MSPF单片机的使用

1、电了课程设计班级电子094姓名郑雷鸣学号 0910910422成绩2011年9月附件1电路图：（从Protel粘贴过来，要求清晰可见）单片机电路:_耳-In哀 lf 二一 -LTOS.0tgrMJ zo Q 二三z3zpn:旳cs K cs; c& 亦 n3A： P门 A丁1 AJ A UA5 AVe Vs窝J 二.41r+ ?-p ps翟 FMi, MJ IM栢IPLF2Lfltl匸FJ%C应Pp口T 4_UC3 vai ban jrcs:s+lC 耳 irxc 力so:Q；.2：曲EMp7-+ 5 吃 心 :PP1理9 Q? X UC 鮎_ I IJ1二UC ucKG1 ElJ.sMU11

2、 s11d11I11; p: 密Pl3.1 LGP：|21UC uc Ll2S! ? 3k z:1s焙:iES3:2九曲 mC2!IV心LUZWad3口 r?謂為13A:5:i nF4:FrK一童=;I jj kJAE二二L.H一戸ZM匕vcc16Cgi ru210+_6ri4IOuFrQD*i114cct6j1152ci7314cJg113J/4798W5II,7LllhKS232VCCGNDT1OUTR1INT2OUTR.2INV+C1+Cl-02+C2-T1IN EtlOUTT2INFL2CJUT11ci110iE.1 LFT1 |TL|11 ILFTP3P3iLCD显示电路:LCD显示

3、键盘电路：8X8矩阵键盘L1* * d* 1 * -_口 L* 一rJ*1*一一,L一1 j厂厂1 一口 I一j-复位电路:模数转换电路:mm39-n q q e n n S n.r 灯百ffis3 一 C E p巧Q 工gn玄三UNDUHSQ so 匡 QHQ 口 HAU UBS33 ra?II DB10DB& DE亨 D530 D51I DBil DB13Z3 l23 ：AGND AGND +VAzn z富 衣 wfu. MI*&Z3 衣UNBOB NL蚩AL 8+T.XEci424319re: B r-z：; r_rsi4T； DB15L卜A二a11AD转换数模模数转换模块:它采用P8/

4、P16并行输出，带有内部时钟和基准电压源，无丢失码，2MHz采样频率时的功耗为175mW/SNF为90dB ADS8412是单极单端输入范围，有16 位和8位可选择接口，零等待时间，高速并行接口，8位/16位总线传输，48引脚TQFP封装，所有输入端ESD保护电压达1000V,可用在DWDM仪表、高速高 分辨率零等待数据采集系统、传感器接口、医疗仪器及通信领域。DA转换1、AD器件和DA器件的选择方法：（设计方法，器件的选择原则及最终选择器 件的型号及其特点）AD采集电路的要求是对已知信号进行 16位的采样，转换成数字信号，并要 求对其采样的幅值分辨率不能低于 0.2mV,每秒采样（sps）达

5、到1MHz以上。而 信号为一个频率为10k，幅值为土 5v的模拟正弦信号，综合以上要求选择ADS8405 作为模数转换器件。ADS8405的主要工作特性如下： 1.25MHz采样频率；高温下16位无失真输出特性；零等待时间；内置基准源，提供4.096V参考电压片上基准源缓冲器；高速并行接口；在1.25MHz典型模式下功耗为155mWV宽动态范围的数字电源； 8/16位数据总线传输； 48引脚TQFF封装；输入端ESD保护电压达1000乂 DA输出模块对信号的要求未发生改变，综合考虑选择DAC881数模转换器件，其主要工作特性如下：16位50MHZI行接口， 参考带宽10MHZ MOS封装，低噪

6、声其管脚图及其意义如下：DRBPACKAGE (TOP VIEW|PIN NAME DESCRIPTION1 CLK时钟输入2 SDI串行寄存器的输入3 RFB内部反馈电阻的匹配4 VREF DA参考输入弓I脚5 IOUT DAC的电流输出6 GND接地1.信号源电路的原理这是一个桥 T型RC振荡器，电路中 6=3=。，振荡频率f 0-,2 兀 RmCRm =R1+R2。使R仁39k R2=1K c=1nf,计算得正弦波频率为10KHZ_：D1：:*02DZ4.7；D2 ：tQ2pZ4.7OF：R5 ：77b3k；,:UA741CD2. 微处理器选择的原则及管脚的分配方案微处理器选择MSP43

7、0F530单片机，具有最低工作功耗，在1.8V-3.6V 的工 作电压范围内性能高达25MIPS。包含一个用于优化功耗的创新电源管理模块。有44个IO 口，符合IO 口传输要求. z4 Q15 3KS/S CPU.4%064 siP&.0/CB0/A0小1-P6.1/CBVA1J2 1P62CB2/A27： 3 1P5.3/CB3/A3A 1P5.4/CB4/A41PS.5/CB5/A5P0l6/CB6/A67；7P67/CB7/A7；8P5.a/A0A/eREF+7? 9 1P5.1/A&/VeREF-7JW 1%1P&4MIN丁星 l/zP5.5/XOUT一AVtt1切VDVr二、心%U

8、U LJ Ufi； 1 60 59 56欽,卸匸45厂44 C43 CI 42C37 C36C35C34 C9 2022 23 24 25 2& 77 28 29 30 31f 矗C2iP4.5/P M LTCAlRkb/P M_UC Al SO Ml P4W pmIu CA1 tXd/pm JJC A1SIMO P4.3/PMUCB1CLK 炉 MIJCA1STEP42JPM UCB1SOMI/PM UC61SCLP4.VPWlUCB1SIMO/PMUCeiSDA P4.0/PM UCB1STE/PM UCA1CLK 淙g _DV迈P3.47UCAORXIMJCAOSOMIP3.3/UCA0

9、TXD/UCA0SI MOP3.2/U CBOC LK/U CAOSTEP3J/UCBOSOMI/UCBOSCLP3.0/U CEOS IMO/UCBOSDA52.7/UCBOSTE/UCAOCLKE OB0 azariKriDS14 1T!1T I 化 gLK 3 )!Ti4miutBTT14IfOCBO A：i M】B】Al M2CB1A2P8 4CB4A4Pfl JCB； A：?5 5PIO AiVfSEF- 覚】A5VaXEF- AV15 4X3 p*xout AVtiDVhDVttw 观代口 p*申現&5連 P4_!串匚QdlXD P4 斗应心】E51MOP4J PXI.UC31CLK. PJI_UCAmt p 2R1，利用二极管作为非线性环节，f=1/(2*pi*R