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文档简介

1、第八章 光电式传感器光电器件n光电效应n外光电效应n内光电效应n光敏二极管、光敏晶体管n光电池nCCDn光电传感器的运用光电效应n外光电效应n光子,光子能量;光电子n外光电效应是指在光线作用下,物体内的电子逸出物体外表向外发射的景象。n内光电效应n在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的效应n光电导效应:光敏电阻、光敏二极管晶体管n光生伏特效应:光电池光电效应光敏电阻n无光照时,光敏电阻阻值很大,电路中电流很小;当光敏电阻遭到一定波长范围的光照时,它的阻值急剧减小,电路中电流迅速增大。材料敏感范围暗电阻亮电阻响应速率硫化镉0.31m(可见光)大于1M小于1K102硫化铅53m(近

2、、中红外)如:用以火焰探测器大于2M小于1K104n根本特性n伏安特性n光照特性n光谱特性频率特性温度特性光敏二极管、光敏晶体管n光敏二极管n光敏二极管在电路中普通是处于反向义务外形n暗电流、光电流光照越强,光电流?n光敏三极管n基极无引出线,集电极相对于发射极为正电压n当光照射在集电结上时, 就会在结附近产生电子-空穴对, 从而构成光电流, 相当于三极管的基极电流。因此集电极电流是光生电流的倍, 所以光敏晶体管有放大作用。n硅:敏感可见光,可用来探测可见光或赤热外形物体n锗:敏感红外光,可用于红外光探测光电池n一个大面积的PN节,光照下产生的电子空穴对向两级分散,构成与光照强度有关的电动势。

3、 光电耦合器件n光电耦合器n光电开关CCD电荷耦合器件n构造:MOS电容器光敏元或像素;MOS阵列CCD器件n原理:金属氧化物SiO2沟阻耗尽层势阱衬底P-Si少数载流子光电传感器的运用2931光纤传感器n光纤的构造n光纤的传光原理光纤传感器义务原理n利用被丈量对光的传输特性施加的影响,完成丈量 n功能型利用光纤本身的某种敏感特性或功能制成n传光型光纤仅仅起传输光的作用,它在光纤端面或中间加装其它敏感元件感受被丈量的变化被测对象光纤敏感元件至信号处置系统光源光纤光探测器被测对象光敏感元件至信号处置系统光源光纤光探测器红外传感器辐射式传感器n红外辐射n本质是热辐射n以波的方式在空间直线传播,真空中以光速传播n当物体温度低于1000时,向外辐射的不再是可见光,而是红外光n红外线在经过大气层时, 有三个波段透过率高, 它们是22.6 m、35 m和814 m红外探测器n热探测器n利用红外辐射的热效应,探测器的敏感元件吸收辐射能后引起温度升高,进而使某些有关物理参数发生变化,经过丈量物理参数的变化来确定探测器所吸收的红外辐射。n光子探测器n利用入射光辐射的光子流与探测器资料中的电子相互作用,从而改动电子的能量外

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