半导体器件基础测试题

1、半导体器件基础测试题半导体器件基础测试题（高三）一、选择题iN掣至景体是在本征半导体中加入下列 物质而形成的。A 、电 子B、空穴；一一C 一、二价 兀素D、五价元素。A、掺杂的工艺B:杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。“ 3.晶体三极管用于放大的条件，下列说法 正确的是。A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确 的是。A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏；"5、晶体三极管的饱和条件，下列说

2、法正确 的是。A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏；6：理想二极管组成的电路如下图所示，其 AB两端的龟压是 I.12 VA、一12V;B、一6V;C、+6V;D、+12V。7、要使普通二极管导通，下列说法正确的B、A、运用它的反向特性;错管使用在反向由穿区；C、硅管使用血错管使用正向区D、都使用正向区域。域；D、制使用正向区域。“爱 对于用万用表测量二极管时，下列做法OA、用万用表的 RX100或RX 1000的欧姆, 黑棒接正极，红棒气负极，指针偏转；尸山!攵用表里出己10K的欧姆，黑棒接正 极）红棒接负极）？旨

3、针偏转；勺RX10,黑棒接正极，红棒C、用万用表的 RX 100或RX 1000的欧姆, 红棒接正极，黑棒气负极，指针偏转： q.P、坦万坦恚的RX10,黑棒接正极，红棒 接负极，指针偏朝；一 9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正 确的是。A、Ua=3.5V,5=3.5丫 山前依尸B、Ua=3. 5V,Ub=1nQV；D蠲止；C、Ua=1.0V,Ub=3. 5VD 导通；D、Ua=1.0V,Ub=1.0V/D<E10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法 是OD、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管A二稳压管悬正向无接在用瞪中，即稳压管 正极接电路中也源的正极，荷源电源的负极； 极小睛

4、mu接焉»源的牌号管正 正藤仙翅耦楷邵嚼屋需精 疾电位。正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的 高电位。flJ JuUUUU变种贝 入匕中 r化WWW wUUUUTAIAIAIUUUUABCDB、D、13、对于二极管来说，下列说法中错误的是°A、二极管具有单回导亩性;二极管同库具有放大柞用；B、,以二矍管夏豆箝住功能;:极管具肴开关等M德D、14、对于三极管的输入特性,O下列说法正确的112器对于三极管放大作用来说，下列说法中最QM双簟夏宜电足芯大作用； “口具肴诩率放大作甫； 一拚！聚踞声思解普大作用; 二极富具有能里放大作用。华A、三极管削物特性是指三极管的基极电 流

5、与UbeN间的关系；B、一、极卷山地入唠性是指三极管的基极电流C、与UceN间的关系；> 一、极宜山地人特性是指三极管的基极电D、流与ic之间K勺笑素；4 一、极宜则频人特性是指三极管的基极电15、 是一流与Ie之间的关系；下图中两只二极管即聿理烽-Ei10VA、Di、D2导通；B、Di、D2截止；C、Di导通、D2截止；D、Di截止、D2导通。16、下图中二极管为理想二极管,则输出电压A、Uao = 15V;C、Uao= -15V;B、5。=12丫 匚上D、Uao= -12 V17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压O；喷A、UT5V;B、Uao=12V;JP MC、Uao= -12

6、V;D、Uao= 0VoXU二l/8、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是o干工-A、Uao=6V；B、Uao= fV;4 虫C、 Uao= -12V;D、 Uao = 12V°C I：r/9翕钻滤|母藉阻例愚度升高而 半导祢的导电能力随温度的并局而 一。A、升高/升高；B、降限/降低;C、升高/降低；D、降低/升高。20、下列是PN结两端的电位值，使PN结导 通的是。A、P端接+5V, N端通过一电阻接+7V;B、N端接+2V , P端通过一电阻接+7V;C、P端接 W, N端通过一电阻接+7V;D、P端接+1V, N端通过一电阻接+6V。21、里路如图所示，R=1KQ丸设二管导

7、通时 的管压函为 0.5V,则电压表的读数是。A、0.5V;C、3V;B、15V;D、以上笥案都不如限管导'言芳巫力正弦号幅 电压降为 0.6V,关于输出信号U0波形的说法，正确的是 工人一I+o.6v ；£A、输出电压值的范围介于 -0.6VB、输出电压值的范围介于-0V - 间；'C、输出电压值的范围介于 -0.6V 0V之 间；D、输出电压值的范围介于0V 1V之间。23、对于3AG11C三极管的型号，下列说法 正确的是。A、错管PNP型高频小功率晶体管;B、错管PNP型低频大功率晶体管；C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管NPN型低频大功率晶体管；24、

8、对于3DD80C三极管的型号，下列说法 正确的是。A、错管PNP型高频小功率晶体管；B、错管PNP型低频大功率晶体管；C、硅管NPN型高频小功率晶体管； D、硅管NPN型低频大功率晶体管；25、对于3DG12C三极管的型号，下列说 法正确的是。A、错管PNP型高频小功率晶体管；B、错管PNP型低频大功率晶体管；C、硅管NPN型高频小功率晶体管； D、硅管NPN型低频大功率晶体管26、对于3AD30B三极管的型号，下列说法 正确的是。A、错管PNP型高频小功率晶体管；B、错管PNP型低频大功率晶体管；C、硅管NPN型高频小功率晶体管； D、硅管NPN型低频大功率晶体管27、场效应管属于 控制型器

9、件,晶体三极管则属于 控制器件。A、电压/电流；B、电流/电压;C、电压/电压；D、电流/电流28、电路其如图所示，D为理想二极管，则U0为。吟-A、3V;B、6V;C、-3V;D、-6V。29、电路如下图所示，已知Rc=1KQ , Ec=10VRb=100时,晶体管的0 =50Ube=0.7V,当U占.有修管处于A、截止状态； C、饱和状态；B、放大状笈1D、击穿状态。二、判断下列说法是否正确，用和“X”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素， 可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）(3) PN结在无光照、无外加电压时，结电流 为零。()(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多 子漂移运动形成的。()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源 间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rgs大的 特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零， 则其输入电阻会明显变小。()三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二 极管导通电压Ud = 0.7V。四、已知稳压管的稳压值 Uz = 6V,稳定电流的 最小值Izmin =5mAo求下图所示电路中 Uoi和 UO2各为多少伏。RO 0 +500 QO10V【）/£五、作图分析题1、