NAND Flash的驱动程序设计

1、nand flash的驱动程序设计参数解释：block，块号；page，页号；buffer，指向内存中待写入nand flash中的数据起始位置；返回值0，写错误，返回值1，写胜利。static int nf_writepage(unsigned int block, unsigned int page, unsigned char *buffer)nf_rstecc(); /* 初始化 ecc */nf_nfce_l(); /* 片选nand flash芯片*/nf_cmd(0x0); /* 从a区开头写 */nf_cmd(0x80); /* 写第一条指令 */* a0a7(列地址) */n

2、f_addr(0);/* a9a16(页地址) */nf_addr(blockpage /* a17a24(页地址) */nf_addr(blockpage8) /* a25(页地址) */nf_addr(blockpage16) /* 写页为512b到nand flash芯片 */wrdata(); /*oob一共16字节，每一个字节存放什么由程序员自己定义, 在byte0 byte2存ecc检验码，byte6 存放坏块标记*/wrdata(); /* 写该页的oob数据块 */cmd(0x10); /* 结束写指令 */waitrb();/* 等待nand flash处于预备状态 */*

3、发送读状态指令给nand flash */cmd(0x70);if (rddata()&0x1) /*假如写有错, 则标示为坏块,取消nand flash 选中*/markbadblock(block);return 0; else /* 正常退出， 取消nand flash 选中*/return 1;2.3 nand flash erase功能：块擦除指令。指令代码：首先写入60h进入擦写模式，然后输入块地址，接下来写入d0h, 表示擦写结束。参数解释：block，块号；返回值0，擦除错误（若是坏块挺直返回0；若擦除浮现错误则标志为坏块然后返回0），返回值1，胜利擦除。static int

4、nf_eraseblock(unsigned int block)/* 假如该块是坏块, 则返回 */if(nf_isbadblock(block) return 0;nf_nfce_l(); /* 片选nand flash芯片*/nf_cmd(0x60); /* 设置擦写模式 */* a9a16(page address) , 是基于块擦除*/nf_addr(blockpagenf_addr(blockpage8) /* a25(page address) */nf_addr(blockpage16) nf_cmd(0xd0); waitrb();cmd(0x70);if(rddata()&

5、0x1)/*如有错,标为坏块,取消flash选中*/markbadblock(block);return 0; else /* 退出， 取消flash 选中*/return 1;3 ecc校检原理与实现因为nand flash的工艺不能保证nand的memory array在其生命周期中保持性能牢靠，因此在nand的生产及用法过程中会产生坏块。为了检测数据的牢靠性，在应用nand flash的系统中普通都会采纳一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较牢靠地举行坏区检测。假如操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出错的时候普通不会造成囫囵块或是页不能读取或所有出错，而是囫囵页（例如512字节）中惟独一位或几位出错。对数据的校验常用的有奇偶校验、 crc校验等，而在nand flash处理中，普通用法一种专用的校验ecc。ecc能订正单位错误和检测双位错误，而且计算速度很快，但对1位以上的错误无法订正，对2位以上的错误不保证能检测。ecc普通