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1、如何选择线性稳压电路的 MOSFET.、八、-刖言选择线性稳压电路的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET ,(Metal-Oxide-Semico nductor Field-Effect Tran sistor)有许多的重要考虑,本文将简介使用MOSFET之线性稳压电路、计算线性稳压电路中 MOSFET的消耗功率,并从 MOSFET规格表中找出最小所需之闸极-源极电压,以及计算MOSFET最大所需导通电阻 值与MOSFET内部半导体接面温度,并有设计实例做为参考。使用MOSFET之线性稳压电路简介sourcedrainInfinccffiIPD13N03LA3 恥“心1尺hJA7550若
2、设定Tc为70 C而且Pdis为3 watt ,于图4中可得知 Rth(jc)为3.2 K/W 。Tj=Tc+(R th(JC) *P dis )=70+(3.2*3)=79.6 oC结论基于以上说明,我们可以得知 MOSFET的最大额定汲极电流(ID)必须大于输出额定电流, 脉波信号控制芯片的输出至闸极之电压准位必须大于最小所需闸极-源极电压,MOSFET的表面温度与内部接面温度是相关联的。若降低接面温度则同样条件下,其内部接面温度 亦会下降。降低表面温度的方法有二种。第一为于PCB板上预留较多空间于 MOSFET周 围,使其较易散。另一方法为降低输出端与输入端之电压差,以降低功率损耗,进而
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