应变片测量组桥方式0002

1、上级主题：?相关概念?单个有效应变计元素位于轴向或弯曲应变的主方向。?具有补偿电阻（1/4桥完整电桥结构电阻）和半桥完整桥结构电阻。?温度变化可降低测量精度。?1000口时的灵敏度为mVout/ VEX输入。上级主题：?相关概念1/4桥（类型I）的电路图电路图使用下列符号:?R1是半桥的完整电桥结构电阻。?R2是半桥的完整电桥结构电阻。?R3是1/4桥的完整电桥结构电阻，称为补偿电阻。?R4是用于测量伸展应变（+）的有效应变计元素。?VEX是激励电压。?RL是导线电阻。?VCH是测量电压。通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟通道用于电压 一应变转换方程的电压比率，GF

2、是应变计因子，RL是导线电阻，Rg是额定应变计电阻。下图为1/4桥（类型II）轴向应变配置中的应变计电阻: 下图为1/4桥（类型II）弯曲应变配置中的应变计电阻:1/4桥（类型II）的应变计配置具有下列特性:?有效应变计元素和无效应变计元素（1/4桥的温度传感元素，称为补偿电阻）。有效元素位于轴向或弯曲应变的方向。补偿应变计位于连接至应变样本的温度电阻附近，但并未连接至应变样本，通常平行或垂直于主要的轴向应变方向。该配置常被误认为是半桥（类型I）配置，在半桥（类型I）配置中，R3为有效元素且连接至应变样本，用于测量泊松比的效应。?完整桥结构电阻可使半桥保持完整。?可补偿温度对测量产生的影响。为

3、1/4桥（类型I） 轴向应变配置中的应变计电阻下图为1/4桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻:1/4桥（类型I）的应变计配置具有下列特性:?1000（!时的灵敏度为mVout/ VEX输入。上级主题：?相关概念1/4桥（类型II）的电路图电路图使用下列符号:?Ri是半桥的完整电桥结构电阻。?R2是半桥的完整电桥结构电阻。?R3是1/4桥的温度传感元素，称为补偿电阻。?R4是用于测量伸展应变（+）的有效应变计元素。?VEX是激励电压。?RL是导线电阻。?VCH是测量电压。通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟通道用于电压 一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，R

4、L是导线电阻，Rg是额定应变计电阻。下图为半桥（类型I）轴向应变配置中的应变计电阻: 下图为半桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻: 半桥（类型I）的应变计配置具有下列特性:?两个有效应变计元素，一个位于轴向应变方向，另一个平行或垂直于主要的轴向应变方向，作为泊松应变计。?完整桥结构电阻可使半桥保持完整。?轴向和弯曲应变的灵敏度较高。?可补偿温度对测量产生的影响。?对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。?1000口时的灵敏度为mVout/ VEX输入。上级主题：?相关概念半桥（类型I）的电路图电路图使用下列符号:?R1是半桥的完整电桥结构电阻。?R2是半桥的完整电桥结构电阻。?R3是有

5、效应变计元素，用于测量泊松效应（-导致的收缩。?R4是用于测量伸展应变（+）的有效应变计元素。?VEX是激励电压。?RL是导线电阻。?VCH是测量电压。通过下列方程将半桥（类型I）配置的电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟通道用于电压 一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，v是泊松比，RL是导线电阻，Rg是额定应变计电阻。半桥（类型II）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为半桥（类型II）弯曲应变配置中的应变计电阻: 半桥（类型II）的应变计配置具有下列特性:?两个有效应变计元素分别位于应变样本顶部的轴向应变方向，以及应变样本底部的轴向应变方向。?完整桥结构电阻可使半桥保持完整。?弯曲应变的灵

6、敏度较高。?不能测量轴向应变。?可补偿温度对测量产生的影响。?1000口时的灵敏度为1 mVout/ VEX输入。上级主题：?相关概念半桥（类型II）的电路图电路图使用下列符号:?Ri是半桥的完整电桥结构电阻。?R2是半桥的完整电桥结构电阻。?VEX是激励电压。?RL是导线电阻。?VCH是测量电压。Vr是虚拟通道用于电压 一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，RL是导线电阻，Rg是额定应变计电阻。全桥（类型I）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为全桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻: 全桥（类型I）的应变计配置具有下列特性:?四个有效应变计元素；两个位于应变样本顶部的弯曲应变方向，两个位

7、于应变样本底部的弯曲应变方向。?弯曲应变的灵敏度较高。?不能测量轴向应变。?可补偿温度对测量产生的影响。?可补偿导线电阻对测量产生的影响。?1000（!时的灵敏度为mVout/ VEX输入。?R3是用于测量收缩应变（+）的有效应变计元素。?R4是用于测量伸展应变（+）的有效应变计电阻。通过下列方程将半桥（类型II）配置的电压比率转换为应变单位。上级主题：?相关概念全桥（类型I）的电路图电路图使用下列符号:?VEX是激励电压。?RL是导线电阻。?VCH是测量电压。Vr是虚拟通道用于电压一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子。全桥（类型II）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为全桥（类型II）弯曲

8、应变配置中的应变计元素: 全桥（类型II）的应变计配置具有下列特性:?四个有效应变计元素。 两个位于弯曲应变方向， 一个位于应变样本的顶部， 一个位于应变计样本的底部。 两个作为 泊松应变计，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部，分别平行或垂直于主要的轴向应变方向。?不能测量轴向应变。?可补偿温度对测量产生的影响。?对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。?可补偿导线电阻对测量产生的影响。上级主题：?相关概念全桥（类型II）的电路图电路图使用下列符号:?VEX是激励电压。?RL是导线电阻。?VCH是测量电压。通过下列方程将全桥（类型II）配置的电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟

9、通道用于电压 一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，v是泊松比。?Ri是用于测量收缩应变(+）的有效应变计元素。?R2是用于测量伸展应变(+）的有效应变计元素。?R3是用于测量收缩应变(+）的有效应变计元素。?R4是用于测量伸展应变(+）的有效应变计元素。通过下列方程将全桥（类型I）配置的电压比率转换为应变单位。?1000（!时的灵敏度为mVout/ VEX输入。?Ri是用于测量收缩泊松效应（- 的有效应变计元素。?R2是用于测量伸展泊松效应（+）的有效应变计元素。?R3是用于测量收缩应变（+）的有效应变计元素。?R4是用于测量伸展应变（+）的有效应变计元素。Vr是虚拟通道用于电压 一应

10、变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，v是泊松比。下图为全桥（类型III）轴向应变配置中的应变计电阻: 全桥（类型III）配置仅适用于测量轴向应变。全桥（类型III）的应变计配置具有下列特性:?四个有效应变计元素。 两个位于轴向应变方向， 一个位于应变样本的顶部， 一个位于应变计样本的底部。 两个作为 泊松应变计，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部，分别平行或垂直于主要的轴向应变方向。?可补偿温度对测量产生的影响。?不能测量弯曲应变。?对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。?可补偿导线电阻对测量产生的影响。上级主题：?相关概念全桥（类型III）的电路图电路图使用下列符号:?VEX是激励电压。?RL是导线电阻。?VCH是测