protues仿真DS18B20温度控制

1、电路图仿真图温控范围 25 到 35 度之间源程序#include<reg51.h>/包含单片机寄存器的头文件#include<intrins.h> /包含 _nop_() 函数定义的头文件#include <absacc.h>#include <math.h>sbit DQ=P11;sbit jdq=P10;sbit dot=P27;unsigned char codexiaoshu=0xc0,0xc0,0xf9,0xf9,0xa4,0xb0,0xb0,0x99,0x92,0x92,0x82,0xf8,0xf8,0x80,0x80,0x90;c

2、har duan4=0,0,0,0;unsigned char code weikong=0x01,0x02,0x04,0x08,0x10,0x20; unsigned char code table=0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,0x88,0x83,0xc6,0xa1,0x86,0x8e;int bai,shi,ge,flag=0,i;unsigned char temp;unsigned char TL;/储存暂存器的温度低位unsigned char TH;/储存暂存器的温度高位unsigned char TN;/储存

3、温度的整数部分unsigned int TD;/储存温度的小数部分void delay1ms()unsigned char i,j;for(i=0;i<10;i+)for(j=0;j<33;j+);void delaynms(int n)unsigned char i;for(i=0;i<n;i+)delay1ms();unsigned char time_DS18B20;/设置全局变量，专门用于严格延时bit Init_DS18B20(void)bit flag_DS18B20;/储存 DS18B20 是否存在的标志，flag=0 ，表示存在；flag=1 ，表示不存在DQ

4、 = 1;/先将数据线拉高for(time_DS18B20=0;time_DS18B20<2;time_DS18B20+) /略微延时约6 微秒;DQ = 0;/再将数据线从高拉低，要求保持480960usfor(time_DS18B20=0;time_DS18B20<200;time_DS18B20+) /略微延时约600 微秒; / 以向 DS18B20 发出一持续 480960us 的低电平复位脉冲DQ = 1;/释放数据线（将数据线拉高）for(time_DS18B20=0;time_DS18B20<10;time_DS18B20+); /延时约 30us （释放总线

5、后需等待1560us 让 DS18B20 输出存在脉冲）flag_DS18B20=DQ;/让单片机检测是否输出了存在脉冲（DQ=0 表示存在）for(time_DS18B20=0;time_DS18B20<200;time_DS18B20+) /延时足够长时间，等待存在脉冲输出完毕;return (flag_DS18B20);/返回检测成功标志unsigned char ReadOneChar( )unsigned char i=0;unsigned char dat; /储存读出的一个字节数据for (i=0;i<8;i+)DQ =1;/先将数据线拉高_nop_();/ 等待一个

6、机器周期DQ = 0;/单片机从 DS18B20 读书据时 ,将数据线从高拉低即启动读时序dat>>=1;_nop_();/等待一个机器周期DQ = 1;/将数据线 " 人为 " 拉高 ,为单片机检测DS18B20 的输出电平作准备for(time_DS18B20=0;time_DS18B20<3;time_DS18B20+);/延时约 6us，使主机在15us 内采样if(DQ=1)dat|=0x80; /如果读到的数据是1，则将 1 存入 datelsedat|=0x00;/如果读到的数据是0，则将 0 存入 dat/ 将单片机检测到的电平信号DQ 存

7、入 rifor(time_DS18B20=0;time_DS18B20<8;time_DS18B20+);/延时 3us, 两个读时序之间必须有大于1us 的恢复期return(dat);/返回读出的十进制数据WriteOneChar(unsigned char dat)unsigned char i=0;for (i=0; i<8; i+)DQ =1;/先将数据线拉高_nop_();/ 等待一个机器周期DQ=0;/将数据线从高拉低时即启动写时序DQ=dat&0x01;/利用与运算取出要写的某位二进制数据,/ 并将其送到数据线上等待 DS18B20 采样for(time_D

8、S18B20=0;time_DS18B20<10;time_DS18B20+);/ 延时约 30us ， DS18B20 在拉低后的约1560us 期间从数据线上采样DQ=1;/释放数据线for(time_DS18B20=0;time_DS18B20<1;time_DS18B20+);/ 延时 3us, 两个写时序间至少需要1us 的恢复期dat>>=1;/将 dat 中的各二进制位数据右移1 位for(time_DS18B20=0;time_DS18B20<4;time_DS18B20+); /稍作延时 ,给硬件一点反应时间void ReadyReadTemp(

9、void)Init_DS18B20();/将 DS18B20 初始化WriteOneChar(0xCC); /跳过读序号列号的操作WriteOneChar(0x44); /启动温度转换for(time_DS18B20=0;time_DS18B20<100;time_DS18B20+); / 温度转换需要一点时间Init_DS18B20();/将 DS18B20 初始化WriteOneChar(0xCC); /跳过读序号列号的操作WriteOneChar(0xBE); /读取温度寄存器 ,前两个分别是温度的低位和高位TL=ReadOneChar();/先读的是温度值低位TH=ReadOne

10、Char();/接着读的是温度值高位void display()if(TH>=8)TH=TH; /当温度为负数时求负数的补码TL=TL;TL=TL+1;flag=1;/当温度为负值时标志置1if(TL=0)TH+=1;duan0=TL&0X0f;/ 保存小数部分的值temp=(TH<<4)&0x70)|(TL>>4);/ 将高8位的低 3位和低 8位的高 4 位合并构成温度的整数部分duan3=temp/100;/ 取百位duan2=temp%100/10;/取十位duan1=temp%10;/ 取个位P2=xiaoshuduan0;/显示小数部分

11、P3=0x01;delaynms(3);P3=0;if(duan3)/ 显示百位P3=weikong3;P2=tableduan3;delaynms(3);P3=0;if(duan3)/ 显示十位P3=weikong2;P2=tableduan2;delaynms(3);P3=0;elseif(duan2)/ 显示十位P3=weikong2;P2=tableduan2;delaynms(3);P3=0;P3=weikong1;P2=tableduan1;/ 显示个位dot=0;delaynms(3);P3=0;/ 显示小数点if(flag) /当温度为负数时显示符号位P2=0xbf;if(!duan3)P3=0x08;if(!duan2)P3=0x04;elseP3=0x10;delaynms(1);P3=0;flag=0;delaynms(25);/ 延时一段时间void main(void)wh