《小家电知识》PPT课件

1、小小 家家 电电 知知 识识 一、根底知识一、根底知识 二、加热器具二、加热器具 三、清洁器具三、清洁器具 四、电炊器具四、电炊器具 五、食品加工器具五、食品加工器具 六、保健器具六、保健器具 七、其他小家电七、其他小家电1.1 PN 1.1 PN 结的构成结的构成在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P P 型半导型半导体和体和N N 型半导体，经过载流子的分散，在它们的型半导体，经过载流子的分散，在它们的交界面处就构成了交界面处就构成了PN PN 结。结。1、 PN结结根底知识P P 型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+分散运动分散运动内电场内电场E E漂移运动

2、漂移运动分散的结果是使空间分散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。电荷区逐渐加宽。内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空动越强，而漂移使空间电荷区变薄。间电荷区变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。根底知识漂移运动漂移运动P P型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+分散运动分散运动内电场内电场E E所以分散和漂移这一对相反的运动最终到达平所以分散和漂移这一对相反的运动最终到达平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。荷区的厚度固定不变。根底知识+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位V VV0根

3、底知识1.1.空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场妨碍空间电荷区中内电场妨碍P P区中的空穴区中的空穴.N.N区区 中的电子都是多子向对方运动分散中的电子都是多子向对方运动分散运动。运动。3.P 3.P 区中的电子和区中的电子和 N N 区中的空穴都是少子，区中的空穴都是少子，数量有限，因此由它们构成的电流很小。数量有限，因此由它们构成的电流很小。小小 结结根底知识(1) 加正向电压正偏加正向电压正偏电源正极接电源正极接P区，负极接区，负极接N区区 外电场的方向与内电场方向相反。外电场的方向与内电场方向相反。 外电场减弱内电场外电场减弱内电场耗尽层变窄耗尽

4、层变窄 分散运动漂移运动分散运动漂移运动多子分散构成正向电流多子分散构成正向电流I FI F+P型半导体+N型半导体+WER空间电荷区内电场E正向电流正向电流 1.2 PN 1.2 PN 结的单导游电性结的单导游电性根底知识(2) (2) 加反向电压加反向电压电源正极接电源正极接N N区，负极接区，负极接P P区区 外电场的方向与内电场方向一样。外电场的方向与内电场方向一样。 外电场加强内电场外电场加强内电场耗尽层变宽耗尽层变宽 漂移运动分散运动漂移运动分散运动少子漂移构成反向电流少子漂移构成反向电流I RI R+内电场+E+EW+空 间 电 荷 区+R+IRP PN N 在一定的温度下，由本

5、征激发产生的少子浓度是一定的，故IR根本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。 根底知识 PN PN结加正向电压时，具有较大的正向结加正向电压时，具有较大的正向分散电流，呈现低电阻，分散电流，呈现低电阻， PNPN结导通；结导通； PNPN结加反向电压时，具有很小的反向结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，漂移电流，呈现高电阻， PNPN结截止。结截止。 由此可以得出结论：由此可以得出结论：PNPN结具有单导游结具有单导游电性电性根底知识1.3 半导体二极管半导体二极管根本构造根本构造PN PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上管壳和引线，就

6、成为半导体二极管。引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型PN结结面接触型面接触型PN二极管的电路符号：二极管的电路符号：阳极阳极+阴极阴极-根底知识 伏安特性伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降: : 硅硅管管0.60.7V,0.60.7V,锗管锗管0.20.3V0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR根底知识主要参数主要参数1. 1. 最大整流电流最大整流电流 IOMIOM二极管长期运用时，允许流过二极管的最大二极管长期运用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。正向平均电流。3. 3. 反向击穿电压反向击穿电压UBRUBR

7、二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单导游电性被破坏，甚至过热剧增，二极管的单导游电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向任务电压而烧坏。手册上给出的最高反向任务电压UWRMUWRM普通是普通是UBRUBR的一半。的一半。2. 2. 反向任务峰值电压反向任务峰值电压UBWMUBWM保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。根底知识二极管：死区电压二极管：死区电压=0 .5V=0 .5V，正向压降，正向压降0.7V(0.7V(硅二极管硅二极管) ) 理想二极管：死区电压理想二极管：死区电压=0 =0

8、，正向压降，正向压降=0 =0 RLuiuouiuott二极管的运用举例：二极管半波整流二极管的运用举例：二极管半波整流二极管的运用是主要利用它的单导游电性，主二极管的运用是主要利用它的单导游电性，主要运用于整流、限幅、维护等等。要运用于整流、限幅、维护等等。根底知识1.4 稳压二极管稳压二极管UIIZIZmax UZ IZ稳稳压压误误差差曲线越曲线越陡，电陡，电压越稳压越稳定。定。+-UZ动态电阻：动态电阻：ZZIUZrrzrz越小，越小，稳压性能稳压性能越好。越好。根底知识4 4稳定电流稳定电流IZIZ、最大、最小稳定电流、最大、最小稳定电流IzmaxIzmax、IzminIzmin。5

9、5最大允许功耗最大允许功耗maxZZZMIUP稳压二极管的参数稳压二极管的参数: :1 1稳定电压稳定电压 UZUZ2 2电压温度系数电压温度系数U U%/%/ 稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。3 3动态电阻动态电阻ZZIUZr根底知识在电路中稳压管只需与适当的电阻衔在电路中稳压管只需与适当的电阻衔接才干起到稳压作用。接才干起到稳压作用。UIIZIZmax UZ IZUZ根底知识2.1 根本构造根本构造BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型2、 半导体三极管半导体三极管根底知识BECNNP基极基极

10、发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结根底知识BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管三极管的符号：三极管的符号：根底知识ICmA AVVUCEUBERBIBECEB实验电路：实验电路：2.2 2.2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理根底知识结论结论: :1. IE=IC+IB常数BCBCBCBCIIII1IIII.23. IB=0, IC=ICEO4.4.要使晶体管放大要使晶体管放

11、大, ,发射结必需正偏发射结必需正偏, ,集电结必需集电结必需反偏。反偏。根底知识电流放大原理电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴基区空穴向发射区向发射区的分散可的分散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的区的电子少部电子少部分与基区分与基区的空穴复的空穴复合，构成合，构成电流电流IBE ，多数分散多数分散到集电结。到集电结。发射结发射结正偏，正偏，发射区发射区电子不电子不断向基断向基区分散，区分散，构成发构成发射极电射极电流流IE。根底知识BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少集电结反偏，有少子构成的反向电流子构成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEI

12、CE从基区从基区分散来分散来的电子的电子作为集作为集电结的电结的少子，少子，漂移进漂移进入集电入集电结而被结而被搜集，搜集，构成构成ICE。根底知识IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE根底知识ICE与与IBE之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数BCCBOBCBOCBECEIIIIIIII根底知识输入特性曲线输入特性曲线UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8任务压降：任务压降： 硅管硅管UBE0.60.7V,锗锗管管UBE0.20.3V。UCE=0VUCE =0.5V 死区电死区电压，硅管压，硅

13、管0.5V，锗，锗管管0.1V。2.3 特性曲线特性曲线根底知识输出特性曲线输出特性曲线IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域此区域满足满足IC=IB称为线称为线性区性区放大放大区。区。当当UCE大于大于一定的数值一定的数值时，时，IC只与只与IB有关，有关，IC=IB。根底知识IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中此区域中UCEUBE,集电结正偏，集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和称为饱和区。区。根底知识IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80

14、A100A此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电死区电压，称为压，称为截止区。截止区。根底知识输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点: :放大区：发射结正偏，集电结反偏。放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即：即： IC=IC=IB , IB , 且且 IC = IC = IB IB(2) (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：即：UCEUCEUBE UBE ， IBICIBIC，UCEUCE0.3V 0.3V (3) (3) 截止区：截止区： UBE UBE 死区电压，死区电压， IB=0 IB=0 ， IC=ICEO IC

15、=ICEO 0 0 根底知识3、 根本放大电路的组成根本放大电路的组成三种三极管三种三极管放大电路放大电路共射极放大电路共射极放大电路共基极放大电路共基极放大电路共集电极放大电路共集电极放大电路以共射以共射极放大极放大电路为电路为例讲解例讲解任务原任务原理理根底知识放大元件放大元件iC= iB，任务在放大，任务在放大区，要保证集电区，要保证集电结反偏，发射结结反偏，发射结正偏。正偏。uiuo输入输入输出输出参考点参考点RB+ECEBRCC1C2T根底知识作用：使发射作用：使发射结正偏，并提结正偏，并提供适当的静态供适当的静态任务点。任务点。基极电源与基极电源与基极电阻基极电阻RB+ECEBRC

16、C1C2T根底知识集电极电源，集电极电源，为电路提供为电路提供能量。并保能量。并保证集电结反证集电结反偏。偏。RB+ECEBRCC1C2T根底知识集电极电阻，集电极电阻，将变化的电将变化的电流转变为变流转变为变化的电压。化的电压。RB+ECEBRCC1C2T根底知识耦合电容：耦合电容：电解电容，有极性。电解电容，有极性。大小为大小为10F50F作用：隔作用：隔离输入输离输入输出与电路出与电路直流的联直流的联络，同时络，同时能使信号能使信号顺利输入顺利输入输出。输出。RB+ECEBRCC1C2T根底知识可以省去可以省去电路改良：采用单电源供电电路改良：采用单电源供电RB+ECEBRCC1C2T根

17、底知识单电源供电电路单电源供电电路+ECRCC1C2TRB根底知识一种大功率半导体器件，出现于一种大功率半导体器件，出现于70年代。它的出年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域 。 体积小、分量轻、无噪声、寿命长、体积小、分量轻、无噪声、寿命长、 容量大容量大正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏。正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏。 特点特点4 4、晶闸管、晶闸管( (可控硅可控硅SCR) SCR) 运用领域：运用领域： 逆变逆变 整流整流 交流交流直流直流斩波斩波直流直流交流交流变频变频 交流交流交流交流直流直流直流直流此外还可作无触点开关

18、等此外还可作无触点开关等根底知识4.4. 根本构造根本构造A阳极阳极四四 层层 半半 导导 体体K阴极阴极G控制极控制极P1P2N1三三 个个 PN结结N2根底知识符符号号AKG4.2 4.2 任务原理任务原理GKP1P2N1N2APPNNNPAGK表示图表示图根底知识APPNNNPGKi gi gig任务原理分析任务原理分析KAGT1T2根底知识UAK 0 、UGK0时时T1导通ib1 = i giC1 = ig = ib2ic2 =ib2 = ig = ib1T2导通构成正反响构成正反响晶闸管迅速导通；晶闸管迅速导通；T1进一步导通根底知识晶闸管开场任务时晶闸管开场任务时 ，UAK加反向电

19、压，加反向电压，或不加触发信号即或不加触发信号即UGK = 0 ；晶闸管导通后，晶闸管导通后， UGK，去掉去掉依托正反响，依托正反响，晶闸管仍维持导通形状；晶闸管仍维持导通形状；晶闸管截止的条件：晶闸管截止的条件：12晶闸管正导游通后，令其截止，必需晶闸管正导游通后，令其截止，必需减小减小UAK，或加大回路电阻，使晶闸管，或加大回路电阻，使晶闸管中电流的正反响效应不能维持。中电流的正反响效应不能维持。根底知识 晶闸管具有单导游电性晶闸管具有单导游电性 正导游通条件：正导游通条件：A A、K K间加正向电压，间加正向电压，G G、K K间加触发信号；间加触发信号；2.2.晶闸管一旦导通，控制极

20、失去作用晶闸管一旦导通，控制极失去作用假设使其关断，必需降低假设使其关断，必需降低UAKUAK或加大回路或加大回路电阻，把阳极电流减小到维持电流以下。电阻，把阳极电流减小到维持电流以下。 结结 论论根底知识4.3 4.3 伏安特性伏安特性UIURS MUDS MURRMIHUDRMIFIG1=0AIG2IG3IG3 IG2 IG1正向正向反向反向根底知识4.4 4.4 单相半波可控整流电路单相半波可控整流电路( (电阻性负载电阻性负载) )(1)电路及任务原理电路及任务原理设设u1为为正弦波正弦波 u2 0 时，加上触发电压时，加上触发电压 uG ，晶闸管导，晶闸管导通通 。且。且 uL 的大

21、小随的大小随 uG 参与的早晚而变化；参与的早晚而变化； u2 0 时，晶闸管不通，时，晶闸管不通，uL = 0 。故称可控。故称可控整流。整流。 u1u2uTuLAGKRL根底知识(2)任务波形任务波形tu2tuGtuLtuT ：控制角：控制角 ：导通角：导通角根底知识4.5 单相全波可控整流电路单相全波可控整流电路(电阻性负载电阻性负载)1电路及任务原理电路及任务原理u2 0的导通途径：的导通途径：u2 (A)T1RLD2u2 (B)T1、T2 -晶闸管晶闸管D1、D2 -晶体管晶体管T1T2D1D2RLuLu2AB+-根底知识T2RLD1u2 (A)u2 (B)u2 0的导通途径：的导通

22、途径：T1、T2 -晶闸管晶闸管D1、D2 -晶体管晶体管T1T2D1D2RLuLu2AB+-根底知识2任务波形任务波形tu2tuGtuLt uT1 ：控制角：控制角 ：导通角：导通角 根底知识4.6 双向晶闸管双向晶闸管特点：特点：相当于两个反向晶闸管并联，相当于两个反向晶闸管并联，两者共用一个控制极。两者共用一个控制极。符号：符号：T1T2G控制极控制极第一电极第一电极第二电极第二电极根底知识任务原理任务原理VT1VT2时，控制极相对于时，控制极相对于T2加正脉冲，加正脉冲，晶闸管正导游通，电流从晶闸管正导游通，电流从T1流向流向T2。VT2VT1时，控制极相对于时，控制极相对于T2加加

23、负脉冲，负脉冲，晶闸管反导游通，电流从晶闸管反导游通，电流从T2流向流向T1。GT1T2T1T2G根底知识4.7 可关断晶闸管可关断晶闸管GTO-Gata Turn Off thyristor) 可关断晶闸管的触发导通与普通晶闸管相可关断晶闸管的触发导通与普通晶闸管相同。不同之处在于：普通晶闸管的关断不能同。不同之处在于：普通晶闸管的关断不能控制，只能靠减小阳极电压或任务电流来实控制，只能靠减小阳极电压或任务电流来实现。普通晶闸管属半控器件；而可关断晶闸现。普通晶闸管属半控器件；而可关断晶闸管可在控制极上加负触发信号将其关断，因管可在控制极上加负触发信号将其关断，因此它属全控器件。此它属全控器

24、件。根底知识UEE+UCC u+uo u反相反相输入端输入端同相同相输入端输入端T3T4T5T1T2IS5.1 5.1 原理框图原理框图输输入入级级中中间间级级输输出出级级与与uo反相反相与与uo同相同相5、 集成运放集成运放根底知识一、开环电压放大倍数一、开环电压放大倍数Auo无外加反响回路的差模放大倍数。普通在无外加反响回路的差模放大倍数。普通在105 107之间。理想运放的之间。理想运放的Auo为为。二、共模抑制比二、共模抑制比KCMMR常用分贝作单位，普通常用分贝作单位，普通100dB以上。以上。5.2 5.2 主要参数主要参数根底知识 ri 大大: 几十几十k 几百几百 k运放的特点

25、运放的特点KCMRR 很大很大 ro 小：几十小：几十 几百几百 A uo很大很大: 104 107理想运放：理想运放： ri KCMRR ro 0Auo 运放符号：运放符号：uu+ uo u u+ uoAuo5.3 5.3 理想运算放大器及其分析根据理想运算放大器及其分析根据根底知识uiuo+UOM-UOMAuo越大，运放的线性范围越小，必需在输出与输越大，运放的线性范围越小，必需在输出与输入之间加负反响才干使其扩展输入信号的线性范围。入之间加负反响才干使其扩展输入信号的线性范围。uiuo_+AuoCoOMEuUmax例：假设例：假设UOM=12V，Auo=106，那么，那么|ui|12V时

26、，运放处于时，运放处于线性区。线性区。线性放大区线性放大区根底知识由于运放的开环放大倍数很大，输入电阻高，输由于运放的开环放大倍数很大，输入电阻高，输出电阻小，在分析时常将其理想化，称其所谓的出电阻小，在分析时常将其理想化，称其所谓的理想运放。理想运放。理想运放的条件理想运放的条件oAir0or)uu(Auoo虚短路虚短路uu0iI放大倍数与负载无关。分析多放大倍数与负载无关。分析多个运放级联组合的线性电路时个运放级联组合的线性电路时可以分别对每个运放进展。可以分别对每个运放进展。虚开路虚开路运放任务在线性区的特点运放任务在线性区的特点根底知识理想运放的符号理想运放的符号_+ + u+u-u0

27、根底知识i1idif5.4 5.4 运算放大电路中的负反响运算放大电路中的负反响(1)(1)并联电压负反响并联电压负反响uoRF_+ + R1R2ui+-RL+-fdiii1减弱净输入为负反响减弱净输入为负反响FofRui反响取自输出电反响取自输出电压压,为电压反响为电压反响反响信号与输入信号在输入端以电反响信号与输入信号在输入端以电流的方式做比较流的方式做比较,为并联反响为并联反响电压并联负反响电压并联负反响 根底知识(2)(2)串联电压负反响串联电压负反响fiduuu减弱净输入为负反响减弱净输入为负反响oFfuRRRu11反响取自输出电反响取自输出电压压,为电压反响为电压反响反响信号与输入

28、信号在输入端以反响信号与输入信号在输入端以电压的方式做比较电压的方式做比较,为串联反响为串联反响电压串联负反响电压串联负反响uoRF_+ + R1R2ui+-RL+-i1ifud-+uf-+ 根底知识5.5 5.5 运算放大器在信号运算方面的运用运算放大器在信号运算方面的运用虚拟短路虚拟短路虚拟断路虚拟断路放大倍数与负载无关，放大倍数与负载无关， 可以分开分析。可以分开分析。0iIuuu+uo_+uIi根底知识0uui1= i221RuRuoi12RRuuAiouuo_+ + R2R1RPuii1i2虚短路虚短路虚开路虚开路1 1、反相输入、反相输入构造特点：负反响引到反相构造特点：负反响引到

29、反相输入端，信号从反相端输入。输入端，信号从反相端输入。根底知识平衡电阻，使输入端对地的静态电阻相等，保平衡电阻，使输入端对地的静态电阻相等，保证静态时输入级的对称性。证静态时输入级的对称性。RP =R1 / R2uo_+ + R2R1RPuii1i2根底知识电位为电位为0 0，虚地，虚地_+ + R2R1RPuii1i2反响方式反响方式电压并联负反响电压并联负反响输出电阻很小！输出电阻很小！根底知识2 2、同相输入、同相输入_+ + R2R1RPuiuou-= u+= ui12RuRuuiioiouRRu)1 (12反响方式：电压串联负反响。输入电阻高反响方式：电压串联负反响。输入电阻高12

30、11RRuuAou虚短路虚短路虚开路虚开路构造特点：负反响引到反构造特点：负反响引到反相输入端，信号从同相端相输入端，信号从同相端输入。输入。根底知识_+ + uiuoiouuuu此电路是电压并联负反响，在电路中作用与此电路是电压并联负反响，在电路中作用与分别元件的射极输出器一样，但是电压跟随性能分别元件的射极输出器一样，但是电压跟随性能好。好。3 3、电压跟随器、电压跟随器构造特点：输出电压全构造特点：输出电压全部引到反相输入端，信部引到反相输入端，信号从同相端输入。电压号从同相端输入。电压跟随器是同相比例运算跟随器是同相比例运算放大器的特例。放大器的特例。根底知识4 4、反相求和运算、反相

31、求和运算R12_+ R2R11ui2uoRPui121211/RRRRP根底知识0uuFiii1211)(21221112iiouRRuRRui12iFi11R12_+ R2R11ui2uoRPui1调理反相求和电路的某一路信号的输入电阻，不影调理反相求和电路的某一路信号的输入电阻，不影响输入电压和输出电压的比例关系，调理方便。响输入电压和输出电压的比例关系，调理方便。根底知识电路中的运放处于非线性形状。电路中的运放处于非线性形状。+Auouo运放电路中没有负反响，运放处于非线性形状。运放电路中没有负反响，运放处于非线性形状。5 5、电压比较器、电压比较器根底知识uoui0+UOM-UOM+u

32、oui6、过零比较器、过零比较器: (UR =0时时)+uouiuoui0+UOM-UOM根底知识+uouitui例：利用电压比较器将正例：利用电压比较器将正弦波变为方波。弦波变为方波。uot+Uom-Uom根底知识+uiuoui0+UZ-UZ电路改良：用稳压管稳定输出电压。电路改良：用稳压管稳定输出电压。uo UZ根底知识根底知识1.1.放大电路放大电路2.2.正反响网络正反响网络3.3.选频网络选频网络只对一个频率满足振荡条件，从而只对一个频率满足振荡条件，从而获得单一频率的正弦波输出。获得单一频率的正弦波输出。 常用的选频网络有常用的选频网络有RCRC选频和选频和LCLC选频选频4.4.

33、稳幅环节稳幅环节使电路易于起振又能稳定振荡，波使电路易于起振又能稳定振荡，波形失真小。形失真小。6、正弦波振荡器、正弦波振荡器6.1 6.1 正弦波振荡器的普通组成正弦波振荡器的普通组成根底知识_+ + RFuoRCRCR16.2 RC6.2 RC振荡电路振荡电路RC选频网络选频网络同相比例运算电路同相比例运算电路根底知识6.3 LC振荡电路振荡电路LC振振荡电路的选荡电路的选频电路由电频电路由电感和电容构感和电容构成，可以产成，可以产生高频振荡。生高频振荡。由于高频运由于高频运放价钱较高，放价钱较高，所以普通用所以普通用分立元件组分立元件组成放大电路。成放大电路。+UCCCC1LRLRB1R

34、B2LiRECEui+-uf-+ibBEC+UCCLiL根底知识LCLC并联谐振回路的选频特性并联谐振回路的选频特性谐振时回路电流比总电流大的多，电感与电谐振时回路电流比总电流大的多，电感与电容的无功功率相互补偿，电路呈阻性。容的无功功率相互补偿，电路呈阻性。R为电感和回路中的损耗电阻为电感和回路中的损耗电阻LC10当当 时，时，并联谐振。并联谐振。谐振时，电路呈阻性谐振时，电路呈阻性-+LCRiCiLiu根底知识1234初级线圈初级线圈次级线圈次级线圈同名端同名端1234+ 在在LC振荡器中，反响信号经振荡器中，反响信号经过互感线圈引出过互感线圈引出-+uiLCfu互感线圈的极性判别互感线圈

35、的极性判别根底知识判别能否是满足相位判别能否是满足相位条件条件正反响正反响+ccVRb1Rb2eRUfCbo1L2LCU 断开反响断开反响到放大器的输到放大器的输入端点，假设入端点，假设在输入端参与在输入端参与一正极性的信一正极性的信号，用瞬时极号，用瞬时极性法断定反响性法断定反响信号的极性。信号的极性。假设反响信号假设反响信号与输入信号同与输入信号同相，那么满足相，那么满足相位条件；否相位条件；否那么不满足。那么不满足。(+)(-)(+)(+)根底知识依然由依然由LC并联谐振电路构成选频网络并联谐振电路构成选频网络6.4 6.4 三点式三点式LCLC振荡电路振荡电路uf与与uo反相反相uuC

36、LL12fouuo1LC2Lfuf与与uo同相同相电感三点式：电感三点式：电容三点式：电容三点式：uuf2o1CCLuf与与uo反相反相uuLCoC12fuf与与uo同相同相根底知识+UCCCC1L1L2+ +电感三点式振荡电路电感三点式振荡电路正反响正反响反相反相2M)CL(L21f210根底知识+UCCC1C1LC2+ 反相反相电容三点式振荡电路电容三点式振荡电路正反响正反响21210CCCCL21f根底知识7.1 7.1 单相半波整流电路单相半波整流电路导通导通i0u1u2aTbDRLu0t uit uo7、直流稳压电源、直流稳压电源根底知识输出电压波形与大小输出电压波形与大小t uo输

37、出电压平均输出电压平均值值U0：输出电压波形：输出电压波形：u1u2aTbDRLu0i0 2022ooU45. 0U2tdu21U根底知识220 V1212R2+Luuu2L1DD27.2 7.2 单向全波整流电路单向全波整流电路+变压器副边中变压器副边中心抽头，感应心抽头，感应出两个相等的出两个相等的电压电压u2u2当当u2正半周时，正半周时， D1导通，导通，D2截止。截止。当当u2负半周时，负半周时， D2导通，导通，D1截止。截止。根底知识全波整流电压波形全波整流电压波形u2uLuD1 t 2 3 4 0uD2V22012122uuDD221+uLLR根底知识uL 2 0 tIL= U

38、L /RL =0.9 U2 / RL 2输出电流平均值输出电流平均值IL ：）（ tduULL 20211输出电压平均值输出电压平均值UL：）（ ttdsinU21022U9 . 0V22012122uuDD221+uLLRIL根底知识7.3 7.3 单相桥式整流电路单相桥式整流电路桥式整流电路桥式整流电路+-u2正半周时电流通路正半周时电流通路u1u2TD4D2D1D3RLu0根底知识桥式整流电路桥式整流电路-+u0u1u2TD4D2D1D3RLu2负半周时电流通路负半周时电流通路根底知识负载电压负载电压 U0的平均值的平均值: 209 . 022t22ooUUdu21U负载上的负载上的(平

39、均平均)电流电流:L2oR0.9UI L2oDRU0.45I21I2RMDU2U每个二极管只需半周导通。流过每只整流每个二极管只需半周导通。流过每只整流二极管的平均电流二极管的平均电流 ID 是负载平均电流的一半。是负载平均电流的一半。二极管截止时两端接受的最大反向电压：二极管截止时两端接受的最大反向电压：根底知识几种常见的硅整流桥几种常见的硅整流桥+ A C -+- + - u2uL+ 根底知识u1u2u1abD4D2D1D3RLu0SCutut1. 电容滤波电容滤波7.4 7.4 滤波电路滤波电路根底知识+4123LD+DLu4-R220V32DD1u21uL2. 电感滤波电路电感滤波电路

40、电路构造电路构造: 在桥式整流电路与负载间串入一电感在桥式整流电路与负载间串入一电感L。输出电压平均值输出电压平均值: UL=0.9U2谐波分量谐波分量: f 越高，越高，XL 越大越大,电压大部分降在电感上。电压大部分降在电感上。 因此，在输出端得到比较平滑的直流电压。因此，在输出端得到比较平滑的直流电压。直流分量直流分量: XL=0 相当于短路相当于短路,电压大部分降在电压大部分降在RL上上根底知识3. 其它滤波电路其它滤波电路为进一步改善滤波特性，采取多级滤波。为进一步改善滤波特性，采取多级滤波。LC滤波电路滤波电路+uo+-LCu-i+u+u-iC-oRC12RC型滤波电路型滤波电路根

41、底知识7.5 7.5 稳压管稳压电路稳压管稳压电路稳压原理稳压原理利用稳压管的反向击穿特性。利用稳压管的反向击穿特性。 由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。的电压变化。iuUZIUIzminIzmax+UDziLRz-oU-+RUIZILI根底知识7.6 7.6 三极管稳压电路三极管稳压电路根底知识1端端: 输入端输入端2端端: 公共端公共端3端端: 输出端输出端W7800系列稳压器系列稳压器1231端端: 公共端公共端2端端: 输入端输入端3端端: 输出端输出端W7900系列稳压器系列稳压器1237.7 7.7 集成稳压电路

42、集成稳压电路根底知识输出正负电压的电路输出正负电压的电路正负电压同时输出电路正负电压同时输出电路W78XXCIUI+ _UO132+ _CIW79XX13COCO2UO根底知识COW78XXCIUI+_+_UO132UXXUZRDZUXX : 为为W78XX固定输出电固定输出电压压 UO = UXX + UZ提高输出电压的电路提高输出电压的电路根底知识7.8 7.8 倍压整流电路倍压整流电路ut1、正半周时，上正、正半周时，上正下负，下负，VD1导通，导通，为为C1充电，右正左充电，右正左负，电压约为负，电压约为Vm。2、负半周时，下正、负半周时，下正上负，上负，Vm+VC1，使使VD2导能，

43、为导能，为C2充电，充电电压约充电，充电电压约为为2Vm。使负载。使负载RL电压为输入电压的电压为输入电压的2倍。倍。思索：如何实现思索：如何实现3倍倍压、压、4倍压等倍压等根底知识加热器具1、电热杯、电热杯构造与任务原理构造与任务原理电热元件：开启式电热元件、云母电热元件和管状元件电热元件：开启式电热元件、云母电热元件和管状元件温控器：普通运用双金属片。温控器：普通运用双金属片。加热器具2、电热水器、电热水器构造任务原理：构造任务原理： 如右图如右图电热元件：电热元件： 管状元件管状元件温控器：温控器： 双金属片或压双金属片或压力式温控器。力式温控器。过热维护器：过热维护器： 非自动复位的非

44、自动复位的热断路器或热熔热断路器或热熔断体。断体。自动维护断路器：自动维护断路器： 防止用户触电。防止用户触电。加热器具加热器具加热器具3、空气加热器、空气加热器1电热油汀的构造与任务原理电热油汀的构造与任务原理内部构造：充油的散热片、电热元件和温控器旋钮内部构造：充油的散热片、电热元件和温控器旋钮控制电路：温控器及功率转换开关。控制电路：温控器及功率转换开关。2PTC暖风机的构造与原理暖风机的构造与原理内部构造：内部构造：PTC电热元件、风机和温控器电热元件、风机和温控器PTC电热元件：电热元件：PTC电热元件是一种电热元件是一种具有自动恒温特性的具有自动恒温特性的钛酸钡陶瓷电热元件。钛酸钡

45、陶瓷电热元件。当刚通电时，电阻阻当刚通电时，电阻阻值很小，经过的电流值很小，经过的电流大，升温迅速；当升大，升温迅速；当升温到某一设计温度时，温到某一设计温度时，电阻值成倍增长，从电阻值成倍增长，从而使电流下降，温度而使电流下降，温度不再继续上升，处于不再继续上升，处于恒温形状。恒温形状。加热器具3远红外电暖器远红外电暖器构造：防护罩、电热管构造：防护罩、电热管和反射板。和反射板。原理：利用远红外辐射原理：利用远红外辐射元件发出的远红外线被元件发出的远红外线被物体吸收，直接转变为物体吸收，直接转变为热能而到达加热的目的。热能而到达加热的目的。电热元件：石英电热管，电热元件：石英电热管，采用乳白

46、色石英远红外采用乳白色石英远红外元件和金属元件。元件和金属元件。防倾倒开关：防止电暖防倾倒开关：防止电暖器倾倒，引起火灾，如器倾倒，引起火灾，如图中的图中的SW开关。开关。加热器具4、饮水料加热器、饮水料加热器1电热水瓶电热水瓶内部构造：外壳、内部构造：外壳、内胆、压水安装、内胆、压水安装、加热器、温控器和加热器、温控器和水位指示器。水位指示器。控制电路：温控器控制电路：温控器及指示电路。及指示电路。煮水加热：煮水加热：EH1和和EH2通电。通电。保温加热：保温加热：ST1断断开，开，EH2加热保温，加热保温，220V经二极管，半经二极管，半功率加热。功率加热。加热器具加热器具2电子饮水机电子

47、饮水机构造：机壳、进水安装水瓶座、聪明头和导水柱、构造：机壳、进水安装水瓶座、聪明头和导水柱、制冷器件、制热器件和出水安装构成。制冷器件、制热器件和出水安装构成。控制电路：SB1制冷开关，SB2制热开关，ST1制冷温控器，ST2/ST3加热温控器，M电机。半导体制冷原理：电流流过PN结时，流入面要吸收热量，流出面要发出热量。加热器具1、洗碗机、洗碗机构造：机壳、控制机构、洗涤安装、漂洗剂供料安装、构造：机壳、控制机构、洗涤安装、漂洗剂供料安装、加热器、进排水管和平安安装电动机过载维护、压力加热器、进排水管和平安安装电动机过载维护、压力开关、门联锁开关等。开关、门联锁开关等。清洁器具洗涤安装任务

48、原理：洗涤安装任务原理：清洗泵将自来水抽清洗泵将自来水抽到喷臂的水槽内，到喷臂的水槽内，经喷水孔喷出，喷经喷水孔喷出，喷臂由于遭到水的反臂由于遭到水的反力矩作用，产生一力矩作用，产生一个使喷臂连同轴套个使喷臂连同轴套一同转动的力，以一同转动的力，以三维方向喷出可达三维方向喷出可达3.5米的密集水柱，米的密集水柱，放射清洗餐具。放射清洗餐具。控制器的任务过程：约需控制器的任务过程：约需35分钟分钟一次放射：接通电源，按下开关和定时器启动，进入。一次放射：接通电源，按下开关和定时器启动，进入。洗涤剂洗餐具：当进水至一定水位后，停顿进水，释洗涤剂洗餐具：当进水至一定水位后，停顿进水，释放洗涤剂，主电

49、机旋转，进入洗涤形状。放洗涤剂，主电机旋转，进入洗涤形状。排水：洗涤周期终了，利用螺线管开启排水阀排水。排水：洗涤周期终了，利用螺线管开启排水阀排水。二次放射：进水阀开启，喷水数秒。二次放射：进水阀开启，喷水数秒。一次冲洗：封锁排水阀积水，水位高度由计量线圈自一次冲洗：封锁排水阀积水，水位高度由计量线圈自动控制，叶轮旋转依次冲洗。动控制，叶轮旋转依次冲洗。排水：冲洗终了，开启排水阀排水。排水：冲洗终了，开启排水阀排水。三次放射：进水阀开启进水。三次放射：进水阀开启进水。二次冲洗：同第一次，由定时器控制时间。二次冲洗：同第一次，由定时器控制时间。排水：开启排水阀，封锁进水阀，电机停顿任务。排水：

50、开启排水阀，封锁进水阀，电机停顿任务。枯燥：自动接通加热器，对餐具枯燥，过程终了。枯燥：自动接通加热器，对餐具枯燥，过程终了。清洁器具程控器任务原理：程控器任务原理：清洁器具程控器任务原理：程控器任务原理：清洁器具电脑控制任务原理：电脑控制任务原理：利用电脑程序根利用电脑程序根据时间定时情况，据时间定时情况，分别控制进水阀、分别控制进水阀、清洗电机、排水清洗电机、排水电机、加热器的电机、加热器的翻开与封锁，实翻开与封锁，实现控制。现控制。清洁器具清洁器具2、吸尘器、吸尘器构造：外壳、吸尘过滤器、风叶、电动构造：外壳、吸尘过滤器、风叶、电动机、吸嘴、刷子及一些附件。机、吸嘴、刷子及一些附件。任务

51、原理：电动机以任务原理：电动机以800025000r/min的高的高速带动风叶旋转，空速带动风叶旋转，空气被风叶轮强力抽吸，气被风叶轮强力抽吸，呵斥机箱内外很大的呵斥机箱内外很大的压力差，在吸嘴处产压力差，在吸嘴处产生一股很强的气流，生一股很强的气流，将吸嘴附近吸尘安装将吸嘴附近吸尘安装搅打起来的灰尘和污搅打起来的灰尘和污物吸入，经过滤袋过物吸入，经过滤袋过滤，灰尘留在储灰容滤，灰尘留在储灰容器内。器内。清洁器具3、吸油烟机、吸油烟机构造：外壳、风管、构造：外壳、风管、琴键开关、照明安装、琴键开关、照明安装、集油盒和电动机、风集油盒和电动机、风叶轮组件。叶轮组件。原理：利用高速旋转原理：利用高

52、速旋转的电动机的电动机1300r/min带动风叶轮，将空气带动风叶轮，将空气吸入箱体内。吸入箱体内。自动型：利用气敏元自动型：利用气敏元件，检测空气中的烟件，检测空气中的烟雾、有害、可燃气体，雾、有害、可燃气体，当超越设定值时，启当超越设定值时，启动电动机，排出污染动电动机，排出污染气体，同时报警。气体，同时报警。自动型控制过程：开机时，C2缓慢充电使A1输出低电压，气敏元件无输出，防止开机误动作。当检测到空气中的烟雾、有害、可燃气体超越设定值时，A2输出高电平，使A2输出正电压，VT1导通报警，A3输出低电平，VT2截止，J释放启动电动机，排出污染气体。清洁器具清洁器具4、电子消毒柜、电子消

53、毒柜电子消毒柜的种类：电子消毒柜的种类：分为两类：一类以远分为两类：一类以远红外线红外线301000um电热器件为主的高温电热器件为主的高温型；另一类以臭氧为型；另一类以臭氧为主的低温型。主的低温型。特点：特点：高温型：利用高温杀高温型：利用高温杀菌，同时具有烘干功菌，同时具有烘干功能，缺陷是耗电大、能，缺陷是耗电大、高温损坏塑料制品。高温损坏塑料制品。低温型：利用臭氧杀低温型：利用臭氧杀菌，温度低，耗电少，菌，温度低，耗电少，缺陷是走漏有味。缺陷是走漏有味。清洁器具高温型控制电路：S为定时器开关，ST1启动按钮，J1、J2为继电器，ST2全功率加热按钮，ST3停顿按钮，Jx-x为相应继电器触

54、点，t1：125 温控， t2：60 温控。清洁器具低温型：臭氧是一种非常活泼、极不稳定的无色气体，具有极强的氧化才干，接触到其他物领会产生极强的氧化作用，到达杀菌的目的。t1：60 双金属温控t：正温度系数热敏电阻G：为臭氧管低温型电子控制电路：J1为臭氧定时器，J2为继电器加热定时器。按下K1，那么C4充电为高电压，J1吸合，C4向R6放电，当放完后，J1断开；同理，C6充放电决议J2的吸合与释放，控制加热；K2为取消按钮。清洁器具电脑控制型电路电脑控制型电路清洁器具清洁器具5、家用净水器、家用净水器构造：电源、电极板、构造：电源、电极板、滤料、管路、壳体。滤料、管路、壳体。原理：水中的铝

55、电极原理：水中的铝电极板在正负电极的作用板在正负电极的作用下，将水电解，生成下，将水电解，生成不溶于水的带正电荷不溶于水的带正电荷的、具有很强吸附才的、具有很强吸附才干的氢氧化铝胶状团干的氢氧化铝胶状团粒，可以吸附水中的粒，可以吸附水中的尘粒、重金属离子、尘粒、重金属离子、有机物质、细菌等有有机物质、细菌等有害物质。原理框图：害物质。原理框图：见右图。见右图。1、电烤箱、电烤箱构造：箱体、电加热管、控制机构等组成，见以下图。构造：箱体、电加热管、控制机构等组成，见以下图。电炊器具电加热管构造：电加热管构造：1普通密封式电加热管：将金属丝贯穿于金属护套内，普通密封式电加热管：将金属丝贯穿于金属护

56、套内，其间隙处填以既绝缘又导热的氧化物介质，两端用封口其间隙处填以既绝缘又导热的氧化物介质，两端用封口资料密封，具有本钱低、寿命长、平安可靠。资料密封，具有本钱低、寿命长、平安可靠。2石英辐射管式电加热管：用乳白色半透明石英玻璃石英辐射管式电加热管：用乳白色半透明石英玻璃经过特殊加工后作护套管的电加热元件，具有平安、效经过特殊加工后作护套管的电加热元件，具有平安、效率高、分量轻、寿命长、启动快等特点而被广泛运用。率高、分量轻、寿命长、启动快等特点而被广泛运用。电炊器具温控器构造温控器构造:(构造如以下图构造如以下图)1双金属片温控器：通电后双金属片随温度的上升将双金属片温控器：通电后双金属片随

57、温度的上升将发生弯曲，当到达所需温度时，正好使触点分开，断开发生弯曲，当到达所需温度时，正好使触点分开，断开电路，当温度下降时，又接通电路，反复通断，使温度电路，当温度下降时，又接通电路，反复通断，使温度恒定。恒定。2热敏电阻温控器：用正或负温度系数的热敏电阻检热敏电阻温控器：用正或负温度系数的热敏电阻检测温度，当超越特定温度点居里点，热敏电阻的阻测温度，当超越特定温度点居里点，热敏电阻的阻值急剧变化，由集成电路检出，控制可控硅通断或导通值急剧变化，由集成电路检出，控制可控硅通断或导通角，实现温控。角，实现温控。电炊器具电炊器具定时器构造定时器构造:1机械式定时器：当用户旋转定时器按钮时，电机

58、通机械式定时器：当用户旋转定时器按钮时，电机通电或上紧发条带动凸轮转动，此时凸轮的外边沿压电或上紧发条带动凸轮转动，此时凸轮的外边沿压着簧片时，触点接通；凸轮经过一定时间的转动，其上着簧片时，触点接通；凸轮经过一定时间的转动，其上的凹槽对着簧片，簧片复位，触点断开。的凹槽对着簧片，簧片复位，触点断开。2电子式定时器：当开关拨向1、3、5、7、9、11时，电容两端被短路，Q端输出高电平，继电器J1吸合；当拨向2、4、6、8、10任一端时，向C充电，当到达某值时，Q输出低电平使三极管截止，继电器断开，实现定时；其本质是一单稳态电路。3电脑定时器：采用的是计数器，对稳定的晶振频率进展计数，当记到用户

59、设定的数值时，输出翻转，实现定时。电炊器具电炊器具2、电磁灶、电磁灶分类：低频电磁灶分类：低频电磁灶50HZ和高频电磁灶和高频电磁灶2050KHZ构造：加热线圈管、炉台、控制振荡单元、冷却单元。构造：加热线圈管、炉台、控制振荡单元、冷却单元。任务原理：根据电任务原理：根据电磁感应原理，在铁、磁感应原理，在铁、不锈钢等金属锅上不锈钢等金属锅上产生涡流使锅发热。产生涡流使锅发热。控制电路：包括电控制电路：包括电源电路、高频电力源电路、高频电力转换电路、检测电转换电路、检测电路和脉冲控制电路。路和脉冲控制电路。SCR导通，那么阻导通，那么阻流圈储能，截止，流圈储能，截止，那么高压那么高压700V使使

60、L3中有高频电流中有高频电流加热，加热，SCR再导通，再导通，ID和和L2为为L3续流，续流，反复上述过程。反复上述过程。电炊器具电炊器具磁控管构造：灯丝、阴极、阳极、磁铁和微波能量输出器。磁控管构造：灯丝、阴极、阳极、磁铁和微波能量输出器。3、微波炉、微波炉微波加热原理：极性分子如：水分子，在微波的电场作用下，微波加热原理：极性分子如：水分子，在微波的电场作用下，往复运动，分子间相互磨擦，产生热量。往复运动，分子间相互磨擦，产生热量。电炊器具电炊器具磁控管任务原理：阴极在灯丝的加热作用下，发射电子，电子磁控管任务原理：阴极在灯丝的加热作用下，发射电子，电子在电场和磁场作用下，沿着圆周飞向阳极