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1、关联无序有机半导体中载流子迁移率的描述刘小良， 许红波， 易士娟【摘 要】 摘要 基于偶极子无序模型，研究了有机半导体格点能量之间存在空 间关联的物理机理，通过数值计算得到了简立方晶格和体心立方晶格模型下格 点能量的约化关联函数 .研究发现，电荷与有机半导体分子的偶极矩的静电吸引 可以导致有机半导体格点能量之间存在空间关联，其约化关联函数大致随格点 距离的增大成反比减小 .为了获得有机半导体中电荷的输运特性，本文基于关联 无序模型 (CDM) ，从求解晶格间的电荷跃迁主方程的数值解出发，模拟计算了 有机半导体载流子迁移率对温度、电场及载流子浓度的依赖关系，与基于高斯 无序模型的结果对比表明，关

2、联无序模型的结果更贴近于实验结果，其迁移率 对温度和载流子的浓度的依赖性比高斯无序模型弱 .【期刊名称】 湘潭大学自然科学学报【年(卷),期】2013(035)003【总页数】 5【关键词】 关 键 词：高斯无序模型；关联无序模型；载流子浓度；主方程；偶 极子模型目前，由于有机发光二极管14、有机场效应管5,6及有机光电器件79 的广泛运用，人们对研究基于无序有机半导体材料的电子器件产生了极大的兴 趣 .为了设计和研发更好的材料，提高器件的寿命和使用效率，研究这些材料的 电荷输运机理就显得尤为重要.决定器件性能最重要的参数之一就是迁移率卩，大量的文献从理论和实验上研究了迁移率卩对温度T、电场E和载流子浓度P 的依赖关

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