roll-to-roll磁控溅射镀膜系统设计论文

1、中文摘要3英文摘要41绪论51. 1真空卷绕镀膜技术及设备的现状与发展51. 1. 1真空卷绕镀膜技术的应用领域52磁控溅射原理及溅射沉积工艺参数52. 1磁控溅射原理与磁控溅射物理过程52. 2磁控溅射的工艺参数62. 2. 1磁控溅射的功率62. 2.2磁场强度72. 2.3溅射气压72. 2.4基片的温度73 roll-to-roll磁控溅射镀膜系统83. 1 roll-to-roll磁控溅射镀膜系统的主要组成和工作过程 83. 1. 1 roll-to-roll磁控溅射系统的组要组成 83. 2平面磁控溅射靶的类型选择84磁控溅射镀膜真空室的设计要求与原则94. 1设计参数94. 2磁

2、控溅射镀膜真空室的主要设计原则104. 3磁控溅射镀膜室对抽气系统的要求 105 roll-to-roll磁控溅射真空镀膜室主要部分的设计与计算 115.1真空系统的设计与计算 115. 1. 1真空室壳体的类型选择115. 1.2真空室壳体的计算 115.1.3抽气系统的设计与计算115. 1.4主泵的选择125.1. 5计算扩散泵与真空室排气口管路的流导，验证选k-200型扩散泵是否合适125. 1.6前级泵的选择 145. 1.7抽气时间的计算145.2卷绕系统主轴的人比丫$分析155.3真空室的气流速度和压强的fluent分析 205. 3. 1气体压强分析215. 3.2 气体的速度

3、分析235. 4 roll-to-roll磁控溅射系统设计 26致谢28参考文献29摘要：随着柔性基体材料在太阳能电池和柔性显示屏中的运用，在柔性基体上镀 膜的技术越来越受到人们的关注，并且是现代科技发展中的一项关键技术。 磁控溅射镀膜技术是真空镀膜中运用广泛，不仅能够在各种面积的基体上 镀膜，而且还能还能够得到镀膜厚度均匀，性能稳定的薄膜。而r-to-r 磁控溅射镀膜技术不仅具有普通磁控溅射镀膜技术的优点，它还具有能够 在柔性基体上镀膜的特点，解决了在柔性基体上连续镀膜难题。文中在对 平面磁控溅射阴极的工作原理分析的基础上，阐述了磁控溅射镀膜的主要 工艺流程和影响参数，并介绍了 r-to-r

4、磁控溅射镀膜系统的主要组成和工 作原理，从而对卷对卷磁控溅射镀膜系统可行性的分析。文中主要对真空 室、抽气系统、传动系统、冷却系统进行设计以及对主轴进行了应力和位 移的ansys的分析，对真空室的气流进行压强和气体流速的fluend分析。 该抽气系统采用旋片泵做前级泵，扩散泵做主泵，传动系统用带传动和齿 轮传动的结合方式。关键词：卷对卷、磁控溅射、柔性基体、矩形靶材、镀膜abstract： with the flexible base material in solar cell and the application of flexible displays, on the flexible

5、 substrate coating technology more and more get the attention of people, and is a key technology in the development of modern science and technology. magnetron sputtering deposition technology is widely used in vacuum coating, can in all area of the substrate coating not only, but also can be unifor

6、m coating thickness, stable performance of the film. and roll-to-roll magnetron sputtering deposition technology not only possesses the advantages of ordinary magnetron sputtering deposition technology, it also has the characteristics of the can on the flexible substrate coating, solved the difficul

7、t problem on the flexible substrate for coating. on planar magnetron sputtering cathode in this paper based on the analysis of working principle, elaborated the magnetron sputtering coating process flow and main impact parameters, and introduces the roll-to-roll magnetron sputtering coating system c

8、omposition and working principle, main to roll on the roll of the magnetron sputtering coating system feasibility analysis. this paper mainly on the vacuum chamber, extraction system, transmission system, cooling system to carry on the design of main shaft and the stress and displacement of the ansy

9、s analysis, on the airflow in vacuum chamber pressure and gas velocity fluend analysis. before the extraction system adopts the rotary vane pump as prepump, diffusion pump in charge pump, transmission system with transmission and gear transmission mode.keywords： volume to volume, magnetron sputterin

10、g, flexible substrate, rectangular target material, coating1绪论1. 1真空卷绕镀膜技术及设备的现状与发展真空卷绕镀膜技术发展至今，已经完全适应了现代工业生产的需要。传统的真 空卷绕普通装饰镀膜不断发展，并衍生出了一序列专业性较强的真空卷绕功能膜镀 制设备。1.1.1真空卷绕镀膜技术的应用领域真空卷绕镀膜技术的应用领域很多。其产品主要用于装饰、彩印等。在功能性 薄膜的应用领域中真空卷绕镀膜技术可用于激光防伪膜的镀制。列外在高速公路反 光标志的制作过程也少不了卷绕镀膜技术。此类产品镀层多为纯铝，基体一 pet、 bopp、cpp、涂漆纸

11、及复合玻璃微珠的纸等居多。在薄膜电容器行业，由丁薄膜电容器很容易达到小体积高容量，因此发展很快。 此领域对真空卷绕镀膜技术的应用要求更为严格。体积的缩小要求基材更薄，其基 材厚度一般为1. 2-9umo国内电容器厂家多用4-8um的pet和bopp薄膜。其中由于 电学性能的影响，bopp薄膜的应用有占总量的90%以上。电容器薄膜镀膜层多为纯 铝和锌铝，银锌铝复合材料也有应用。应用磁控溅射原理的卷绕设备能够在基材上 镀制ito、si02、in、cu、ni、ti等金屈、非金属及其氧化物。it0膜可以作为冷发 光材料。在棉布表面镀上si02可以制成防电磁辐射的防护服，镀透ni的海绵烧制 后可做银氢电

12、池。镀上ti等多种材料的基材可做柔性显示器件。总之，真空卷绕镀 膜技术发展至今，其应用领域越来越广，同样对真空卷绕镀膜设备的要求越来越高。2磁控溅射原理及溅射沉积工艺参数2.1磁控溅射原理与磁控溅射物理过程磁控溅射技术是在普通直流（射频）溅射技术的基础上发展起来的，它是利用磁 场束缚电子的运动（即磁控管模式），其结果导至轰击基片的高能电子的减少和轰击 靶材的高能离子的增多，使其具备了 “低温”、“高速”两大特点。磁控溅射等离子 体中的物理过程如图2.1所示。与直流二级溅射相比较，区别只在于增加正交电磁 场对电子的束缚效应。可见，正交电磁场的建立，靶面磁场b值的人小及其分布，特别是平行于靶表面的

13、磁场分量b,是磁控溅射中一个极其重要的参数。不管有没有碰撞，最终沉积到基片上（沉积效应）以中性原子返回经碰撞返回阳极碰撞发生电离，以正离子返回（白溅射效应）阴极原子发射（溅射效应）正离子经阴极暗区加速轰击阴极表面正离子中性化二次电子发射经阴极暗区加速-受磁场束缚（束缚效应）一次电子与中性分子碰撞，产生正离子和电子（电离效应）电子飞向阳极没与中性分了碰掠图2.1磁控溅射的物理过程为了提高对电子的束缚效应，磁控溅射装置中应当尽可能满足磁场b与电场e 相互垂直（即正交）和利用磁力线及电极（一般为阴极靶）封闭等离子体的两个重 要条件。由于束缚效应的作用，磁控溅射的放电电压和气压都远低于直流二级溅射,

14、通常分别为500600v和10_1pa10o2. 2磁控溅射的工艺参数溅射镀膜过程中，由于靶功率与靶的溅射率呈直线止比关系，因此提高靶的功 率即可提高靶的溅射率和沉积到基片上的沉积速率，从而提高设备的工作效率。经 验表明：高的溅射速率的最佳参数是提高阴极电压，增大靶的电流密度，选择溅射 率高的溅射气体，较高的工作真空度以及合适的基片温度。现就这些参数分述如下:2. 2. 1磁控溅射的功率从理论上看，对于磁控溅射源，镀膜沉积速率都会随着靶功率的增大而增大， 二者具有较好的线性关系。由于在界常辉光放电中，电流的增大，必然导致电流密 度成比例地增加，而电流密度的增加会引起电场的进一步畸变，使阴极位降

15、区的长 度不断减少，维持放电所必须的阴极位降将进一步增加，撞击阴极的正离子数目及 动能都大为增加，在阴极表面发生溅射作用也要强烈得多，致使沉积速率增大。但是需要指岀的是，靶材承受的功率是有限的。靶面温度过高会导致靶材熔化 或引起弧光放电。因此靶功率应当在靶材允许值范围内调节。因此提高镀膜速率的 工艺原则应当尽可能接近允许值；靶电压尽可能接近最佳值3。2. 2. 2磁场强度磁控溅射的关键参数是与电场垂直的水平磁场分量b，而垂直磁场肌对磁控模 型运行没有作用。b在靶面各处并不是一个均匀的值，一般以最大水平场强b代替靶 面的场强要求。通常要求距靶平面35mni处测得的数值为0. 020. 06t。但

16、在靶面上 水平场强分布不均匀时会引起溅射的不均匀，因此，适当调整磁铁布局，使之得到 均匀的水平磁场，以得到均匀的溅射区，提高靶材的利用率。2. 2. 3溅射气压在直流磁控溅射过程中，溅射气压（工作气压）是一个很重要的参数，它对溅射 速率，沉积速率以及薄膜的质量都有很大的影响。气体分子从一次碰撞到相邻的下 一次碰撞所通过的距离的统计平均值，称之为平均自由程必间。从分子的平均自由程 的角度来说，溅射气体压力低时溅射粒子的平均自由程大，与气体离子的碰撞的儿 率小，使沉积速率增大。但是，溅射气体压力低时入射离子浓度低，溅射岀的离子 数目也少，又使沉积速率减小。当溅射气体压力高时，轰击靶的气体离子多，溅

17、射 岀的离子数也多，使溅射速率增大。但是溅射粒子的平均自由程减小，与气体离子 碰撞的儿率增大，使沉积速率减小。溅射气压所产生的这两种效果互相制约，随着 溅射气压的增加，最初沉积速率不断增大，当溅射气压增大到一定程度时，沉积速 率达到最大值，之后随着溅射气压的增大乂不断减小。2.2.4基片的温度基片的温度对沉积速率也有一定的影响。有些材质的沉积速率随着基片温度的 上升略有下降，这可能是基片温度升高时到达基片的沉积原子较易解吸的缘故。但 在反应沉积化合物时，沉积速率是随着基片温度的增加而上升的。因为反应沉积实 际上是反应气体和溅射原子在表面上发生化学反应的过程，而这一过程是随基片温度升高而增强的。

18、3 roll-to-roll磁控溅射镀膜系统3. 1 roll-to-roll磁控溅射镀膜系统的主要组成和工作过程3. 1. 1 roll-to-roll磁控溅射系统的组要组成卷绕式真空镀膜机主要由卷绕系统、溅射系统、真空系统、控制系统组成。3. 1. 2 roll-to-roll磁控溅射系统的工作过程将近二十米长的柔性基体卷放置在放卷机构上，通过放卷机构让柔性基体穿过 磁控溅射区，传送到收卷机构上，将镀好的薄膜收卷起来，如图3-1。在真空室达到 一定的真空条件下充入氮气，在磁控溅射靶极（磁控溅射靶材基体）上加一定的直 流电压（-500-600v）,是充入真空室体内的氮气电离，a"在

19、正交电磁场的作用下 轰击基体，北溅射出来的肛原子或分子均匀沉积在被镀的基体上，使基体成为导电 体；从而完成基体的导电化处理。由于整个导电过程是在高真空条件下进行的，所 以通过真空磁控溅射方法可以或得优质的电镀用薄膜。在整个镀膜过程屮要求基体不能受任何外力，即牵引传动，放卷传动，收卷辘的 线速度必须一致，即柔性基体在镀膜过程是“零张力”传动。同时控制柔性基体的 传动速度（或减少电流的大小）能有效地控制所镀薄膜的厚度。因此，柔性基体传 动系统是保证柔性基体导电化处理的关键技术之一。其中冷却辘在镀膜的过程中起着非常重要的作用。一方面冷却辘起到对基体进行 冷却的作用，以消除由于柔性基体温度的升高，使得

20、薄膜附着性能的变化，以及薄 膜层屮原子的重新排列。另外，冷却辘也起到了引导柔性基体传动和展平柔性基体 的作用，是被镀材料均匀地镀到基体上。3. 2平面磁控溅射靶的类型选择磁控溅射靶主要分为：同轴圆柱形磁控溅射靶、平面磁控溅射靶、s枪磁控溅射 靶三种。其中，平面磁控溅射靶又分为圆形平面磁控溅射靶和矩形平面磁控溅射靶 两种。同轴圆柱形磁控测射靶的优点是结构紧凑，靶材利用率较平面矩形靶高。但缺 点是在溅射时，整个靶表面上为多个辉光环，不能形成连续的条形辉光，故在镀制 大面积的膜层时，膜层表面的均匀性差，很难满足要求。平面磁控溅射靶的特点是 结构简单，通用性强，膜层均匀性与重复性好。但缺点是靶材的利用

21、率低，一般约 为20%左右。当辉光区，即磁力线分布区域的靶材消耗到一定程度时，将形成条形凹 坑，靶材体变薄，凹坑深度达到一定程度时，靶材就不能继续使用。s枪磁控溅射靶 由于其特殊的靶形和冷却方式，使其具有靶材利用率高、膜厚分布均匀、靶功率密 度大和易于更换靶材等优点。但是s枪磁控溅射靶的结构复杂、磁场计算困难。矩形平面磁控溅射靶虽然从基本原理方面看劣势较多，但近年来矩形溅射靶的 研究和改进不断。现如今的矩形溅射靶已经非常成熟、先进，并且在工业生产中成 功应用。从以上各个方面，并且联系生产实际，本设计采用矩形平面磁控溅射靶。但是一般的磁控溅射靶存在两个主要的问题：靶的电弧放电问题，阳极消失问 题

22、。因此，目前国内外采用一种用中频电源供电的李生靶进行磁控溅射，即“twin targets"o中频溅射常用于溅射两个靶，通常为并排的两个靶，尺寸和外形全部相 同，因此这两个靶常称为李生靶。李生靶在溅射室中悬浮安装，在溅射过程中，两 个靶周期性轮流作为阴极与阳极，既抑制了打火，而且由于消除了普通直流反应磁 控溅射中的阳极消失现象，从而使溅射过程得以稳定进行。中频宇生磁控溅射具有以下优点：(1)可以得到高的沉积速率；(2)溅射过程 可以始终稳定地工作在设定的工作点上；(3)由于消除了打火现象，缺陷密度较普 通直流磁控溅射要小儿个数量级；(4)由于交流反应溅射时到达基板的原子平均释 放的能

23、量高于直流反应溅射的值，因此在沉积过程中基板温度较高，沉积膜会更致 密，与基板的结合会更牢固。近儿年，新型的大面积宇生磁控溅射源的诞生，又克服了传统的宇生磁控溅射 源如下所述的缺点：a磁控溅射源与直流电连接，长期使用后容易在磁控溅射源表面 形成污物；b磁控溅射源的磁钢与冷却用的水路共用一个通道，磁钢泡在冷却水中， 长期使用后容易退磁和腐蚀何。因此，磁控溅射靶采用宇生矩形靶。4磁控溅射镀膜真空室的设计要求与原则4. 1设计参数需要传送的基片尺寸的最大宽度和最大长度分别是300mm, 2000mm,真空镀膜室 采用不锈钢圆筒形壳体，使用旋片泵和扩散泵机组抽气，对于旋片泵和扩散泵机进 行选配，溅射电

24、压300-600v,工作压力0.01-lpa,平行靶面的磁感应强度分量在 0. 04-0. 07t 之间。4. 2磁控溅射镀膜真空室的主要设计原则（1）创造良好的安装磁控溅射阴极位置，提供良好的电场条件，维持稳定的辉 光放电。（2）创造磁控溅射阴极间有良好的隔离条件，设置隔离挡板。（3）提供充足的充气源装置（可通入ar、o2、n2）达到均匀弥散，特别是沿磁 控溅射阴极长度方向喷射的介质气体越均匀越好，保证膜质均匀何。（4）设有独立的变速范围较宽的传动输送柔性基体系统，随意可调。（5）壳体结构，卧式采用剖分式，立式采用剖分式，方便清洁卫生。普通钢结 构要满足真空容器要求的强度、刚度条件。（6）备

25、有观察、检测、发讯等装置。4. 3磁控溅射镀膜室对抽气系统的要求（1）镀膜机抽气系统应有足够大的抽气速率，该抽速即应迅速抽走镀膜过程 中基片及膜材和真空室内其他构件所放出的气体，也应对溅射镀膜过程中渗气及系 统的泄漏等气体量迅速地抽出。（2）磁控溅射镀膜机抽气系统的极限压强应根据不同膜的要求，而有所不同。 目前箱式磁控溅射镀膜机的极限压强可在1. 32. 6x10-3pa范围内选择。（3）在油扩散泵为主泵的抽气系统中，要求泵的返油率越小越好，否则返流 的油蒸汽将会污染被镀的玻璃表面，使膜层易于脱落。（4）镀膜室及抽气系统的漏气率要小。即或是微量气体的漏入，也易影响膜 的质量，为了保证系统的密封

26、性能，必须把系统的总漏率限制在一定的范围之内。 目前这一范围国内尚无标准。设计时可根据工艺要求而定。（5）真空系统的操作，使用及检修维护应方便，系统的抽气性能应稳定可靠。5 roll-to-roll磁控溅射真空镀膜室主要部分的设计与计算5. 1真空系统的设计与计算5. 1. 1真空室壳体的类型选择真空容器是构成真空室的基本部件。在真空工程中，各种真空应用对真空室的 功能要求不同，构成真空室的真空容器形状和大小就不相同。真空容器壳体主要有 圆筒形壳体、球形壳体、圆锥形壳体、盒形壳体、椭圆球形壳体和圆环形壳体问。盒形壳体制造复杂，耗费金属材料多。球形壳体从稳定性和节省材料上来说是 最好的，但球形制

27、造困难，内部有效利用空间小，因此应用不多。圆筒形壳体制造 容易、强度好。考虑到柔性基体都是用卷筒储存的，圆形壳体对此镀膜生产线最适 合。因此，本设计真空镀膜室的形状采用圆筒形壳体。5. 1.2真空室壳体的计算(1) 圆筒体内径的确定根据所需镀膜的尺寸长宽分别为300mm. 2000mm,所以确定圆筒内径为d=500mm(2) 圆筒形壳体壁厚的确定按经验确定外压圆筒形壳体壁厚为s=20mm(3) 圆筒长度的确定根据1wl/dw8,为使真空室紧凑，所以选择l=500mm5.1.3抽气系统的设计与计算真空室尺寸为500x500,真空室体积：v = wr2 x l = 7f x 2502 x 500

28、= 9.82 x；真空室内表面积：；真空室采用材料为不锈钢lcrl8ni9ti；系统极限压强：pv = 1.33 x 10-4pa；工作压强：fg = 225 x 102pao(1)真空系统总放气量的计算q二q1+q2q为真空室总的放气流量；q1为真空室表面的出气量；q2为系统的漏气量；查表知不锈钢一小时后岀气率为ql = 2.1 x 10-7pa.l/（s.cm2）,故不锈钢表面的出气量为：q出=qlal = 2.1 x 107 x 1.18 x 104 = 2.40 x 10"apa.l/s ；考虑真空室内其他表面的放气量取q密2 =qix-i = 2.48 x 10-apa.l

29、/s 系统白勺漏气量：q2 = pxv/3600 = 1.33 x 982/3600 = 3.63 x 10"2pa.l/s 上式中人为压升率（国内一般取压升率为153pa/h ）, v为真空室容积。真空室总的放气量：q = q1 + q2 = 2x 248x.+ 3.65x 102 = 4.13x 10"2pa丄阳（2）真空室有效抽速的确定s = q/pvvs为真空室的有效抽速:l/s；q为总气体量:pa. l/s；匕为极限压强:pa;故真空室的有效抽速s = -= 4.13 x x io-4 = 310-5l/s,但为了可靠起见，可根据设备具体情况增大，实际有效抽速在此

30、基础增大20%即:si = 1.2s = 1.2 x 310.5 = 373l/s。5.1.4主泵的选择根据要求的工作压力，选扩散泵作为主泵。为防止油进入真空室中，扩散泵与真空 室乞间安装“山型”挡板，查表知山型挡板的比流导为并配 上一个高真空插板阀，扩散泵前级泵选机械泵组成的真空机组。根据要求，泵的有效抽速为373l/s ,考虑到加上挡板、阀门后的抽速流失（一般泵 的有效抽速是泵的抽速的1/3左右），暂选抽速为1118l/s的扩散泵来进行试算。查 表选k-200型扩散泵 满足要求。泵的进气口直径200mm,排气口直径65mmo5.1. 5计算扩散泵与真空室排气口管路的流导,验证选k-200型

31、扩散泵是否合 适k-200型扩散泵泵口径为200mm,为增大挡板流导，将其直径扩大到250mmo计 算流导时为简化计算起见，挡板椎体部分不做计算。总流导c由高真空管道3的流导g、挡板阀4的流导g （因其工作时打开，故忽略）、1电离规；2真空室；3高真空管道；4高真空挡板阀；5挡板；6扩散泵；7前级管道；8热偶规；9电磁阀；10机械泵。确定气体管道的流动状态。真空室工作压力：，分子泵入口压力很低，即管道 出口压力可以忽略，管道平均压力：此时12，可见为分子流。高真空管道的流导：u3 = 11-6aa(g为克劳辛系数查表为1, 4管道截面积)即c3 = 11.6 x wr2' x 1= 1

32、1.&7f x ia2 x 1 = 3.6 x 10al/s挡板阀流导：查表得：c2=15001/s；障板(5)的流导：c3= 3.16/(s.cm2)=3.1ft x 3.14-1-4x 25a=1.6 x 10al/s串联有1/c= 1/c 14 1/cz+1/c3计算分子泵的抽速s”s = 3”x637 = 900厶.5-' <1200厶厂p c s 637-373故所选泵满足要求。5.1.6前级泵的选择k-200型扩散泵临界前级压力无为40九。由抽速曲线可知，在2.7x10-2內下， 扩散泵最大排气量2max = p5 = 2.7xl0-2xl200palis =

33、 32apa l!s o在扩散泵出口 管道断面处要求前级泵的有效抽速不小于s二空厶.厂一0 81厶q pn 40扩散泵排气口直径56mm ,选前级管道直径为56mm ,长度为2m ,由于管道长 可以不考虑弯角影响。确定流动状态：扩散泵出口压力为40內，机械泵进气口压力要比4()pq低得多，在计算管道平均压力时可以忽略，故p气代=20pd°此时pd = 20x0.15 = 3pa m>0.67pain ,可见为粘滞流，故前级管道流导为：z/4 -f) 564c = 1.34xl03-/? = 1.34xl03x-x20(m3/5)« 0.134m3/j = 134l/s

34、前级泵抽速spsccsq_ 0.81x134 134-0.81-0.81 lis通常把增大13倍后选泵。若增大3倍，则为2.4lis,可选2x-4型旋片式机械 真空泵。考虑到由于真空室中实际体积会因为卷绕系统的引路而减小，而没有引入卷绕 系统只需的抽速也较小。所以可以用k-150的扩散泵来代替k-200的扩散泵，而选 片泵选用2x-4.5. 1.7抽气时间的计算真空系统设计中抽气时间计算公式为sp p从大气压排气至10pa时k取1 则代入数据计算得/产565s； 从 10? pa 至 50pa 时 k 取 1. 5 则代入数据计算得z2=55.2s； 从50pa至5pa时k取2 则代入数据计算

35、得(3=56. 5s； 从5pa抽至10" pa时k取4则代入数据计算得r4=192. is；高真空抽气时间计算主要考虑材料的放气率，从10抽至1x10。利用解析法求解：sj p& = q. +洌如叨o一般的不锈钢内部溶有大量的氢气，如果没有进行高真空去气处理，则热扩撒放出的氢气是主 为:q、= 2.1x10" 泵对镀膜室的有?娶的，而渗透，蒸发，微漏可以不考虑，即q=0。不锈钢的放气率7 pam',0=1，总放气面积为a = 11800cm2 o 枚抽速为：c 1200x637n/11a 3 /st = 0.416m is o"1200 + 63

36、7把起始压强io-'pa代入得0.416x107=3.63x105/',解得 f - 0.00087/?；把起始压强1.33x10-4 pa代入得0.416x1.33x10-4 = 2.48x10-5 /”解得 f = 0.66/?o所以高真空抽气吋间：t = z' = 0.66 - 0.00087 = 0.66/1 = 39.6 min。 故总的抽气时间为：t = f+ 4 + 2 +e +匚=46min。5. 2卷绕系统主轴的ansys分析(1)建立模型在solidworks中建立溅射主幅轴的模型，并用ansys中的file/input命令把 模型导入anasys中

37、。如图5-1。file: f:ansys study (2) r主轴x tansysjun 3 2013 20:20:33areastype num如图5-1溅射冷却轴(1)生成有限元模型定义单元类型。选取solid单元，打开library of element type对话框，在 单元库中选择8node 1850设定单元尺寸。在global element size对话框中选择15-25。定义材料属性。在 preprofessor- material props-material models 在对话框 中选择与q235材料对应的参数。牛成网络。在mesh对话框中分别选择smart sizi

38、ng (on) -volumes-tet-free, 选择模型，就没能生成网格划分后的模型。如图4-2。file: f:ansys study(2)新主轴x_tansysjun 3 2013 20:41:51如图5-2溅射冷却主轴有限元模型图（3）施加载荷约束安装轴承处的两个柱面，并施加位移约束，在键槽的一面施加相应的推力 载荷，在长度为300mm的圆柱上表面施加均匀分布的径向载荷。（4）求解和后处理选择solution-solve-current ls命令，开始求解。求解完成后，选择nodal solu 命令打开对话框，选择当中的stress和von mises项，得到等效应力图。如图4-3

39、, 4-4图中用颜色的冷暖来表示应力的大小，也能直观地看出变形，根据底下的彩色条 也能确定应力的大小，单位为牛顿。不过分析出来的应力图为了更明显的显示变形 情况而将变形明显夸大了，实际的变形是很细小的。nodal solutionstep-1sub =1time “seqv (avg)emx -.171e-04 smh =1455smx =.139e+08ansysjun 1 2013 21:26:321455309e07.618e4>07 92 6e+07 12324*08.1s4e+07463e+07772e+071082+08139e+08file: f:ansys scudy(2

40、)新主轴x t图5-3冷却主轴应力图nodal solutionstep=1sub =1time=1seqv (avg)dmx =.171e-04 smn =1455ansysjun 1 2013 21:28:ss14&s 309e4-07.618e4-07 926e407 123e>08.1s4e+07463e+07 772e4-07108e08 139e4-08file: f:ansys study (2) 新主轴x_t图5-4冷却主轴应力变形图另外我们也可以得到该轴的位移图，如图4-5。smx =.139e+081nodal solutionstep-1sub =1time

41、=1usum (avg)rsys-0dmx =.171e-04smx =.171e-04ansysjun 1 2013 21:36:270379e-0s758e114e-041s2e-04-190es69e-0s948e-0s133£04171e-04file: f:ansys scudy(2)新主轴x t图5-5冷却主轴位移图(5) 结果分析从4-3、4-4两幅图中，我们可以看到，该轴所受应力最大处为安装轴承处与动 力传动端之间的台阶处，其次为安装v带轮的台阶处。而安装冷却辘处所受应力很 小，或者基木不受应力。因而我们可以确保冷却车昆对基体材料能够起到稳定的冷却 作用，从而我们能够

42、得到均匀的薄膜。从图4-5中我们可以看到该轴位移量最大处 为连接v带轮端，该段位移真空室外，主要是传递动力作用。而对我们镀膜质量很 重要端，即安装冷却车昆处，位移很小，可以认为为零。当我们需要度灵敏度很高的 薄膜吋，要求薄膜要均匀，性能要稳定。由应力图和位移图我们可以知道，冷却辘 非常稳定，即有很好的冷却效果，摆动基本不存在，所以可以认为可以确保得到均 匀稳定的镀膜材料。而对于所受应力比较大的台阶处，我们可以采取圆锥面来替代 台阶，从而加强该轴的强度。而对于连接v带轮处位移变形较大的缺陷，我们将在 设计吋，在端部设计一个支架，一方面可以把冷却水引路冷却辘，另一方面起到一 定程度限制该段位移变形

43、的作用。综上所述，我们可以知道，冷却主轴的设计能够符合我们的设计要求。由于放 卷辘和收卷辘与冷却轴具有相似的结构，但他们所受载荷比较少，我们可以认为放 卷银和收卷车昆也能符合要求，所以此处就不在对放卷车昆和收卷车昆做ansys分析。5.3真空室的气流速度和压强的fluent分析该设计中我将进气口开在不同位置，然后进行fluent分析，分析进气口位置的不同对真空内的压强和气体流速的影响，从而找出最合适的进气口位置。如图5-6、5-7,分别是将进气口放在中间位置和偏离中间位置200mm处的网格划分。图5-6进气口在中间的网格模型图5-7进气口偏离中间200mm处的网格模型5. 3. 1气体压强分析

44、图5-8、5-9分别为不同位置的整体压强情况，图5-1k 5-11分别为对应的剖视图曲 fluent 1 ansys inci.me+oo1.36e*o01.21001.07e4009 30ex)17.8736 45ex)15.030136312.19e-017.7402651z22.07s3.49eo14.9,5-6.33eo1-7.7501-1.06e+00am-1.20ef00contours ofstabc pressure (pascal)jun 05.2013ansys fluent 121 (3d. dp. pbnst ske)图5-8进气口在中间时的压强分布習 fluent 1

45、 ansys incl.leooi.oseoo9 49e-018 52s7.55016.580156254®5e)13.68e-01271e-011 74e-017.75021.9*02-1 16e01-2 i3e)1-3.10014.07s-5.0301-o.oo&oi69721-7s4eo1contours of static pressure (pascal)jun 05,2013 ansys fluent 121 (3d, dp, pbns, ske)§ fluent 1 an sys inci.me+oo1.36e4o0 1.2100 1.07e400 9

46、 30ex)1 7.873 6 45exh 5.03-01 3.613 2.19e-01 7.7m2 651z2 2.07s -3.4901 -4.91e)1 -6.3301 -7.7501 am -1.06e+00 4.20ef00图5-9进气口在旁边时的压强分布contours ofstabc pressure (pascal)jun 05.2013ansys fluent 121 (3d. dp. pbnst ske)图5-10进气口在中间时的压强分布剖视图图5-11进气口在旁边时的压强分布剖视图从图5-8、5-9、5-10、5-11四副压强图屮我们可以看出，当把进气口开在中间 时，真空

47、室所受压强最大处为进气口处的断面，其次是靠近岀气口那端。而当把进气口开在远离中间位置时，所受压强最大处为出气口处，其次为进气口处。 经过分析比较，我们有必要对进气口端和岀气口端的真空壁进行加强。5. 3.2气体的速度分析二、z-velocity vectors colored by velocity magnitude (m/s)2.62e+o02.10e+001.92e+o01.75e4o01.57eioo1.40e4001.05e+007.(xte)11 7ge)11.08e>3jun 05.2013ansys fluent 1z1 (3d, dp, pbns. ske)151013

48、 fluent 1 ansys inc图5-12进气口在中间时的气体流速图fluent 1 ansys inc3.50+003.32e4o0hfe+oo2.97e4o02.8deioo2.62e4002.45e4o02.27eioo2.10&+001.9220(.73001.57efoo(.40301 2230f.oseoo8.75eo17.g015.25013.51011.70011.0803jun 05, 2013ansys fluent 1z1 (3d, dp, pbns, ske)图5-13进气口在中间气体流速分布图图5-14进气口在中间是气体流速剖视图fluent 1 ans

49、ys inc3.56ef003.38e+o03.20ef003.02e+002.84ef002.67e+002.49ef002.31e+002.13e»1.96e)01.78etoo1.60e+001.42e*001.24e+o01.07e+008.89eo17.12eo15.j4eo13.56e)11.78e)14.73eo4velocity vectors colored by velocity magnitude (m/s)jun 05, 2013ansys fluent 121 (3d. dp. pbns. ske)图5-15进气口开在旁边时的整体气体流速图fluent an

50、sys inc3 56e*003.38e>00 3.2000 3.02e00 2s4e*o0 2.67e>00 2 49e*o0 2.31z0 2.13eoo 1.96eoo 1.78eoo i.ooetoo 1.42eoo 1.24efoo 1.07e00 8 89e-01 7.12e-01 5.s4e-01 3.56e)1 1.78e-01 4.73e-04velocity vectors colored by velocity magnitude (itvs)jun 05.2013ansys fluent 121 (3d, dpt pbns, ske)图5-16进气口开在旁边

51、时的气体速度分布图督 fluent 1 ansys inc图5-17进气口开在旁边时的气体速度的剖视图从图5-12. 5-13、5-14. 4-15、5-16、5-17六副图中,我们可以看出，当进气 口开在屮间时，气体流速从进口处到出口处速度不断减小，气流分布从屮间向四周 递减。而当进气口开在旁边时，气流速度也是从进气口处到出气口处递减，而气流 分布却是在进气口处的另一端比较均匀的分布，镀膜时，我们要求的是在镀膜一侧 的气流要均匀，所以，把进气口开在旁边能够符合要求。综上分析，通过压强分析我们知道，进气端和出气端所受压强较大，需要进行 加强处理。所以我在设计时把进气端处的壁厚加厚为40mm,而

52、出气端，由于，有一挡 板的阻挡作用，可以减轻压强对出气端的作用。在原始设计时就考虑了压强的作用, 所以此处可以不需要对岀气端处的壁进行加厚。而通过气体速度分布我们知道，当 把进气口开在中间，会使气体流速分布不均匀，而开在旁边，可以使镀膜一侧的气 体流速较中间的更均匀，所以我将把进气口安排在旁边。5. 4 roll-to-roll磁控溅射系统设计（1）卷绕系统和溅射系统的设计rf power| rf power0xmatchingmatchingboxbox图6-1卷绕系统图和溅射系统示意图本设计中的卷绕系统为主要为一个放卷车昆，一个收卷车昆，和一个冷却馄组成。镀膜时基体的运动方式如图红色箭头所示，基体由放卷馄到冷却馄完成三种不同材料的镀膜，然后被卷绕到收卷馄上，从而完成一个镀膜过程。本设计中米用三个磁控溅射矩形靶座同时对基体进行镀膜。该镀膜方法不但避 免了由于反复装换靶材而影响已镀薄膜的性能，而且可以镀制更高性能的功能膜， 还大大的节省了镀膜时间。(2) 冷却系统的设计为了得到更高性能的功能薄膜，要使镀膜室温度保持在室温下，该系统需要配置冷 却系统。一下为我设计的水冷系