后清洗生产培训

1、刻蚀刻蚀 Rena结构 Rena生产原理 Inoxside界面操作 与等离子刻蚀比较RenaRena水平刻水平刻蚀清洗机蚀清洗机1 11.1.冷水机；冷水机； 5.5.上料台；上料台；2.2.上位机；上位机； 6.rena6.rena柱式指示灯及其急停开关柱式指示灯及其急停开关; ;3.3.抽风管及其调节阀；抽风管及其调节阀； 7.7.前玻璃窗前玻璃窗. .4.4.集中供液柱式指示灯及其急停开关集中供液柱式指示灯及其急停开关; ;15326744RenaRena各部件功能介绍各部件功能介绍-1-1 1. 1.冷水机冷水机: : 给冷却器提供冷却水给冷却器提供冷却水. . 2. 2.上位机上位机

2、: :向向PLCPLC输入运行参数输入运行参数, ,监控其运行监控其运行. . 3. 3.抽风管及其调节阀抽风管及其调节阀: :排设备内废气排设备内废气, ,调节调节, ,监视抽风负压监视抽风负压. . 4. 4.集中供液柱式指示灯及其急停开关集中供液柱式指示灯及其急停开关: :柱式指示灯显示集中柱式指示灯显示集中供液运行状态供液运行状态, ,急停开关用于应急停止集中供液设备急停开关用于应急停止集中供液设备. . 5. 5.上料台上料台: :用于设备供料放硅片用于设备供料放硅片. . 6. 6. renarena柱式指示灯及其急停开关柱式指示灯及其急停开关: :柱式指示灯显示柱式指示灯显示re

3、narena运行运行状态状态, ,急停开关用于应急停止急停开关用于应急停止renarena设备设备. . 7. 7.前玻璃窗前玻璃窗: :监视设备内硅片运行情况监视设备内硅片运行情况, ,保护设备内气体流动保护设备内气体流动, ,隔绝设备尾气隔绝设备尾气. .Rena水平刻水平刻蚀清洗机蚀清洗机28.8.电柜；电柜； 12.12.排放管道；排放管道；9.9.后玻璃盖板；后玻璃盖板； 13.13.自动补液槽；自动补液槽；10.10.下料台；下料台； 14.14.集中供液管路集中供液管路 ； 11.11.供气，供水管道；供气，供水管道； 15.15.传送滚轴传送滚轴. .8910111213141

4、56RenaRena各部件功能介绍各部件功能介绍-2-2 8. 8.电柜电柜: :放置安装设备总电源开关放置安装设备总电源开关, ,各断路开关各断路开关, ,电脑机箱以电脑机箱以及及PLC(PLC(设备总控制器设备总控制器). ). 9. 9.后玻璃盖板后玻璃盖板: :监视设备各部件运行情况监视设备各部件运行情况, ,保护设备内气体流保护设备内气体流动动, ,隔绝设备尾气隔绝设备尾气. . 10.10.下料台下料台: :用于刻蚀后硅片卸片用于刻蚀后硅片卸片( (插片插片). ). 11.11.供气供气, ,供水管道供水管道: :供应设备正常运转使用的压缩空气供应设备正常运转使用的压缩空气, ,

5、纯水纯水, ,自来水以及冷却水自来水以及冷却水. . 12.12.排放管道排放管道: :用于排去设备废水用于排去设备废水. . 13.13.自动补液槽自动补液槽: :用于储存设备自动运行时补偿的化学品用于储存设备自动运行时补偿的化学品. . 14.14.集中供液管路集中供液管路: :用于集中供液向自动补液槽添加化学品用于集中供液向自动补液槽添加化学品以及以及renarena的首次加液的首次加液. . 15.15.传动滚轴传动滚轴: :用于用于renarena设备内传送硅片设备内传送硅片. .Rena水平刻蚀清洗机各槽分布图1.Etch bath； 5.Hf bath；2.Rinse 1； 6.

6、rinse 3（DI-Water spray）；3.Alkaline rinse； 7.dryer 2。4.Rinse 2；1234567Rena各槽功能介绍 1. 1.上料台放片上料台放片 2. 2.刻蚀槽刻边刻蚀槽刻边 3. 3.洗槽去残液洗槽去残液 6.HF6.HF槽去磷硅玻璃槽去磷硅玻璃 5.洗槽去残液洗槽去残液 4.KOH喷淋去多孔硅喷淋去多孔硅 7.洗槽去残液洗槽去残液 8.风刀吹干风刀吹干 9.下料台插片下料台插片Rena各槽功能介绍槽名槽名 主要功能主要功能实现情况实现情况Etch-bath刻蚀硅片边缘及背面的PN结，刻蚀线不超过硅片边缘1.5mm，无刻不通现象。此槽需循环流量

7、，刻蚀液温度，气体流动稳定。刻蚀速率下降越慢越好。风刀吹去硅片上面的刻蚀槽残液。良好Rinse 1循环喷淋水洗去刻蚀后吸附在硅片上的刻蚀液，并风刀吹去积在硅片上的洗槽槽液。良好Alkaline-rinseKOH喷淋去除硅片表面的多孔硅及其杂质，去除扩散形成的染色.并风刀吹去积在硅片上面的KOH残液。KOH溶液依靠冷却水降温保持在20左右。良好Rinse 2循环喷淋水洗去去多孔硅后吸附在硅片上的碱液，并风刀吹去积在硅片上的洗槽槽液。良好Hf-bathHF循环冲刷喷淋去除硅片表面的磷硅玻璃，并风刀吹去积在硅片上的HF残液良好Rinse 3循环喷淋水洗去去磷硅玻璃后吸附在硅片上的HF酸液，并纯水喷雾

8、洗去循环水残液。良好Dryer 22道来回拉动的风刀吹去硅片两面吸附的纯水，不能有液体残留在硅片上。一般一、刻蚀槽刻蚀槽生产多晶156硅片图片刻蚀槽溶液流向图刻蚀槽溶液流向图刻蚀反应为氧化，放热反应刻蚀反应为氧化，放热反应. .流回储液槽，溶液温度较高流回储液槽，溶液温度较高储液槽储液槽泵液至冷却器泵液至冷却器冷却器冷却器泵液至刻蚀槽内槽泵液至刻蚀槽内槽刻蚀槽内槽温度较低刻蚀槽内槽温度较低液面与硅片吸附反应后流入外槽液面与硅片吸附反应后流入外槽内槽槽壁可调节高度，内槽槽壁可调节高度，刻蚀槽液不断循环降温，刻蚀槽液不断循环降温，且循环流量（一定范围且循环流量（一定范围内）越大，液面越高内）越大，

9、液面越高泵泵刻蚀槽硅片流入刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理吸附刻蚀液原理此为生产此为生产mono125-150mono125-150硅片时图片硅片时图片硅片完全硅片完全悬空悬空硅片尾部硅片尾部吸附刻蚀吸附刻蚀液液刻蚀槽硅片流入刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理吸附刻蚀液原理此为生产此为生产mono125-150mono125-150硅片时图片硅片时图片20529342052934橡胶圈橡胶圈较小较小20511412051141橡胶圈橡胶圈正常正常刻蚀液刻蚀液完全吸完全吸附附刻蚀槽前后硅片状态比较此为生产此为生产mono125-150mono125-150硅片时图片硅片时图片硅片刚进硅片刚进入刻蚀槽入刻蚀

10、槽硅片刻蚀硅片刻蚀后，边缘后，边缘水印为反水印为反应生成的应生成的水水刻蚀槽影响刻蚀效果的因素刻蚀槽影响刻蚀效果的因素一、抽风一、抽风: :抽风在很大程度上会影响到刻蚀槽液面波动，而刻蚀槽任何的液抽风在很大程度上会影响到刻蚀槽液面波动，而刻蚀槽任何的液面波动，对在液面上运行的硅片都有很大影响；面波动，对在液面上运行的硅片都有很大影响；二、传动速度二、传动速度: :传动速度决定硅片通过刻蚀槽的时间，也就是决定硅片刻蚀传动速度决定硅片通过刻蚀槽的时间，也就是决定硅片刻蚀的反应时间；的反应时间；三、滚轴和内槽槽边高度（水平）三、滚轴和内槽槽边高度（水平）: :滚轴高度决定硅片通过刻蚀槽时的高度，滚轴

11、高度决定硅片通过刻蚀槽时的高度，而内槽槽边高度（水平）决定刻蚀槽液面的大致高度，两者的高度差距只而内槽槽边高度（水平）决定刻蚀槽液面的大致高度，两者的高度差距只有在合理范围内，硅片才能吸附到刻蚀液；有在合理范围内，硅片才能吸附到刻蚀液；四、滚轴水平：滚轴水平，四、滚轴水平：滚轴水平，5 5道轨道内运行的硅片才能与刻蚀液水平面平行，道轨道内运行的硅片才能与刻蚀液水平面平行，只有平行于水平面，硅片吸附刻蚀液才均匀，也即刻蚀均匀，无过刻或刻只有平行于水平面，硅片吸附刻蚀液才均匀，也即刻蚀均匀，无过刻或刻不通现象；不通现象；五、硅片覆盖率：硅片覆盖率也就是硅片之间的间距，它决定硅片间液面五、硅片覆盖率

12、：硅片覆盖率也就是硅片之间的间距，它决定硅片间液面形状。刻蚀槽是通过液体的张力将刻蚀液吸附于硅片上，但硅片间间隙过形状。刻蚀槽是通过液体的张力将刻蚀液吸附于硅片上，但硅片间间隙过小，液体就会浸漫到硅片上面，破坏扩散面。同时，过高的覆盖率还会使小，液体就会浸漫到硅片上面，破坏扩散面。同时，过高的覆盖率还会使刻蚀槽液面升高。刻蚀槽液面升高。Rinse 1一号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风一号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液（水源为刀吹去硅片上面残液（水源为rinse rinse 2 2溢流水）。溢流水）。上水刀上水刀下水刀下水刀风刀风刀1

13、7Alkaline rinse上水刀上水刀上水刀上水刀风刀风刀碱槽溶液流向图（槽截面）碱槽溶液流向图（槽截面）泵泵过滤器过滤器硅片运行平面硅片运行平面碱液流动方向碱液流动方向冷却水流动方向冷却水流动方向槽壁槽壁喷淋头喷淋头槽内液面槽内液面高于溢流口的溶液高于溢流口的溶液从溢流管排掉从溢流管排掉FRinse 2二号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风二号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液（水源为刀吹去硅片上面残液（水源为rinse 3rinse 3溢流水）溢流水） 。上水刀上水刀下水刀下水刀风刀风刀HF bath氢氟酸槽采用氢氟酸槽采用5%HF

14、5%HF溶液喷淋浸泡，上下各四道水刀冲溶液喷淋浸泡，上下各四道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液氢氟酸循环氢氟酸循环喷淋使反应喷淋使反应充分充分HF bath去去PSG 硅片完硅片完全浸泡在溶全浸泡在溶液里液里氢氟酸槽溶液流向图（槽截面）氢氟酸槽溶液流向图（槽截面）过滤器过滤器泵泵硅片运行平面硅片运行平面氢氟酸液流动方向氢氟酸液流动方向内槽液面内槽液面外槽液面外槽液面F喷淋头喷淋头Rinse 3三号洗槽采用循环水喷淋（水源为纯水喷雾落进槽内水）三号洗槽采用循环水喷淋（水源为纯水喷雾落进槽内水） ，上下各，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，上下各一道纯水喷雾器

15、清洗硅片两两道水刀冲洗硅片两面后，上下各一道纯水喷雾器清洗硅片两面（流量面（流量400l400lh h）循环水冲洗循环水冲洗DI-Water喷雾器最后喷雾器最后冲洗，水落冲洗，水落进槽底，重进槽底，重复利用。复利用。Dryer 2二号干燥槽采用压缩空气吹干，上下各两道风刀使用马达带动来二号干燥槽采用压缩空气吹干，上下各两道风刀使用马达带动来回拉动，吹干硅片。回拉动，吹干硅片。吹干风刀吹干风刀湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点 1 1、非扩散面、非扩散面PNPN结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背面面PNPN结依靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使结依靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使N N形硅形硅变为变为P P形硅，但所产生的形硅，但所产生的P P形硅电势不强）；形硅电势不强）； 2 2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）；、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）； 3 3、节水（、节水（renarena使用循环水冲洗硅片，耗水约使用循环水冲洗硅片，耗水约8T/h8T/h。等离子刻蚀去等离子刻蚀去PSGPSG用槽浸泡，用水量大）用槽浸泡，用水量大） 。湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点湿法刻蚀相对等离子刻