第1章半导体器件习题及答案

1、第1章半导体器件、是非题（注：请在每小题后内用” V表示对，用” X 表示错）1、 P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（）2、 N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（）3、 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（）4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（）6、 半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（）7、 半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（）8、 施主杂质成为离子后是正离子。（）9、 受主杂质成为离子后是负离子。（）10、 PN结中的扩散电流是载

2、流子在电场作用下形成的。（）11、 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。PN结两端短路时就有电流流过。（）（ ）1#还可以描述二极管的反向14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,击穿特性。（）15、 通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（）16、 有人测得某晶体管的Ube=0.7V , Ib=20因此推算出rbe=U be/Ib=0.7V/20卩A=35k。）17、 有人测得晶体管在 Ube=0.6V , Ib=5 A,因此认为在此工作点

3、上的咲大约为26mV/l B=5.2k Q （ ）18、有人测得当 Ube=0.6V , Ib=10 小 考虑到当 Ube=0V时Ib=0因此推算得到U be1b0.6 -010 -0#,多选或不选按选错论）、选择题（注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处.1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中 载流子。A.有B.没有C.少数D.多数2、 在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生。A.负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对3、半导体中的载流子为。A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴4、N型半导体中的多子是 。A.电子B.空穴C.正离子D.负离

4、子5、P型半导体中的多子是 。A.电子B.空穴C.正离子D.负离子6、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 C.晶体缺陷7、 当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。A.大于B.小于 C.等于D.变宽E.变窄F.不变8、二极管正向电压从 0.7V增大15%时，流过的电流增大 。（ Ai. 15%Bi.大于15% Ci.小于15%）当流过二极管的电流一定， 而温度升高时，二极管的正向电压 （A2.增大B2.减小；C2.基本不变）9、温度升高时，二

5、极管的反向伏安特性曲线 。（ A1. 上移B1 下移 G 不变）10、在下图1.10所示电路中,电流的大小将是说明此时反向电流 。（ A2.减小B2.增大C2.不变）当电源 V=5V时，测得l=1mA。若把电源电压调整到 V=10V,则I=2mA B.I2mA D.不能确定K2KL+I_r图 1.1011、图1.11所示电路中电源O . 一.图 1.13图 1.11V=5V不变。当温度为20C时测得二极管的电压 Ud=0.7V。当温 度上生到为40OC时,则Ud的大小将是A.仍等于0.7V B. 大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定12、设图1.11电路中保持V=5V不变，当温度为2

6、0C时测得二极管的电流l=2mA。当温度上升到 40 C 时，贝U I 的大小将是 。A. I =2mA B. I 2mA13、 图1.13中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA,反向击穿电压为5V,击穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA14、 二极管的主要特性是A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性15、 在下图1.15所示电路中，DD3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮 的灯是。 A. bB. cC. a16、二极管电路如下图1.16所示，判断图中二极管是导

7、通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为。（设二极管的导通压降0） A.5.6VB.-4.3V C.-5V D.6V4图 1.1517、二极管电路如上图图 1.16图 1.17图 1.181.17所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为(设二极管的导通压降为 0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V18、二极管电路如上图1.18所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电19、电路如下图1.19所示。试估算 A点的电位为。(设二极管的正向压降为 0.7V。)A. 6.7VB. 6VC. 5.7VD. 6.7V20、已知如下图1.20所示

8、电路中Va= 0V,VB= 5V，分析二极管的工作状态后，可确定V。的值为)(设二极管的正向压降为0.7V) A.5VB.-4VC.4.3VD.0.7VIkQXiov图 1.19图 1.2021、设硅稳压管Dz1和DZ2的稳定电压分别为图 1.21 (a)5V和8V ,正向压降均为图 1.21 (b)0.7V，可求出图1.21(a)中电路的输出电压Vo为;可求出图1.21(b)中电路的输出电压 V。为；可压Vo为。(设二极管的导通压降为0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V#*E3*-玄A.0.7VB.1.4V C.5V图 1.21(c)图 1.21(d)求出图1.21

9、(c)中输出电压 V。为;可求出图1.21(d)中输出电压 V。为D.7V E.8VG.13VH.17VF.11.6V图 1.22(a)图 1.22(b)22、已知Dz1、Dz2的稳压值分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性，可求得图1.22(a)路中,A. 1VB. 5VC. 6VD. 13V输出电压为 ;可求得图1.22(b)中输出电压为 23、二极管的双向限幅电路如右图所示。设Vi为幅值大于直流电源 Si（= V 值的正弦波，二极管为理想器件。则可画出Vo的波形为。A. a） B. b） C. c） D. d）Di立 rCL 士+ - -iiT24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三

10、个二极管电流如下表所示。二极管的性能最好的是A. a) B. b) C. c口吕号加0.5V正向电压时的电流加反向电压时的电流a)0.5mA1卩Ab)5mA0.1 Ac)2mA5 A25、 一个硅二极管在正向电压Ud=0.6V时，正向电流lD=10mA若Lb增大到0.66V（即增加10%,则电流ID。 A.约为11mA（也增加10% ; B. 约为20mA （增大1倍）；C.约为100mA （增大到原先的10倍）； D. 仍为10mA （基本不变）。26、 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出最为方便。A.中极间电阻 B.各极对地电位

11、 C.各极电流27、 温度升高时，晶体管的电流放大系数3，反向饱和电流Icb，正向结电压Ube。 A.变大 B. 变小 C. 不变28、 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ,输出特性曲线将 ,而且输出特性曲线之间的间隔将。A.上移B.下移C.左移D.右移E.增大F.减小G.不变29、 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 。A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正 偏30、 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下1.30图所示，该晶体管的类型是。A.NPN型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 D.PNP

12、型锗管31、某三极管各个电极的对地电位如图1.37所示，可判断其工作状态是A.饱和 B. 放大 C. 截止D.已损坏论Or12 v ( Y 3DK3A2V 6V -f1.3V1Ou图 1.30图 1.3132、 三极管的穿透电流Iceo是集-基反向饱和电流的 倍 A. a B.1+3 C. 333、 三极管工作在饱和区时，b-e极间为, b-c极间为;工作在放大区时，b-e极间为, b-c极间为。 A.扩散电流B.漂移电流34、某三极管的极限参数 PcM=150mW, lcM=100mA , V(br) ceo=30V。若它的工作电压 Vce=10V , 则工作电流lc不得超过 mA (A.I

13、OOma B. 15mA C. 1mA);若工作电压 Vce=1V ,则工作电流不得超过 mA (A.100mA B. 15mA C. 1mA );若工作电流Ic=1mA，则工作电压不得超过 V (A. 30V B.10V c.1V )。三、计算题1.写出图3.1所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压T? D2V 叩 3042vt2 V 2V8#图3.1#I0Vf9 +2kO3电路如图 忽略不计。uo的波2已知稳压管的稳压值Uz= 6V，稳定电流的最小值Izmin = 5mA。求图3.2所示电路中Uoi和UO2各为多少伏。R011f0 +500 QI0V6 - o图3.2 (a)5电路如图3

14、.5 (a)所示，其输入电压uii和42的波形如图(b)所示，二极管导通电压Ud=0.7V。试画出输出电压 uO的波形，并标出幅值。10#6现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为 0.7V。试问:(1) 若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2) 若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？7已知图3.7所示电路中稳压管的稳定电压Uz = 6V，最小稳定电流Izmin = 5mA，最大稳定电流 1 Zmax = 25mA。(1) 分别计算Ui为10V、15V、35V三种情况下输出电压 Uo的值；(2) 若Ui= 35V时负载开路，则会出现什么现象？为什

15、么？iTq500qD#11图3.7#8已知稳压管的稳定电压 Uz = 6V，稳定电流的最小值 Izmin = 5mA，最大功耗Pzm = 150mW。 试求图3.8所示电路中电阻 R的取值范围。c d i甲c+ R+I5VD桎q=6V6d图3.89在图3.9所示电路中，发光二极管导通电压 正向电流在515mA时才能正常工作。试问:Ud = 1.5V,(1) 开关S在什么位置时发光二极管才能发光?(2) R的取值范围是多少？(+5V)吟图3.910电路如图3.10 (a)、(b)所示，稳压管的稳定电压Uz = 3V, R的取值合适，U|的波形如图(C)所示。试分别画出 UO1和UO2的波形。11

16、.有两只晶体管，一只的 3 = 200, Iceo= 200卩A ;另一只的3 = 100, Iceo = 10卩A，其它参 数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？12测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图3.12所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它13们是硅管还是锗管。图 3.12615V#13.已知两只晶体管的电流放大系数3分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图3.13所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。#14电路如图3.14所示，晶体管导通时 Ube = 0.7V , 情况下T的工作状态及输出电压 uo的值。3 =50。试分析Vb

17、b为0V、1V、1.5V三种(+12 V)图 3.1415.电路如图3.15所示，试问3大于多少时晶体管饱和?o(+5 V)lOOkoD图 3.1516电路如图3.16所示，晶体管的3 = 50, |Ube|= 0.2V，饱和管压降|Uces|= 0.1V ;稳压管的稳 定电压 Uz = 5V，正向导通电压 Ud = 0.5V。试问：当U| = 0V时Uo= ?当U|= 5V时u=?14#图 3.16#17分别判断图3.17所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图 3.1715第1章 半导体器件习题答案1.X2.X3. V4. X5X6. X 7 .V 8 . V 9 . V10.X11

18、.V12.X13.V14X15 . X 16 . X 17 . V 18 . X选择题1.B2.D3. D4. A5.B6 . C A7 . A E B D 8 . B1B29 . B1B210.C11.C12. C13. B14.C15. B 16. C 17. B 18. D 19. D 20. C21.G B C A22. A C23. A24.B25. C 26. B 27. A A B 28. C A E 29. B30.A31. D32. B33. A A A B34.B A A、判断题二、计算题1. Uoi 1.3V , U02 = 0, U3 1.3V , U4 2V , U5

19、 1.3V , U6 2V。2. U O1 = 6V , U 02 = 5V。3. ui和Uo的波形如图T3.3010T3.34. 波形如解图T3.4所示。5. 波形如图3.5所示6. ( 1)两只稳压管串联时可得(2)两只稳压管并联时可得J.71.4V、6.7V、8.7V 和14V等四种稳压值。0.7V和6V等两种稳压值。167. (1)当Ui = 10V时，若Uo= Uz = 6V，则稳压管的电流为 4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 U o二Rl U | :- 3.33VR + Rl当U|= 15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流Izmin，所以Uo= Uz = 6V同理，当 U|= 35V 时，Uo= Uz = 6V。(2) Idz =(U -Uz) R=29mA IZM = 25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。8.稳压管的最大稳定电流：Izm = Pzm/Uz= 25mA电阻R的电流为IzmIZmin ,所以其取值范围为：R= _=0.361.8k1.】Iz#9. (1) S