数字电子电路第7章 半导体存储器1ppt课件

1、7.1 概概 述述7.1.1 半导体存储器的特点与应用半导体存储器的特点与应用特点：特点：集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围电路简单且易于接口、便于自动化批量生产。电路简单且易于接口、便于自动化批量生产。运用：运用：主要用于电子计算机和某些数字系统中，用来主要用于电子计算机和某些数字系统中，用来存放程序、数据、资料等。存放程序、数据、资料等。7.1.2 半导体存储器的特点与应用半导体存储器的特点与应用1. 按制造工艺分：按制造工艺分：双极型：双极型：MOS型：型：具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。主要用

2、于对速度要求较高的场合。主要用于对速度要求较高的场合。具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。主要用于大容量存储系统中。主要用于大容量存储系统中。2. 按存取方式分：按存取方式分： 对信息的存取存入或取出是按顺序进行的。对信息的存取存入或取出是按顺序进行的。有先入先出、先入后出的特点。有先入先出、先入后出的特点。可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。分分静态存储器静态存储器SRAM动态存储器动态存储器DRAM 信息只能读出，不能写入。信息被事先固化到存信息只能读出，不能写入。信息被事先固化

3、到存储器内，可以长期保留，断电也不丢失。储器内，可以长期保留，断电也不丢失。顺序存取存储器顺序存取存储器 SAM：随机存取存储器随机存取存储器 RAM：只读存储器只读存储器 ROM：7.1.3 半导体存储器的主要技术指标半导体存储器的主要技术指标1. 存储容量存储容量 指存储器所能存放信息的多少。存储容量越大，指存储器所能存放信息的多少。存储容量越大，存储的信息越多。存储的信息越多。2. 存取时间存取时间 存储器的存取时间一般用读或写周期来描述。读存储器的存取时间一般用读或写周期来描述。读或写周期短，存取时间短，存储器的工作速度就高。或写周期短，存取时间短，存储器的工作速度就高。组成顺序存取存

4、储器，即按顺序读、取信息。组成顺序存取存储器，即按顺序读、取信息。7.2.3 动态移位寄存器动态移位寄存器图图7-2-4 10248位位FIFO型型SAM1&1024 位动态移存器位动态移存器O0I01&O7I71&O1I1G11024 位动态移存器位动态移存器1024 位动态移存器位动态移存器CPCP&CPCPCPCP&写写/ 循环循环片选片选读读G40G41G47G20G21G27G37G31G30先入先出型：先入先出型：先入后出型：先入后出型：I / O 控制电路控制电路CPR/Wm 位双向移存器位双向移存器Qm1SL/SRQ0CPEN1EN1G1

5、G2I/O0m 位双向移存器位双向移存器Qm1SL/SRQ0CPEN1EN1G1G2I/O3图图7-2-5 m4位位FILO型型SAM7.3 随机存取存储器随机存取存储器RAM ） 随机存取存储器，又叫随机存取存储器，又叫 读读 / 写存储器，简称写存储器，简称RAM。它可以随时按指定的地址对存储单元读出或写入数据。它可以随时按指定的地址对存储单元读出或写入数据。优点：优点： 读读 / 写方便，使用灵活。写方便，使用灵活。缺陷：缺陷： 一旦停电，所存的数据便会丢失。一旦停电，所存的数据便会丢失。 不利于数据的长期保存。不利于数据的长期保存。7.3.1 RAM结构：结构：存储矩阵：有很多相同的存

6、储单元组成的二维矩阵。每个存储矩阵：有很多相同的存储单元组成的二维矩阵。每个存储单元可以存储一位数据，所以存储单元的数目决定了存储单元可以存储一位数据，所以存储单元的数目决定了存储器的容量。存储器的容量。地址译码电路：对外部输入的地址进行译码。选中存储矩地址译码电路：对外部输入的地址进行译码。选中存储矩阵中某一单元，从而对该单元进行读出或写入数据。阵中某一单元，从而对该单元进行读出或写入数据。读读 / 写控制电路：控制存储器各单元的读写控制电路：控制存储器各单元的读 / 写操作。写操作。由三部分组成由三部分组成EN1EN1EN116,161 ,11 ,1616, 1行行列列位线位线位线位线T1

7、5T0T0T15X行行地地址址译译码码器器X0X15Y0Y15Y 列地址译码器列地址译码器A0A1A2A3A4 A5A6A7存储矩阵存储矩阵&I/O电路电路I/OCSR/WDDG1G2G3G4G5图图7-3-1 256 1位位RAM示意图示意图7.3.2 RAM存储单元：存储单元：P.2567.3.3 RAM集成片集成片HM6264简介：简介：P.259存储容量存储容量 8K 8位位7.3.4 RAM存储容量的扩展存储容量的扩展RAM的扩展有两种方式：的扩展有两种方式：位扩展方式位扩展方式字扩展方式字扩展方式 位扩展位扩展将将6264 扩展成扩展成 8K 16 位的位的RAM。图图7-3-6 RAM的位扩展的位扩展CS1R/WA0A1211A0A12 R/W CS1I/O7I/O0VDD6264 CS2A0A12 R/W CS1I/O7I/O0VDD6264 CS25VI/O0I/O7I/O8I/O152 字扩展方式字扩展方式 （地址扩展方式）（地址扩展方式）用用6264 型型RAM构成存储容量为构成存储容量为32K 8 位的存储器。位的存储器。A13A14A0A1 A12R/WCS1 I/O0 I/O1 I/O78K8RAM (1)Y1Y0Y3Y2I/O0A0A1 A12R/WCS1 I/O0 I/O1 I/O78K8RA