模拟电子技术5章习题答案复习过程

1、模 拟 电 子 技 术 5 章 习题答案精品资料5放大电路的频率响应自我检测题一选择和填空1. 放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为的影响；低频时放大倍数下降，主要是因为的影响。(A.耦合电容和旁路电容；B.晶体管的非线性；C.晶体管的极间电容和分布电容)2. 共射放大电路中当输入信号频率为fL、fH时，电路放大倍数的幅值约下降为中频时的 A :或者说是下降了 D dB ;此时与中频相比，放大倍数的附加相移约为G度。(A. 0.7, B. 0.5，C. 0.9); (D. 3dB，E. 5dB, F. 7dB); (G. -45°,H. -90° :I. -180

2、°)3. 某放大电路Av|的对数幅频响应如图选择题3所示。由图可见，该电 路的中频电压增益 几丨=1000 ;上限频率fH = 108 Hz ;下限频率fL = 102 Hz ;当ffH时电路的实际增益=57 dB;当ffL时电路的实际增益=57 dB。图选择题34. 若放大电路存在频率失真，则当Vi为正弦波时，Vo D 。( A.会产生 线性失真B.为非正弦波C.会产生非线性失真D.为正弦波)5. 放大电路如图选择题5所示，其中电容C 1增大，贝U导致D（A.输入电阻增大B.输出电阻增大C.工作点升高D.下限频率降低）图选择题5二.判断题（正确的在括号内画V,错误的画X）1. 改用

3、特征频率fT咼的晶体管，可以改善阻容耦合放大电路的咼频响应 特性。（V）2. 增大分布电容的容量，可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。（X）3. 幅度失真和相位失真统称为非线性失真。（ X）4. 当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电 压波形将为非正弦。（X）5. 当放大电路输入一个三角波电压时，输出电压波形的上升、下降斜线明显弯曲，因此可以肯定该放大电路的非线性失真较大。（V）6. 当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益 与信号频率乘积近似为一个常数。（X）7. 当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍 数，必会牺牲放大电路的

4、频带宽度。（ V ）8. 在阻容耦合放大电路中，增大耦合电容的容量，有利于高频信号畅 通，因此可以改善高频响应特性。(X)习题5.1某放大电路的fL 100Hz , fH 1MHz，现输入信号频率为2MHz的正弦 波，试问输出波形是否会产生频率失真？若输入信号是由 100kHz和2MHz两 种频率分量组成的波形，问此时输出信号波形有无频率失真？解：(1)输入信号频率为2MHz的正弦波时，输出不会产生频率失真。(2)若输入信号是由100kHz和2MHz两种频率分量组成的波形，则输出 波形有频率失真。5.2 一共射放大电路的通频带为100Hz 100kHz,中频电压增益Am| 40dB，最大不失真

5、交流输出电压范围为-4V +4V，试求：(1) 若输入一个10sin 4 103t mV的正弦信号，输出波形是否会产生频率失真和非线性失真？若不失真，则输出电压的峰值是多大？V。与V间的相位差是多少？(2) 若v 50sin 4 25 103t mV，重复回答(1)中的问题。(3) 若v 10sin 4 60 10、mV，输出波形是否会失真？解：(1)因为输入信号的工作频率 f 2kHz，处于中频区Vom Vim Avm| 10mV 100 1V 4V所以输出波形不会产生非线性失真，又因为输入信号是单一频率的正 弦波，所以输出也不会产生频率失真。根据上述计算可知，输出电压 的峰值为1V，因是共

6、射电路，Vo与V间的相位差是-180°(2)因为输入信号的工作频率f 50kHz，处于中频区Vom Vim Avm|50 mV 100 5V 4V所以输出波形会产生非线性失真，但因输入是单一频率的正弦波，故 不会产生频率失真。(3)因为输入信号的工作频率 f 120kHz，处于高频区，电压放大倍数小 于中频放大倍数，即Vom Vim Avm|10 mV 100 1V所以输出即不会产生非线性失真。又因为输入信号是单一频率的正弦 波，输出不会产生频率失真。5.3已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为1000j丄Avioi j- iio.fj眉试求该电路的上、下限频率，中频电压增益的分贝数

7、，输出电压与输入电压在 中频区的相位差解：将A的表达式分子、分母同时除以j，可得:1000i jf i jf10io6仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢149对比简单RC高通、低通滤波电路的放大倍数表达式，可知：上限频率fH 1000kHz，下限频率fL 10Hz，中频电压增益|Avm| 1000 60dB，输入电压与输出电压在中频区的相位差为0°5.4已知某放大电路的电压放大倍数的频率特性为A V （1谭）d）f105试画出该电路的幅频响应波特图，并求出中频增益、上限频率fH和下限频率fL o解：将Av的表达式与简单RC高通、低通滤波电路的放大倍数表达式进行对比，可知：I

8、avmI 105 100dB，上限频率fH 100kHz，下限频率忙20Hz。 该电路的幅频响应波特图如下：5.5一个高频晶体管，在Ieq 2mA时，其低频H参数为：碌1.5k ，0 100，晶体管的特征频率fT 100MHz，Cbc 3pF，试求混合n型模型参数:g m、 rbe、 rbb'、 Cbe o解:gmI EQVt2 mA26mV77mS ,rbe1Vl1 100 26 1.3k ,I EQ2% ge 心1.5 1.30.2k,Cbegm771062 3.14 100 10123 pF5.6放大电路如图题5.6所示,已知三极管为3DG8D,50 , FS2k220k， Rc

9、 2k ， Rl 10k，Cb1 10 F ， Cb2 20 F ，gm38.5ms， Cbe 41 pF，画出电路的高频小信号等效电路，估算其上限频率 画出电路的低频小信号bb100，Cbc 4pF ， VBE0.6V ，Vcc 5V，试求：Cb1+(1)(2)+Vccc解b2 ( 1 )Vo(a)原理图等效电路，估算其下F限频率f L 01«_o + Vcc(+5V)Rb nRnCb2CbJ 加 LI +Rb360kVoH ,C1J)R- 0Rs高频小信号等效电路如下:rbb'+Vcc (+12V)RcC210 FVoRlVi图题5.6b'Cb'cpRbr

10、b'e-Cb'e 吟Rc1 r!g m Vb'(e+Vs'1.3k(b)高频小信号等效电路U Dgm38.5mSberbb'r'be0.11.31.4kR(Rs Rrbb)be220 2 0.1 1.30.8kCbe1gmR- Cbc411 38.510 2112RC2 3.143120.8 10302 1050匚C4302 pF659kHzfHRsVs(2)低频小信号等效电路如下:Cb1IbCb2卄fLRsVsO12 R|Cb112 RSfL2fLfL1 4.68 HzRbrb W IbRcRlVo354.68Hz2 （Rs Rbbe）Cb12

11、 （2 220/1.4） 103 10 51 2_2 10 102 （Rc尺心 2-0.66 Hz20 105.7已知图题5.7所示放大电路中, 频增益为40dB以下限截止频率为fL+VCc (+5V)lCb2RbCb1RcRlVo解:MMFC4OdBbeTvM rbe:fL 1 10Hz"2 （Rbbe）C,C12 （Rbe）fL50，b 1k ，要求中晶体管的10Hz，试确定Rc和C1的大小。 +Vcc （+12V）Rb360kC1+Vi9100RcC2±0H10 FVo-o图题5.7310010小2k5012360k 1k 1016 F5.8电路如图题5.8所示，设信

12、旦120，Vbe 0.7V，bb 50示。试求：(1)混合n型模型参数:，fT号源内阻RS 500，其中晶体管参数为:500MHz，Cbc 1pF ；其余参数如图中所bcgm、be、Cbe ；电路的上限频率fH ；(3)中频区电压增益; 增益带宽积。+ V DD(+15V)C1RgRdC2V。Rl20k图题5.8解：（1）I EQRe2215 0.733_221.4mA3.9I EQgm1.4mArb'ebeCb'eVtbb'26mV53.8mS(2)CbfH(3)(4)体管解:Vt1 EQrb'egm2 fT(RjRb0.052 RCkvsMAMfH120 亠

13、 2.2k1.42.22.25k353.8 102 3.14100 106Lb ) J33 22 0.5Rl Cbc171 53.82 3.140.44 10Rlrbe942.725.9已知晶体管电路如图题，Re可视为开路17 pF0.05 2.20.44k4.7 4133 10 121204.7 |42.251133 pF2.72MHz33 22 2.250.533122 2.2594106255.68MHz5.8所示，设信号源内阻为Rs50 ，Vbe0.7V，估算电路的下限频率fL。500,已知晶(1)输入回路:fL 112 (R IO230.5 2.2510645 Hz0.09 10(2

14、)输出回路:fL234.74101 1018HzL2fLfL1 645Hz5.10有一个N沟道耗尽型MOS场效应管(Idss = 1mA)，三个电阻(分 别为1M 、100k、10k )和两个电容(分别为0.1 pF、10 pF)，要求从中选择合适的电阻、电容组装一个如图题 5.10所示的放大电路(其负载电阻为20k )，并希望该放大电路有较高的输入电阻和尽量低的下限截止频率Vcc (+15V)Rb2 RCC2C1RsvsVoCeRlRl20k解：(1)为使电路有尽可能高的输入电阻，Rg必须取大值，所以应取1M(2)在此电路中，Vgs 0，则Id Idss 1mA，所以，为保证电路具有合适的 静态工作点，Rd应取10k。因为fL1 1 ,fL21 ，若fL1、fL2两者相差4倍以上，电2 RgC,2 Rd Rl C路最终的下限截止频率取决于两者中较大的下限频率，所以要使下限截止频率 尽可能低，C1应取0.1 F， C2取10 F。5.11已知图题5.11所示电路中，两个晶体管的和be相同，1250 ， rbe1 = rbe2 2k ，试分析：(1) 定性分析C1、C2、G3中哪一个电容