传感器实训要点

1、传感器实训要点使用说明CSY系列传感器系统实验仪是用于检测仪表类课程教学实验的多功能教学仪器。 其特点是集被测体、各种传感器、 信号激励源、处理电路和显示器于一体，可以组成一个完整 的测试系统。通过实验指导书所提供的数十种实验举例，能 完成包含光、磁、电、温度、位移、振动、转速等内容的测 试实验。通过这些实验，实验者可对各种不同的传感器及测 量电路原理和组成有直观的感性认识，并可在本仪器上举一 反三开发由新的实验内容。实验仪主要实验工作台、处理电路、信号与显示电路三部分组成。各款实验仪的传感器配置及布局是：（具体布局详见各款仪器工作台布局图）一、位于仪器顶部的实验工作台部分，左边是一副平行 式

2、悬臂梁，梁上装有应变式、热敏式、P-N结温度式、热电式和压电加速度五种传感器。平行梁上梁的上表面和下梁的下表面对应地贴有八片应变片，受力工作片分别用符号和 表示。其中六片为金属箔式片。横向所贴的两片为温度补偿片，用符号和表示。片上标有" BY'字样的为半导体式应变片，灵敏系数 130o热电式：串接工作的两个铜一康铜热电偶（T分度）分别装在上、下梁表面，冷端温度为环境温度。分度表见实验指 导书。热敏式：上梁表面装有玻璃珠状的半导体热敏电阻 MF-51,负温度系数，25 c时阻值为810K。P-N结温度式：根据半导体 P-N结温度特性所制成的具 有良好线性范围的集成温度传感器。压

3、电加速度式：位于悬臂梁自端部，PZT-5双压电晶片、 铜质量块和压簧组成，装在透明外壳中。实验工作台左边是装于机内的另一副平行梁带动的圆 盘式工作台。圆盘周围一圈安装有电感式、电容式、磁电式、霍尔式、电涡流式、压阻式等传感器。电感式：初级线圈Li和两个次级线圈L。绕制而成的空 心线1圈，圆柱形铁氧体铁芯置于线圈中间，测量范围>10mm电容式：装于圆盘上的一组动片和装于支架上的两组定片组成平行变面积式差动电容，线性范围>3mm磁电式：一组线圈和动铁组成，灵敏度 /m/s。霍尔式：半导体霍尔片置于两个半环形永久磁钢形成的梯度磁场中，线性范围n 3mm电涡流式：多股漆包线绕制的扁平线圈与

4、金属涡流片组成的传感器，线性范围>1mmMPX压阻式：摩托罗拉扩散硅压力传感器，差压工作，测压范围050KP。精度1%湿敏传感器：高分子湿敏电阻，测量范围：099%RH气敏传感器：MQ3型，对酒精气敏感，测量范围 10-20XXPPrp 灵敏度 RO/R> 5。光敏传感器：半导体光导管，光电阻与暗电阻从 nMQ至 nKQ双孔悬臂梁称重传感器：称重范围 0500g,精度1% 光电式传感器装于电机侧旁。两副平行式悬臂梁顶端均装有置于激振线圈内的永久 磁钢，右边圆盘式工作台“激振 I”带动，左边平行式悬臂 梁“激振II ”带动。为进行温度实验，左边悬臂梁之间装有电加热器一组， 加热电源取

5、自15V直流电源，打开加热开关即能加热，工作时能获得高于温度 30 C左右的升温。以上传感器以及加热器、激振线圈的引线端均位于仪器下部面板最上端一排。实验工作台上还装有测速电机一组及控制、调速开关。两支测微头分别装在左、右两边的支架上。二、信号及仪表显示部分：位于仪器上部面板低频振荡器：130Hz输生连续可调，Vp-p值20V,最大 输由电流，Vi端插口可提供用作电流放大器。音频振荡器：10KHz输由连续可调，Vp-p值20V, 180°、 0为反相输由，Lv端最大功率输由。2直流稳压电源：± 15V,提供仪器电路工作电源和温度 实验时的加热电源，最大输由。± 2

6、V± 10V,档距2V,分五 档输由，提供直流信号源，最大输由电流。数字式电压/频率表：3 位显示，分 2V、20V、2KHz、 20KHz四档，灵敏度2>50m4频率显示5Hz20KHz指针式直流毫伏表：测量范围 500M小50mV 5mV三档, 精度% 数字式温度计：K分度热电偶测温，精度±1C。三、 处理电路：位于仪器下部面板电桥：用于组成应变电桥，面板上虚线所示电阻为虚设， 仅为组桥提供插座。R1、R2、R3为350Q标准电阻，W防直 流调节电位器，WA为交流调节电位器。差动放大器：增益可调直流放大器， 可接成同相、反相、 差动结构，增益1-100倍。光电变换

7、器：提供光纤传感器红外发射、接收、稳幅、 变换，输由模拟信号电压与频率变换方波信号。四芯航空插 座上装有光电转换装置和两根多模光纤组成的光强型光纤 传感器。电容变换器：高频振荡、放大和双T电桥组成。移相器：允许输入电压 20Vp-p,移相范围土 40敏检波器：集成运放极性反转电路构成，所需最小参考电压，允许最大输入电压三20Vp-p o电荷放大器：电容反馈式放大器，用于放大压电加速度 传感器输生的电荷信号。电压放大器：增益 5倍的高阻放大器。涡流变换器：变频式调幅变换电路，传感器线圈是三点 式振荡电路中的一个元件。温度变换器：根据输入端热敏电阻值、光敏电阻及 P-N 结温度传感器信号变化输由电

8、压信号相应变化的变换电路。低通滤波器：50Hz陷波器和RC滤波器组成，转折频率35Hz左右。 使用仪器时打开电源开关，检查交、直流信号 源及显示仪表是否正常。仪器下部面板左下角处的开关控制 处理电路的工作电源，进行实验时请勿关掉。31指针式毫伏表工作前需输入端对地短路调零，取掉短 路线后指针有所偏转是正常现象，不影响测试。请用户注意，本仪器是实验性仪器，各电路完成的实验 主要目的是对各传感器测试电路做定性的验证，而非工程应 用型的传感器定量测试。各电路和传感器性能建议通过以下实验检查是否正常：1 .应变片及差动放大器，参考附图2进行单臂、半桥和全桥实验，各应变片是否正常可用万用表电阻档在应变片

9、 两端测量其阻值。各接线图两个节点间即为一实验接插线， 接插线可多根迭插，并保证接触良好。2 .半导体应变片，进行半导体应变片直流半桥实验。3 .热电偶，按附图 4接线，加热器打开即可，观察随 温度升高热电势的变化。4 .热敏式，按附图5接线，进行“热敏传感器实验”，电热器加热升温，观察随温度升高“V0” 端输由电压变化情况，注意热敏电阻是负温度系数。5 .P-N结温度式，进行P-N结集成温度传感器测温实验， 注意电压表2V档显示值为绝对温度 T（K氏温度）。6 .进行“移相器实验”，用双踪示波器观察两通道波 形。7 .进行“相敏检波器实验”，相敏检波端口序数请参 照附图6,其中4端为参考电压

10、输入端。8 .进行“电容式传感器特性”实验，接线参照附图 7。 当振动圆盘带动动片上下移动时，电容变换器V0端电压应正负过零变化。9 .进行”光纤传感器一一位移测量”，光纤探头可安 装在原电涡流线圈的横支架上固定，端面垂直于镀铭反射 片，旋动测微头带动反射片位置变化，从“V0”端读由电压变化值。光电变换器“ F0”端输由频率变化方波信号。测频率变化时可参照“光纤传感器转速测试”步骤进行10 .进行光电式传感器测速实验，VF端输生的是频率信号。11.进行光敏电阻测光实验，信号变换器输由电压变 化范围IV。12.进行气敏传感器特性实验，特别注意加 热电压一定不能 ± 2VO 13.进行湿

11、敏传感器特性演示实 验，注意控制激励信号的频率及幅值。14.进行扩散硅压力传感器实验，试验传感器差压信号输由情况。15 .将低频振荡器输由信号送入低通滤波器输入端、输 由端用示波器观察。4注意根据低通输由幅值调节输入信号大小。16 .进行“差动变压器性能”实验，检查电感式传感器 性能，实验前要找由次级线圈同名端，次级所接示波器为悬 浮工作状态。17 .进行“霍尔式传感器直流激励特性”实验，接线参 照附图9,直流激励信号绝对不能大于2V!否则一定会造成霍尔元件烧坏。18 .进行“磁电式传感器”实验，磁电传感器两端接差 动放大器输入端，差动放大器增益适当控制，用示波器观察输曲波形，参见附图12。1

12、9 .进行“压电加速度传感器” 实验，接线参见附图13, 传感器引线屏蔽层必须接地。此实验与上述第12项内容均无定量要求20 .进行“电涡流传感器的静态标定”实验，接线参照 图11,其中示波器观察波形端口应在涡流变换器的左上方， 即接电涡流线圈处，右上端端口为振荡信号经整流后的直流 电压。21 .如果仪器是带微机接口和实验软件的，请参阅数据 采集及处理说明。数据采集卡已装入仪器中，其中 A/D转换 是12位转换器，无漏码最大分辨率1/2048 ,在此范围内的电压值可视为容许误差。所以建议在做小信号实验时选用合 适的量程，以正确选取信号，减小误差。仪器后部的RS232接口请接计算机串行口工作。所

13、接串 口须与实验软件设置一致，否则计算机将收不到信号。仪器工作时需良好的接地，以减小干扰信号，并尽量远 离电磁干扰源。 仪器的型号不同，传感器种类不同，则检 查项目也会有所不同，请自行根据仪器型号选择实验内容。上述检查及实验能够完成则整台仪器各部分均为正常。实验时请非常注意实验指导书中实验内容后的“注意事 项”，要在确认接线无误的情况下开启电源，尽量避免电源 短路情况的发生，加热时“15V”电源不能直接接入应变片、热敏电阻和热电偶。实验工作台上各传感器部分如相对位置 不太正确可松动调节螺丝稍作调整，原则上以按下振动梁松 手，周边各部分能随梁上下振动而无碰擦为宜。附件中的称重平台是在实验工作台左

14、边的悬臂梁旁的 测微头取开后装于顶端的永久磁钢上方，铜质祛码做称重实 验之用。实验开始前请检查实验连接线是否完5好，以保证实验顺利进行。本实验仪需防尘，以保证实验接触良好，仪器正常工作温度-10 C40 CO6目 录使用说明实验内容 实验一 实验二 实验三 实验四 实验五 实验六实验七 实验八实验九 实验十 实验十一实 验十二实验十三实验十四实验十五实验十六实验十七 实验十八实验十九实验二十箔式应变片性能单臂电桥箔式应变片三种桥路性能比较 箔式应变片的温度效应应变电路的温度补偿 半导体应变片性能半导体应变片直流半桥测试系统箔式应变片与半导体应变片性能比较移相器实验相敏检波器实验箔式应变片组成的

15、交流全桥激励频率对交流全桥的影响交流全桥的应用一一振幅测量交流全桥组成的电子秤 差动变压器性能差动变压器零残电压的补偿差动变压器的标定差动变压器的振动测量差动螺管式电感传感器位移测量差动螺管式电感传感器振幅测量 激励频率对电感传感器的影响实验二十一 热电式传感器一一热电偶7实验二十二热敏式温度传感器测温实验实验二十三P- N结集成温度传感器 实验二十四光纤位移传感器一一 位移测量 实验二十五 光纤传感器-转速测量实验二十六光电传感器的应用一一光电转速测试实验二十七霍尔式传感器的直流激励特性实验二十八霍尔式传感器的交流激励特性实验二十九霍尔传感器的应用一一振幅测量实验三十霍尔传感器的应用一一电子

16、秤实验三十一电涡流式传感器的静态标定实验三十二被测材料对电涡流传感器特性的影响实验三十三电涡流式传感器的振幅测量实验三十四电涡流传感器的称重实验实验三十五电涡流传感器电机测速实验 实验三十六磁电式传感器实验三十七压电加速度传感器实验三十八电容式传感器特性实验三十九扩散硅压力传感器实验实验四十气敏传感器特性实验四十一湿敏传感器特性演示实验四十二综合传感器一力平衡式传感器实验四十三 双平行梁的动态特性一正弦稳态响应 实验四十四 微 机检测与转换一数据采集与处理 实验四十五 光敏电阻实 验8实验一箔式应变片性能一一单臂电桥一、实验目地：1 .观察了解箔式应变片的结构及粘贴方式。2 .测试应变梁变形的

17、应变输由。3 .比较各桥路间的输由关系。二、实验原理：本实验说明箔式应变片及单臂直流电桥的原理和工作 情况。应变片是最常用的测力传感元件。当用应变片测试时， 应变片要牢固地粘贴在测试体表面，当测件受力发生形变， 应变片的敏感栅随同变形，其电阻值也随之发生相应的变 化。通过测量电路，转换成电信号输生显示。电桥电路是最常用的非电量电测电路中的一种，当电桥 平衡时，桥路对臂电阻乘积相等，电桥输由为零，在桥臂四 个电阻R1、R2、R3 R4中，电阻的相对变化率分别为 R1 /R1、AR2/ R2、A R3/R3k A R4/ R4,当使用一个应变片 时。A2AR;当二个应变片组成差动状态工作，则有 R

18、;用 四个应变片组 RR4A R成二个差动对工作，且 R1=R2= R3= R4= R, RoRR此可知，单臂，半桥，全桥电路的灵敏度依次增大。三、实验所需部件：直流稳压电源、电桥、差动放大器、箔式应变片、测微头、电压表。 四、实验步骤：1 .调零。开启仪器电源，差动放大器增益置100倍，“ 十、 ”输入端用实验线对地短路。 输由端接数字电压表， 用“调零”电位器调整差动放大器输由电压为零，然后拔掉 实验线。调零后电位器位置不要变化。如需使用毫伏表，则将毫伏表输入端对地短路， 调整“调 零”电位器，使指针居“零”位。拔掉短路线，指针有偏转 是有源指针式电压表输入端悬空时的正常情况。调零后关闭

19、仪器电源。2 .按图将实验部件用实验线连接成测试桥路。桥路中 R1、R2、R3k 和9W防电桥中的固定电阻和直流调平衡电位器，R为应变片。直流激励电源为 ±4V。图测微头装于悬臂梁前端的永久磁钢上，并调节使应变梁 处于基本水平状态。 3 .确认接线无误后开启仪器电源，并 预热数分钟。 调整电桥 WDfe位器，使测试系统输生为零。4.旋动测微头，带动悬臂梁分别作向上和向下的运动， 以悬臂梁水平状态下电路输由电压为零为起点，向上和向下 移动各5mm测微头每移动记录一个差动放大器输由电压值， 并列表。位移 mm 电压 V 0 0 + + + WD - 4VR3 R1 V +4V R R2根

20、据表中所测数据计算灵敏 度S, S= £/AV,并在坐标图上做由 V-X关系曲线。 五、 注意事项：1 .实验前应检查实验接插线是否完好，连接电路时应 尽量使用较短的接插线，以避免引入干扰。2 .接插线插入插孔，以保证接触良好，切忌用力拉 扯接插线尾部，以免造成线内导线断裂。103 .稳压电源不要对地短路。实验二箔式应变片三种桥路性能比较一、实验原理：说明实际使用的应变电桥的性能和原理。已知单臂、半桥和全桥电路的汇R分别为 R/R、2AR/R、4AR/ R。根据戴维南定理可以得由测试电桥的输由电 压近似等于1/42E2汇R,电桥灵敏度 Ku= 7/ R/ R,于是对应于单臂、半桥和全

21、桥的电压灵敏度度分别为1/4E、1/2E和E.。此可知，当E和电阻相对变化一定时，电桥及电压灵 敏度与各桥臂阻值的大小无关。二、实验所需部件直流稳压电源、电桥、差动放大器、箔式应变片、测微 头、电压表。三、实验步骤：1 .在完成实验一的基础上，不变动差动放大器增益和 调零电位器，依次将图中电桥固定电阻R1、R2、R3换成箔式应变片，分别接成半桥和全桥测试系统。2 .重复实验一中34步骤，测由半桥和全桥输由电压 并列表，计算灵敏度。3 .在同一坐标上描由 V X曲线，比较三种桥路的灵敏度，并做由定性的结论。四、注意事项：1 .应变片接入电桥时注意其受力方向，一定要接成差 动形式。2 .直流激励电

22、压不能过大，以免造成应变片自热损坏。3 .于进行位移测量时测微头要从零-正的最大值， 又回复到零，再一-负的最大值，因此容易造成零点偏移， 因此计算灵敏度时可将正 X的灵敏度与负的 X的灵敏度 分开计算。再求平均值，以后实验中凡需过零的实验均可采 用此种方法。11实验三箔式应变片的温度效应一、实验目的：说明温度变化对应变测试系统的影响。二、实验原理:温度变化引起应变片阻值发生变化的原因是应变片电阻丝的温度系数及电阻丝与测试中的膨胀系数不同。此引起 测试系统输由电压发生变化。三、实验所需部件：直流稳压电源、电桥、差动放大器、电压表、测微头、加热器、温度计。四、实验步骤：1 .按图接线，开启电源，

23、调整系统输生为零。2 .记录加热前测试系统感受的温度，可用热电偶或集 成温度传感器测得。3 .开启“加热”电源，观察测试系统 输由电压随温度升高而发生的变化。待电压读数基本稳定后 记下电压值及温度升高值。4 .求生温度漂移值 V/ A To五、注意事项：于本仪器中所使用的BHF箔式应变片具有防自蠕变性能，因此温度系数还是比较小的。实验四 应变电路的温度补偿一、实验目的：于温度变化引入了测量误差，因此实用测试电路中必须 进行温度补偿。二、实验原理：用补偿片法是应变电桥温度补偿方法中的一种，如图所在电桥中，R1为工作片，R2为补偿片，R1=R2当温度变化时两应变片的电12阻变化 R1与八R2符号相

24、同，数量相等，桥路如原来 是平衡的，则温度变化后R1R4 R2R3电桥仍满足平衡条件， 无漂移电压输由，于补偿片所贴位置与工作片成 90。，所以 只感受温度变化，而不感受悬臂梁的应变。R1 R2 V R R 43 图图WD + 4VR' R 十差放 电压表V 4VRR三、实验所需部件：直流稳压电源、电桥、差动放大器、电压表、测微头、加热器、温度计。四、实验步骤：1 .按图接好线路，图中 R'和R分别为箔式工作片和 补偿片。2 .重复实验三1 4步骤，求生接入补偿片后系统的温度漂移，并与实验三的结果进行比较。五、注意事项：应正确选择补偿片。在面板的应变片接线端中，从左至右1 8对

25、接线端分别是：1上梁半导体应变片，2下梁 半导体应变片。上梁箔式应变工作片，下梁。应变工作 片，一上、下梁温度补偿片。电路中工作片与补偿片应在同 一应变梁上。实验五半导体应变计性能、实验目的:说明半导体应变计的灵敏度和温度效应。13二、实验原理：于材料的阻值 Rp ldRd p dldsd p dl（12以），当应变，则sRp ls p llR/R p / p （12以），灵敏度 K;对于箔式应变 片，K箔弋1 + 2l以，主要是形变引起。对于半导体应变计，K半弋/汇,主要电阻率变化引起。于半导体材料的“压阻效应”特别明 显，可以反映由很微小的形变，所以K半要大于K箔，但是受温度影响大。图三、

26、实验所需部件：直流稳压电源、电桥、差动放大器、半导体应变计、测 微头、电压表、温度计。四、实验步骤：1 .按图接线，R'是半导体应变计，另一臂电阻是电桥 上固定电阻。开启电源后预热数分钟。2 .按单臂电桥实验步骤调整悬臂梁位置，调整系统输 出,用测微头进行位移，记录V, X数据，作由V X曲线，求生灵敏度。3 .重新调整测试系统输生为零。记录加温前的工作温4 .打开“加热”开关，观察随温度升高系统输由电压 温漂情况。待电压稳定后测得温升，求生系统的温漂V/ To 五、注意事项：此实验中直流激励电压只能用± 2V,以免引起半导体自 热。14+ 2V R' WD -2V

27、R + R V实验六半导体应变计直流半桥测试系统一、实验目的：通过实际运用的半导体半桥电路，与实验五的半导体单 臂电路进行性能比较，特别是要比较两种测试系统的漂移现 象.二、实验所需部件：直流稳压电源、电桥、差动放大器、半导体应变计、测微头、电压表、温度计、加热器。三、实验步骤：1 .按图接线，电桥中 R'和R为半导体应变计。2 .按实验五步骤测由 V, X值，画由V-X曲线，求生 灵敏度，测由温度变化时的温漂。-2V RR 图四、注意事项：此实验的测试条件应与实验五一致。WD R + 2VR' R - + 差放 V 实验七 箔式应变 片与半导体应变片性能比较一、实验目的：通过

28、实验比较两种应变电路的灵敏度与温度特性15二、实验所需部件：直流稳压电源、差动放大器、箔式应变片、半导体应变片、测微头、电压表、加热器、温度计。三、实验步骤：1 .分别做箔式单臂电桥和半导体式单臂电桥实验，接 线如图所示，直流激励源为± 2V,差动放大器增益为100倍。调整系统，在相同的实验条件下分别测得两组数据填入 表格，求生灵敏度。 位移XmnV半导体单臂V箔式单臂V 半导体半桥V箔式半桥灵敏度2 .将电桥中一固定电阻换成应变片，做箔式半桥和半 导体半桥实验，将测得的两组数据分别填入表格，求生灵敏 度。3 .在同一坐标上画由四条 V- X曲线以作比较。4 .分别对箔式变片和半导体

29、应变片加热，测由两种测 试电路的温漂，并进行比较。实验结果以证实实验五中对半 导体应变片性能的分析。 四、注意事项：进行上述实验时激励电压，差动放大器增益、测微头起 始点位置等实验条件必须一致，否则就无可比性。实验八移相器实验一、实验目的：16说明运算放大器构成的移相电路的工作原理。移相器电路图二、实验原理：图为移相电路示意图。该电路的团环增益 G(S)C1 8800PR2 10K W V 入 R1 10K 2 3 1 R4 10K R3 10KR5 10K V 出 R6 2K 6 5 C2 223 7 RFSRCRF(1)R11RCSR1 把拉普拉氏算符换成频率域的参数，则得到：RFW2R2

30、c2j RCRFG3 )(1)R1R11W2R2c2RFW2R2c2RFWRCRF为 G(j co)(1)j(1) 222222R11WRCR1R11W*验电路中，常设定幅频特性| GI = 1,为此选择参数 R1=RF=10©上，R=20K Q ,则输由幅度 与频率无关，闭路增益可简化为：1W2R2C2WRCG4j)j 2222221WRC1WRC R=2R1=2RR时，| G| =1O上式可以得到相频特性表达式：2W2Rctg" 2221WRC17tg3表达式和正切三角函数半角公式可以得到：少“ 2tg 2tg(1)222WRC tg 少少 1W2R2C22 21tg

31、1tg 22 因此可以得到相移少为：少 2arctg12arctg1(WRC)WROt阻R可以在很宽的范围内变化，当WRG艮大时，相移少一fO,式中负号表示相位超前，如将电路中 互换位置，则可得到相位滞后的情况。如果阻容网络Rc不变，则相移将随输入信号的频率而改变。三、实验所需部件：移相器、音频振荡器、双线示波器。四、实验步骤：1 .音频振荡器频率、幅值旋钮居中，将信号送入移相 器输入端。2 .将双线示波器两测试线分别接移相器输入输由端， 调整示波器，观察波形。3 .调节移相器“移相”旋钮，观察两路波形的相位变化。4 .改变音频振荡器频率，观察不同频率时移相器的移相范围。5 .根据移相器实际电

32、路图分析其工作原理。五、注意事项：因为本实验仪中音频信号函数发生器产生，所以通过移 相器后波形局部有些畸变，这不是仪器故障。实验九相敏检波器实验一、实验目的：说明施密特开关电路及运放组成的相敏检波电路的原 理。18二、实验原理：相敏检波电路如图所示：图中为输入信号端，为输 由端，为交流参考电压电输入端， 为直流参考电压输入。当、端输入控制电压信号时，通过差动放大器的作 用使D和J处于开关状态，从而把端输入的正弦信号转换 成半波整流信号。图三、实验所需部件：相敏检波器、移相器、音频振荡器、直流稳压电源、低 通滤波器、电压表、示波器。四、实验步骤：1 .将音频振荡器频率、幅度旋钮居中，输由信号。接

33、 相敏检波器输入端。2 .将直流稳压电源 2V档输由电压接相敏检波器端。3 .示波器两通道分别接相敏输入、输由端，观察输入、 输由波形的相位关系和幅值关系。4 .改变端参考电压的极性，观察输入、输曲波形的 相位和幅值关系。此可以得由结论：当参考电压为正时，输 入与输由同相，当参考电压为负时，输入与输由反相。5 .将音频振荡器0端输由信号送入移相器输入端，移相器的输由端与检敏19 C1 104 R1 30K V 入 R3 30K 2 1 353 3 J R2 22K R4 30K W 51K 6 5 7 R5 2K2 V 由D检波器的参考输入端连接，相敏检波器的信号输入 端接音频00输由。6 .

34、用示波器两通道观察附加观察插口、的波形。可以看由，相敏检波器中整形电路的作用是将输入的正 弦波转换成方波，使相敏检波器中的电子开关能正常工作。7 .将相敏检波器的输由端与低通滤波器的输入端连接， 低通输由端接数字电压表 20 V档。8 .示波器两通道分别接相敏检波器输入、输由端。9 .适当调节音频振荡器幅值旋钮和移相器“移相”旋 钮，观察示波器中波形变化和电压表电压值变化，然后将相 敏检波器的输入端改接至音频振荡器180。输由端口，观察示波器和电压表的变化。上可以看生，当相敏检波器的输入信号与开关信号同相 时，输由为正极性的全波整流信号，电压表指示正极性方向 最大值，反之，则输由负极性的全波整

35、流波形，电压表指示 负极性的最大值。10 .调节移相器“移相”旋钮，利用示波器和电压表， 测由相敏检波器的输入 VP P值与输由直流电压的关系。11 .使输入信号与参考信号的相位改变180 ,测由上述关系。输入VP- P输由Vo五、注意事项：检敏检波器最大输入电压 VP- P值为20V。实验十箔式应变片组成的交流全桥、实验目的:本实验说明交流激励的四臂应变电桥的原理及工作情况。20实验三十一电涡流式传感器的静态标定一、实验目的：了解电涡流传感器的结构、原理、工作特性。二、实验原理：电涡流式传感器平面线圈和金属涡流片组成，当线圈中通以高频交变电流后，与其平行的金属片上感应产生电涡流，电涡流的大小

36、影响线圈的阻抗Z,而涡流的大小与金属涡流片的电阻率、导磁率、厚度、温度以及与线圈的距离X有关。当平面线圈、被测体、激励源已确定，并保持环境温度不变，阻抗Z只与X距离有关。将阻抗变化经涡流变换器 变换成电压V输由，则输由电压是距离 X的单值函数。 三、 实验所需部件：电涡流线圈、金属涡流片、电涡流变换器、测微头、示波器、电压表。四、实验步骤：1 .安装好电涡流线圈和金属涡流片，注意两者必须保 持平行。安装好测微头，将电涡流线圈接入涡流变换器输入 端。涡流变换器输由端接电压表 20V档。2 .开启仪器电源，测微头位移将电涡流线圈与涡流片分开一定距离，此时输由端有一电压值输由。用示波器接涡流变换器输

37、入端观察电涡流传感器的高频波形，信号频率约为 1MHZ3 .用测微头带动振动平台使平面线圈贴紧金属涡流片， 此时涡流变换器输由电压为零。涡流变换器中的振荡电路停 振。4 .旋动测微头使平面线圈离开金属涡流片，从电压表 开始有读数起每位移记录一个读数，并用示波器观察变换器 的高频振荡波形。将 V、X数据填入下表，作由 V X曲线， 指由线性范围，求生灵敏度。五、注意事项：当涡流变换器接入电涡流线圈处于工作状态时，接入示 波器会影响线圈的阻抗，使变换器的输由电压减小，或是使 传感器在初始状态有一死区。46实验三十二 被测材料对电涡流传感器特性的影响一、实验目的：通过实验说明不同的涡流感应材料对电涡

38、流传感器特 性的影响。二、实验所需部件：电涡流线圈、三种金属涡流片、电涡流变换器、测微头、 示波器、电压表 三、实验步骤：1 .按实验三十一方法安装好传感器，开启电源。2 .分别对铁、铜、铝被测体进行测量，记录数据，在同一坐标直作由 V- X曲线。3 .分别我由各被测体的线性范围、灵敏度、最佳工作点，并进行比较。4 .从实验得由结论：被测材料不同时灵敏度与线性范 围都不同，必须分别进行标定。实验三十三电涡流式传感器的振幅测量一、实验目的通过实验掌握用电涡流传感器测量振幅的原理和方法。 二、实验所需部件电涡流传感器、涡流变换器、直流稳压电源、电桥、差 动放大器、示波器、激振器、低频振荡器。变换器

39、 差放 示波器电涡流传感器WD -10V 47-+ 图三、实验步骤1 .按图接线，根据实验三十二结果，将平面线圈安装 在最佳工作点，直流稳压电源置土10V档，差动放大器在这里仅作为一个电平移动电路，增益置最小处。调节电桥 WD 使系统输生为零。2 .接通激振器I,调节低频振荡器频率，使其在1530Hz 范围内变化，用示波器观察涡流变换器输由波形， 记下VP-P 值，同时利用实验三十一的结果求由距离变化范围 XP-P值。3 .可同时用双线示波器另一通道观察涡流变换器输入端的调幅波4 .变化低频振荡器频率和幅值，提高振动圆盘振幅， 用示波器可以看到变换器输曲波形有失真现象，这说明电涡 流式传感器的振幅测量范围是很小的。四、注意事项直流稳压电源-10V和接地端接电桥直流调平衡电位器 WDffi端。实验三十四电涡流传