资阳年产xx个IGBT项目商业计划书_模板

1、CMC泓域咨询 /资阳年产xx个IGBT项目商业计划书资阳年产xx个IGBT项目商业计划书xxx有限公司报告说明根据谨慎财务估算，项目总投资45173.77万元，其中：建设投资34357.41万元，占项目总投资的76.06%；建设期利息760.03万元，占项目总投资的1.68%；流动资金10056.33万元，占项目总投资的22.26%。项目正常运营每年营业收入92100.00万元，综合总成本费用78255.27万元，净利润10086.99万元，财务内部收益率14.50%，财务净现值2459.30万元，全部投资回收期6.82年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。第

2、三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。电力电子器件是电力电子技术的核心。电力电子

3、器件即功率半导体器件，也称为功率电子器件，是进行功率处理的半导体器件。典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大、功率管理等，是电力电子装臵的心脏。虽然功率器件在整台电力电子装臵中的价值通常不会超过总价值的20%-30%，但对整机的总价值、尺寸、总量、动态性能、过载能力、耐用性和可靠性起着十分重要的作用。目录第一章 绪论10一、 项目名称及投资人10二、 项目建设背景10三、 结论分析11主要经济指标一览表13第二章 背景、必要性分析15一、 制造工艺正从8英寸晶圆朝向12英寸升级迭代15二、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新16三、 坚定不移推进改革开放，加快塑造发展新优

4、势21四、 模块封装为核心竞争力之一，适用于各种高电压场景22五、 项目实施的必要性24六、 新能源汽车：IGBT是核心零部件，单车价值量达到上千人民币25七、 IGBT供货周期与价格均有增长，供不应求难以缓解27第三章 市场预测29一、 新能源汽车的电力系统中，功率IGBT价值占比达达52%29二、 家电行业是IGBT器件的稳定市场31第四章 项目建设单位说明32一、 公司基本信息32二、 公司简介32三、 公司竞争优势33四、 公司主要财务数据35公司合并资产负债表主要数据35公司合并利润表主要数据35五、 核心人员介绍36六、 经营宗旨37七、 公司发展规划37第五章 创新发展40一、

5、构建现代城镇体系40二、 企业技术研发分析40三、 项目技术工艺分析43四、 质量管理45五、 创新发展总结46第六章 运营模式47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51五、 国内IGBT企业实现0-1突破，紧抓缺货朝下国产化机遇56六、 新能源应用驱动IGBT快速增长57七、 IGBT技术发展历程及趋势60八、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力63第七章 发展规划分析65一、 公司发展规划65二、 主要任务66第八章 法人治理结构69一、 股东权利及义务69二、 董事71三、 高级管理人员76四、 监事78第九章 SWOT分析

6、81一、 优势分析（S）81二、 劣势分析（W）83三、 机会分析（O）83四、 威胁分析（T）85第十章 建筑技术方案说明90一、 项目工程设计总体要求90二、 建设方案91三、 建筑工程建设指标91建筑工程投资一览表92第十一章 产品方案与建设规划94一、 建设规模及主要建设内容94二、 产品规划方案及生产纲领94产品规划方案一览表95第十二章 项目风险防范分析97一、 项目风险分析97二、 公司竞争劣势102第十三章 进度实施计划103一、 项目进度安排103项目实施进度计划一览表103二、 项目实施保障措施104第十四章 项目投资计划105一、 投资估算的依据和说明105二、 建设投资

7、估算106建设投资估算表108三、 建设期利息108建设期利息估算表108四、 流动资金109流动资金估算表110五、 总投资111总投资及构成一览表111六、 资金筹措与投资计划112项目投资计划与资金筹措一览表112第十五章 经济效益分析114一、 基本假设及基础参数选取114二、 经济评价财务测算114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表116利润及利润分配表118三、 项目盈利能力分析118项目投资现金流量表120四、 财务生存能力分析121五、 偿债能力分析121借款还本付息计划表123六、 经济评价结论123第十六章 总结说明124第十七章 补充表格126营

8、业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表126固定资产折旧费估算表127无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配表128项目投资现金流量表129借款还本付息计划表131建设投资估算表131建设投资估算表132建设期利息估算表132固定资产投资估算表133流动资金估算表134总投资及构成一览表135项目投资计划与资金筹措一览表136第一章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称资阳年产xx个IGBT项目（二）项目投资人xxx有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准）。二、 项目建设背景IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector

9、）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。三、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占

10、地面积约75.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx个IGBT的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资45173.77万元，其中：建设投资34357.41万元，占项目总投资的76.06%；建设期利息760.03万元，占项目总投资的1.68%；流动资金10056.33万元，占项目总投资的22.26%。（五）资金筹措项目总投资45173.77万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）29663.08万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款

11、总额15510.69万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：92100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：78255.27万元。3、项目达产年净利润（NP）：10086.99万元。4、财务内部收益率（FIRR）：14.50%。5、全部投资回收期（Pt）：6.82年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：42357.47万元（产值）。（七）社会效益项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评

12、价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积50000.00约75.00亩1.1总建筑面积108769.151.2基底面积32000.001.3投资强度万元/亩451.412总投资万元45173.772.1建设投资万元34357.412.1.1工程费用万元30522.532.1.2其他费用万元2821.012.1.3预备费万元1

13、013.872.2建设期利息万元760.032.3流动资金万元10056.333资金筹措万元45173.773.1自筹资金万元29663.083.2银行贷款万元15510.694营业收入万元92100.00正常运营年份5总成本费用万元78255.276利润总额万元13449.327净利润万元10086.998所得税万元3362.339增值税万元3295.1410税金及附加万元395.4111纳税总额万元7052.8812工业增加值万元24561.4813盈亏平衡点万元42357.47产值14回收期年6.8215内部收益率14.50%所得税后16财务净现值万元2459.30所得税后第二章 背景、

14、必要性分析一、 制造工艺正从8英寸晶圆朝向12英寸升级迭代以特色工艺需要工艺与设计的积累，海外企业以MIDM为主。功率半导体主要以特色工艺为主，器件的技术迭代像逻辑、存储芯片依靠尺寸的缩小，因此特色工艺的要求更多需要行业的积累与know-how，包括工艺、产品、服务、平台等多个维度；功率器件产品性能与应用场景密切相关，导致平台多、产品类型多，因此更注重工艺的成熟度和稳定性，工艺平台的多样性。在这样的背景下，由于IDM可以按需生产不同电性功能的功率器件，加速技术及应用积累，在深度及广度上覆盖客户不同的需求，因此IGBT海外的企业大多的生产模式以IDM为主，国内相比海外发展较晚，因此催生出Fabl

15、ess找代工厂生产的模式，专业化分工加速对海外的追赶。代表IDM型IGBT厂商包括英飞凌、瑞萨、Vishay、罗姆、安森美、富士电机、士兰微、华微电子等；Fabless型IGBT厂商包括斯达半导、新洁能、宏微科技等。IGBT代工厂则包括高塔、华虹、东部高科等厂商。IGBT主要采用成熟制程，目前生产大多以以88英寸晶圆为主。IGBT产品对产线工艺依赖性较强，目前国际IGBT大厂主要采用8英寸生产线。为进一步提升产品性能与可靠性，IGBT制造厂正积极布局可用于12英寸晶圆的相关工艺。英飞凌作为IGBT龙头企业，已于2018年推出以12英寸晶圆生产的IGBT器件。同时，斯达半导12英寸IGBT产能也

16、已实现量产。未来，随着各家IGBT厂商工艺的进步，IGBT产品也将转向12英寸晶圆，并采用更先进的制程。IGBT需求增长扩厂计划持续推进，朝向300mm（12英寸）晶圆发展。英飞凌2021年9月公告其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营，随着数字化和电气化进程的加快，公司预计未来几年全球对功率半导体器件的需求将持续增长，因此当前正是新增产能的最好时机。2021年3月东芝公告准备开工建设300mm晶圆制造厂，由于功率器件是控制和降低汽车、工业和其他电气设备功耗的重要部件，公司预计电动汽车、工厂自动化和可再生能源领域的增长将继续推动功率器件的需求增长。2020年12月士

17、兰微12英寸芯片生产线项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责实施运营，第一条12英寸产线，总投资70亿元，工艺线宽90纳米，计划月产8万片。本次投产的产线就是其中的一期项目，总投资50亿元，规划月产能4万片；项目二期将继续投资20亿元，规划新增月产能4万片。第二条12英寸生产线预计总投资100亿元，将建设工艺线宽65纳米至90纳米的12英寸特色工艺芯片生产线。二、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关，透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器

18、件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂

19、。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟槽栅(Trench)，并演变为微沟槽（MicroPatternTrench）；背面技术从穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相

20、当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高压应用领域依旧占据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，

21、产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021年，英飞凌产品已迭代至第七代。其中，第五代与第六代均属于第四代的优化版（第五代属于大功率版第四代，第六代属于高频版第四代）。IGBT器件需要承受高电压和大电流，对于稳定性、可靠性要求较高。未来，IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆、更薄厚度发展，并通过成本、功率密度、结温、可靠性等方面的提升来实现整个芯片结束的进步。此外，IGBT模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工

22、作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。新材料推进新产品发展，高压高频领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界强度为硅的10倍，因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压，意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小，比如900VSiC-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右

23、的产品，SiC可以做到1700V以上且低导通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构，但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题，所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，因此可同时实现高耐压、低导通电阻、高速，即使在1200V或更高的击穿电压下也可以制造高速MOSFET结构。SiCMTOSFET具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是，SiC是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势

24、，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而，受制于制造成本和产品良率影响，SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约22.5倍增加)，因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移层内，比MOSFET可降低导通电阻，另一方面由于少数载子的累积，断开时产生尾电流、造成开关的损耗。SiC由于漂移层的电阻比Si组件低，不须使用传导度调变，可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻，可实现开关损耗的大幅削减与冷却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiCMosfet价格较SiIGBT

25、高。根据功率器件的特性，不同功率器件的应用领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势，但三者根据各自的器件性能优势，都有适合的应用领域。BJT更强调工作功率，MOSFET更强调工作频率，IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势，常被用于低功率低频率应用市场，MOSFET适用于中功率高频率应用市场，IGBT适用于高功率中频率应用市场。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展，因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。S

26、iC具有较大发展潜力，已吸引多家功率器件厂商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra，弥补自身晶体切割工艺，又于2018年12月与Cree签署长期协议，保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应，旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年，意法半导体与Cree签署价值2.5亿美元的长单协议，且收购了瑞典SiC晶圆厂商NorstelAB，以满足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年，意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外，斯达半导、华润微、等本土厂商也已在SiC领域布局。三、 坚定不移推进改革开放，加快塑造发展新优势全面推进深层次改革和高水平开放，着力

27、破除制约高质量发展、高效能治理、高品质生活的体制机制障碍，不断提升开放型经济发展水平，助力建设改革开放新高地。（一）推进重点领域改革建设高标准市场体系，加快要素市场化改革。健全城乡融合发展机制，推动城乡要素平等交换、双向流动。深化农业农村改革，稳慎推进农村宅基地制度改革试点，统筹推进全域土地综合整治试点，探索宅基地所有权、资格权、使用权分置实现形式，形成可复制、可推广、利修法的经验成果。深化财税体制改革，培育优质税源，加强财政资源统筹，强化预算约束和绩效管理，推进财政支出标准化，增强重大任务财力保障。深化金融体制改革，引进培育融资担保、融资租赁、商业保理等地方金融组织，完善地方金融机构体系，构

28、建金融有效支持实体经济的体制机制，增强金融普惠性。探索经济区和行政区适度分离改革。（二）激发市场主体活力毫不动摇巩固和发展公有制经济，毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展。深化国资国企改革，加快国有企业转型发展，优化国有企业产业结构，引导支持国有企业跨区域、跨领域合作，增强竞争力。积极稳妥深化国有企业混合所有制改革。依法平等保护各种所有制企业产权和自主经营权，支持引导民营经济健康发展。落实减税降费政策，支持民营企业创新创业、开拓市场，完善支持中小微企业和个体工商户发展的政策。弘扬企业家精神，发展一批“领航”企业、“单项冠军”企业和“专精特新”企业，鼓励企业上市融资。四、 模块封装为核心竞争

29、力之一，适用于各种高电压场景IGBT根据使用电压范围可分为低压、中压和高压IGBT。按照使用电压范围，可以将IGBT分为低压、中压和高压三大类产品，不同电压范围对应着不同的应用场景。低压通常为1200V以下，主要用于低消耗的消费电子和太阳能逆变器领域；中压通常为1200V2500V，主要用于新能源汽车、风力发电等领域；高压通常为2500V以上，主要用于高压大电流的高铁、动车、智能电网、工业电机等领域。IGBT根据封装形式可分为IGBT分立器件、IGBT模块以及IPM。从封装形式上来看，IGBT可以分为IGBT分立器件、IGBT模块和IPM三大类产品。IGBT分立器件指一个IGBT单管和一个反向

30、并联二极管组成的器件；IGBT模组指将多个（两个及以上）IGBT芯片和二极管芯片以绝缘方式组装到DBC基板上，并进行模块化封装；IPM则指将功率器件（主要为IGBT）和驱动电路、过压和过流保护电流、温度监视和超温保护电路等外围电路集成再一起生产的一种组合型器件。IGBT。模块的封装工艺主要分为焊接式和压接式。IGBT在工作过程中或产生一定的损耗，当每个IGBT芯片在工作过程中产生的损耗只集中在1平方厘米左右的面积向外传播时，这样的高热流密度对器件的安全有效工作而言则成为一个巨大的挑战，所以，IGBT需要依靠一定的封装形式以便进行散热，从而保证产品可靠性。IGBT模块的封装工艺主要分为焊接式与压

31、接式。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，中低压IGBT模块则多采用压接式封装工艺。压接式IGBT结构与焊接式IGBT结构差别较大，且压接式IGBT封装结构还可细分为凸台式和弹簧式，弹簧式压接型封装结构的专利由ABB公司持有，东芝、Westcode、Dynex等公司则采用凸台式封装结构。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理

32、等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。六、 新能源汽车：IGBT是核心零部件，单车价值量达到上千人民币TIGBT被应用于汽车的多个零部件中，是核心器件之一。IGBT

33、是决定电动车性能的核心器件之一，主要应用于电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统、充电系统等，主要功能在于在逆变器中将高压电池的直流电转换为驱动三相电机的交流电；在车载充电机（OBC）中将交流电转换为直流并为高压电池充电；用于DC/DC转换器、温度PTC、水泵、油泵、空调压缩机等系统中。车规级级IGBT对产品性能要求要高于工控与消费类IGBT。作为汽车电气化变革的关键制程，IGBT产品在智能汽车中具有不可替代的作用。由于汽车电子本身使用环境较为复杂，一旦失效可能引发严重后果，所以市场对于车规级IGBT产品的要求要高于工控类与消费类IGBT产品。相比工控与消费类IGBT，车规级IGBT对于温度

34、的覆盖要求更高、对出错率的容忍度更低、且要求使用时间也更长。车规级IGBT在汽车产业链处于中游位置，车规认证是其壁垒之一。IGBT厂商在汽车产业链中处于中游位置，其上游包括材料供应商、设备供应商以及代工厂，例如日本信越、晶瑞股份、晶盛机电、日立科技、高塔、华虹等；其下游包括Tier1厂商以及整车厂。在车载IGBT产业链中，认证壁垒是IGBT厂商进入车载市场的壁垒之一。IGBT厂商进入车载市场需要获得AEC-Q100等车规级认证，认证时长约为1218个月，且在通过认证门槛后，IGBT厂商还需与汽车厂商或Tier1供应商进行市场约23年的车型导入测试验证。在测试验证完成后，汽车厂商也往往不会立即切

35、换，而是要求供应商以二供或者三供的身份供货，再逐步提高装机量。IGBT组件数量随新能源汽车的动力性能提升而增加。IGBT约占电机驱动系统成本的一半，而电机驱动系统约占整车成本的1520%，即是说，IGBT约占整车成本的710%。随着新能源汽车的动力性能增强，IGBT组件使用个数也在提升，例如MHEV48V所需IGBT组件数量约为25个，但BEVA所需IGBT组件数量则为90120个。随着新能源汽车的动力性能增强，IGBT组件数量也在提升，带动整体IGBT价值量提升。根据不同车型，IGBT价值量也有所不同，AA级车IGBT价值最高达到03900人民币。根据不同车型，汽车通常可分为物流车、大巴车、

36、A00级、A级以上四个大类。不同类型的汽车所需要的IGBT价值量也有所不同。物流车通常使用1200V450A模块，单车价值量为1000元；8米大巴IGBT单车价值量为3000元、10米大巴IGBT价值量为3600元；A00级汽车单车IGBT价值量约为600900元；15万左右的A级车以上汽车单车IGBT价值量约为10002000元、2030万左右的A级车以上汽车单车IGBT价值量约为20002600元；属高级车型的A级车以上汽车单车IGBT价值量则约30003900元。充电桩中的IGBT模块是负责功率转换的核心器件。根据充电方式，充电桩可分为直流桩、交流桩、无线充电，其中以直流桩和交流桩为主。

37、交流桩又叫慢充桩，只提供电力输出，无充电功能，需要通过车载充电机为电动车充电；而直流桩则叫快充桩，与交流电网连接，输出可调直流电，直接为电动汽车的动力电池充电，且充电速度较快。IGBT模块在充电桩中担当功率转换的角色，是充电桩的核心器件之一。充电桩数量逐步提升，带动IGBT需求增长。随着新能源汽车的普及，充电桩市场也在不断扩大。2020年9月至2021年8月，我国公共充电桩保有量从61万台增长至98万台。根据中国充电联盟的数据，2020年，我国充电桩市场中，直流电桩约为30.9万台，占比约为38.3%；交流桩约为49.8万台，占比约为61.7%。在直流充电桩中，IGBT占原材料成本的2030%

38、。虽然充电桩市场对于IGBT来说仍然较小，但由于充电桩的部署对于扩大新能源汽车来说至关重要，所以未来充电桩用IGBT市场有望快速增长。七、 IGBT供货周期与价格均有增长，供不应求难以缓解晶体管（含IGBT）交期周数高于大部分半导体产品交期。由于疫情所导致的供需失衡，半导体产品交期在过去的812个月中大幅延长，虽然部分产品交期在7月略有缩短，但已于8月再次出现延长的态势。在各类半导体产品中，晶体管（含IGBT）整体交期已超过35周。IGBT大多为成熟制程（8英寸为主），8英寸制程由于前几年数量和产线不断下滑，部分设备大厂已不再生产8英寸晶圆所需的相关设备，设备紧缺导致扩产较12英寸晶圆厂少，供

39、不应求导致成熟制程产能持续紧缺；同理，IGBT产能紧缺导致今年产品的交期周数大幅度提升。国际龙头企业TIGBT产品价格与拉货周期，均呈现上涨态势。由于产能持续紧缺，2021年IGBT产品货期持续拉长，且在Q3仍未出现缓解的现象。英飞凌与Microsemi部分IGBT产品的交货周期已延长至50周。此外，ST、安森美、IXYS等国际龙头企业IGBT产品交货周期也呈现出继续延长的趋势，且相关产品价格也表现出上涨的趋势。第三章 市场预测一、 新能源汽车的电力系统中，功率IGBT价值占比达达52%新能源汽车核心三电系统（电池、电机、电控）。1）电池是新能源汽车的能量来源，替换传统燃油汽车的油箱；动力电池

40、系统主要由电芯、电池管理系统等组成。2）电机负责将电能转换为机械能，包含定子、转子等；3）电控如同汽车的大脑，用来控制电机的启动、暂停、转速、扭矩等各项“动作”。三电系统需要大量的半导体产品包括功率半导体、模拟芯片、控制芯片等；随着电动汽车的发展与普及，汽车半导体迎来快速发展期。电力系统主要分为四大类：DC/DC转换器、电池管理系统(BMS)、逆变器、车载充电器。逆变器是汽车的关键部件，主要用到的半导体芯片为为IGBT。逆变器类似于燃油车的发动机管理系统EMS，决定着驾驶行为。无论电机是同步、异步还是无刷直流电机，逆变器始终以类似的方式运行，其设计应最大限度地减少开关损耗并最大限度地提高热效率

41、。IGBT是电动汽车逆变器的核心电子器件，重要性类似电脑里的CPU。DC-DC。转换器供电给汽车低压电子系统。DC/DC变换器是新能源汽车必须配置的功能，类似燃油汽车中配置的低电压发电机总成，其功能是给车载12V或24V低压电池充电，并为整车提供全部的低压供电。在新能源汽车中会配置一个DC/DC变换器作为能量传递部件，从车载动力电池取电，提高能源的利用率，给车载12V或24V低压电池充电，并为整车提供全部的低压电子系统供电。BMS电池管理系统是电动汽车中电池组的大脑。BMS可根据起动能力对充电状态、健康状态和功能状态进行快速、可靠的监测，以提供必要的信息。因此，BMS能够最大限度地降低因为电池

42、意外失效而导致的汽车故障次数，从而尽可能地提升电池使用寿命和电池效率，并实现二氧化碳减排功能。OBC车载充电器主要功能是为电池充电。OBC的核心功能是整流电源输入，并将其转换为适合电池的充电电压可能是400V或越来越多的800V。一个典型的OBC由多个级联级组成，包括功率因数校正（PFC）、DC/DC转换器、次级整流、辅助电源、控制及驱动电路。OBC具有多种功率等级，功率等级越高，充电时间就越短。最流行的OBC功率等级是3.3kW、6.6kW、11kW和22kW。新能源汽车动力系统中，器逆变器IGBT价值量比占比52%。在电动传统系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车中的一个关键元器件，决定了

43、驾驶行为和车辆的能源效率。并且，主逆变器还用于捕获再生制动释放的能量并将此能量回馈给电池，所以，车辆的最大行程与主逆变器的效率直接相关。二、 家电行业是IGBT器件的稳定市场变频空调、冰箱、洗衣机的核心控制部件是变频控制器，它承担了电机驱动、PFC功率校正以及相关执行器件的变频控制功能。而变频控制器很重要的一环就是IPM模块，IPM将功率器件芯片（IGBT+FRD或高压MOSFET）、控制IC和无源元件等这些元器件高密度贴装封装在一起，通过IPM，MCU就能直接高效地控制驱动电机，配合白家电实现低能耗、小尺寸、轻重量及高可靠性的要求。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，IPM的应用潜力十分强

44、劲。以空调行业为例，根据产业在线的数据，2020年我国变频空调销量达7485万台，同比增长10.02%，并且未来变频空调有望在空调市场进一步渗透，面向变频空调应用的IGBT的市场空间将十分广阔。同时，作为变频白色家电的另外两大市场，变频冰箱和变频洗衣机市场增速显著。2020年，中国变频冰箱销量为2507万台，同比增长26.38%，中国变频洗衣机销量为2627万台，同比增长0.91%。第四章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xxx有限公司2、法定代表人：梁xx3、注册资本：1300万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：

45、2015-6-47、营业期限：2015-6-4至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事IGBT相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，

46、带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体

47、化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短

48、了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才

49、管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额14234.6411387.7110675.98负债总额7661.796129.435746.34股东权益合计6572.855258.284929.64公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入66838.7753471.0250129.08营业利润12555.1410044.119416.35利润总额10290.868232.697718.15净

50、利润7718.156020.165557.07归属于母公司所有者的净利润7718.156020.165557.07五、 核心人员介绍1、梁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。2、刘xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。3、唐xx，中国国籍

51、，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。4、顾xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。5、谭xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。6、吴xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级

52、会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。7、钱xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、白xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨公司通过

53、整合资源，实现产品化、智能化和平台化。七、 公司发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司

54、将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次

55、的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续完善公司的法人治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第五章 创新发展一、 构建现代城镇体系深入推进以人为核心的新型城镇化，践行公园城市理念，完善功能配套服务，提升城市品质，构建以中心城区为极核、安岳乐至县城为副中心、一批重点镇为支撑的

56、“一主两副、多点支撑”现代城镇体系。坚持临空西拓、产城南延、门户引领、拥江提质，推动临空产业新城、临空高铁新城、北部新城等组团发展，有序推进城市更新和老旧小区改造，建设沱江城市公园，打造生态宜居中心城区。建立精细化管理标准规范体系，提升物业管理水平。增强城市供水排水、防洪排涝、消防安全能力，建设韧性城市、海绵城市。开展基础设施补短板行动，加快贯通中心城区城市中环线、外环线。加快安岳、乐至县城提质发展，支持安岳建设成渝中部重要节点城市，支持乐至建设全国县城新型城镇化建设示范县。培育争创省级百强中心镇，推进一批重点镇、特色镇建设，打造牙谷、柠檬等特色小镇，增强城镇综合承载能力。加强历史文化名镇、历史街区保护和建设。深化户籍制度改革，全面推行居住证制度。促进房地产市场平稳健康发展。二、 企业技术研发分析（一）核心技术取得专利情况或其他技术保护措施公司针对核心技术申请了专利保护，公司针对知识产权保护，制定了完善的知识产权管理制度并建立了完善的标准化的控制程序，对公司知识产权的管理、获取、维护、运用、风险管理、争议处理等均进行规范化、流程化进行管理，并