RF中文数据手册要点

1、IRF540 N 沟道 MOS 管特性 Thrench 工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻综述使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管应用：DC 到 DC 转换器开关电源电视及电脑显示器电源IRF540 中提供的是SOT78(TO220AB) 常规铅的包裹。IRF540S中提供的是 SOT404(D PAK) 表面安装的包裹。管脚管脚描述1Gate2Drain3SourceTabDrain极限值系统绝对最大值依照限制值符号参数条件最小值最大值单位V_DSS漏源极电压Tj= 25 ?C to 175?C-100VV_DGR漏门极电压Tj = 25 ?C to 175?C;-100VV_

2、GS门源极电压RGS = 20 k?-± 20VI_D连续漏电流Tmb = 25 ?C; VGS = 10 V-23AI_DM脉冲漏电流Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V-16AP_D总功耗Tmb = 25 ?C-92ATj ， Tsig操作点和Tmb = 25 ?C-100W存储温度-55175雪崩能量极限值符号参数非重复性雪崩能量最大非重复性雪崩电流热敏电阻条件最小值最大值单位Unclamped inductive load, IAS = 10 A;-230mJtp = 350 s;priorTj to avalanche = 25?C;-23AVDD 25 V;

3、RGS = 50 ?; VGS = 10 V;refer to fig:14符号参数条件最小值典型值最大值单位安装底座交界SOT78 封装，自由空间-1.5K/W处的热阻SOT404 封装， PCB 上-60-K/W周围环境热阻电特性25 除非另有说明符号参数漏源极崩溃电压门阀电压漏源极导通电阻向前跨导门源极泄漏电流0门极电压漏电流总共门极电荷门源极电荷门漏极电荷开启延迟时间开启上沿时间关闭延迟时间关闭下沿时间内部漏电感内部漏电感内部源极电感-50-K/W条件最小值典型值最大值单位VGS =0V ； I D =0.25mA100-VTj = -55?C89-VVDS = VGS ; ID =

4、1 mA234VTj = 175?C1-VTj = -55?C-6VVGS=10V;ID=17A-4977mTj = 175?C8.7132193mVDS =25V; I D =17A15.5-S-VGS =±20 V; VDS =0V-10100nAVDS=100V;VGS=0V-0.0510uAVDS=80V;VGS=0V;Tj= 175?C-250uAID=17A-65nCVDD = 80 V;-10nCVGS=10V-29nCVDD=50V;RD= 2.2 ?;-8-nsVDD=10V;RG=5.6?-39-nsResistive load-26-ns-24-nsMeasur

5、ed tab to centre of die-3.5-nHMeasured from drain lead to centre of-4.5-nHdie (SOT78 package only)-7.5-nHMeasured from source lead to sourcebond pad输入电容VGS = 0 V; VDS = 25 V; f = 1 MHz-8901187pF输出电容-139167pF反馈电容-83109pF反向二极管极限值及特性符号参数条件最小值典型值最大值单位连续源极电流IF =28A；-23A脉冲源极电流-92A二极管正向电压VGS =0V-0.941.5V反向恢复之间-61-ns反向恢复命令I F =17A ； VGS =0V;200-nC-d I F /dt=100A/us;VR =25V底座温度 -自然功率降低百分比图 1：自然功率损耗底座温度 -漏电流降低百分比图 2 ：自然持续漏电流漏源极电压 -脉冲漏极电流峰值图 3 ：安全操作区域脉宽 -瞬态热阻抗图 4：瞬态热阻抗漏源极电压 -漏极电流图 5：典型输出特性漏极电流 -漏源极导通阻抗图 6：典型导通阻抗图 7：典型传递特性图 8