衢州IGBT项目立项申请报告-（范文）

1、CMC·泓域咨询 /衢州IGBT项目立项申请报告衢州IGBT项目立项申请报告xxx有限责任公司报告说明新能源碳中和趋势推动IGBT供不应求，价格与拉货周期均为上涨态势IGBT除了新能源汽车也常被用于光伏、风电、工控、家电、轨交等领域；受益于碳中和趋势推动，IGBT迎来广阔的成长空间。IGBT目前生产大多以8英寸晶圆为主，需求增速大幅高于供给增速，因此8英寸晶圆需求一直保持高位。供需缺口使得IGBT产品货期持续拉长，截至2021年Q3仍未出现缓解的现象；英飞凌与Microsemi部分IGBT产品的交货周期已延长至50周，且相关产品价格也表现出上涨的趋势。根据谨慎财务估算，项目总投资46

2、409.31万元，其中：建设投资37175.73万元，占项目总投资的80.10%；建设期利息532.43万元，占项目总投资的1.15%；流动资金8701.15万元，占项目总投资的18.75%。项目正常运营每年营业收入78700.00万元，综合总成本费用66760.59万元，净利润8704.89万元，财务内部收益率13.19%，财务净现值6525.79万元，全部投资回收期6.64年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工

3、艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟槽栅(Trench)，并演变为微沟槽（MicroPatternTrench）；背面技

4、术从穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高

5、压应用领域依旧占据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第15年。目录第一章 市场分析11一、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心11二、 家电行业是IGBT器件的稳定市场12三、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大13第二章 项目基本情况17一、 项目名称及投资人17二、 编制原则17三、 编制依据18四、 编制范围及内容18五、 项目建设背景19六、 突出中心城区能级提升，高品质建设四省边际中心城市19七、 结论分析21主要经济指标一览表23第三章 背景及必要性26一、 IGBT结构不断升级，

6、协同第三代半导体技术创新26二、 模块封装为核心竞争力之一，适用于各种高电压场景30三、 畅通国内国际双循环，加快融入新发展格局32四、 项目实施的必要性33第四章 公司基本情况35一、 公司基本信息35二、 公司简介35三、 公司竞争优势36四、 公司主要财务数据37公司合并资产负债表主要数据37公司合并利润表主要数据38五、 核心人员介绍38六、 经营宗旨40七、 公司发展规划40第五章 建设方案与产品规划47一、 建设规模及主要建设内容47二、 产品规划方案及生产纲领47产品规划方案一览表48第六章 建筑工程说明50一、 项目工程设计总体要求50二、 建设方案51三、 建筑工程建设指标5

7、2建筑工程投资一览表52第七章 运营模式分析54一、 公司经营宗旨54二、 公司的目标、主要职责54三、 各部门职责及权限55四、 财务会计制度58五、 IGBT基本情况61六、 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展63七、 新能源汽车：IGBT是核心零部件，单车价值量达到上千人民币65八、 晶圆产能持续紧缺，IGBT供不应求或延续较长时间68第八章 法人治理69一、 股东权利及义务69二、 董事72三、 高级管理人员77四、 监事80第九章 节能方案82一、 项目节能概述82二、 能源消费种类和数量分析83能耗分析一览表83三、 项目节能措施84四、 节能综合评价84第十章 原材料及成品管

8、理86一、 项目建设期原辅材料供应情况86二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理86第十一章 技术方案88一、 企业技术研发分析88二、 项目技术工艺分析90三、 质量管理92四、 设备选型方案93主要设备购置一览表93第十二章 项目规划进度94一、 项目进度安排94项目实施进度计划一览表94二、 项目实施保障措施95第十三章 投资计划方案96一、 编制说明96二、 建设投资96建筑工程投资一览表97主要设备购置一览表98建设投资估算表99三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表101四、 流动资金102流动资金估算表102五、 项目总投资103总投资及构成一览表104六

9、、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表105第十四章 项目经济效益分析106一、 基本假设及基础参数选取106二、 经济评价财务测算106营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表108利润及利润分配表110三、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表112四、 财务生存能力分析113五、 偿债能力分析113借款还本付息计划表115六、 经济评价结论115第十五章 项目风险分析116一、 项目风险分析116二、 项目风险对策118第十六章 招投标方案121一、 项目招标依据121二、 项目招标范围121三、 招标要求121四、 招标组织方式123五、 招标

10、信息发布127第十七章 总结128第十八章 附表附件130建设投资估算表130建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134营业收入、税金及附加和增值税估算表135综合总成本费用估算表135固定资产折旧费估算表136无形资产和其他资产摊销估算表137利润及利润分配表137项目投资现金流量表138第一章 市场分析一、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心新能源车的制动原理是利用电磁效应驱动电机转动，IGBT优异的开关特性可以实现交直流转换、电压转换和频率转换几个核心功能，电动车充电时，通过IGBT将外部电源转变成直流

11、电，并把外部220V电压转换成适当的电压给电池组充电。电动车制动时，通过IGBT把直流电转变成交流电机使用的交流电，同时精确调整电压和频率，驱动电动车运动。一台车的加速能力、最高时速、能源效率主要看车规级功率器件的性能，硅基IGBT作为主导型功率器件，在新能源车中应用于电动控制系统、车载空调系统、充电桩逆变器三个子系统中，约占整车成本的7%-10%，是除电池以外成本第二高的元件，也是决定整车能源效率的关键器件。新能车市场销量：根据中汽协发布的数据统计，2019年新能源车新产销分别完成124.2万辆和120.6万辆，其中绝大部分为纯电动汽车，产销为102万辆和97.2万辆，插电式混合动力汽车产销

12、为22.0万辆和23.2万辆，2020年国内新能源车销量为136.7万辆。2021年5月，新能源汽车产销环比略增，同比继续保持高速增长，产销均为21.7万辆，环比增长0.5%和5.4%，同比增长1.5倍和1.6倍。单台新能源车用量：电动汽车单车IGBT的价格在A00级车的主控IGBT模块价值量800-1000元，A级车1500左右，混动车在2000元左右，再综合空调、充电等部分，平均电动汽车单车IGBT价值量为1000-4000不等。根据Yole的统计，2016年全球电动车IGBT管用量约为9亿美元，单车的IGBT管用量约为450美元。新能源车IGBT市场空间推算：据IDC预计，受政策推动等因

13、素的影响，中国新能源汽车市场将在未来5年迎来强劲增长，2020年至2025年的年均复合增长率（CAGR）将达到36.1%，假设单台车IGBT用量3000元左右来预估，至2025年，国内新能源车IGBT模块市场规模为191亿左右。二、 家电行业是IGBT器件的稳定市场变频空调、冰箱、洗衣机的核心控制部件是变频控制器，它承担了电机驱动、PFC功率校正以及相关执行器件的变频控制功能。而变频控制器很重要的一环就是IPM模块，IPM将功率器件芯片（IGBT+FRD或高压MOSFET）、控制IC和无源元件等这些元器件高密度贴装封装在一起，通过IPM，MCU就能直接高效地控制驱动电机，配合白家电实现低能耗、

14、小尺寸、轻重量及高可靠性的要求。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，IPM的应用潜力十分强劲。以空调行业为例，根据产业在线的数据，2020年我国变频空调销量达7485万台，同比增长10.02%，并且未来变频空调有望在空调市场进一步渗透，面向变频空调应用的IGBT的市场空间将十分广阔。同时，作为变频白色家电的另外两大市场，变频冰箱和变频洗衣机市场增速显著。2020年，中国变频冰箱销量为2507万台，同比增长26.38%，中国变频洗衣机销量为2627万台，同比增长0.91%。三、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大纯电动车有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。新能源汽车根据发动机主要可以分为

15、HEV（混合电动汽车）、PHEV（插电式混合电动汽车）、BEV（纯电动汽车）。其中，HEV是最常见的混合动力类型，它的动力驱动方式可以通过使用燃料的发动机和带有电池的电动机。PHEV电池容量比较大，由较长的纯电续航里程，且有充电接口，一般需要专用的供电桩进行供电，在电能充足的时候，采用电动机驱动车辆，而电能不足时，发动机发电给动力电池。BEV则不需要燃油机，只需要依靠电池提供能量，所以会配置较大容量的电池。BEV的优势在于零排放。受益于国家的双碳计划，BEV有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。中国新能源汽车销量增速高于全球，02020年中国新能源汽车销量达到7136.7万辆。根据EV-vol

16、umes公布的数据，2014年全球新能源汽车销量为32.1万辆，2020年达到324万辆，2014-2020年复合增长率为47%；根据中国汽车工业协会公布的数据，2014年中国新能源汽车销量为7.5万辆，2020年达到136.7万辆，2014-2020年复合增长率为62%；整体来看全球与中国新能源汽车销量皆快速增长，且中国的增速高于全球。双碳计划促进新能源汽车发展，新能源汽车的碳减排潜力相较传统燃油车更具优势。国内要实现双碳目标，可能性路径包括中国工业和公路交通等领域加速电气化、加速部署可再生电源等零碳电源等。受益于双碳目标，新能源汽车替代传统燃油车已是大势所趋。在车辆使用阶段，新能源汽车的碳

17、减排潜力有明显优势。纯电动汽车与油车相比，单车运行阶段减排比例介于243%。若电动汽车的电耗降低，新能源电力使用比例提高，新能源汽车减排量比例还会进一步提升。2021年上半年全球新能源汽车销量同比接近翻倍，全球各国家销量皆大幅度提升。根据EV-volumes预测，2021年全球新能源汽车销量预计达到640万，相较于2020年同比增长98%。全球轻型汽车市场已从2020年上半年的-28%的低迷中部分恢复，同比增长28%。2021年上半年部分地区新能源汽车由于基数较低因此呈倍数增长，欧洲同比增长157%，中国同比增长197%，美国同比增长166%，其余市场同比增长达到95%；除日本外，所有主要市场

18、在今年上半年的电动汽车销量和份额均创下新纪录。中国新能源汽车渗透率预计在2025年达到20%,预计中国新能源汽车销量超过600万辆。国务院办公厅印发新能源汽车产业发展规划(20212035年)提出，新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右；此外中汽协预测2025年中国汽车销量或到3000万辆，根据保守线性推算，我们预计2025年中国新能源汽车销量达到600万辆，年复合增速达到34.4%。根据中汽协预测未来五年中国新能源汽车销量年均增速40%以上的预测，2025年新能源汽车销量预计达到735万辆。2020年新能源汽车半导体价值量4834美金。根据英飞凌、IHS、AutomotiveG

19、roup等多家机构测算，2020年FHEV、PHEV、BEV单车半导体的成本到了834美元，相较于传统燃油车的汽车半导体价值417美元，单车半导体价值量翻倍成长；相较于48V轻混合车，单车半导体价值量增加45.8%。预计2025年，48V轻混车、FHEV/PHEV/BEV销量分别将达到1880万辆、2100万辆，基于2020年单车半导体BOM静态测算，2025年车用半导体市场规模将达到282.7亿美元。新能源汽车半导体价值量持续增加，保守估计52025年中国市场规模达到070亿美元。随着汽车电动化、智能化、网联化发展，半导体在单车上的整体价值也越来越高，根据Gartner预测的数据，2024年

20、单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元，根据前四年的年复合增长率预测，预计2025年达到1046美元，中国2025年新能源汽车预计达到600-700万量，经测算中国新能源汽车半导体市场规模在2025年有望达到62.8亿-73.2亿美元。汽车半导体国产化率仅10%，前八大欧美日企业占整体市场的63%。根据ICVTank数据，2019年汽车半导体前八大企业为欧美日公司，包含恩智浦、英飞凌、瑞萨半导体、意法半导体、德州仪器等，占整体市场规模的63%。从自主汽车芯片产业规模来看，欧美日占据整体市场的93%，欧洲、美国和日本公司分别占37%、30%和25%市场份额；中国公司仅为3%，根据中国汽车芯片

21、产业创新战略联盟数据显示，国内汽车行业中车用芯片自研率仅占10%，国内汽车芯片市场基本被国外企业垄断，并且具备90%的替代空间。第二章 项目基本情况一、 项目名称及投资人（一）项目名称衢州IGBT项目（二）项目投资人xxx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准）。二、 编制原则坚持以经济效益为中心，社会效益和不境效益为重点指导思想，以技术先进、经济可行为原则，立足本地、面向全国、着眼未来，实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案，尽可能减少工程项目的投资额，以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点，总图布置力求做到布置紧凑，流程顺畅，操作方便，尽量减少用地。3

22、、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上，既要考虑先进性，又要确保技术成熟可靠，做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件，因地制宜，充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向，做到产品方案合理。6、依据环保法规，做到清洁生产，工程建设实现“三同时”，将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。三、 编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。四、 编制范围

23、及内容1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。五、 项目建设背景半导体是汽车发展趋势（电驱化、数字互联）的核心。汽车在电动化、智能化、网联化的发展过程中，半导体是发展的核心支撑。1）电驱化（电动化），电动与混动汽车的发展要求动力传动系统向电气化迈进，其中由电池、电机、

24、电控组成的三电系统主要以功率半导体为主，包含IGBT、MOSFET等。2）数字互联（智能化、网联化），智能化发展带动具备AI计算能力的主控芯片市场规模快速成长；此外智能与网联相辅相成，核心都是加强人车交互，除了加强计算能力的主控芯片外，传感器、存储也是核心的汽车半导体，包含自动化驾驶的实现使传感器需求提升、数据量的增加带动存储的数量和容量的需求提升。六、 突出中心城区能级提升，高品质建设四省边际中心城市坚持市域一体、市县联动，坚定不移推进以集聚人才集聚青年为导向，以山水融合生态宜居为特色，以配套完善能级提升为核心的新型城镇化。发挥中心城区引领辐射作用，统筹推进县城和集镇发展，全面提升中心城市竞

25、争力，加快打造四省边际中心城市。（一）加快“大三城”“小三城”建设高品质打造南孔古城、核心圈层、高铁新城“小三城”。坚持产城人文融合发展，优化发展空间布局，完善社会结构和人居环境。建设彰显古韵的南孔古城历史街区，实施“千年古城”复兴计划，建设多元儒文化主题体验轴，打造“千年儒学府、江南朝圣地”。建设独具魅力的核心圈层城市阳台，坚持留空留白，保持空灵水灵，将山、水与人的活动融合，推进鹿鸣半岛文化创业园、鹿鸣山文化院街、信安湖活力岛等项目，打造浙江特色、中国气派、世界水平的中央公园、市民乐园。建设充满活力的高铁新城未来社区，完善以“四网”为重点的基础设施网络，推进智慧产业园、城市客厅、青年城等项目

26、，落实“主题、配套、生态留白、运动休闲、居住”五大空间，以精致、精心、精美打造“城市美好生活的高品质新社区、产业创新服务的综合体大平台、带动区域发展的新引擎发动机”的示范标杆。（二）推动市县一体化发展强化市域统筹能力。在重大战略定位、重大基础设施、重大产业项目、重大资源要素等“四大市域统筹”的基础上，进一步强化产业布局、招商引资、体制机制的市域统筹，推动县（市、区）主体功能区战略定位细化落实，乡镇分类考核争先，形成“市域一盘棋”发展体系，实现全面同城化一体化。加快龙游、江山、常山、开化与中心城区的深度融合发展，推动县域经济向以中心城市为引领的都市区经济转型。（三）提升城市规划建设运营水平打造现

27、代花园城市。聚焦宜居城市建设，突出人文城市特质，按照“四个四”“五个五”和“低尺度、密路网、小街巷，地下通、车快捷、人易行，无围墙、无边界、无障碍，生态化、低碳化、智慧化，市井味、烟火味、人情味”的要求，坚持系统思考、整体设计，建立完善城市风貌管控体系，全力推动城市空间优化、功能重构、形象再造、整体赶超。（四）推进以人为本的新型城镇化加快市域人口集聚。推动农业转移人口市民化，深化“三权到人（户）、权跟人（户）走”改革，完善进城落户农民自愿有偿退出机制，维护进城落户农民土地承包权、宅基地使用权、集体收益分配权等合法权益。加快吸引外来人口集聚，进一步深化户籍制度改革，探索以经常居住地登记户口制度。

28、七、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约96.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx个IGBT的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资46409.31万元，其中：建设投资37175.73万元，占项目总投资的80.10%；建设期利息532.43万元，占项目总投资的1.15%；流动资金8701.15万元，占项目总投资的18.75%。（五）资金筹措项目总投资46409.31万元，根据资金筹措方案，xxx有限责任公司计划自筹资金

29、（资本金）24677.67万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额21731.64万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：78700.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：66760.59万元。3、项目达产年净利润（NP）：8704.89万元。4、财务内部收益率（FIRR）：13.19%。5、全部投资回收期（Pt）：6.64年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：34422.99万元（产值）。（七）社会效益该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险

30、能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积64000.00约96.00亩1.1总建筑面积103691.131.2基底面积35840.001.3投资强度万元/亩377.442总投资万元46409.312.1建设投资万元37175.732.1.1工程费用万元32800.082.1.2其他费用万元3399.552.1.3预备费万元

31、976.102.2建设期利息万元532.432.3流动资金万元8701.153资金筹措万元46409.313.1自筹资金万元24677.673.2银行贷款万元21731.644营业收入万元78700.00正常运营年份5总成本费用万元66760.59""6利润总额万元11606.52""7净利润万元8704.89""8所得税万元2901.63""9增值税万元2774.09""10税金及附加万元332.89""11纳税总额万元6008.61""12工业增加值万

32、元21609.86""13盈亏平衡点万元34422.99产值14回收期年6.6415内部收益率13.19%所得税后16财务净现值万元6525.79所得税后第三章 背景及必要性一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关，透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emit

33、ter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面

34、（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟槽栅(Trench)，并演变为微沟槽（MicroPatternTrench）；背面技术从穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代

35、速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高压应用领域依旧占据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021年，英飞凌产品已迭代至第七代。其中，第五代与第六代均属于第四代的优化版（第五代属于大功率版第四代，第六代属于高频版第四代）。

36、IGBT器件需要承受高电压和大电流，对于稳定性、可靠性要求较高。未来，IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆、更薄厚度发展，并通过成本、功率密度、结温、可靠性等方面的提升来实现整个芯片结束的进步。此外，IGBT模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽

37、度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。新材料推进新产品发展，高压高频领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界强度为硅的10倍，因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压，意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小，比如900VSiC-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的产品，SiC可以做到1700V以上且低导通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构，但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题

38、，所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，因此可同时实现高耐压、低导通电阻、高速，即使在1200V或更高的击穿电压下也可以制造高速MOSFET结构。SiCMTOSFET具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是，SiC是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而，受制于制造成本和产品良率影响，SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约

39、22.5倍增加)，因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移层内，比MOSFET可降低导通电阻，另一方面由于少数载子的累积，断开时产生尾电流、造成开关的损耗。SiC由于漂移层的电阻比Si组件低，不须使用传导度调变，可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻，可实现开关损耗的大幅削减与冷却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiCMosfet价格较SiIGBT高。根据功率器件的特性，不同功率器件的应用领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势，但三者根据各自的器件性能优势，都有适合的应用领域。BJT更强调工

40、作功率，MOSFET更强调工作频率，IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势，常被用于低功率低频率应用市场，MOSFET适用于中功率高频率应用市场，IGBT适用于高功率中频率应用市场。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展，因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。SiC具有较大发展潜力，已吸引多家功率器件厂商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra，弥补自身晶体切割工艺，又于2018年12月与Cree签署长期协

41、议，保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应，旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年，意法半导体与Cree签署价值2.5亿美元的长单协议，且收购了瑞典SiC晶圆厂商NorstelAB，以满足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年，意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外，斯达半导、华润微、等本土厂商也已在SiC领域布局。二、 模块封装为核心竞争力之一，适用于各种高电压场景IGBT根据使用电压范围可分为低压、中压和高压IGBT。按照使用电压范围，可以将IGBT分为低压、中压和高压三大类产品，不同电压范围对应着不同的应用场景。低压通常为1200V以下，主要用于低消耗的

42、消费电子和太阳能逆变器领域；中压通常为1200V2500V，主要用于新能源汽车、风力发电等领域；高压通常为2500V以上，主要用于高压大电流的高铁、动车、智能电网、工业电机等领域。IGBT根据封装形式可分为IGBT分立器件、IGBT模块以及IPM。从封装形式上来看，IGBT可以分为IGBT分立器件、IGBT模块和IPM三大类产品。IGBT分立器件指一个IGBT单管和一个反向并联二极管组成的器件；IGBT模组指将多个（两个及以上）IGBT芯片和二极管芯片以绝缘方式组装到DBC基板上，并进行模块化封装；IPM则指将功率器件（主要为IGBT）和驱动电路、过压和过流保护电流、温度监视和超温保护电路等外

43、围电路集成再一起生产的一种组合型器件。IGBT。模块的封装工艺主要分为焊接式和压接式。IGBT在工作过程中或产生一定的损耗，当每个IGBT芯片在工作过程中产生的损耗只集中在1平方厘米左右的面积向外传播时，这样的高热流密度对器件的安全有效工作而言则成为一个巨大的挑战，所以，IGBT需要依靠一定的封装形式以便进行散热，从而保证产品可靠性。IGBT模块的封装工艺主要分为焊接式与压接式。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，中低压IGBT模块则多采用压接式封装工艺。压接式IGBT结构与焊接式IGBT结构差别较大，且压接式IGBT封装结构还可细分为凸台式和弹簧式，弹簧式压接型封装结构的专利由ABB公

44、司持有，东芝、Westcode、Dynex等公司则采用凸台式封装结构。三、 畅通国内国际双循环，加快融入新发展格局积极融入以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局，把实施扩大内需战略与深化供给侧结构性改革有机结合，着力落实消费、投资新政，持续扩大内需，发挥投资的关键性作用，大力发展开放型经济，努力在构建新发展格局中抢占先机。（一）持续扩大有效投资积极拓展投资空间。聚焦重点领域、重大战略、重要短板，实施新一轮扩大有效投资行动，引导资金投向先进制造、社会公共服务以及重大平台建设。促进投资结构优化和效益提升，力争基础设施、制造业、房地产三大板块投资占比处于合理区间，保持固定资产投资持续

45、较快增长，五年累计完成投资5000亿元。（二）持续促进消费提质升级着力扩大消费供给。推进以高质量供给适应引领创造新需求，增强消费对经济发展的基础性作用，提升传统消费，培育新型消费，适当增加公共消费。推进新能源汽车市场发展，推动家电、汽车、家居等重点商品更新消费。着力改善消费环境，深化放心消费建设，加快推动城市智慧商圈建设，重点培育一批高品质步行街和商业综合体，推进省级夜间经济试点城市建设，发展夜间经济。促进住房消费健康发展。落实带薪休假制度，扩大节假日消费，激活农村消费市场。（三）持续推动开放型经济发展提升招商引资水平。聚焦重点产业、重点主体、重点区域，以补链强链延链为导向，强力推进招商引资工

46、作。强化新材料、新能源、集成电路、智能装备和特种纸等产业链精准招商，集中力量引进“链主型”企业。聚焦重点主体，瞄准央企、世界500强企业、上市公司等，加快引进一批“大好高”项目。充分发挥好京津冀、长三角、珠三角三大对接办作用，统筹驻外联络处、寓外商会、产业招商小组、飞地平台等力量，形成招商引资工作合力。聚焦机制创新，坚持市县一体、整体招商，统筹全市域招商政策和资源，建立健全“大招商”工作体系，实行前端“产业研究+主体研究”、中端“信息收集+信息研判”、后端“商务谈判+落地服务”招商项目全程服务机制，用好基金投资招商、网络招商等方式，提升招商引资质效。四、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满

47、足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同

48、类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx有限责任公司2、法定代表人：卢xx3、注册资本：1220万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2013-1-137、营业期限：2013-1-13至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事IGBT相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策

49、禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围更加浓厚。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务

50、作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了

51、高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的

52、需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额17904.7514323.8013428.56负债总额5724.904579.924293.67股东权益合计12179.859743.889134.89公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入59170.1747336.1444377.63营业利润14377.6411502.1110783.23利润总额13203.8010563.049902.85净利润9902.857724.227130.

53、05归属于母公司所有者的净利润9902.857724.227130.05五、 核心人员介绍1、卢xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。2、杨xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。3、史xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年

54、6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。4、周xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、谢xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。6、史xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2

55、003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。7、孙xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。8、王xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。六、 经营宗旨凭借专业化、集约化的经营策略，发挥公司各方

56、面的优势，创造良好的经济效益，为全体股东提供满意的经济回报。七、 公司发展规划（一）发展计划1、发展战略作为高附加值产业的重要技术支撑，正在转变发展思路，由“高速增长阶段”向“高质量发展”迈进。公司顺应产业的发展趋势，以“科技、创新”为经营理念，以技术创新、智能制造、产品升级和节能环保为重点，致力于构造技术密集、资源节约、环境友好、品质优良、持续发展的新型企业，推进公司高质量可持续发展。2、经营目标目前，行业正在从粗放式扩张阶段转向高质量发展阶段，公司将进一步扩大高端产品的生产能力，抓住市场机遇，提高市场占有率；进一步加大研发投入，注重技术创新，提升公司科技研发能力；进一步加强环境保护工作，积极开发应用节能减排染整技术，保持清洁生产和节能减排的竞争优势；进一步完善公司内部治理机制，按照公司治理准则的要求规范公司运行，提升运营质量和效益，努力把公司打造成为行业的标杆企业。（二）具体发展计划1、市场开拓计划公司将在巩固现有市场基础上，根据下游行业个性化、多元化的消费特点，以新技术新产品为支撑，加快市场开拓步伐。主要计划如下：（1）密切跟踪市场消费需求的变化，建立市场、技术、生产多部门