[场效应管符号]巧识晶体管、场效应管电路符号的意义

1、场效应管符号巧识晶体管、场效应管电路符号的意义篇一 : 巧识晶体管、场效应管电路符号的意义 巧识晶体管、场效应管电路符号的意义 李家旺 * 摘 要：本文通过研究晶体管、场效应管电路符号，揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义。)并引导学生应用这些结论：一方面，准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类；另一方面，准确画出给定类型的晶体管、场效应管对应的电路符号。期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助。 关键词：晶体管；场效应管；意义 中图分类号：TN 文章标识码：A 文章编号：1671-740603-0129-04 准确识别电路符号所对应的晶体管、场效应管的种类

2、，是学习有关晶体管、场效应管的理论必备的根底知识和技能。例如：看到电路图上的晶体管、场效应管的电路符号，就需要准确地区分出是晶体管还是场效应管，是NPN型还是PNP的晶体管，是N沟道还是P沟道，是结型还是MOS型的场效应管，是增强型还是耗尽型的MOS型的场效应管。这些问题许多同学感到很难掌握，似乎弄清这些问题无规律可循，无耐之下只好采用死记硬背来学习，结果，一方面：往往是今天记清楚了，几天以后又混淆了；另一方面：对这些知识也没有深刻理解；本文通过归纳总结发现了半导体的命名及晶体管、场效应管电路符号的箭头方向与上述问题之间的内在联系。利用它，学生只要记住很少的结论，就可以轻松地掌握上述问题。 半

3、导体的命名：P型、N型半导体。本征半导体：本征激发使半导体内部成对地出现了电子和空穴，电子和空穴的数目相等且数目都是很少的；N型半导体：将微量五价元素，例如磷，掺入单晶硅中，导致电子成为这类半导体的多数载流子，而空穴成为少数载流子，这类半导体称为N型半导体；P型半导体：将微量三价元素，例如硼，掺入单晶硅中，导致空穴成为这类半导体的多数载流子，而电子成为少数载流子，这类半导体称为P型半导体。对于P、N型半导体关键是要分清楚哪种类型的半导体的多数载流子是电子，哪种类型的半导体的多数载流子是空穴？N型半导体+多数载流子是电子+电子带“负电+取“负的英文单词“Negative的第一个字母“N，P型半导

4、体+多数载流子是空穴+空穴带“正电+取“正的英文单词“Positive的第一个字母“P。关键是记住“正的英文单词“Positive和“负的英文单词“Negative。例如：N型+Negative+多数载流子是带负电的电子+五价元素掺入单晶硅中形成的；P型+Positive+多数载流子是带正电的空穴+三价元素掺入单晶硅中形成的。 PN结：PN结是将P型和N型半导体通过一定的掺杂工艺结合而成的，在交界面附近P型半导体中的带正电的空穴向N型半导体扩散而N型半导体中带负电荷的电子向P型半导体扩散，在交界面附近P区内留下带负电的受主杂质离子形成负空间电荷层，在另一边N 区内留下带正电的施主杂 内 流 生

5、区 *收稿日期：2005-04-11 作者简介：李家旺，男，楚雄师范学院物理系教师。 指向N区，要弄清这个问题只需记住扩散离开的是多数载流子。例如：N型半导体的多数载流子是带负电荷的电子，电子因扩散离开了，故交界面处N型半导体的一侧的空间电荷层是带正电荷的离子，类似地，P型半导体一侧的空间电荷层是带负电荷的离子，故内电场应为：N区指向P区。外加于PN结的电压产生的电场称为外电场，PN结正向偏置是指外电场方向与内电场方向相反，PN结反向偏置是指外电场方向与内电场方向相同。 通过大量分析和归纳总结可知：晶体二极管三角形箭头的指向、晶体三极管发射极上的箭头方向、结型场效应管栅极的箭头方向均与这些器件

6、内部的PN结的内电场的方向相反。MOS型场效应管基片引线上的箭头方向与形成导电沟道的电子运动的方向相同，与形成导电沟道的空穴运动的方向 相反。 即 时 内 极负 极，基极和集电极，并且分别记作e、b和c。位于发射区与基区之间的PN结称为发射结， 极 向， 发 PN 图5 型 应 际 还 就 子导 电，称为P沟道场效应管。根据结型场效应管栅极上的箭头方向是栅源或栅漏极间的PN结的内电场的反方向，可推知：栅源或栅漏极间的PN结的内电场的方向自源极或漏极指向栅极。图6所示的电路符号表示的是N沟道的场效管，类似地推出图6所示的电路符号表示的是P沟道的场效管。 S型场效管：MOS场效管基片引线上的箭头方

7、向与电子向沟道运动的方向相同，与空 动的方向相反。由增强型MOS场效应管电路符号与类型的关系 可推知： 楚雄师范学院学报 2005年第3期MOS型场效应管，类似地可推知：图7所示电路符号表示的是P沟道的MOS型场效应管。耗尽型MOS场效应管电路符号与类型的关系，类似地可推知：图8所示电路符号表示N沟道的耗尽型MOS场效应管，图8所示电路符号表示P沟道的耗尽型MOS场效应管。耗尽型MOS场效应管是栅源极间未加外电场时就存在导电沟道，而增强型MOS场效应管是栅源极间未加外电场时不存在导电沟道。 结论：综上所述：只要记住N型半导体多数载流子是电子，N取自“负的英文单词“Ngeative第一个字母；P

8、型半导体，多数载流子是带正电的空穴，P取自“正的英语单词“Positive第一字母。PN结空间电荷区的内电场方向是自N区指向P区。晶体二极管三角形箭头的指向、晶体三极管发射极上的箭头方向、结型场效应管栅极的的箭头方向均与这些器件内部的PN结的内电场的方向相反。MOS型场效应管基片引线上的箭头方向与形成沟道的电子运动的方向相同，与形成沟道的空穴运动的方向相反。再加上掌握晶体管、场效应管根本结构，一方面可以一劳永逸地从晶体管及场效应管电路符号上准确无误地识别晶体管及场效应管的各种类型，另一方面也可以画出各种类型的晶体管及场效应管对应的电路符号。 参考文献： 1万嘉假设，林康运等.电子线路根底M.北

9、京：高等教育出版社，1986：125. 2万嘉假设，林康运等.电子线路根底M.北京：高等教育出版社，1986：94119. 3康华光，邹寿彬等.电子技术根底M.北京：高等教育出版社，2000 ：2888. 4张健华.数字电子技术根底学习指导书M.北京：高等教育出版社.1997：52123. Thesignificanceofunderstandingcircuitsymbolsoftransistorandfieldeffecttube LIJiawang Abstract：Thisarticleattemptstouncoverthesignificanceofthecircuitsymbo

10、lsoftransistorandfieldeffecttubebyexaminingthesetwokindsofsymbols.Thestudyaimstobenefitthosestudentswhostudysubjectsrelatedtotransistorandfieldeffecttube. KeyWords：transistor；fieldeffecttube；significance ?132?篇二 : 场效应晶体管的电路符号及图片识别 场效应管英文缩写：FET，简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G

11、，漏极D。 场效应管电路符号 一：场效应管的分类： 1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道，就是电流通道。2、根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。 结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor，简称JFET。JFET 又分为N沟道，P沟道场效应管。 绝缘栅型场效应管：英文是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，缩写为MOSFET，简称MOS管。 MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 3、按导电

12、方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管 1.场效应管可应用于放大。

13、由于场效应管的放大器输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关。 将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反响,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管. 将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,假设某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,那么此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极. 篇三 : 关于场效应管图形符号的问题一直觉得奇怪，MOS管图形符号中除了G 关于场效应管图形符号的问题 一直觉得奇怪，M管图形符号中除了G、D、S三