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文档简介

1、泓域咨询/绵阳功率IC项目实施方案目录第一章 项目背景及必要性8一、 行业发展趋势(机遇与挑战)8二、 MOSFET产品的行业基本情况11三、 行业基本情况13四、 加快建设西部内陆改革开放新高地14五、 项目实施的必要性16第二章 行业发展分析18一、 二极管、晶体管行业的基本情况18二、 发电源管理IC产品的行业基本情况20三、 TVS产品的行业基本情况21第三章 项目基本情况25一、 项目名称及投资人25二、 编制原则25三、 编制依据25四、 编制范围及内容26五、 项目建设背景26六、 结论分析27主要经济指标一览表29第四章 项目选址可行性分析31一、 项目选址原则31二、 建设区

2、基本情况31三、 坚持创新驱动发展,高水平建设中国(绵阳)科技城35四、 加快构建现代化基础设施体系38五、 项目选址综合评价39第五章 产品方案分析41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生产纲领41产品规划方案一览表42第六章 发展规划43一、 公司发展规划43二、 保障措施49第七章 运营模式51一、 公司经营宗旨51二、 公司的目标、主要职责51三、 各部门职责及权限52四、 财务会计制度55第八章 SWOT分析说明61一、 优势分析(S)61二、 劣势分析(W)62三、 机会分析(O)63四、 威胁分析(T)63第九章 法人治理结构71一、 股东权利及义务71二、 董

3、事74三、 高级管理人员78四、 监事81第十章 节能说明84一、 项目节能概述84二、 能源消费种类和数量分析85能耗分析一览表85三、 项目节能措施86四、 节能综合评价87第十一章 进度计划方案88一、 项目进度安排88项目实施进度计划一览表88二、 项目实施保障措施89第十二章 人力资源分析90一、 人力资源配置90劳动定员一览表90二、 员工技能培训90第十三章 投资方案93一、 编制说明93二、 建设投资93建筑工程投资一览表94主要设备购置一览表95建设投资估算表96三、 建设期利息97建设期利息估算表97固定资产投资估算表98四、 流动资金99流动资金估算表100五、 项目总投

4、资101总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表102第十四章 经济效益104一、 经济评价财务测算104营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表105固定资产折旧费估算表106无形资产和其他资产摊销估算表107利润及利润分配表109二、 项目盈利能力分析109项目投资现金流量表111三、 偿债能力分析112借款还本付息计划表113第十五章 风险评估115一、 项目风险分析115二、 项目风险对策117第十六章 项目总结分析119第十七章 附表附录121主要经济指标一览表121建设投资估算表122建设期利息估算表123固定资产投资估

5、算表124流动资金估算表125总投资及构成一览表126项目投资计划与资金筹措一览表127营业收入、税金及附加和增值税估算表128综合总成本费用估算表128利润及利润分配表129项目投资现金流量表130借款还本付息计划表132报告说明21世纪初期以来,随着半导体芯片制程的发展,集成电路芯片呈现出小型化趋势,线宽变窄,同时追求更高的集成度和更低的工作电压,致使集成电路芯片变得更加敏感,极易受到静电和浪涌冲击,造成损坏。普通的TVS因性能、精度、灵敏度等方面的限制已无法满足集成电路芯片发展中新提出的防静电和浪涌冲击的保护要求,于是新型的具备漏电小、钳位电压低、响应时间快、抗静电能力强且兼具防浪涌能力

6、等特点的用于ESD(Electro-Staticdischarge,静电放电)保护的TVS(以下简称为“ESD保护器件”)在近十几年被开发出来并不断创新、升级。普通的TVS二极管由单个PN节结构形成,结构单一,工艺简单。ESD保护器件对结构设计和工艺要求更高,结构更加复杂,一般设计成多路PN结集成结构,采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。ESD保护器件能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护,代表着当前TVS的技术水平和发展方向。根据谨慎财务估算,项目总投资37230.50万元,其中:建设投资29754.75万元,占项目总投资的79.92%;建设期利息668.56万元,占项目总投资的1.80%;

7、流动资金6807.19万元,占项目总投资的18.28%。项目正常运营每年营业收入66600.00万元,综合总成本费用57612.74万元,净利润6535.84万元,财务内部收益率10.17%,财务净现值-3706.45万元,全部投资回收期7.48年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投

8、资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目背景及必要性一、 行业发展趋势(机遇与挑战)1、全球经济发展态势和电子系统产品市场将是带动全球半导体市场发展的主要因素ICInsights发布的麦克林报告(McCleanReport2019)公布了最新的全球半导体市场与全球GDP总量增长的关系图,指出全球经济增长状况是影响全球半导体市场起伏的最主要因素,特别是2010年以后,全球半导体市场增长与全球GDP总量增长呈现高度相关性,2010-2018年的相关系数高达0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP总量增速分别为2.4%、3.1%、3.0%左右,而推动全球半导体市场增速分别达3.0%、

9、25%、16%左右。ICInsights预测2019-2023年全球半导体市场增长与全球GDP总量增长的相关系数为0.93。ICInsights认为原因来自两个,一是越来越多的兼并和收购事件导致主要半导体制造商和供应商数量减少,这是供应基础的一个重大变化,也说明了该行业愈发成熟,这有助于促进全球GDP成长与半导体市场之间更密切的关联性。二是消费者驱动的IC市场持续转型。20年前大约60%的半导体市场是由商务应用程序推动、40%是由消费者应用程序驱动的,如今这两者所占百分比已经互换。因此,随着消费者为导向的环境推动电子系统销售和半导体市场的作用愈显重要。2、国家出台多项政策驱动产业繁荣发展国家高

10、度重视半导体行业发展,近年来出台了多项扶持产业发展政策,鼓励技术进步。2014年6月,国务院发布国家集成电路产业发展推进纲要,以设计、制造、封装测试以及装备材料等环节作为集成电路行业发展重点,提出到2020年,集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小,全行业销售收入年均增速超过20%;到2030年,集成电路产业链主要环节达到国际先进水平,一批企业进入国际第一梯队,实现跨越发展。2014年9月24日,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(简称“大基金一期”)正式设立;2019年10月22日,国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司(简称“大基金二期”)注册成立。大基金一期和大基金二期重点投资集成

11、电路芯片制造业,兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业,实施市场化运作、专业化管理,充分展现了国家扶持半导体行业的信心,将大力促进行业增长。功率半导体作为半导体行业的重要组成部分,将大受裨益。国家的政策支持为行业创造了良好的政策环境和投融资环境,为功率半导体行业发展带来了良好的发展机遇,促进行业发展的同时加速产业的转移进程,国内功率半导体行业有望进入长期快速增长通道。3、下游终端产品的功能多样化将增加功率器件的产品需求功率器件应用领域十分广泛,下游终端产品类别繁多,随着社会发展和技术发展,下游终端产品对电能转换效率、稳定性、高压大功率提出了更高的需求,产品设计将更加复杂化,产品功能将更加多样

12、化。下游终端产品的功能多样化将增加功率器件的需求,促进功率器件的技术发展,促使功率器件朝着更高性能、更快速度、更小体积方向发展。4、新兴产业需求和技术创新将引领半导体行业发展随着汽车电子、智能制造、人工智能、5G、高端应用处理器、高性能计算、汽车驾驶辅助系统、虚拟货币等新兴领域的快速发展,相关IC产品将被更为广泛地应用在各类智能移动终端、工业机器人、新能源汽车、可穿戴设备等新兴产品中。这些需求将刺激我国IC产品的技术创新和产业发展,对我国IC设计、制造企业带来增长机遇。同时,我国功率半导体企业一直紧跟国际先进技术发展,通过持续的技术创新不断推动产品升级,并积极向中高端市场渗透,与国际厂商展开竞

13、争。随着计算机、网络通信、智能家居、汽车电子等行业的技术发展和市场增长,我国功率半导体技术水平也将不断提升,为国内功率半导体相关企业赢得更多的发展机遇。5、市场空间巨大半导体产业是全球性产业,全球产业景气度是中国半导体产业发展的大前提,但中国半导体产业的内生力更值得关注。半导体行业发源于欧美,日韩及中国台湾在产业转移中亦建立了先进的半导体工业体系。中国半导体起步晚,但近年来,国家高度重视半导体行业的发展,不断出台多项鼓励政策大力扶持包括功率半导体在内的半导体行业。随着国内大循环、国内国际双循环格局发展,国内功率半导体产品需求继续增加,国内功率半导体设计企业不断成长,未来发展空间巨大。根据顾问机

14、构InternationalBusinessStrategies(IBS)预测,到2030年中国的半导体市场供应将达到5,385亿美元。2020-2030年中国市场的半导体供应量来自中国本土企业的比例将逐渐上升,到2030年将达到39.8%。预计到2030年,69%的消费量将来自中国本土公司,需求主要来自数据中心、消费电子、汽车、医疗等应用领域。二、 MOSFET产品的行业基本情况1、MOSFET简介MOSFET问世于1980年左右,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化,起到开关或放大等作用。随着技术的发展,沟槽结构MOSFET于1990

15、年左右逐步研发成功。2008年,英飞凌(Infineon)率先推出屏蔽栅功率MOSFET。对国内市场而言,MOSFET产品由于其技术及工艺的先进性,很大程度上仍依赖进口,国产化空间巨大。2、MOSFET的市场规模及竞争格局2019年全球MOSFET市场规模达76亿美元,2016-2023年复合增速达5%;中国大陆MOSFET市场规模达36亿美元,中国市场在全球占比约48%。2020年,全球MOSFET市场规模达80.67亿美元,2021年在全球尤其是中国的5G基础设施和5G手机、PC及云服务器、电动汽车、新基建等市场推动下,全球MOSFET增速将以较高速度增长。预计2021年至2025年,MO

16、SFET每年的增速将不低于6.7%,预计2025年将达到118.47亿美元。根据有关数据,2020年,全球MOSFET营收前十的厂商仍然以欧、美、日厂商为主,其中英飞凌以29.7%的市场份额遥遥领先,位居全球功率MOSFET市场第一,前2大厂商英飞凌和安森美营收之和占比为40.9%,前10大公司营收之和占比高达80.4%。3、MOSFET的未来发展趋势近二十年来,各个领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格,MOSFET和IGBT逐渐成为主流,技术上MOSFET朝着低阻抗发展。中国MOSFET市场规模增长迅速,据统计,2016年-2019年MOSFET市场的复合增长率为12.0%。MOSFET

17、增速与全球功率器件增速接近,占据功率器件22%的市场份额,长期来看仍将保持重要地位。全球功率器件市场规模稳步增长,MOSFET需求长期稳定。三、 行业基本情况半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体是整个信息产业的发展基石,是电子产品的核心组成部分。从应用领域看,半导体产品主要应用领域集中于PC、消费类电子、手机、汽车电子等领域。此外,随着电子产品的升级,半导体在电子产品的含量将逐步提高,未来在下游电子产品市场需求增长的带动下,半导体产业将保持较好的增长态势。半导体器件是利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。功率半导体是对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的

18、半导体器件,不但实施电能的存储、传输、处理和控制,保障电能安全、可靠、高效和经济的运行,而且将能源与信息高度地集成在一起。虽然功率半导体器件在电力电子装置中的成本占比通常仅20%-30%,但是对设备的使用性能、过载能力、响应速度、安全性和可靠性影响极为重大,是决定其性价比的核心器件。在日常生活中,凡涉及发电、输电、变电、配电、用电、储电等环节的,均离不开功率半导体。功率半导体器件作为不可替代的基础性产品,广泛应用于国民经济建设的各个领域。从产品类型来看,功率半导体可以分为功率器件和功率IC。功率器件属于分立器件,可进一步分为二极管、晶体管、晶闸管等,其中二极管主要包括TVS二极管、肖特基二极管

19、、整流二极管等,晶体管主要包括MOSFET、IGBT、双极性晶体管等;功率IC属于集成电路中的模拟IC,可进一步分为AC/DC、DC/DC、电源管理IC、驱动IC等。四、 加快建设西部内陆改革开放新高地坚定不移推动更深层次改革,着力破除制约高质量发展的体制机制障碍,以深化改革增强发展动力活力。坚定不移实行更高水平开放,加快形成全方位、多层次、多元化的开放合作格局,以全面开放拓展发展空间。激发各类市场主体活力。毫不动摇巩固和发展公有制经济,毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展。健全管资本为主的国有资产监管体制。加快全市国有经济布局优化和结构调整,深化国资国企改革,做强做优做大国资国企。推动商

20、业类竞争性国有企业向实业集中、向主业集中,增强商业类功能性国有企业筹融资能力、加快市场化转型,提高公益类国有企业公共服务可及性、公平性。有序推进国有企业混合所有制改革。健全市场化经营机制,加快推进职业经理人制度,健全市场化薪酬分配机制,完善激励约束机制。依法平等保护各种所有制企业产权和自主经营权,支持引导民营经济健康发展。落实减税降费政策,健全支持中小微企业和个体工商户发展政策措施。依法平等保护民营企业产权和企业家权益,弘扬企业家精神。推进要素市场化配置改革。盘活存量建设用地,支持建设用地资源向重点区域倾斜。引导劳动力要素有序流动,推动基本公共服务与常住人口挂钩。深化地方法人金融机构改革,提升

21、金融科技水平,加快普惠金融体系建设。支持符合条件的企业上市,切实优化金融信贷环境,提升直接融资比重。加速在绵各类技术市场扩容提质,提高技术转移专业服务能力。加快培育数据要素市场。坚持平等准入、公正监管、开放有序和诚信守法,形成高效规范、公平竞争的统一市场。持续优化营商环境。建设职责明确、依法行政的政府治理体系,着力打造国内一流、四川领先的市场化法治化国际化营商环境。深化“放管服”“最多跑一次”改革,持续推行重点招商项目和重点企业“服务绿卡”制度。实施涉企经营许可事项清单管理,深化企业集群注册登记和证照分离改革。在项目投资审批等领域推行承诺制。加快社会信用体系建设。持续推进“互联网+监管”“双随

22、机一公开”。严厉打击假冒伪劣和知识产权侵权行为。落实重大政策事前评估和事后评价制度,畅通参与政策制定渠道。加快建设数字政府,深化政务公开,推进政务服务标准化规范化便利化。深化在绵行业协会、商会和中介机构改革。建立健全规范化常态化政商沟通机制,构建亲清政商关系。实行更高水平开放。实施更大范围、更宽领域、更深层次的全面开放,主动融入“一带一路”建设和长江经济带发展。深化与成都平原经济区城市一体化发展。争取中国(绵阳)科技城纳入中国(四川)自由贸易试验区扩区范围,推进综合保税区提档升级、跨境电商综合试验区提质增效。促进全市各类开发区改革创新发展,开展“亩均论英雄”综合评价。进一步提升中国(绵阳)科技

23、城国际科技博览会专业化、市场化水平。培育外贸综合服务平台。突出招大引强、招新引优,围绕产业链价值链创新链开展精准专业化招商,承接优质产业转移。推进技术、装备和服务等加快“走出去”。依法保护外资企业合法权益,落实外商投资准入前国民待遇加负面清单管理制度。五、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上

24、缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第二章 行业发展分析一、 二极管、晶体管行业的基本情况1、二极管、晶体管简介半导体二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性二端器件,其产品结构比较简单,一般为单个

25、PN节结构,只允许电流从单一方向流过。自20世纪50年代面世至今,陆续发展出整流二极管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、TVS二极管等系列的二极管,广泛应用于整流、稳压、检波、保护等电路中。二极管的应用领域涵盖了消费类电子、网络通讯、安防、工业等,是电子工程上用途最广的电子元器件之一。晶体管是一种使用半导体材料制作而成的三端器件,具有放大、开关、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压或输入电流控制输出电流。晶体管根据结构特点和功能主要分为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(M

26、etal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和双极性结型晶体管(Bipolarjunctiontransistor,BJT,俗称三极管)。 2、二极管、晶体管行业的市场规模及竞争格局2018年全球二极管市场规模达63.93亿美元,市场空间广阔。根据中国电子信息产业统计年鉴数据,中国二极管销量从2014年的2,856亿只增长到了2018年的16,950亿只。根据芯谋研究的有关数据,2020年全球二极管营收前十大厂商中以欧、美、日厂商为主。晶体管主要分为双极性结型晶体管(三极管)、MOSFET和IGBT。根据三种晶体管的市场规模估算,

27、2019年,晶体管总的市场规模约为138.27亿美元;2020年,晶体管总市场规模约为147.88亿美元。由于双极性结型晶体管存在功耗偏大等问题,随着全球节能减排的推行,其市场规模总体趋于衰退,正在被MOSFET所取代;IGBT市场规模则以较高速度增长。市场竞争格局方面,三极管、MOSFET和IGBT三类产品的市场竞争格局有所不同。其中,全球三极管市场比较分散,MOSFET和IGBT市场集中度较高。3、二极管、晶体管行业的未来发展趋势二极管的应用领域涵盖了消费类电子、网络通讯、安防、工业等,随着市场的扩展而成长。二极管在部分细分领域的中高端产品,对技术创新要求较高,会随着应用领域的技术要求不断

28、提升,推动产品的技术升级,尤其是在消费类电子领域。晶体管中,双极性结型晶体管(三极管)是电流型功率开关器件,价格低、功耗大,在少数价格敏感、感性负载驱动等应用中还有一定需求,但其正在被功率MOSFET替代。近二十年来,消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格,MOSFET和IGBT逐渐成为主流。中国MOSFET、IGBT市场规模增长迅速。二、 发电源管理IC产品的行业基本情况1、电源管理IC简介电源管理IC在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测等功能,是电子设备中不可或缺的芯片。电源管理IC可应用于手机、可穿戴设备等消费类电子领域以及网络通讯、工业、安

29、防等领域的各类终端产品,是模拟芯片的重要组成部分。2、电源管理IC的市场规模及竞争格局根据Frost&Sullivan统计,全球电源管理IC拥有广阔的市场空间。2020年全球电源管理芯片市场规模约328.8亿美元,2016年至2020年年复合增长率为13.52%。国际市场调研机构TMR预测,到2026年全球电源管理芯片市场规模将达到565亿美元,年复合增长率高达10.69%。其中以大陆为主的亚太地区是未来全球电源管理芯片最大的成长动力。全球电源管理芯片被美、欧等国际厂商垄断,前五大供应商占据71%市场份额。目前,虽然欧美发达国家及地区电源管理芯片厂商在产品线的完整性及整体技术水平上保持

30、领先优势,但随着国内集成电路市场的不断扩大,部分本土企业在激烈的市场竞争中逐渐崛起,整体技术水平和国外设计公司的差距不断缩小。3、电源管理IC的未来发展趋势随着电子产品的种类、功能和应用场景的持续增加,消费端对电子产品的稳定性、能效、体积等要求也越来越高。为顺应终端电子产品的需求,电源管理IC将朝着高效能,微型化及集成化等方向发展,技术上追求更高的直流耐压,更小的导通阻抗,以及更小的封装尺寸。随着5G通信、物联网、智能家居、汽车电子、工业控制等新兴应用领域的发展,电源管理芯片下游市场有望持续发展。三、 TVS产品的行业基本情况1、TVS/ESD保护器件简介普通的TVS二极管在20世纪80年代开

31、始出现,与大多数二极管正向导通的特性不同,其基于反向击穿特性,通过对浪涌的快速泄放,可以起到对电子产品的保护作用,对初级浪涌防护效果较好。普通TVS二极管也是采用单个PN节结构,主要采用台面结构技术。21世纪初期以来,随着半导体芯片制程的发展,集成电路芯片呈现出小型化趋势,线宽变窄,同时追求更高的集成度和更低的工作电压,致使集成电路芯片变得更加敏感,极易受到静电和浪涌冲击,造成损坏。普通的TVS因性能、精度、灵敏度等方面的限制已无法满足集成电路芯片发展中新提出的防静电和浪涌冲击的保护要求,于是新型的具备漏电小、钳位电压低、响应时间快、抗静电能力强且兼具防浪涌能力等特点的用于ESD(Electr

32、o-Staticdischarge,静电放电)保护的TVS(以下简称为“ESD保护器件”)在近十几年被开发出来并不断创新、升级。普通的TVS二极管由单个PN节结构形成,结构单一,工艺简单。ESD保护器件对结构设计和工艺要求更高,结构更加复杂,一般设计成多路PN结集成结构,采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。ESD保护器件能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护,代表着当前TVS的技术水平和发展方向。目前,功率半导体行业内部分国际企业已将ESD保护器件在内的TVS单独分类。比如,安世半导体已将ESD保护、TVS单独分类,将其与二极管、MOSFET、逻辑和模拟IC等产品类别共同列为主要产品类别;安森

33、美将ESD保护单独分类,与二极管、MOSFET、晶体管等产品类别并列为安森美的主要产品类别;英飞凌、意法半导体、商升特等亦将ESD保护等单独分类。2、TVS/ESD保护器件的市场规模及竞争格局根据OMDIA发布的研究报告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021,2020年全球TVS市场规模约为16.21亿美元,预计2021年全球TVS市场规模约为18.19亿美元。2020年全球ESD保护器件市场规模约为10.55亿美元,预计2023年全球ESD保护器件市场规模约为13.20亿美元。根据韦尔股份2019年年度报告,在TVS领域,韦尔股份在消费类市场中的出货量稳居国内

34、第一,其主要竞争对手是外资器件厂家,包括英飞凌(Infineon),安森美(ONSemiconductor),恩智浦半导体(NXP),商升特半导体(Semtech)等。根据韦尔股份2020年年度报告,其2020年TVS销售额为5.03亿元。ESD保护器件的市场目前主要由欧美厂商主导,根据OMDIA发布的研究报告,全球前五大厂商分别为安世半导体(Nexperia)、意法半导体(STMicroelectronics)、商升特(Semtech)、安森美(ONSemiconductor)、晶焱(Amazing)。上述前五大厂商2020年销售额为7.08亿美元,占全球市场份额约为67.12%。3、TVS

35、/ESD保护器件的未来发展趋势TVS/ESD保护器件的应用领域广泛,随着在5G基础设施和5G手机、电动汽车充电桩、个人电脑、工业电子等市场的推动下,预计TVS/ESD保护器件将以较大幅度增长。在消费类电子领域,由于产品集成度高,技术要求不断提升,产品更新换代较快,相应地对ESD保护器件的技术创新要求也较高,未来的发展趋势为小型化、集成化。ESD保护器件通常具有响应时间短、具备静电防护和浪涌吸收能力强等优点,可用于保护设备电路免受各类静电及浪涌的损伤,顺应了集成电路芯片发展的趋势和需要,市场前景广阔。第三章 项目基本情况一、 项目名称及投资人(一)项目名称绵阳功率IC项目(二)项目投资人xx有限

36、责任公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(待定)。二、 编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件,以集约化、产业化、科技化为手段,组织生产建设,提高企业经济效益和社会效益,实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。三、 编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托;2、国家和地方有关政策、法规、规划;3、现行有关技术规范、标准和规定;4、相关产业发展规划、政策;5、项目承办单位提供的基础资料。四、 编制范围及内容依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况,按照项目的建设要求,对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性

37、和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模,并提出主要技术经济指标,对项目能否实施做出一个比较科学的评价,其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。五、 项目建设背景2019年全球MOSFET市场规模达76亿美元,2016-2023年复合增速达5%;中国大陆MOSFET市场规模达36亿美元,中国市场在全球占比约48%。2020年,全球MOSFET市场规模达80.67亿美元,2021年在全球尤其是中国的5G基础设施

38、和5G手机、PC及云服务器、电动汽车、新基建等市场推动下,全球MOSFET增速将以较高速度增长。预计2021年至2025年,MOSFET每年的增速将不低于6.7%,预计2025年将达到118.47亿美元。根据有关数据,2020年,全球MOSFET营收前十的厂商仍然以欧、美、日厂商为主,其中英飞凌以29.7%的市场份额遥遥领先,位居全球功率MOSFET市场第一,前2大厂商英飞凌和安森美营收之和占比为40.9%,前10大公司营收之和占比高达80.4%。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx(待定),占地面积约81.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xx件功率IC的

39、生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资37230.50万元,其中:建设投资29754.75万元,占项目总投资的79.92%;建设期利息668.56万元,占项目总投资的1.80%;流动资金6807.19万元,占项目总投资的18.28%。(五)资金筹措项目总投资37230.50万元,根据资金筹措方案,xx有限责任公司计划自筹资金(资本金)23586.41万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额13644.09万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):66600.

40、00万元。2、年综合总成本费用(TC):57612.74万元。3、项目达产年净利润(NP):6535.84万元。4、财务内部收益率(FIRR):10.17%。5、全部投资回收期(Pt):7.48年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):32984.90万元(产值)。(七)社会效益本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利

41、影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积54000.00约81.00亩1.1总建筑面积94391.471.2基底面积34020.001.3投资强度万元/亩365.262总投资万元37230.502.1建设投资万元29754.752.1.1工程费用万元26530.892.1.2其他费用万元2426.162.1.3预备费万元797.702.2建设期利息万元668.562.3流动资金万元6807.193资金筹措万元37230.503.1自筹资金万元23586.413.2银行贷款万元13644.094营业收入万元66600.00正

42、常运营年份5总成本费用万元57612.74""6利润总额万元8714.45""7净利润万元6535.84""8所得税万元2178.61""9增值税万元2273.39""10税金及附加万元272.81""11纳税总额万元4724.81""12工业增加值万元17275.81""13盈亏平衡点万元32984.90产值14回收期年7.4815内部收益率10.17%所得税后16财务净现值万元-3706.45所得税后第四章 项目选址可行性分析一、

43、项目选址原则1、符合国家地区城市规划要求;2、满足项目对:原材料、能源、水和人力的供应;3、节约和效力原则;安全的原则;4、实事求是的原则;5、节约用地;6、注意环保(以人为本,减少对生态环境影响)。二、 建设区基本情况绵阳,四川省地级市,位于四川盆地西北部,涪江中上游地带。东邻广元市的青川县、剑阁县和南充市的南部县、西充县;南接遂宁市的射洪市;西接德阳市的罗江区、中江县、绵竹市;西北与阿坝藏族羌族自治州和甘肃省的文县接壤。介于北纬30°4233°03、东经103°45105°43之间,总面积2.02万平方公里。截止2020年末,绵阳中心城区建成区面积达

44、167.58平方公里。截至2020年末,绵阳市下辖3区、1县级市、5县,代管四川省人民政府科学城办事处。根据第七次人口普查数据,截至2020年11月1日零时,绵阳市常住人口为4868243人。自汉高祖二年(前201年),西汉设置涪县以来,绵阳市已有2200多年建城史,历来为州郡治所,后因城址位于绵山之南而得名“绵阳”。边堆山遗址出土有4500年前新石器时代的石器和陶器;是诗仙李白以及“唐宋八大家”之一欧阳修的出生地,黄帝元妃丝绸之母嫘祖的故乡,夏王朝的缔造者大禹的诞生地。绵阳是批准建设的中国唯一的科技城,是四川第二大经济体和成渝城市群区域中心城市,重要的国防科研和电子工业生产基地。素有“富乐之

45、乡、西部硅谷”美誉,享有全国文明城市、国家卫生城市、国家森林城市、国家园林城市、国家环保模范城市、中国优秀旅游城市、全国科技进步先进市、国家知识产权示范城市、全国创业先进城市等殊荣。经济实力再上台阶。经济持续平稳增长,保持年均增速高于全国全省平均水平,人均地区生产总值大幅提升,发展质效明显提高,现代产业体系加快构建,实现产业基础高级化、产业链现代化,城乡融合发展和乡村振兴取得新突破,西部经济强市建设取得重大突破。创新能力大幅跃升。创新体制机制更加完善,服务保障国防建设能力明显提升,科技创新对经济增长的贡献进一步增强,中国科技城综合实力、核心竞争力、国际影响力显著提升,成渝地区双城经济圈创新高地

46、、科技创新先行示范区基本建成。展望二三五年,绵阳将与全国全省同步基本实现社会主义现代化,中国科技城建设国家战略目标基本实现,西部现代化强市基本建成。经济实力显著增强,经济总量和城乡居民人均可支配收入迈上新的大台阶,现代产业体系健全完善,新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化基本实现,西部先进制造强市、西部现代服务业强市、西部现代农业强市基本建成。区域综合交通枢纽功能显著增强,交通强市基本建成,更高水平参与国际国内经济合作,对外开放新优势全面提升。城市空间布局更加优化,城市功能更加完善,城市品质进一步提升,型大城市基本建成。科技创新成为经济增长主要动力,跻身国家创新型城市前列,具有国际影响力的中

47、国科技城基本建成。国民素质和社会文明程度达到新高度,西部教育强市、人才强市基本建成。生态环境更加优美,生活环境更加宜居,长江上游生态安全屏障更加牢固,生态强市基本建成。社会事业发展水平显著提升,基本公共服务实现均等化,人民生活更加美好,人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。治理体系和治理能力现代化基本实现,法治绵阳、法治政府、法治社会基本建成,平安绵阳建设达到更高水平。当今世界正经历百年未有之大变局,新一轮科技革命和产业变革深入发展,国际力量对比深刻调整,和平与发展仍然是时代主题,同时世界进入动荡变革期,不稳定性不确定性明显增加。我国正处于实现中华民族伟大复兴的关键时期,将进

48、入全面建设社会主义现代化国家,向第二个百年奋斗目标进军的新发展阶段。今后五年,是绵阳抢抓国省系列重大战略机遇、全面建设社会主义现代化绵阳的关键时期。绵阳发展具有多方面的优势和条件。绵阳科技城建设部际协调小组第十四次会议明确了新阶段绵阳科技城发展目标定位,省委省政府全力支持高水平建设绵阳科技城,绵阳科技城建设得到空前重视、空前支持,绵阳发展的战略支撑将更加有力;“一带一路”建设、长江经济带发展、新时代推进西部大开发形成新格局等重大战略深入实施,绵阳发展的战略动能将更加强劲;构建以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局,推动成渝地区双城经济圈建设,推进新一轮深层次改革和高水平开放,全

49、省加快形成“一干多支、五区协同”区域发展格局,绵阳发展的战略位势将更加凸显。同时,发展不平衡不充分仍然是绵阳的最大市情,经济总量不大、发展质量不高仍然是绵阳的最大问题,基础设施、公共服务、生态环保、社会治理等领域还存在短板弱项。(上接第1版)面向未来,全市上下必须胸怀两个大局,深刻把握新发展阶段、坚决贯彻新发展理念、主动融入新发展格局,保持战略定力,抓住机遇,应对挑战,趋利避害,努力在危机中育先机、于变局中开新局。三、 坚持创新驱动发展,高水平建设中国(绵阳)科技城坚持创新在现代化建设全局中的核心地位,坚持“四个面向”,着力打造成渝地区双城经济圈创新高地,建设具有全国影响力的科技创新先行示范区

50、。壮大国家战略科技力量。全力服务保障在绵科研院所、企业、高等院校建设发展,支持重大工程和重大项目建设。完善重大科技项目协作配套体系。加强基础研究、注重原始创新,深化多学科交叉融合创新,强化战略性、前沿性和颠覆性技术创新,推动在核科学技术、空气动力技术、航空动力技术等领域保持领先优势。争取国家在绵布局建设国家实验室和一批重点实验室、工程研究中心、技术创新中心等重大平台,以及重点科研机构、重大科技基础设施。支持在绵科研生产单位实施一批重大科技项目。与成都、重庆共建中国西部科学城,打造成渝绵“创新金三角”,争创综合性国家科学中心。推进军民融合深度发展。创新体制机制,持续完善组织管理体系、工作运行体系

51、、政策制度体系。整合资源要素,围绕技术、资本、信息、人才、设备设施等领域,推进共通共用、共建共享的示范平台建设,支持科研院所、高等院校和企业在绵建设科技协同创新平台。提升国家军民两用技术交易中心、四川大型科学仪器共享平台等市场化运营水平。促进科技协同创新,发展先进适用技术,推动工业领域标准通用化,推进前沿技术产业化应用。鼓励支持在绵科研院所发展孵化器、产业园,聚焦核技术应用、北斗卫星应用、空管、新型功能材料、激光等优势领域,加大科技成果转化产业化力度,培育具有核心竞争力的高技术产业集群。建强科技创新主体。强化企业创新主体地位,深入实施高新技术企业数量规模“双提升”行动和科技型中小企业培育“涌泉

52、计划”,培育一批核心技术能力突出、集成创新能力强、引领重要产业发展的创新型企业。发挥大企业引领支撑作用,支持创新型中小微企业成长为创新重要发源地。围绕北斗卫星导航、信息安全、智能装备制造等重点领域建设高水平新型研发机构。吸引聚集科研院所、知名高等院校及大型企业在绵设立分支机构。加强共性技术平台建设,推动产业链上中下游、大中小企业融通创新。发挥企业家在技术创新中的重要作用,鼓励企业加大研发投入。营造良好创新生态。开展新一轮全面创新改革试验,协同推进科技创新和体制机制创新。探索开展科技项目“揭榜制”和科研经费“包干制”试点。优化完善科技评价机制和科技奖励制度。大力发展科技中介服务,扶持培育和引进集

53、聚一批服务专业化、发展规模化、运行规范化的科技中介机构和科技成果运营机构。健全科技金融服务体系,支持科技金融专营机构创新金融产品,推动组建中国科技城政策性科技银行。健全“创业苗圃+孵化器+加速器”全链条孵化服务体系。加强知识产权保护,推进知识产权运营,争取设立国家级知识产权交易中心。弘扬科学精神和工匠精神,加强科普工作,营造崇尚创新的社会氛围。激发人才创新活力。深化人才发展体制机制改革,建设更有竞争力的人才制度体系,全面提升人才公共服务能级,争创国省人才管理改革试验区。引进战略科技人才、科技领军人才和高水平创新团队,扩大高层次人才培养规模,加强重点关键领域拔尖创新人才、基础研究人才、产业技术研

54、发人才培养,壮大高水平工程师和高技能人才、青年技能人才队伍。健全创新激励和保障机制,深化科研放权赋能改革,扩大科研自主权,扩大职务科技成果权属混合所有制改革试点范围,深化科技成果所有权使用权处置权收益权等改革。加快建设绵阳科技城新区。按照“四区一新城”空间布局,高起点谋划、高标准建设绵阳科技城新区,打造中国科技城建设的核心载体、高质量发展的重要引擎。以科技创新全链条为主线,积极探索和推进科技体制机制改革,加快建设创新活跃的科技新区。推动先进制造业高端延链发展和现代服务业集群集聚,加快建设业态高端的产业新区。探索城市建设新模式,持续推进基础设施建设,加快建设生态宜居的城市新区。创新绵阳科技城新区

55、管理体制,授予与新区发展阶段相适应的管理权限,推动新区与周边区域协同发展。四、 加快构建现代化基础设施体系按照科学规划、合理布局原则,加快补齐交通、能源、水利等基础设施短板,布局建设新型基础设施,构建系统完备、高效实用、智能绿色、安全可靠的现代化基础设施体系,全面赋能和强力支撑高质量发展。打造区域综合交通枢纽。对接西部陆海新通道建设,深入推进交通建设攻坚,构建外联内畅、通江达海的现代综合交通运输体系,加快建设交通强市。拓展对外开放通道,建成成兰铁路(绵阳段),开工建设绵遂内铁路、成都至三台至巴中铁路,规划建设重庆至遂宁至绵阳高铁。建成投运南郊机场T2航站楼,推进绵阳机场迁建,加快建设通用机场。

56、建成九绵、广平、中遂、G5成绵广扩容、绵苍等高速公路,推进三大、南盐、茂盐等高速公路前期工作。畅通内部交通网络,加快国省干线提档升级,推进县域间骨干路网建设,推进中心城区到县(市)快速通道扩容改造或第二快速通道建设。推动铁路、公路、航空等实现货运多式联运和“无缝衔接”。强化能源保障能力建设。因地制宜开发利用新能源和可再生能源。优化输变电设施布局,促进主网架提档升级,着力补强配网短板。加快农村电网改造升级,提升农村地区供电能力和服务水平。加快天然气储气设施及能力建设,构建多层次天然气储备体系。加强水利设施建设。推进重点水利工程建设,建成开茂水库、沉水水库、引通济安工程,实施武引灌区、人民渠等大中

57、型灌区续建配套和现代化改造。加强饮用水水源地和备用水源建设,推进城乡供水工程一体化规模化。实施涪江干支流和中小河流治理、病险水库除险加固、山洪灾害防治工程。加强涪江干支流控制性水利枢纽和河堤建设,提高防洪标准。加快新型基础设施建设。加快布局信息基础设施,推进5G网络、物联网、工业互联网等通信网络基础设施建设,布局数据中心、智能计算中心等算力基础设施,构建高速、移动、安全、泛在的新一代信息基础设施。加快布局融合基础设施,应用人工智能、云计算、区块链等技术,实施传统基础设施转型升级。建设城市智能交通体系,推进北斗卫星导航在安全、交通、旅游等领域深度应用。五、 项目选址综合评价项目选址区域地势平坦开

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