电力电子技术试题01

1、电力电子技术试题填空0000002、电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。0000001、电力变换通常可分为：交流变直流、直流变直流、直流变交流和交流变 交流。0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关 状态。当器件的工作频率较高时， 关_损耗会成为主要的损耗。0000001、电力变换通常分为四大类，即交流变直流、直流变直流、直流变交流 、 交流变交流 。0100004、过电压产生的原因操作过电压 、 雷击过电压，可采取 RC过电压抑制电坠、压敏电阻等措施进行保护。0100002、请在空格内标出下面元件的简称

2、：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ； IGBT是MOSFET和 GTR的复合管。0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通、触发脉冲应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压 、电流和功率定额和 应有良好的 抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。（可作简答题）0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决的方法是挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器。0100004、抑制过电压的方法之一是用电容吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。0100001、型

3、号为 KP100-8的晶闸管表示其额定电压为800伏、额定有效电流为100安。0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有避雷器；RC过电压抑制电路/阻 容吸收; 硒堆；压敏电阻 等几种。（写出2种即可）0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTR、 GTO、 MOSFET、IGBT几种。0100003 、普通晶闸管的图形符号疋N县曰三个电极分别是阳极A ，阴极K和门极G晶闸管的导通条件是晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者且Ugk>0 ；关断条件是使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以 下。0100002、可关断晶闸管的图形符号是；电力场

4、效应晶体管的图形符号是，绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；GT0MOSFETIGBTEGTE0100003、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极作为栅极，以电力晶体管发射极和集电极 作为发射极与集电极复合而成 。0100004、有一晶闸管的型号为 KK200 9 ,请说明KK快速晶闸管；200表示表示额定电流200A, 9表示 额定电压900V。0100004、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为 220V ,流过晶闸管的电流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为（1.5 2）X1.414 X220；晶闸管的额定电流可选 为 （1.52 ）X15/1

5、.57。0100003、常用的过电流保护措施有电子电路快速熔断器直流快速熔断壁、 过电流继电器 。（写出2种即可）够的门极触发电流,晶闸管才能导通。0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于擎住 电流之前,如去掉 触发 脉冲，晶闸管又会关断。0100002、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ； IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流 的问题,解决的方法是首要措施是挑选特性参数尽量一致的器件 、采用均流电抗器 。0100003

6、、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流It等于1.57倍It（ av），如果It（av）=100安培，则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留出1.52倍的裕量。0100001、晶闸管的维持电流Ih是指在40度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大 通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。0100001、普通晶闸管内部有_PN结”外部有三个电极，分别是_极_极和卫。1、两个、阳极A、阴极K、门极Go0100001、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上_电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。0100001、晶闸管的工作状态有正向 _状态，正向状态

7、和反向状态。3、阻断、导通、阻断。0100002、某半导体器件的型号为KP50 7的，其中KP表示该器件的名称为50表示 ,7表示。4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压700V。0100001、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止 。5、维持电流。0100003、在晶闸管两端并联的 RC回路是用来防止_损坏晶闸管的。15、（关断）过电压。0100002、GTO的全称是图形符号为GTR的全称是图形符号为P-MOSFET的全称是图形符号为_； IGBT的全称是图形符号为_。33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管。0100003、GTO的关断是靠门极

8、加_出现门极来实现的。33、负脉冲、反向电流。0100001、大功率晶体管简称_。34、GTR。0100003、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是_和_。35、电流不够大、耐压不够高。0100002、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是 _MOSFET_，单管输出功率最大的是_GTO_，应用最为广泛的是_IGBT_0100003、 GTR 存在二次击穿现象 ，_IGBT 存在擎住现象。0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R是 均压 措施。0100003、同一晶闸管，维持电流Ih与掣住电流Il在数值大小上有II大于Ih。0100001、晶

9、闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有螺栓型与平板型。0100002、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以1.52 。0100003、晶闸管的导通条件是晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者 UAK >0 且 Ugk>0。0100004、晶闸管的断态不重复峰值电压Udsm与转折电压Ubo在数值大小上应为，Udsm <Ubo。0100002、晶闸管的内部结构具有3端、4层、3个PN结。0100002、在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是阳极。0100003、晶闸管的关断条件是使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下。0100002、当晶闸管承受

10、反向阳极电压时，不论门极为何种极性触发电压，管子都将工作在阻断状态。0100002、晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流相等。0100004、根据对触发电路的要求知道，触发电路应由同步环节、锯齿波形成环节、脉冲形成环节、脉冲移相环节和脉冲整形与放大输出环节等组成。0100001、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。0100002、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的通态平均 电流来标定。0100002、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一 段时间的反向电压。0100002、同一晶闸管，维持电流Ih与擎住电流Il的数值大小上有IlJ h

11、。压为500V0100004、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是均压措施。0100001、晶闸管的三个电极分别是阳极A、阴极K、门极G 。0100002、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大1.52倍，使其有定的电压裕量。0100002、当晶闸管加上正向阳极电压 后,门极加上适当的正向触发电流，使晶闸管导通的过程，称为触发。0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R是 均压 措施。0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为1口等于1.57倍It（AV）,如果It（AV）=100安培，则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管

12、时还要留出1.52倍的裕量。0200004、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是出现换相重叠角，整流输出电压平均值降低_、_整流电路的工作状态增多 _、使电网电压出现缺口，称为干扰源_。0200001、晶闸管一旦导通后流过其中的电流大小由负载_决定。0200004、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是给负载并联续流二极管。0200004、单相全控桥电阻性负载时 ，电路的移相范围 0°80。或180 ° ;三相半波可控 整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 0°50。或150 ° ;三相全控桥电阻性负载时 ， 电路的移相范围 0°20。或12

13、0 °。0200004、锯齿波同步的晶闸管触发电路由同步环节、 锯齿波形成环节 、 脉冲形成与脉冲移相及其它环节成。0200002、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的导通角。2U2 （设U2为相电压有效值）。0200004、三相桥式全控整流电路，电阻性负载,当控制角60°时，电流连续。0200003、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值降低。0200002、逆变器可分为无源逆变器和有源逆变器两大类。0200002、在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势 同向 相连。0200004、为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用宽脉冲或双窄

14、脉冲。0200003、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于有源逆变状态时，需使控制角a冗/2 ,同时|Ed|2_U d|。0200003、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为 换相重叠角。0200003、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差180 °。0200004、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载,当控制角30 °时，电流连续。0200002、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为触发角。0200004、触发脉冲可采取宽脉冲 触发与 双窄脉冲 触发两种方法

15、,目前采用较多的是双窄脉冲触发方法。0200002、三相半波可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。0200003、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角大于30度时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。均值降低0200002、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网 的逆变电路。0200002、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势 曰的极性成 反向 相连,且满足|Ud|<|Ed|。0200004、为了防止因逆变角B过小而造成逆变失败，一般3min应取3035度,以保证逆 变时能正常换相。0200004、设三相

16、电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即_、6U2 =2.45U2 ,其承受的最大正向电压为 2U2=1.14U2。0200002、整流是把_电变换为_电的过程；逆变是把电变换为_电的过程。1、交流、直流；直流、交流。0200002、当增大晶闸管可控整流的控制角a,负载上得到的直流电压平均值会_。6、减小。0200003、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为_性负载，性负载和负载三大类。7、电阻、电感、反电动势。0200003、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会_,解决的办法就是在负载的两端

17、 _接一个_。&减小、并接、续流二极管。0200004、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压_,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的_被触发，才能得到稳定的直流电压。12、同步、时刻。0200003、三相桥式全控整流电路是由一组共_阴_极三只晶闸管和一组共 _阳_极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔60度换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通180度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有2只晶闸管同时导通，一个是共阳极的,另一个是共 的两个元件。0200004、对三相桥式全控变流电路实施触发时 一般取90。度较合适；如采用双窄脉冲触发时0200

18、004、三相半波可控整流电路电阻性负载时阴极的元件，且要求不是不在同一桥臂上，如采用单宽脉冲触发，单宽脉冲的宽度，双窄脉冲的间隔应为 _60_度。，电路的移相范围_0o-150o_,三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围_0o-120 o_，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0o-150 o 。0200004、锯齿波触发电路的主要环节是由同步环节、锯齿波形成、脉冲形成_、 脉冲移相、脉冲整形放大输出环节组成。0200003、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时，单相桥式半控整流电路会出现失控 现象。0200004、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波

19、形脉动频率为150 H z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为300 H z。0200004、造成逆变失败的原因有触发电路工作不可靠、晶闸管发生故障、交流电源发生缺相或突然消失、换相的裕量角不足，引起换相失败等几种。（可做简答题）0200003、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角a、变压器漏抗 Xb_、 平均电流I卫_、电源相电压U?等到参数有关。控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为_'.6U2。（电源电压为U2 ）o2ooooi、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为触发 角,用表示。0200004、实现有源逆为的条件为要有一个直流逆变电源 ，

20、它的极性方向与晶闸管的导通方向一致，其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压和 晶闸管的控制角 a> n/2 ,使Ud为负值。（可做简答题）0200002、有源逆变指的是把 直流能量转变成 交流能量后送给 电网的装置。0200003、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为J2U2。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为_'6U2。（电源相电压为 U2）0200003、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种 ，一是用 大于60o小于120o的宽脉冲触发;二是用脉冲前沿相差 60o的双窄脉冲触发。0200002、逆变角 宵控制角a之间的关系为

21、_。3、a = n 30200004、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为_或_。5、顺向串、逆变失败、逆变颠覆。0200004、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为_。6、30 ° -35 °0300002、斩波器是接在恒定直流电源和负载电路之间，用于 将直流电变为另一直流电。0300004、设 DC/DC 变换器的 Boost 电路中,E=10V , a=0.7 ,贝U Uo= 10/0.3 。的装置称为器。&斩波。0300003、斩波器的时间比控制方式分为脉冲宽度调制、频率调制、混合调制三种方式。030000

22、3、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有_式，式和式三种工作方式。1、定频调宽，定宽调频。调宽调频。0300003、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有 脉冲宽度调制 、频率调制、混合调制三种。0300003、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有升压 斩波电路;降压 斩波电路； 升降压 斩波电路。0300004、在下图中，_V1_和_VD1成降压斩波电路使直流电动机电动运行；_V2_和_VD2_成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行。0400003、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是0180 ° ,负

23、载是阻感性时移相范围是_ 180 °。0400003、变频电路从变频过程可分为_变频和变频两大类。15、交流一交流，交流一直流一交流。波。0500001、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。0500003、通常变流电路实现换流的方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流四种。0500001、逆变电路分为逆变电路和_逆变电路两种。2、有源、无源。0500003、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 有源 逆变,如果接到负载，贝U称为 无源逆变。0500004、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V

24、1,VD1,V2,VD2 表示)。(1) 0t1时间段内，电流的通路为_VD1_;(2) t1t2时间段内，电流的通路为V1(3) t2t3时间段内，电流的通路为VD2 t3t4时间段内，电流的通路为V2 ;(5) t4t5时间段内，电流的通路为VD1a)b)0500002、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型逆变器和 电流型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波。0500004、在电压型逆变器中，输出电压波形为矩形 波,输出电流波形与负载阻抗有关。0500

25、002、将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接供给负载的过程称为无源逆变。0500003、电压型逆变器其中间直流环节以电容贮能。0500003、换流的方式有器件换流、电网换流、负载换流和强迫换流四种。0500004、换流的方式有 品件换流_、 _电网换流_、 _负载换流_、_虽迫换流_ ,全控型器件用器件换流方式换流0600002、PWM波形的生成方法主要有计算法和调制法两种。0600004、SPWM脉宽调制型变频电路的基本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制，使输出端得到一系列幅度相等，脉宽与正弦波幅值成正比的脉冲列来等效正弦波。0600003、PWM调制方式有同步调制、

26、异步调制、分段同步调制三种。0600003、PWM逆变电路的控制方法有计算法、调制法、跟踪控制法三种。其中调制法又可分为同步调制、异步调制两种。0600003、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 _载波比_当它为常 数时的调制方式称为 同步_调制。将逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为恒定的调制方式称为分段同步制。0600003、面积等效原理指的是，冲量_J目等而_形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。0600004、载波比（又称频率比）K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为fr,三角波的频率为fc ,则载波比表达式为

27、 K= f c f r_。0700002、为了减小变流电路的开 、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为零点压电路/开关 与 零电流电路/开关 两大类。0700002、为了减小变流电路的开 、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为零电压电路 与 零电流电路 两大类。0700003、软开关电路种类很多，大致可分成 零电压 电路、零电流 电路两大类。0800003、对异步电动机实施变频调速控制，通常的控制方式有恒压频比控制、转差频率控制、矢量控制、直接转矩控制等四种0000002、下面哪种功能不属于变流的功能（C ）A、有源逆变B

28、、交流调压C、变压器降压D、直流斩波0100003、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ,反向重复峰值电压为825V ,则该晶闸管的额定电压应为（B ）A、700VB、 750VC、 800VD、 850V0100001、晶闸管内部有 （C ） PN结。A 一个，B二个，C三个，D四个0100002晶闸管可控整流电路中的控制角a减小，则输出的电压平均值会（B）。A不变，B增大，C减小。0100003、晶闸管两端并联一个 RC电路的作用是 （C ）。A分流，B降压，C过电压保护，D过电流保护。0100002、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C ）。A分流，B降压，C过电压保护，D过

29、电流保护。0100002、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。A有效值B最大值C平均值0100001、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（C）。A、GTR B、 MOSFET C、IGBT0100001、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（A ）A、GTR B、 MOSFET C、IGBT。0100003.晶闸管导通的条件是（A ）oA.阳极加正向电压，门极有正向脉冲B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲0100003、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（B）A、du/dt

30、抑制电路 B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路0100002、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下0100002、IGBT是一个复合型的器件 ，它是（B）A、GTR 驱动的 MOSFET B、MOSFET 驱动的 GTRC、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO0100002、晶闸管稳定导通的条件（C）A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C. 晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D. 晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流010000

31、1、具有自关断能力的电力半导体器件称为（A ）A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件0100002、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（D ）A、转折电压B、反向击穿电压C、阈值电压D、额定电压0100002、晶闸管的伏安特性是指（C ）A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系0100002、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（B ）A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定0100002、在型号 KP10 12G中，数字10表示（B ）A、额定电压10V B、额

32、定电流10AC、额定电压1000V D、额定电流100A0100002、对于同一晶闸管，维持电流Ih与擎住电流Il在数值大小上有，Il （A） IhA、大于B、等于C、小于 D、无关0100002、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（D ）A、可靠触发区B、不可靠触发区C、安全工作区 D、不触发区0100003、功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和 D _A、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线C、临界饱和线 D、二次击穿功率线0100003、若晶闸管电流有效值是157A ,

33、则其额定电流为（B ）A、157A B、100A C、80A D、246.5A0100004、下列全控器件中，属于电流控制型的器件是 （B C ）,属于电压控制型的器 件是 （AD ）A、P-MOSFET B、GTO C、GTR D、IGBT0200004、单相全控桥大电感负载电路中 ，晶闸管可能承受的最大正向电压为（B ）B；2U 2 C.2QU2 d.®20200004、在下列可控整流电路中，不能实现有源逆变的是（C）A、单相全控桥整流电路 B、单相全波整流电路C、单相半控桥整流电路D、三相全控桥整流电路0200003、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压Ud为（B

34、）A、Ud=0 B、Ud=E C、Ud=E/2 D、Ud= - E0200004、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角a=0o时，输出的负载电压平均值为_ D _。A、0.45U2; B、0.9U2； C、1.17U2; D、2.34U2；0200004、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角a的有效移相范围是 A_度。A、0 °-90 ° ; B、30。-120 ° ; C、60。-150 ° ; D、90。-150 ° ;0200004、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角Y勺大小与哪几个参数有关A_。A、a、Id、 Xl、U2

35、®； B、a、Id ;C、a、U2; D、a、U2、Xl;0200003、单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是DA、增加晶闸管的导电能力B、抑制温漂C、增加输出电压的稳定性D、防止失控现象的产生0200003、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（B ）A、- U2 B、匸 U2 C、2 十：U2 D.、 ，： U2 0200004、三相桥式全控整流电路，大电感负载，当a=（C ）时整流平均电压 Ud=0。A、30° B、60° C、90° D、12000200004、在三相桥式不控整流电路中，整流输出电

36、压的平均值为（A ）乙6 U2或： 2.34U2A、 二B、U2或：1.17U22 二或-1.56U2C、 二6U2或:0.78U2江0200003、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a的最大移相范围是（D ）A、90° B、120 ° C、150 ° D、180 °0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路,相电压的有效值为U2,当控制角aW0 °时，整流输出电压平均值等于（A ）A、1.17U2COS a B、1.17U 2Sin aC、1.41U 2COS a D、1.41U 2Sin a0200004、在大电感负载三相全控桥中

37、整流电路工作状态的最大移相范围是（D）A、60 ° B、180 ° C、120 ° D、90 °0200004、对于三相半波可控整流电路换相重叠角y与哪几个参数有关（A ）A、a、U2、负载电流Id以及变压器漏抗Xb B、a和 U2C、a以及负载电流Id D、a和变压器漏抗Xb0200004、单相全控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为（A ）1A、-V2U2B、凤2 C、242U 2D、76U20200004、单相桥式全控整流电路中，电阻性负载,流过每个晶闸管的有效电流It= （ C ）A、I B、0.5I C、（ 1/2）*|

38、D、（ ： 2 ）*I0200004、三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（C）。A、0180° B、0150°C、01200 D、09000200004、单相全控桥式整流电路带阻感负载，控制角为a,则输出电压的平均值为（B ）A、Ud=1.17U 2cosa B、Ud=0.9U 2cosaC、Ud=-2.34U 2cosa D、Ud=0.45U 2cosa0200002、有源逆变产生的条件是触发角a要满足（D ）ji a <B、2C、Ji a =4Tt a > 20200003、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（C）。A、100 150 B、200

39、250 C、300350 D、4004500200003、三相半波可控整流电路的自然换相点是（B ）A.交流相电压的过零点B本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30 °D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60 °A.三相半波可控整流电路B.三相桥式全控整流电路C单相桥式全控整流电路D.单相全波可控整流电路外接续流二极管0200003.单相半波可控整流电路，阻性负载,控制角a的最大移相范围是 0 °（D ）。A.90 ° B.120 ° C.150 ° D.180 °0200003.

40、单相桥式整流电路，电阻性负载,控制角为（D ）时，整流输出电压为0。A.0 ° B.90 ° C.120 ° D.180 °0200002.三相全控桥式整流电路，控制角为（A ）时，整流输出电压为最大值 。A.0 ° B.90 ° C.120 ° D.180 °0200003.单相半波整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向峰值电压约为（A ）。A. 2 U2 B. 3 U2 C. 6 U2 D. 2.34U 20200003.三相半波可控整流电路，电阻性负载,控制角a<30 °，每个周期内输出电压的平

41、均值为（C ）。A.Ud=0.45U2COS a B.Ud=0.9 U 2COS a C.Ud=1.17 U 2COS a D.Ud=2.34 U 2COS a 0200004.三相全控桥式整流电路，晶闸管可能承受的最大反向电压约为（C ）。iJA. 2 U2 B. 3 U2 C. 6 U2 D. 2.34U 20200003.三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（D ）次。A.2 B.3 C.4 D.60200003.三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位互差（C ）。A.60 ° B.90 ° C.120 ° D.180 °

42、;0200003.单相半波可控整流电路，阻性负载，导通角B的最大变化范围是 0。千D）A.90 ° B.120 ° C.150 ° D.180 °0200004.三相半波可控整流电路，阻性负载,导通角B的最大变化范围是 0°千C ）A.90 ° B.120 ° C.150 ° D.180 °0200004.三相全控桥式整流电路，阻性负载,控制角a的最大移相范围是 0 °%B ）A.90 ° B.120 ° C.150 ° D.180 °0200004.三相

43、半波可控整流电路电源电压波形的自然换向点比单相半波可控整流电路的自然换向点（B）A.超前30 ° B.滞后30 ° C.超前60 ° D.滞后60 °0200003.单相全波可控整流电路，电感性负载，控制角a<30°,每个周期内输出电压的平均值为（B ）A.Ud=0.45U2cos a B.Ud=0.9 U 2cos a C.Ud=1.17 U 2cos a D.Ud=2.34 U 2cos a0200003.三相全控桥式整流电路，电感性负载，控制角a>30 °，负载电流连续，整流输出电流的平均值为Id,流过每只晶闸管的平

44、均值电流为（B ）A.Id/2 B.I d/3 C.2I d/3 D.I d0200003.单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角B为（D ）A.1° 弋° B.10°75° C.20°-25 ° D.30 ° -35°0200003.三相全控桥式整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（D ）次。A.2 B.3 C.4 D.60200002.有源逆变电路是（B ）A.AC/DC变换器 B.DC/AC变换器 C.AC/AC变换器 D.DC/DC变换器0200003.PWM 脉宽调制技术用于（B ）A.有源逆变器B无

45、源逆变器C.脉冲触发器D.脉冲移相器0200004.KC04型集成触发电路引角1和15输出两个互差180。的触发脉冲，经过放大隔离后，可驱动三相全控桥 的两只晶闸管。（A ）A.同一桥臂B不同桥臂C共阴组D.共阳组0200003、下列不可以实现逆变的电路是（B）式晶闸管电路。A单相全波，B三相半控桥，C三相全控桥0200003、变流器必须工作在 a（A）区域，才能进行逆变。A > 90 ° , B > 0°, C < 90 ° , D = 0°o0200003、为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（D ）oA 5 °

46、 , B 15 ° , C 20 ° , D 30 °。0200002、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（ B）晶闸管。A 只，B二只，C三只，D四只。0200002、三相全控桥整流装置中一共用了（ B）晶闸管。A三只，B六只，C九只°0200001、双向晶闸管外部有 （C）电极。A 一个，B两个，C三个，D四个。0200003、a=0°时，单相半波可控整流电路带电阻负载输出直流电压的平均值等于整流前交流电压有效值的（C ）倍。A 1 , B 0.5 , C 0.45 , D 0.9.0200003、a=0°时，单相桥式可控整流电

47、路带电阻负载输出直流电压的平均值等于整流前 交流电压有效值的（D）倍。A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9.0200002、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。A电阻性，B电感性，C反电动势。0200004、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a的最大移相范围是（D ）A、0o-90 ° B、0o-120 ° C、0o-150 ° D、0o-180 °0200003、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差_A_度。A、180 度；B、60 度； C、360 度； D、120 度；020000

48、3、可实现有源逆变的电路为 _A_。A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路0200003、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角 亦n选_A_时系统工作才可靠。A、30°35° B、10°15° C、0°10°D、000200004、a= B_度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0 度；B、60 度；C、30 度；D、120 度；0200003、变流器工作在逆变状态时，控制角a必须在_D_度。A、0 °-90

49、° ； B、30。-120 ° ； C、60 °-150 ° ； D、90 °-150 ° ；0200004、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲 移相范围_C_。A、0o60 o ; B、0o-90 o ; C、0o120 o ; D、0o150 o ;0200004、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角Y勺大小与哪几个参数有关 _A_。A、a、Id、 Xl、U2®； B、a、Id ； C、a、U2；D、a、U2、 Xl；0200004、在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角a的有效

50、移相范围是 A。A、0° -90 ° B、0°780 ° C、90°780 °0200004、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角a=0o时，输出的负载电压平均值为 _D_。A、0.45U2; B、0.9U2； C、1.17U2; D、2.34U2；0200004、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角a的有效移相范围是_A_度。A、0 °-90 ° ； B、30。-120 ° ； C、60 °-150 ° ； D、90 °-150 ° ；0200004、单

51、相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差_A_度。A、180 ° , B、60 ° , c、360 ° , D、120 °0200003、a为_C_度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A, 0 度，B, 60 度，C, 30 度，D, 120 度，0200003、晶闸管触发电路中，若改变_B_的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控 制的目的。A 同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。0200004、可实现有源逆变的电路为 _A_。A、三相半波可控整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接

52、续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。0200003、在一般可逆电路中，最小逆变角3min选在下面那一种范围合理 _A_。A、30o-35o， B、10 o-15 o， C、0o-10 o， D、0o。0200003、在有源逆变电路中，逆变角：的移相范围应选_B_为最好。A、卩=90 oS80o , B、卩=35 o窃0o , C、卩=0 o国0o ,0200004、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于_C_。A、U相换相时刻电压 uu, B、V相换相时刻电压 uv,Uu +匕C、等于uu+u V的一半即：2F图中哪一种双窄脉冲0200004、三相全控整流桥电路，

53、如采用双窄脉冲触发晶闸管时 间距相隔角度符合要求。请选择_B_。0200003、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差_A_度。A、180 ° B、60 ° C、360 ° D、120 °0200004、a为_C_度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A、0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度，0200003、晶闸管触发电路中，若改变B的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、以上都不能 0200004、可实现有源逆变的电路为

54、_A_。A、三相半波可控整流电路B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路。0200003、在一般可逆电路中，最小逆变角3min选在下面那一种范围合理 _A_。A、30o-35 o B、10o-15 o C、0o-10 o D、0o。0200002、单相半波可控整流电阻性负载电路中 ，控制角a的最大移相范围是 _D.A、90 ° B、120 ° C、150 ° D、180 °0200003、三相半波可控整流电路的自然换相点是（B ）A、 交流相电压的过零点；B、本相相电压与相邻相电压正 、负半周的交点处；C、 比三相不

55、控整流电路的自然换相点超前30 ° ;D、 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路中 ，控制角的范围是（D）A、30 °750 ° B、0°720 °C、15 °725 ° D、0°750 °0200004、三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为（D ）A.U2 B. 2 U2 C.2 U2 U2 D.乜6 U2Kf =f-A.B.C. Kf =ldT D.Kf =Id t-It0200004、三相半波带电阻性负载时，为_C_度时，可

56、控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0 度 B、60 度 C、30 度 D、120 度。0200002、在晶闸管触发电路中，改变B_的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控 制的目的。A、同步电压 B、控制电压 C、脉冲变压器变比 D、整流变压器变比0300002、直流斩波电路是一种 _ C 换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC0300003、定宽调频是斩波器的一种 （A ）A、时间比控制方式B、瞬时值控制C、移相控制方式 D、模糊控制0300002、直波斩波电路是一种（C ）变换电路A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC30300003、降压斩波电路中，已知电源电压 Ud=16V，导通比，则负载电压 U0=（ B ）4A、64V B、12V C、21V D、4V0300003、降压斩波电路中，已知电源电压 Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时 Ton= （ C ）A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms0300002、直流斩波电路是一种（C ）变换电路。A、AC/AC B、DC/AC C、D