数字逻辑复习题

1、数字逻辑复习第一章 开关理论考点：1.进制的转换(选择填空)2. 逻辑函数的化简3. 卡若图化简4. 用与非门进行逻辑设计课后试题 用布尔代数化简下列各逻辑函数表达式(1) F二A+ABC+A+CB+二 A+BC+ F = (A+B+)(A+B+C) = (A+B)+C= A+B(2) F = ABC+ABD+BC+ABCD+B二 AB+BC+BDF= BC(5) F=9. 将下列函数展开为最小项表达式(1) F(A,B,C)= 工(1,4,5,6,7) F(A,B,C,D)= 工(4,5,6,7,9,12,14)10. 用卡诺图化简下列各式(1)化简得F=化简得F=(3) F(A,B,C,D

2、)二刀m(0,125,6,7,8,9,13,14)化简得F= F(A,B,C,D)= 刀 m(0,13,14,15)+ 刀(1,2,3,9,10,11)化简得F=11.利用与非门实现下列函数，并画出逻辑图。F=参考试题：F1（A,B,C） AB AC BC A C （用代数法化简）1、Fi A(B 1) AC BC CA AC B CA C C B12、F2(A,B,C,D)m(4,6,8,9,10,12,13,14)d(0,2,5)(用卡诺图法化简)F2 D AC3、用公式法化简逻辑函数：Y= A'BC +（A+B'）C答：Y= A'BC +(A+B')C =

3、( A'B) C+( A'B) ' C = C4.什么叫组合逻辑电路中的竞争一冒险现象？消除竞争一冒险现象 的常用方法有哪些？答：由于竞争而在电路输出端可能产生尖峰脉冲的现象叫竞争一冒 险现象。消除竞争一冒险现象的常用方法有：接入滤波电容，引入选通 脉冲，修改逻辑设计。5、用卡诺图化简下列逻辑函数F(A,B,C,D)m(0,128,9,10,12,13,14,15)解：画出逻辑函数F的卡诺图。得到A001CAB ACBC ADBD111111111106、完成下列数制转换(1) (37)16= (110111 )2 = ( 57 )(2) (63)10= ( 11111

4、 )2 = ( 37 )8= ( 1F )16用真值表证明等式：B+A=ab真值表如下:ABA BAB0011010010001100BF ABC ABC由真值表知，A A B A用布尔代数化简逻辑函数表达式：ABC AC 。第二章组合逻辑F ABCABC=(ABC+ABC)+(ABC+Ac) =AC(B+B)+A(Bc+c) =AC+a(b+c)=ab+Acac '=ab+cABCAC考点： 1.组合逻辑分析（给定组合逻辑电路，分析其功能）2. 组合逻辑电路设计3. 多路选择器 译码器 编码器 电路基本功能及设计课后题： 分析下图所示逻辑电路，列出真值表，说明其逻辑功能 解：真值表如

5、下： 因此，这是一个四选一的选择器。6. 下图所示为两种十进制数代码转换器，输入为余三码，输出为什 么代码？ 解：这是一个余三码 至8421 BCD码转换的电路已知输入信号 A,B,C,D 的波形如下图所示，选择适当的集成逻辑 门电路，设计产生输出 F 波形的组合电路（输入无反变量） 解： 列出真值表如下：用红、黄、绿三个指示灯表示三台设备的工作情况：绿灯亮表示全部正常；红灯亮表示有一台不正常；黄灯亮表示有两台不正常；红、黄灯全亮表示三台都不正常。列出控制电路真值表，并选出合适的集成电路来实现。解： 设：三台设备分别为 A 、B、C： 故障；红、黄、绿灯分别为 Y1、 示灯灭。据题意列出真值表

6、如下：“1”表示有故障，“ 0”Y2、Y3：“ 1”表示灯亮；表示无0”表于是得：MN 表示受血者代码。代码设定如下：XY = 00A型MN = 00A 型01B 型01B型10AB 型10AB型11O 型11O型得： F1 =工(0,2,5,6,10,12,13,14,15)设计一个血型配比指示器。解：用 XY 表示供血者代码，参考试题：1、分析图 1 所示组合逻辑电路的逻辑功能，写出Fi、F2的表达式。FiY0 ?Y1 ?丫5 m0 ? m, ?m5 m0 m-, m5 AB BCF2丫2 ?丫3 ?丫6m2 ? m3 ?m6 ? my m2 m3 mg m? B2、试为燃油锅炉设计一个报

7、警逻辑电路。要求在燃油喷嘴处于开启 状态时，如果锅炉水温或烟道温度过高则发出报警信号。要求画出 真值表、写出逻辑函数。解：设燃油喷嘴为A,开启为1,否则为0;锅炉水温为B,过高位1, 否则为0;烟道温度为C,过高为1,否则为0;报警信号为F， 报警为1,否则为0。ABCF00000010010001101000101111011111真值表:由真值表得：F ms me my3、今有A B、C三人可以进入某秘密档案室，但条件是 A B、C三人 在场或有两人在场，但其中一人必须是 A,否则报警系统就发出警报 信号。试：（1）列出真值表；（2）写出逻辑表达式并化简；（3）画出逻辑图。解：设变量A B

8、 C表示三个人，逻辑1表示某人在场，0表示不 在场。F表示警报信号，F=1表示报警，F=0表示不报警。根据题意义，列出真值表00000011010101111001101011001110由出真值表写出逻辑函数表达式，并化简F ABC ABC ABC ABC AC C(A B)画出逻辑电路图4、3-8译码器 74LS138逻辑符号 如图所示，S1、 S；、S3为使能控制端。试用两片74LS138构成一个4-16译码器。 要求画出连接图说明设计方案。_ _ _Y7 yTV y4 Y3 y 2 Y 1 YoA Ai A 74LS13 s ST S3Q74138741385、组合逻辑电路设计设计组合

9、逻辑电路，实现功能如下：接收 3位二进制数，并判断收到的二进制数是否能被3整除。设定电路输入输出状态;列写真值表;写出逻辑表达式;采用“与非门”和“非门”，画出逻辑电路图。答:(1)设定输出状态电路输入设为3个：A, B，C三个输入端；每个输入端接收二进 制数的1位。电路的输出设为1个：F。F为“T表示能被整除；为“ 0”时 表示不能整除。(2)画真值表根据上述假设，我们可推得如下真值表:ABCF00000010010001111000101011011110(3)写逻辑函数式F ABC ABC画逻辑电路图第三章ABCF ABC ABC F ABC ABC AbC?AbCF时序逻辑考点：1触发

10、器特征方程D触发器Q=DJK触发器JQ' K'Q2、时序逻辑设计与分析课后题: 第7题分析下图所示同步计数电路 解：先写出激励方程，然后求得状态方程状态图如下:该计数器是五进制计数器，可以自启动。参考试题:FF0 FF1、FF21、分析图2所示的时序电路的逻辑功能，写出电路的驱动方程、状 态方程，画出状态转换图，说明电路能否自启动。JK触发器。是三个下降沿触发型J1J0n nQ1Q0n nQ2Q0Ko 1K2KinQ0nQ0nQ0nQ0n 1n n nQ2 Q1Q0Q2n 1n n nQ1 Q0Q1Q2n nQ0Q2n nQ 0Q 1模6的加法计数器,电路可以自启动。2、试分析

11、图3(a)所示时序电路，画出其状态表和状态图。设电路的 初始状态为0,试画出在图3(b)所示波形作用下，Q和Z的波形图。3、试分析下图（图5）所示的同步时序电路，写出各触发器的驱动 方程，电路的状态方程和输出方程，画出状态转换表和状态转换 图。4、电路如图所示，D触发器是正边沿触发器，图中给出了时钟 CP 及输入K的波形。（1）试写出电路次态输出 形。Qn1逻辑表达式。（2）画出Q,Q的波CPK解：Qn 1 D KQnQ Qi Qo等于多少?CPD触发器构成的寄存器，试问它是完成什么功能的5、下图是由三个寄存器？设它初始状态 Q Qi Qo =110，在加入1个CP脉冲后，Q Qi Q等于多少

12、？此后再加入一个 CP脉冲后，解：时钟方程CP0 cp CP2 CP激励方程Do Q2 , Di Q0 , D2 Qin状态方程Q0 1Do Q；，Qn 1DiQn，Q2 1 D2 Qin状态表q2 q； q0Q2 1 Q； 1 Q(? 11 1 01 0 11 0 10 1 10 1 11 1 0画出状态图7、时序逻辑电路分析。分析下面同步计数器电路,(1)写出激励函数和次态方程;(2)作出状态转换表和状态图;(3) 分析电路的逻辑功能。(1)写出输出函数、激励函数及次态函数;激励函数： D1 Q3n ； D2 Q1n ； D3 Q2n将激励函数代入D触发器特征方程：Qn1 D则，次态函数：

13、Qin1 Q3Q； 1 QinQ3n1Q2n列出状态转换表现态次态Q Q Q_ n+1_n+1 _ n+1Q Q Qq q qQ Q Qq Q 1Q 1 QQ 1 Q1 Q QQ 1 111 Q1 Q QQ Q 11 Q 1Q 111 1 Q1 Q 11 1 11 1 1列出状态转换图iqq 10詛ip)逻辑功能分析根据状态图，该电路执行移位功能，当 cp脉冲到达时，寄存器 内存储的数据顺序左移，最右边的1位移至最左边的寄存器中。第四章存储逻辑 考点：1. SRAM DRAM ROM、Flash memory 概念及特点2.存储器的字、位扩展SRAM DRA啲区别解：DRAM表示动态随机存取存

14、储器，其基本存储单元是一个晶体管 和一个电容器，是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器，充满电荷的电容器代表逻辑“ 1”，“空”的电容器代表逻辑“ 0”。数 据存储在电容器中，电容存储的电荷一般是会慢慢泄漏的，因此内 存需要不时地刷新。DRAM拥有更高的密度，常常用于 PC中的主存 储器。SRAM 是静态的，存储单元由 4 个晶体管和两个电阻器构成，只 要供电它就会保持一个值，没有刷新周期，因此SRAM比 DRAM要快。SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；ROM EPRO和EEPRO的区别解：ROM指的是“只读存储器”，即 Read-Oniy Memory。这是一种 线路最简单

15、半导体电路，通过掩模工艺， 一次性制造，其中的代码 与数据将永久保存 （除非坏掉） ，不能进行修改。EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable P rogrammable Read-Only Memory。是采用浮栅技术生产的可编程存 储器，它的存储单元多采用 N沟道叠栅MOS管，信息的存储是通过 MOS管浮栅上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入过 程。EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即 Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 。也是采 用浮栅技术生产的可编程 ROM但是构成其存储单兀的是隧道MOS管，隧道MOS管也是利用浮栅是否存有电荷来存储二值数据的，不 同的是隧道MOS管是用电擦除的，并且擦除的速度要快的多（一般 为毫秒数量级）。flash 存储器的特点解：Flash也是一种非易失性的内存，属于 EEPRO的改进产品。FLASH是结合EPROI和 EEPRO技术达到的，FLASH使用雪崩热电子 注入方式来编程。主要特点是，FLASH对芯片提