區之間的p-n結稱為發射結，集電區與基區內的pn結稱為集電結由三 極管的這三個區引出的電極，分別稱為基極b.發射極e和集電極c.2）三極管的電流控制當三極管的發射結作用正向電壓（又稱正向偏置）而集電結作用反向電壓（反向偏置） 時，三極管的基極電流ib對集電極電流ic有控制作用下面以n-p-n型管為例說明:當三個電極的電位為vc>vb>ve時，發射結正向偏置，集電結反向偏置,發射結正向偏 置使得發散已的多數載流子（電子）能

18、夠向基區擴散,電子進入基區以后一部分與基區內 空穴復合復合的這部分電子在電壓ubb的作用下,形成基極電流ib.通常三極管的基區制作的很薄（只有幾個或十幾個微米）而且載流子數目很少，所以 從發射區擴散到基區的電子，在基區內繼編擴散的過程中有很少的一部分與基區內的空 穴復合，大部分聚集在集電結的p區一側形成集電極電流lc三極管三個電極電流之間的 關系為:ib+ic=ie一般情況下，三極管集電極電流lc比基極電流ib大很多，這兩個電流之比稱為三極管 靜態電流放大系數用0表示即b =ic/ib.集電極電流變化量 ib之比，稱為三極管動態電流放大系數用b表示即：p =a ic/a ib改變三極管發射結正

19、向偏置電壓ube可以改變基極電流ib當基極電流有 ib的變 化時三極管的集電極電流lc就會有 lc=b 6 ib的變化這就是通常所說的三極管的電流 放大的作用.2.2三極管的主要參!三極管的參數用來表明它的性能以及適用范圍，為使用三極管提供依據三極管的參【很多，主要有幾下幾項:1>電流放大系數b三極管制成之后b值也就確定了一般三極管b值范圍很大，通常使用的三極管b值在20到100之間（大功率三極管b值較低，一般b值只有20-30之間）三極管的0值太小,電流放大作用差，但0值過高（100以上）管子性能受到環境溫度影響較大性能不穩定.三極管b值過高或過低均不合適.2>穿透電流iceo穿

20、透電流的大小是衡量三極管質量的一個指標穿透電流過大，三極管不受控制的電流成分增大，管子的性能下降穿透電流受環境溫度變化影響很大溫度升高iceo增大當lb=0時,三極管工作在截止區三極管工作時ube<0 一安處于截止區（npn型）這叫發射結處于反向位偏置，發射區內的多數載流子不能從發射區進入基區，因此基區電流為0.截止區工作的三極管lb=0但集電極仍然有一個很4、的電流，這個不受lb控制的集電極電流稱為三極穿透電流iceo它是由半導ii內少數載流子形成的.3>極限參數a>集電極最大允許電流icm三極管在使用時，集電極電流lc過大會損壞三極管，即使管子燒毀，三極管的b值也會大大降

21、低,通常將0值下降到額定值為2/3時所對應的集電極電流ic之值稱為集電極最大允許電流icm-般小功率三極管icm約數十毫安.大功率三極管的im可達數安以上.b>集電極發射极間的擊穿電壓ubrce：三極管的uce>ubrce時，集電極電流lc會突然增大，這表明三極管已被擊穿.c>集電極最大允許耗散功率pcm；最大耗散功率值取決于三極管允許的溫升三極管工作的消耗的功率pc=uceic,消耗功率過大，溫升過高會燒壤三極管一般硅管最高使用溫度約45o°c,錯管約為70°g.3場效應管放大器場效應管是另一類型的半導體器體工作原理與前面的三極管不同三極管是通基極電流的

22、變化來控制集電極電流的改變，它是個電流控制元件三極管工作時信號源 要向基極提供電流，因此三極管放大器輸入電阻不高而場效應管是電壓控制元件工 作時不需要從信號源汲取電流，所以顯示出極高的輸入電阻.3.1分類 1）結型場效應管 2）絕緣柵型場效應管（即mos管）:是由金屬（metal）,氧化物絕緣材料（oxide）和半導體 （semiconductor）三種物質構成按導電溝道載流子的不同,mos場效應管分nmos（n溝道載流子為電子）及pmos（p溝道載流子為空穴）.繼電器廣泛應用于生產過程自動化的控制系統及電動機的保護系統繼電器主要用通斷控制電路繼電器的觸頭通斷的電流值比接觸器的小，沒有弧裝置繼

23、電器的另 一個特點是其輸入信號可以是電信號（如電壓電流）也可以是非電信號（如溫度壓力等）但輸出量與接觸器相同都是觸頭的動作繼電器的品種很多，按動作原理分類如下:1>電壓繼電器及中向繼電器:這類繼電器當它的吸引線圈上的所作用的電壓值達到規定值時動作電壓繼電器主要作為電動機失壓或欠壓保護作用中間繼電器的觸頭數量較多，通過它可以增加控制路數或起信號放大作用.2>電流繼電器:結構與電壓繼電器類似只有當它的吸引線圈中的電流達到規定值時，觸頭動作電流繼電器的吸引線圈通常串聯于被控電路中主要用于過載及短路保護或直流電機磁場控制及失磁保護等.3>時間繼電器:特點是:因吸引線圈得到信號起至觸頭

24、動作中間有一段延時時間.一般用于以物內力函數電動機起動過程控制.4>熱繼電器:特點是，通過受熱元件產生的機械變形推動機均動作至開閉觸頭這種種電器用于負載的過載保護.5電阻器5.1概述金屬導體中的電流是自由電子的定向移動形成的自由電子在運動中要跟金屬正離 子頻繁碰撞，這種碰撞阻礙了自由電子的定向移動，表示這種阻礙作用物理量叫做電阻. 同金屬導體一樣其它物體也有電阻.在保持溫度2(tc不變的條杵下，實際結果表明，當導體材料均勻橫截面積相同時，導 體的電阻跟它的長度l成正比，向跟它的橫截面積s成反比即r=p i/s上式稱為電阻定律式中例系數p叫做導體的電導率單位是(qm)p只跟導體材料的性質和

25、導體所處的條杵如溫度有關根據p的大小分類： 導體：p vlo-6qm,如金屬 絕緣體：p >10-7q-m,如石英塑料 半導體：10-e<p vlo7qm,如錯，硅等5.2電阻器的分類電阻器分固定和可變兩類按結構來分則有合成電阻器，薄膜電阻器，繞線電阻器和 電阻綱絡等幾種.1>合成電阻器:合成電阻器又稱實芯電阻器它是用石墨粉作導電材料，用半紅石棉或石英作填充劑加上粘合劑，裝上引線后，在模具內壓制成形，經熱處理后成為堅固的實芯電阻體外層噴漆和標上阻值就制成了合成電阻器改變石墨粉的比例就可以改變電阻值的大小合成電阻器的可靠性高，體積較小，易于自動化生產價格低缺點是穩定性較差，噪聲

26、也較大一般用于要求不高的電路中.2>薄膜電阻器:薄膜電阻器是在一個絕緣體(一般是圓柱形瓷棒上)上真空噴鍍一層導電薄膜或通過化學熱分解的方法淀積一層導電膜，加上引線,噴上保護漆而制成的薄膜電阻器的阻值可通過鍍膜厚度來控制,更多是用刻槽的辦法來控制將鍍好膜的瓷棒夾在刻槽上,瓷棒開始旋轉，用刻刀把薄膜刻成螺旋狀，刻的越細趙長，陰值就越大常用的薄膜電阻器有碳膜，氧化膜和金屬膜因而有碳膜電阻器氧化膜電阻器和金屬膜電阻器之分碳膜電阻器(rt)體積小，重量輕,穩定性和精度都較高噪聲較小，自身電感較小,可用于數百mhz以下的電路中功率一般在zw以下它又分超小型小型測量用等幾種金屬膜電阻器(rt)精度高，

27、噪聲小溫充系數小，能耐較高的溫度，功率容量比較大，相同的功率等級體積要比碳膜電阻小氧化膜電阻(ry)在高溫下的化學性質穩定,更容易制成低阻值的電阻器.3線繞電阻器:是在絕緣體上用高電阻率的金屬線繞制而成它在較寬的溫度范圍內有很小的溫度系數耐高溫，功率容量大，可制成大功率精密電阻器缺點是自電感較大不宜用于高頻電路中.5.3電阻器的型號部標電阻器的型號由四部分組成第一部分是主稱，用r表示，第二部分代表電阻件的材如下表，第三部分代表類別，第四部分為序號電阻器的型號第一部分第二部分第三部第四部分r電阻器t-碳膜09 特殊數字序號h合成膜仁普通g 高功率s 有機實芯2-普通w-徽調n-無機實芯3 超高阻

28、t 可調j-金01膜4 髙阻d 多圈y-氧化膜5 高阻c 化學沉積膜61-玻璃釉膜7精密x-線繞&髙壓5.4電阻器的參數1容許誤差:固定電阻器的容許誤差一般分為八級(n級很少用)容許誤差文字符號標稱值系列+0.1%be192+0.25%ce192+0.50%de192+1%fe96+2%ge48(100,105,110,115,121,127,133,140,147,154,162,169,178)+5%je24(1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5

29、 8.2 9.1)+10%ke12(1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2)+20%me6(1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8)+30%n2標稱電阻值:即電阻器的電阻值一般按規定的阻值系列制造如上圖 3標稱功率:電阻體通過電流后就要發熱，溫度太髙就要燒毀根據電阻器的制造材料的情況和使用環境對電阻器的功率損耗要有一定的限制,以保証其它工作的功率值.這就是電阻器的標稱功率.4最大工作電壓:指電阻器不發生電擊穿，放電等有害現象的其兩端所允許加的最大工作電壓um由標稱功率和標稱值可以計算出一個電阻器在達到滿功率時，它兩端所允許加的電壓

30、up實際工作電阻兩湍所加的電壓可能超過um,也可能超過up.5溫度系數:溫度的變化會引起電阻值的變化溫度系數是每變化4。3產生的電阻值的變化量，與標準溫度下(一般為25。®的電阻值之比，單位為”。c表達式為:溫度系數可正(ptc)可負(ntc)可以是線性的，也可以是非線性的.6噪聲:電阻器的噪聲是產生于電阻器中的一種不規則的電壓起伏它主要包括導體中電子的不規則熱運動引起的熱噪聲，熱噪聲是不可消除的通過電阻器的電流起伏會引起電流噪聲.5.5標稱值與色環標記.電阻器的誤差等級有e6e12 e24分別對應+/-20% +/-10% +/-5%三個誤差等 級分別有6個12個24個標稱值高精度

31、的電阻器則有e48 e96和e192等三個誤差 系列分別對應+/-2% +m% +/-0.5%三個誤差等級，高于+/-0.5%的也可使用曰92誤 差等級.電阻器的標稱阻值也可以用色環標記即用不同的顏色來代表不同的數字見下表,nn一般有四環和五環兩種表示法四環適用于5%及更大的誤差，五環適用于2%及更小誤差 的電阻器色環左第一位的顔色代表有效數字的高位左第二位的顏色代表有效數字的次顔色棕紅橙黃綠藍紫灰白黑金銀數字1234567890倍率10110210310410510®10710810910010-1io'2誤差f(fl%)g(+2%)d 凹.5%)c(jo25%)b(+0.

32、1%)j(+5%)k(+10%)m(+20%)高位四環第三環代表倍率即在有效數字后加幾個零左面第一環代表誤差見下圖表:e35.6 b阻器的功率等級電阻器功率等級見下表.廠家也經常生產非標準功率等級的電阻器.線繞電阻器一般也將功率等級印在電阻器上.其它電阻器一般不標注功率值.名稱額定功率（w）實芯電阻0.250.5125線繞電阻器0.5125101525355025100150薄膜電阻器0.0250.050.1250.250.51251025501006電容器電容器是一種能容納儲存電荷（電場）的容器它的結構簡單,只要兩個導體之間用絕緣介質（物質包括空氣）隔開，就構成了電容器電容器有以下四種定電容

33、電解電容可變電容微調電容6.2電容器的特性1> 電容器具有存放電荷的本領.2>電容器兩極極上的正負電荷量是相等的.3>電荷分布在極的內側，形成電場.4>當充放電壓和電源電壓相等的，電路中沒有電荷的移動而形成的電流.5>電容的兩大物性a>隔直流b>通交變電流.6>電場中確實有能量我們用電能量q與其電壓v之比值來描述電容器儲存電荷的本領即c=q/v(庫/伏,法拉)電容器的單位是法拉用f表示這是一個很大的單位經常使用的單位是徽法(mf)和皮法(pf).1mf=106f-106pf=403nf 電容器的容量與兩極之間互相重疊的面積成正比,與兩極極之間的距

34、離成反比還與兩極之間的介質有關系對于平行極電容器來說，有c=e s/de是介質的介電系數也稱為電容率.6.3電容器的有關電學特性.1電容器的標稱值及允許誤差.我國生產的電容器的標稱值已系列化了適用的必須按下表使用.云母介瓷介玻璃鈿介質高頻有機膜介甫容標稱值誤差等級電容標稱値1(+/-5%)1.011.21.31.51.61.82.02.22.42.73.03.33.63.94.34.755.66.26.6758.2911(+/-10%)1.01.21.51.82.22.73.33.94.75.66.88.2in(+/-20%)1.01.52.23.34.76.8各種紙介和低頻有機膜介電容標稱值

35、誤差范圍容量范圍電容標稱值k+/-5%)100pf-lmf1.01.52.23.34.76611(+/-10%)1-100mf124681015in(+/-20%)2030506050100鉅龊銚等電器解電容器標稱容量1.01.522.333.34.756.8允許誤差+/-10%+/-20%+50 %-20 %+100%-10%標稱值ab定義:標稱值是電容量的有效數字如標稱值為3.3的電容有33pf,33pf,330pf，電容器的誤差是:d級(+/-0.5 % )f(+/-1 % )g(+/-2 % )j(+/-5 % )k(+/ 10 % )m(+/-20 % )s(+50 % -20 %

36、)f(+8 % -2 0%)p(+/-100%)m中dfg三級是精密電容器i ji, iii級是普通電容器sfp是電 解電容器的誤差.2) 電容器的標示一:直標法：6p8 表示 6.8pf10n 表示 0.01pf103 表示 10*103pf=0.02pf159 表示 15*101pfr56pf 表示 0.56|lif二:色標法:2標稱電壓(額定電壓)標稱電壓是指電容器在一定條件下它的介質所能承受的最大直流工作電壓電 容器的額定電壓一般都標在電容體上有些小電容也用色點來表明如小型電解電容 器在它的正極引線處標上色點這既表示了耐壓，又指明了正極性電極.顏色blackbrovvhredorang

37、eyellowgreenbluevioletgray工作電壓(v)46.3101625324050633絕緣電阻電容器的絕緣電阻決定于介質質量，性能和幾何尺寸，絕緣電阻的大小決定電容 器的質量，渥電大小,渥電大，介質耗損大嚴重渥電時會使電容器發熱,破壤電路的工 作狀態，甚至導致熱擊穿較大容量的電容器的絕緣電阻可以是近似的用了用表的 xikz檔或x10kvz檔進行測試（注意電容耐壓是否比x10kvz檔中電池電壓高） 4電容器的極性一般電容中的兩個極板沒有極性差別,但電解電容器有極性要求.5電容的命名法電容器一般由四個部分組成的如cd系列表示是鋁電解電容器.主稱介質材料g電容器z紙介y-云母c-瓷

38、介d鋁電解a 鉅電解q漆膜z-玻璃h混合介質l-b聚萊乙烯d鉅軍化膜n-錠氧化膜t鐵器形狀結構g管狀m密封t-筒狀s塑料殼l立式矩形j-金片yb1片型r 耐熱w臥式x小型的6.4幾種常見的電容器1紙介電容器這種電容器用錫箔或鋁箔作電極，中間夾以電容器紙作紙介看成圓形或不圓形的筒狀，裝上引線封裝制成為了提高防潮性,電容器的外殼有的會用密封的鐵殼，叫密封紙介電容器.2云母電容器它是將鋁箔或錫箔與云母片交錯壘起來，接上引線,再壓塑在膠木外殼中制成.7電感器（線圈）7.1概述電感器是儲存磁場能量的器件電感是描述電感器通入電流對產生磁場來領的物理參量當線圈中通過電流的時候，由電流的磁效應可知電流的周圍產

39、生磁場磁 力線交連著載流的線圈當線圈中電流變化時，交連線圈中的磁力線也隨著變化由 電磁感應定律可知線圈內就有感應電動勢產生這種由于通過線圈自身電流的變 化，以在線圈自身產生感應電動勢的現象叫做自感應現象由自感應產生的電動勢 稱為自感電動勢，自感電動勢用字母el表示產生自感應的線圈叫自感線圈所有各 種線圈都具有自感應現象所以都可以稱為自感線圈只有自感應的線圈我們稱為 電感器，簡稱電感.實驗電路如下:（1 當開關閉合后，為什麼燈泡d2比d1發光慢，且要一段時間各兩側燈泡才一樣亮？ 2當k斷開的瞬間為什麼兩燈泡會一樣亮，而后慢慢地暗下去了？（設r與線圈電阻相等）用電感量來描述,表示線產生磁場或產生自

40、感電動勢的本領用l表示l=el/a i/at,即通過線圈的電流每秒鐘變化后產生的自感電動勢的值叫這線e的電感量很明顯丄越大,表明該線圈通電流產生的自感電動勢越大磁場越強（自 感系數簡稱電感）電感量的單位是亨利用h表示，只有較小的單位毫亨和微亨.1h=103mh=106mh.7.2幾種常見的電感線圈1）空心線圈2）可調磁感線圈3）鐵氧體磁芯線圈4）紙頻線圈8常用電子元器件英漢對照表種類編號英文名稱漢語名稱01integrated circuit集成電路02resistor電阻03capacitor電容04inductor電感05transistor電晶體06diode二极體07realyam器0

41、8oscillator振蕩器09liquid crystal display液晶顯示器10fuse保險絲11filter濾波器12sensor感應器13buzzer蜂鳴器14transformer4a4 m qp 變壓器icintegrated circuit集成電路cfcarbon film resistor碳膜電阻frfrsible resistor保險絲電阻varvaristor壓敏電阻mofmetal oxide film resistor金屬氧化皮膜電阻mfrmetal film resistor金屬皮膜電阻ptcpositive temperature coefficient resistor正溫度系數電阻ntcnegative resistor負溫度系數電阻nrnetworks resistor排阻vrvariable resistor可調電阻wwrwire wound resistor繞線電阻cprcement power resistor水泥電阻msrmica sheet resistor云母電阻ccceramic capacitor陶瓷電容ecelectrolytic vapacitor電解電容mlcmultilayer ceramic capacitor積層電容mfcmetal film capacitor金屬皮膜電容mscmica sheet capa