《晶体三极管》ppt课件

1、第四讲 晶体三极管一、晶体管的构造和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数多子浓度高多子浓度高多子浓度很多子浓度很低，且很薄低，且很薄面积大面积大晶体管有三个极、三个区、两个晶体管有三个极、三个区、两个PN结。结。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管为什么有孔？ BJT的构造简介的构造简介 半导体三极管的构造表示图如下图。它有两种类半导体三极管的构造表示图如下图。它有两种类型型:NPN型和型和PNP型。型。两种类型的三极管两种类型的三极管发射结发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示Base 发射极，用E或e表示E

2、mitter；集电极，用集电极，用C或或c表示表示Collector。 发射区发射区集电区集电区基区基区三极管符号三极管符号 构造特点：构造特点： 发射区的掺杂浓度最高；发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，普通在几个微米至几十个微米，且基区很薄，普通在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。掺杂浓度最低。管芯构造剖面图管芯构造剖面图 BJT的电流分配与放大原理的电流分配与放大原理1. 内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，经过载流子传输表达出

3、来的。下，经过载流子传输表达出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射载流子发射区：发射载流子基区：传送和控制载流子基区：传送和控制载流子集电区：搜集载流子集电区：搜集载流子 以上看出，三极管内有两种载流子以上看出，三极管内有两种载流子(自在电子和空穴自在电子和空穴)参与导电，故称为双参与导电，故称为双极型三极管。或极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 载流子的传输过程载流子的传输过程PNPebcIEIBINCICBOIBIC载流子的传输规律载流子的传输规律1. 发射区向基区分散空穴，构成发射极电流发

4、射区向基区分散空穴，构成发射极电流2. 空穴在基区分散和复合，构成了基区复合电流空穴在基区分散和复合，构成了基区复合电流IB3. 集电极搜集从发射区分散到基区的空穴，构成了电流集电极搜集从发射区分散到基区的空穴，构成了电流INC同时由于集电结反偏，少子在电场的作用下构成了漂移电流同时由于集电结反偏，少子在电场的作用下构成了漂移电流ICBO，影响，影响IB和和IC可得电流之间的分配关系可得电流之间的分配关系IB = IB-ICBOIC = INC+ICBOIE = IB+IC共基极电路共基极电路2. 电流分配关系电流分配关系发射极注入电流发射极注入电流传输到集电极的电流传输到集电极的电流设设 E

5、nCII 即即根据传输过程可知根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO通常通常 IC ICBOECII 则有则有 为电流放大系数，为电流放大系数，它只与管子的构造尺寸和它只与管子的构造尺寸和掺杂浓度有关，与外加电掺杂浓度有关，与外加电压无关。普通压无关。普通 = 0.9 0.99IE=IB+ IC载流子的传输过程载流子的传输过程 1 又设又设根据根据BCEOCIII 则则 是另一个电流放大系数，同样，它也只与管是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的构造尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。子的构造尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。普通普通 1IE=IB+ IC IC= InC+ ICB

6、OEnCII 且令且令BCCEOCIIII 时时，当当ICEO= (1+ ) ICBO穿透电流穿透电流2. 电流分配关系电流分配关系3. 三极管的三种组态三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示表示;共基极接法，基极作为公共电极，用共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；表示；BJT的三种组态的三种组态IE=(1+)IBRLecb1k 共基极放大电路共基极放大电路4. 放大作用放大作用假假设设 vI = 20mV 使使当那那么么电压放大倍数电压放大倍

7、数4920mVV98. 0IOV vvAVEEVCCVEBIBIEIC+-vI+vEBvO+-+iC+iE+iB iE = -1 mA， iC = iE = -0.98 mA， vO = - iC RL = 0.98 V， = 0.98 时，时，+-bceRL1k共射极放大电路 图图 03.1.06 共射极放大电路共射极放大电路VBBVCCVBEIBIEIC+-vI+vBEvO+-+iC+iE+iB vI = 20mV 设设假假设设那那么么电压放大倍数电压放大倍数4920mVV98. 0IOVvvA iB = 20 uA vO = - iC RL = -0.98 V， = 0.98mA98.

8、01BBCiii使使4. 放大作用放大作用 综上所述，三极管的放大作用，主要是依综上所述，三极管的放大作用，主要是依托它的发射极电流可以经过基区传输，然后到托它的发射极电流可以经过基区传输，然后到达集电极而实现的。达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：实现这一传输过程的两个条件是：1内部条件：发射区杂质浓度远大于基区内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。杂质浓度，且基区很薄。2外部条件：发射结正向偏置，集电结反外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。向偏置。 BJT的电流分配与放大原理的电流分配与放大原理vCE = 0V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEi

9、CiB+-vCE iB=f(vBE) vCE=const(2) 当当vCE1V时，时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏形状，开场，集电结已进入反偏形状，开场收收 集电子，基区复合减少，同样的集电子，基区复合减少，同样的vBE下下 IB减小，特性曲线右移。减小，特性曲线右移。vCE = 0VvCE 1V(1) 当当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。1. 输入特性曲线输入特性曲线 BJT的特性曲线的特性曲线以共射极放大电路为例以共射极放大电路为例(3) 输入特性曲线的三个部分输入特性曲线的三个部分死区死区非线性区非线性区线性区线性

10、区1. 输入特性曲线输入特性曲线 BJT的特性曲线的特性曲线饱和区：饱和区：iC明显受明显受vCE控制的区域，该区域内，控制的区域，该区域内，普通普通vCE0.7V(硅管硅管)。此时，发射结正偏，集此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很电结正偏或反偏电压很小。小。iC=f(vCE) iB=const2. 2. 输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域: BJT的特性曲线的特性曲线截止区：截止区：iC接近零的接近零的区域，相当区域，相当iB=0的曲的曲线的下方。此时，线的下方。此时， vBE小于死区电压。小于死区电压。放大区：放大区：iC平行于平行于vCE轴轴的区域

11、，曲线根本平行等的区域，曲线根本平行等距。此时，发射结正偏，距。此时，发射结正偏，集电结反偏。集电结反偏。BJT的主要参数的主要参数 (1) (1)共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数 = =ICICICEOICEO/IBIC / IB /IBIC / IB vCE=constvCE=const1. 电流放大系数电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数共发射极交流电流放大系数 = IC/ IBvCE=const BJT的主要参数的主要参数1. 电流放大系数电流放大系数 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=1+ ICBO 2. 极

12、间反向电流极间反向电流ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 BJT的主要参数的主要参数 即输出特性曲即输出特性曲线线IB=0那条曲线所那条曲线所对应的对应的Y坐标的数坐标的数值。值。 ICEO也称为也称为集电极发射极间穿集电极发射极间穿透电流。透电流。+bce-uAIe=0VCCICBO+bce-VCCICEOuA(1) 集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM(2) 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数极限参数 BJT的主要参数

13、的主要参数(3) 反向击穿电压反向击穿电压 V(BR)CEO基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 3. 极限参数极限参数 BJT的主要参数的主要参数 由由PCM、 ICM和和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区输出特性曲线上的过损耗区和击穿区二、晶体管的放大原理二、晶体管的放大原理（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件BECECBonBE0uuuUu 分散运动构成发射极电流分散运动构成发射极电流IE，复合运动构成基极，复合运动构成基极电流电流IB，漂移运动构成集电极电流

14、，漂移运动构成集电极电流IC。少数载少数载流子的流子的运动运动因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区分散到基区电子从发射区分散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少因基区薄且多子浓度低，使极少数分散到基区的电子与空穴复合数分散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大因集电区面积大，在外电场作用下大部分分散到基区的电子漂移到集电区部分分散到基区的电子漂移到集电区基区空穴基区空穴的分散的分散 电流分配：电流分配： IEIEIBIBICIC IE IE分散运动构成的电流分散运动构成的电流 IBIB复合运动构成的电复合运动构成的电流流 ICIC漂移运动构成的电漂移运动构

15、成的电流流BCBCBC)(1 IIiiII穿透电流穿透电流集电结反向电流集电结反向电流直流电流直流电流放大系数放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数为什么基极开路集电极回为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？路会有穿透电流？三、晶体管的共射输入特性和输出特性三、晶体管的共射输入特性和输出特性CE)(BEBUufi 为什么为什么UCE增大曲线右移？增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，对于小功率晶体管，UCE大于大于1V的一条输入特性曲的一条输入特性曲线可以取代线可以取代UCE大于大于1V的一切输入特性曲线。的一切输入特性曲线。为什么像为什么像PN结的伏安特性？结的伏安特性？为什么为什么UCE增大

16、到一定值曲增大到一定值曲线右移就不明显了？线右移就不明显了？1. 输入特性输入特性2. 输出特性输出特性B)(CECIufi 是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ?对应于一个对应于一个IB就有一条就有一条iC随随uCE变化的曲线。变化的曲线。 为什么为什么uCE较小时较小时iC随随uCE变化很大？为什么进入放大形变化很大？为什么进入放大形状曲线几乎是横轴的平行线？状曲线几乎是横轴的平行线？饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区BiCi常量CEBCUii晶体管的三个任务区域晶体管的三个任务区域 晶体管任务在放大形状时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决议于输入

17、回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。形状形状uBEiCuCE截止截止UonICEOVCC放大放大 UoniB uBE饱和饱和 UoniB uBE四、温度对晶体管特性的影响四、温度对晶体管特性的影响BEBBBECEO )(uiiuIT不变时，即不变时五、主要参数 直流参数： 、 、ICBO、 ICEOc-e间击穿电压间击穿电压最大集电最大集电极电流极电流最大集电极耗散功最大集电极耗散功率，率，PCMiCuCE平安任务区平安任务区 交流参数：交流参数：、fT使使1的信号频率的信号频率 极限参数：ICM、PCM、UBRCEOECII1ECii讨论一1. 分别分析分别分析uI=0V、5V时时T是任务在截止形状还是导通形状；是任务在截止形状